【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性基板上の接続端子に駆動ＩＣを直接実装する表示装置において、生産コストアップを生じることなく、金属配線の露出による絶縁性低下、腐食を発生させることもなく、高い接続信頼性を得る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に形成された金属配線と、金属配線上に形成された無機絶縁膜１２と、無機絶縁膜上に形成された有機樹脂膜１３と、金属配線上の無機絶縁膜１２および有機樹脂膜１３を除去した部分に形成された透明導電膜１０と、絶縁性基板１上の表示領域外の駆動ＩＣ４実装領域に形成された接続端子７と、表示領域に信号を供給するために、異方性導電膜５によって接続端子７と接続される駆動ＩＣ４のバンプ９とを備えた表示装置であって、駆動ＩＣ４実装領域において、金属配線上以外の領域の無機絶縁膜１２と有機樹脂膜１３とを除去したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において各画素では、透光の誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に第１電極層７が設けられ、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に透光性の第２電極層８ａが設けられている。このため、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されている。また、蓄積容量５５と画素電極９ａとの間に透光性の層間絶縁膜４４が設けられている。このため、画素電極９ａを研磨により平坦化した平坦面上に形成することができるとともに、共通電位が印加された第１電極層７と画素電極９ａの端部との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）

【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、第１配線上に第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に第２配線と、第１配線と接続するゲート電極と、第２配線及びゲート電極上に第３絶縁膜と、第３絶縁膜上に半導体膜と接続する第３の配線とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】画素電極の角部周辺のテクスチャ不良による表示不良を防止した液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、直交するゲートライン及びデータラインによって定義される画素領域と、画素領域に形成され、画素領域の一角に隣接する部分が傾斜して形成された画素電極と、光漏れを遮蔽する光遮蔽パターンであって、ゲートラインと並んで形成され、ストレージ電圧を供給するストレージラインと、ストレージラインから突出してデータラインと並び、画素電極の一側部と重なるように形成されたストレージ突出部とを含む光遮蔽パターンと、ストレージ突出部と次段のストレージラインとを電気的に接続し、かつ、画素電極と重複しないブリッジ電極とを含み、ブリッジ電極の端部の一辺は、画素電極の一側辺に平行にフリンジフィールドを形成し、ストレージ突出部の端部の一辺は画素電極と重複しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１Ａは、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、駆動側基板１０の側から順に、導電膜２７Ａ、酸化物半導体よりなる半導体層１１、絶縁膜１２Ｂおよび導電膜１３Ｂを積層してなる。保持容量素子１０Ｃでは、導電膜２７Ａ，１３Ｂ間において容量形成がなされ、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い、酸化物半導体を有する半導体装置。
【解決手段】酸化物半導体層は、ソース電極と重なる第１の領域と、ドレイン電極と重なる第２の領域と、ソース電極及びドレイン電極と重ならない第３の領域と、を有し、記第３の領域における酸化物半導体層の膜厚は、第１の領域及び第２の領域における酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、第３の領域における酸化物半導体層の一端部は、第１のテーパを有し、記第３の領域における酸化物半導体層の他端部は、第２のテーパを有し、ソース電極の端部は、第３のテーパを有し、ドレイン電極の端部は、第４のテーパを有し、第１のテーパと、第３のテーパとは連続した形状を有し、第２のテーパと、第４のテーパとは連続した形状を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】静止画表示時に再書き込みのタイミングを検知する手段を持つ低消費電力型の液晶表示装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液晶表示パネル側から照射される光の照度を検出する光センサを液晶表示パネルの端部近傍に設置し、極めてオフ電流の低いトランジスタを使用した液晶表示パネルの表示領域の画素とモニタ用画素に電位を供給して静止画を表示させ、少なくともモニタ用画素の液晶層を透過した光を光センサで検出させ、その照度の変化率が既定値に達したときに、液晶表示パネルの表示領域の画素及びモニタ用画素に再度電位を供給し、静止画像を維持させる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との間に位置し第１方向に沿って延出した主画素電極と、前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線のそれぞれとの間に絶縁膜を介して対向し第１方向に沿って延出した第１主共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主共通電極と対向し第１方向に沿って延出するとともに前記第１主共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】所望の電気容量を有する保持容量を有すると共に、画素電極間における表示むらを低減させた液晶装置、これを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と画素電極１５に誘電体層を介して対向配置された光透過性を有する容量電極１６ａとにより構成された保持容量と、画素電極１５とＴＦＴ３０とを電気的に接続させる第１コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ５と、容量電極１６ａと容量配線３ｂとを電気的に接続させる第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ４と、を備え、画素電極１５と容量電極１６ａは、画素Ｐごとに独立して設けられ、容量電極１６ａとコンタクトホールＣＮＴ４は平面的に画素電極１５が設けられた領域内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】横電界モードを用いた液晶表示装置において、配線の抵抗の抑制を図り、画素数を増加させても液晶表示装置の駆動速度の低下を抑えることができる、液晶表示装置とその作製方法を提案する。
【解決手段】第１の配線と第２の配線の交差部において、一方の配線を分断し、分断した配線を絶縁膜上の接続電極で架橋し、寄生容量を低減することができる。また、画素電極である第１の電極層、共通電極である第２の電極層と同時に接続電極を形成し、これらの膜厚を厚くし、配線抵抗の小さい金属を用いることで配線による抵抗を小さくすることができ、液晶表示装置の駆動速度の低下を抑制することができる液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させることなく画素電極の凹凸を低減してコントラストを確保できる液晶パネルを提供する。
【解決手段】液晶パネル11は、アレイ基板12を有する。アレイ基板12は、絶縁層21を備える。アレイ基板12は、絶縁層21の液晶層14に対して反対側に複数の薄膜トランジスタ24を備える。アレイ基板12は、薄膜トランジスタ24を覆う支持層27を備える。アレイ基板12は、絶縁層21に対して各薄膜トランジスタ24と反対側の位置に、各薄膜トランジスタ24により駆動する複数の画素電極29を備える。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素部に黒色のベタ状の画像を表示させた場合、ダミー画素電極には最大（又は最小）の電圧が印加され続けられる。一方、画素電極には、平均すれば中間調の電圧が印加される。この電位差によって発生する横方向電界により液晶層中に含まれるイオン性不純物が移動して偏在し、シミ状の表示むらが発生するという課題があった。
【解決手段】基板上に設けられ、画素電極が配列した表示画素部と、前記表示画素部を平面視で囲うように配列したダミー画素電極と、を備え、前記ダミー画素電極は、電気的にフローティング状態を取り、前記ダミー画素電極と前記画素電極との間隙は、前記画素電極間の間隔よりも小さい。そのため、ダミー画素電極の電位は、隣り合う画素電極の電位に近づく。そのため、横方向電界を緩和でき、シミ状の表示むらの発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素電極を設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極を適正な位置に配置することのできる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、画像形成領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、周辺回路部１０６の一部が構成されており、周辺領域１０ｂにおいて、周辺回路部１０６に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極９ｂが形成されている。また、周辺領域１０ｂにおいて、ダミー画素電極９ｂに対して上層側で重なる領域には、対向基板２０の共通電極２１やダミー画素電極９ｂに印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）