【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと；画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示素子の単位画素を第１及び第２画素部に２分割し、各画素部に第１及び第２スイッチング素子を別途に形成することにより、１つのスイッチング素子に不良が発生したとき、単位画素全体が不良になる可能性を排除する。
【解決手段】液晶表示素子は、第１基板及び第２基板と、前記第１基板の上に交差配置されて単位画素を定義し、前記単位画素を第１及び第２画素部に２分割するゲートライン及びデータラインと、前記第１及び第２画素部にそれぞれ備えられ、同一の走査信号が印加される第１及び第２スイッチング素子と、前記第１及び第２画素部に対応して形成される複数の第１及び第２共通電極と、前記第１及び第２画素部に対応して形成される複数の第１及び第２画素電極と、前記単位画素と隣接する単位画素に共有されて共通的に信号を印加する共通ラインと、前記第１と第２基板間に形成される液晶層とを含む。 （もっと読む）

屋内，屋外何れの照明環境下においても明るく、かつコントラストの高い画像が表示可能な低コストの半透過反射型液晶表示装置を提供する。基板１０上に複数のゲート配線１１と、該ゲート配線と直行するように配置された複数のソース配線１５とによって包囲される複数の画素と、この画素内に配置したゲート配線とソース配線の交差点付近に設けられたスイッチング素子１９と、このスイッチング素子に接続された画素電極１６を有し、透過型表示と反射型表示とを行う液晶表示装置で、画素電極は、透明な導電層と、この透明な導電層に電気的に接続した光反射機能を有する導電材１７とを有して構成されるというものである。
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【課題】２本の補助容量ラインを大きい補助容量を確保した反射型および半透過型ＬＣＤを実現する。
【解決手段】１つの画素に対応して２本の補助容量ライン２６ａ，２６ｂを設け、行方向の各画素はいずれか一方の容量ライン２６を利用して補助容量３２ａ，３２ｂを形成する。そして、隣接した画素であって同一の補助容量ライン２６を利用していない画素にも自画素の補助容量３２を延長形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ特性を安定的に確保できる有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一特徴による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にデータ線及びドレイン電極を形成する段階、有機半導体を形成する段階、前記有機半導体を完全に覆う保護部材を形成する段階、前記保護部材、前記データ線、及び前記ドレイン電極の上に、前記ドレイン電極を少なくとも一部露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階、並びに前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と接続される画素電極を前記保護膜上に形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示素子の製造において、基板に対する接着性が高く、その成分が液晶中
に溶け出して液晶汚染を引き起こすことがないため液晶表示において色むらが少ないこと
から、特に滴下工法による液晶表示素子の製造に最適である液晶表示素子用シール剤、上
下導通材料、及び、液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 水酸基と、アミノ基、チオール基、カルボキシル基又はＮＨ結合とを分子
内に有する化合物、エポキシ基及び／又は不飽和二重結合を２つ以上有する樹脂、並びに
、熱硬化剤を含有する液晶表示素子用シール剤。 （もっと読む）

【課題】 金属集積回路構造を好適に電気鋳造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明による方法は、中間絶縁体を貫通するビアまたはラインといった開口部（１０８）を形成して基板（１０２）の表面（１０４）を露出し、中間絶縁体（１０６）と基板の表面との上にあるベース層（１１０）を形成し、ベース層の上にあるストライク層（１１２）を形成し、ストライク層の上にある最上層を形成し、選択的にエッチングすることにより基板の表面の上にある最上層を除去してストライク層（１１２）の表面を露出し、ストライク層の表面の上にある金属構造（１１４）を電気鋳造する。電気鋳造された金属構造（１１４）は、電気メッキまたは無電解堆積プロセスを用いて堆積される。典型的には、この金属はＣｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、ＰｔまたはＡｇである。 （もっと読む）

【課題】 良好な素子特性を有する非線形素子を備え、もって高画質表示を可能にした電気光学装置を歩留まりよく製造する方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、該非線形素子から延出されたコンタクト部と、前記非線形素子およびコンタクト部を覆う層間絶縁膜と、前記コンタクト部と電気的に接続された画素電極とを具備した電気光学装置の製造方法であって、本線部１０６ｂとコンタクト部３６を迂回する支線部１０６ａとを有する金属膜１０６をパターン形成する工程と、前記金属膜１０６を陽極酸化処理することにより前記金属膜１０６上に酸化膜からなる絶縁層を形成する工程と、前記支線部１０６ａの先端部を残して前記金属膜１０６を除去し、前記第１導電層および導電層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記第２導電層およびコンタクト部３６を形成する工程とを含む製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の導電物質からなる信号線を用いることにより、良好な接触特性を備える接触構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接触部形成方法は、基板上に第１配線を形成する段階と、第１配線を覆い、第１配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、コンタクトホールによって露出する第１配線の表面に接触層を形成する段階と、接触層を介して第１配線と接続される第２配線を形成する段階とを含み、第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成し、第２配線は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成する。 （もっと読む）

導電性層(5)を基板(1)の上に製造する方法は、絶縁体たとえば感光性絶縁体(2)のような材料を基板(1)の上に堆積させること、絶縁材料上に導電層のための溝(3)を画成すること、溝(3)を先駆体で埋めること、そして導電層を与えるための先駆体を処理することを有する。
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【課題】 ＯＣＢ液晶表示装置の黒表示時の青味を低減する。
【解決手段】 対向電極Ｅｃｏｍを配置した対向基板１３０および画素電極Ｄｐｉｘを配置したアレイ基板１２０間にベンド配列される液晶層１４０を挟持し、前記基板の一方に赤、緑、青の各色フィルタ層を備える液晶表示セル１１において、対向電極は青色フィルタ層に対応する部分Ｅｃｏｍ（Ｂ）の膜厚ｔＢが正面反射率の分光スペクトルにおける最小値が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍ内になるように、かつ、 １００ｎｍ＜ｔＢ≦１４０ｎｍに設定される。 （もっと読む）

第１の層（１０）及び第２の層（１１）を有し、第１の層が可撓性基板であり、第２の層が基板に被着された脆いＩＴＯ導通ラインであるような装置、例えばフレキシブルＡＭＬＣＤが開示される。ＩＴＯ層は、波形構造を有し、可撓性基板を変形させたときのＩＴＯ層の破断を阻止するようＩＴＯ層の長さのかなりの部分に沿って基板と接触状態にある。ＩＴＯ層を幾つかの部分（１６，１７）に分割するのがよく、これら部分の長さは、可撓性基板を所定の曲率半径まで変形させたときの破断を阻止するよう選択されている。
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【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 パターニングフリーの能動素子基板の提供。
【解決手段】 能動素子基板は、基板上に形成された能動素子１と、能動素子１上に形成された導電膜２とを有する。導電膜２は、能動素子１から出力された電気信号を有限範囲内に伝達する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタアレイだけに突出部とスリットとを形成されたマルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供することである。
【解決手段】 複数の薄膜トランジスタと複数の突出部と複数の画素電極とを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配設された液晶層とを少なくとも備え、前記突出部上に形成された画素電極は複数のスリットを有し、第１の基板は突出部及びスリット上に平坦化された誘電体層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短絡や断線を回避しながら、基板の接続配線の抵抗の均一化を図る。
【解決手段】 基板の各信号配線３と素子側端子８とを接続する接続配線７を、それぞれ所定の線幅を有する複数の接続部である第１の区間７ａ、第２の区間７ｂから構成し、該複数の接続部の膜厚を調整したり、第１の区間７ａに積層配線１９を設けて多層構造とすることにより、各接続配線７で全抵抗が略同じになるように構成する。これにより、接続配線７の最大線幅と最小線幅の差を約２倍程度に抑えることができるため、太い接続配線７における短絡や、細い接続配線７における断線を回避しながら、各接続配線７の抵抗の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）