【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの下地膜または保護膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 （もっと読む）

【課題】画素電極の角部周辺のテクスチャ不良による表示不良を防止した液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、直交するゲートライン及びデータラインによって定義される画素領域と、画素領域に形成され、画素領域の一角に隣接する部分が傾斜して形成された画素電極と、光漏れを遮蔽する光遮蔽パターンであって、ゲートラインと並んで形成され、ストレージ電圧を供給するストレージラインと、ストレージラインから突出してデータラインと並び、画素電極の一側部と重なるように形成されたストレージ突出部とを含む光遮蔽パターンと、ストレージ突出部と次段のストレージラインとを電気的に接続し、かつ、画素電極と重複しないブリッジ電極とを含み、ブリッジ電極の端部の一辺は、画素電極の一側辺に平行にフリンジフィールドを形成し、ストレージ突出部の端部の一辺は画素電極と重複しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、第１配線上に第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に第２配線と、第１配線と接続するゲート電極と、第２配線及びゲート電極上に第３絶縁膜と、第３絶縁膜上に半導体膜と接続する第３の配線とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】静止画表示時に再書き込みのタイミングを検知する手段を持つ低消費電力型の液晶表示装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液晶表示パネル側から照射される光の照度を検出する光センサを液晶表示パネルの端部近傍に設置し、極めてオフ電流の低いトランジスタを使用した液晶表示パネルの表示領域の画素とモニタ用画素に電位を供給して静止画を表示させ、少なくともモニタ用画素の液晶層を透過した光を光センサで検出させ、その照度の変化率が既定値に達したときに、液晶表示パネルの表示領域の画素及びモニタ用画素に再度電位を供給し、静止画像を維持させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い、酸化物半導体を有する半導体装置。
【解決手段】酸化物半導体層は、ソース電極と重なる第１の領域と、ドレイン電極と重なる第２の領域と、ソース電極及びドレイン電極と重ならない第３の領域と、を有し、記第３の領域における酸化物半導体層の膜厚は、第１の領域及び第２の領域における酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、第３の領域における酸化物半導体層の一端部は、第１のテーパを有し、記第３の領域における酸化物半導体層の他端部は、第２のテーパを有し、ソース電極の端部は、第３のテーパを有し、ドレイン電極の端部は、第４のテーパを有し、第１のテーパと、第３のテーパとは連続した形状を有し、第２のテーパと、第４のテーパとは連続した形状を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の電気容量を有する保持容量を有すると共に、画素電極間における表示むらを低減させた液晶装置、これを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と画素電極１５に誘電体層を介して対向配置された光透過性を有する容量電極１６ａとにより構成された保持容量と、画素電極１５とＴＦＴ３０とを電気的に接続させる第１コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ５と、容量電極１６ａと容量配線３ｂとを電気的に接続させる第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ４と、を備え、画素電極１５と容量電極１６ａは、画素Ｐごとに独立して設けられ、容量電極１６ａとコンタクトホールＣＮＴ４は平面的に画素電極１５が設けられた領域内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示画素電極を囲うように周辺に配列されたダミー画素電極近辺において、シミ状の表示むらの発生を抑制する。
【解決手段】基板上に設けられ、画素電極が配列した表示画素部と、前記表示画素部を平面視で囲うように配列され、スイッチング素子を介して一定の電圧が与えられ、かつ隣り合う前記画素電極との間隔が前記画素電極間の間隔よりも大きいダミー画素電極と、を備える。隣り合う前記画素電極との間隔が前記画素電極間の間隔よりも大きいダミー画素電極を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を形成し、第２の微結晶半導体膜上に、第２の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第４の条件で、第３の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）