【課題】 スイッチング素子の配線平面パターンの簡素化を実現できる電気光学装置、及び投射型表示装置を提供する。
【解決手段】 ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を有する半導体層８０ｎ、８０ｐと、当該半導体層８０ｎ、８０ｐに対向配置されたゲート電極８１ｎ、８１ｐと、からなるスイッチング素子７０ａを備えた電気光学装置であって、ソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極のうちの少なくともいずれかは、半導体層８０ｎ、８０ｐよりも下層側に設けられた下層配線８４に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびＴＦＴを有する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】周辺回路およびアクティブマトリクス回路を含む半導体装置において、前記周辺回路および前記アクティブマトリクス回路は、第１の絶縁膜を介して半導体層の下に設けられた第１のゲイト電極および第２の絶縁膜を介して前記半導体層の上に設けられた第２のゲイト電極を含む複数の薄膜トランジスタを含み、前記周辺回路の薄膜トランジスタの半導体層に結晶性半導体が用いられ、前記アクティブマトリクス回路の半導体層に非晶質半導体が用いられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像が表示されるアクティブ領域と、画像非表示領域である外郭部を含む液晶表示装置が提供される。
【解決手段】液晶表示装置は、前記アクティブ領域にアレイ素子とカラーフィルタが形成された第１基板と、前記外郭部に形成された静電気放電(ＥＳＤ)回路及び前記静電気放電回路上に形成されたパターンスペーサと、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と第２基板を合着するシーラントとを含む。 （もっと読む）

【課題】 良好な画像品質を有すると共に、高歩留まりで製造できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 基板１０上に形成されたスイッチトランジスタ（Ｔｒ）９ａ、Ｔｒ９ａに接続された保持容量１３ａ、Ｔｒ９ａ及び保持容量１３ａ上に形成された絶縁層３５、絶縁層３５上に形成され、Ｔｒの一方の出力端子に接続された画素電極１９を有する構成が平面的にマトリクス状に形成された素子基板２０ａと、素子基板２０ａ上に所定の間隙を有して設けられた共通電極基板２２と、素子基板２０ａと共通電極基板２２ａとの間に充填された液晶層４と、共通電極基板２２ａ側から読出光を照射したときに、Ｔｒ９ａに読出光が到達しないように絶縁層中に設けられた遮光層２５ａと、を備えた液晶表示装置において、保持容量１３の一方の電極１７ａはＴｒ９ａの一方の出力端子１６ａと共通接続され、保持容量１３の他方の電極１８ａは遮光層２５ａと電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスで柱状スペーサの高さを任意に制御することができるカラーフィルタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法は、基板４上に遮光層５およびカラーフィルタ層６を形成する工程（ａ）と、遮光層５およびカラーフィルタ層６が形成された基板４上に感光性樹脂を用いて複数の柱状スペーサ１１ａ、１１ｂを形成する工程（ｂ）とを包含する。工程（ａ）は、第１のカラーフィルタ７と同一の膜から下地層７ａ、７ｂを形成する工程（ｃ）を包含し、工程（ｃ）において形成される下地層７ａ、７ｂの面積および／または形状を調整することによって、工程（ｂ）において形成される複数の柱状スペーサ１１ａ、１１ｂの高さを制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板の位置ずれを効率的に防止することができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 対向配置される第１の基板及び第２の基板を含むセル構造と、当該セル構造の内部に保持された電気光学材料と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、第１の基板上におけるセル構造を構成するセル領域以外の領域に、第１の基板及び第２の基板を貼り合わせる際の位置ずれを防止するための突起部であって、第１の基板及び第２の基板間のセルギャップの高さよりも低い突起部を形成するとともに、第２の基板上におけるセル領域以外の領域であって、突起部に対応する位置に、当該突起部と係合するとともに、突起部と係合した状態で水平方向にマージンを有する係合部を形成し、突起部と係合部とを係合させた状態で、貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホール及びその付近でも耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、透明な画素電極（９ａ）と、これにコンタクトホール（８５）を介して接続されたＴＦＴ（３０）と、画素電極とＴＦＴとの間に積層されておりＴＦＴのチャネル領域を上方から覆うと共に平面的に見てコンタクトホールを避けるように切り欠かれている容量線（３００）とを備える。更に、この切り欠かれている領域を覆う部分遮光膜（４０１）を備える。 （もっと読む）

【課題】 漏光による光電流の発生を防止し、ＴＦＴ素子の特性を適切に防止することが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一対の基板１Ａ，１Ｂと、一対の基板１Ａ，１Ｂに挟まれた液晶層７と、基板１Ａにマトリクス状に配置された複数の画素電極３４と、複数の画素電極３４に対応するように基板１Ａ上に配置された複数の半導体層２を有するＴＦＴ素子Ｔと、を備える液晶表示装置Ａであって、ＴＦＴ素子Ｔが形成された基板１Ａの面内方向において、半導体層２を囲うように形成された遮光部４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】 製造コストをかけることなく、十分な光電流を得ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、各画素ＴＦＴごとに２個ずつ設けられる画像取込み用のセンサとを有する。センサ内のフォトダイオードＤ１，Ｄ２を構成するｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に、低濃度のｐ-領域４７またはｎ-領域を形成し、このｐ-領域４７またはｎ-領域の基板水平方向長さをｐ+領域４６やｎ+領域４８よりも長くするため、ｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に形成される空乏層５３がｎ-領域に長く伸び、その結果、光電流が増えて光電変換効率がよくなるとともに、S/N比が向上する。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、プリチャージ回路、サンプリング回路等が有するＴＦＴの下側からの戻り光等に対する遮光性能を高め、優れたスイッチング特性により高品質の画像表示を行う。
【解決手段】 液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴや、プリチャージ回路（２０１）及びサンプリング回路（３０１）のＴＦＴの下側には、遮光層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】横電界の影響を軽減して、高コントラストの画像を得る。
【解決手段】第１基板１１上にはマトリクス状に画素電極１１１を形成すると共に、画素電極１１１間に、ストライプ状に信号電極１１２を形成する。一方、第２基板１２上には、カラーフィルタ１２２を形成し、カラーフィルタ上１２２上に遮光膜１２３を形成する。この遮光膜１２３上に格子状に金属膜１２１を形成する。金属膜１２１及びカラーフィルタ上に、走査電極１２５を形成する。金属膜１２１は、走査電極１２５相互間の隙間に形成される。これにより、信号電極１１２には走査電極１２５又は金属膜１２１が必ず対向する。これにより、信号電極１１２からのリーク電流は対向する走査電極１２５又は金属膜１２１に進行し、横電界の発生を抑制することができ、高コントラストの画像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続された配線（３ａ、６ａ）と、ＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。基板には、配線に対向する領域に格子状やストライプ状の溝（１０ｃｖ）が掘られており、この溝内でチャネル領域に対向する領域に凹部（４０１）が更に掘られている。下側遮光膜は、該凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 入射した光を適正に開口領域に導く構成を追加することにより、光透過率の向上を図ることができるとともに、ＴＦＴの誤動作を防止することのできる電気光学装置、この電気光学装置を用いた投射型表示装置並びに電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１００のアクティブマトリクス基板１０には、この基板に入射した光のうち、画素１００ａの開口領域１００ｂから外れてデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂやＴＦＴ３０に向かおうとする光を開口領域１００ｂに導く光学面８１が形成されている。このため、入射した光の利用効率が高く、かつ、光に起因してＴＦＴ３０が誤動作するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）

【課題】表示領域最外周画素部に設けられた画素電極のパターニング不良を無くし、表示品位の向上した液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】表示領域の最外周に沿って位置した画素部の着色層２５Ｂを黒着色層からなる額縁パターン３２側へ延在させて延在部２７を形成することにより、着色層と額縁パターンとの段差部分を画素電極３０から離して配置する。また、着色層の延出部の下方に、液晶表示素子を構成する金属配線を配置して、画素電極と額縁パターンとの間の領域を遮光する。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）