【課題】簡略プロセスによりパターニングされた透明導電膜を形成可能であり、高耐溶剤性、高耐水性、高耐アルカリ性、高耐熱性、高透明性、及び下地との密着性等に優れ、かつ高い導電性をも兼ね備える感光性組成物、並びに透明導電膜、表示素子、及び集積型太陽電池の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種と他の不飽和結合を有するモノマーとを共重合してなるランダム共重合体、感光性化合物、及びナノワイヤー構造体を含有する感光性組成物である。


ただし、前記一般式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ^２は、炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは、０〜５の整数である。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ基板において、基板の良否判断を確実に行う。
【解決手段】微結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板の検査装置６０ａであって、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流の特性を測定するための特性測定部Ｍと、特性測定部Ｍで測定されたゲート電圧−ドレイン電流の特性曲線のオフ電流部分におけるドレイン電流の大きさ、及びドレイン電流が最小のときのゲート電圧の大きさに基づいて、薄膜トランジスタの良否を判断するための良否判断部Ｊとを備えている。 （もっと読む）

【課題】露光品質を低下させることなく、基板のステップ移動を早期に開始して、タクトタイムを短縮する。
【解決手段】シャッター駆動装置８０へシャッター７５を閉じる様に指令してから所定時間が経過した後、シャッター７５が閉じ終わる前に、Ｚ−チルト機構３０によりマスク２と基板１とのギャップを広げる動作を開始する。そして、マスク２と基板１とのギャップを広げる動作が終了して、照度センサー７９により測定した露光光の照度がしきい値以下になったら、基板１のＸＹ方向へのステップ移動を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の構成を有さない場合に比べ、耐光性に優れた表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１２においては、第２の光吸収層３４が、第２の電極２２の光導電層２０とは反対側に設けられている。すなわち、第２の光吸収層３４は、表示媒体１２の光導電層２０より書込光の照射方向上流側に設けられている。この第２の光吸収層３４は、書込光を透過し、且つ３００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の全波長領域について吸光度１以上の遮光性能を示す。このため、蛍光灯の光のように、書込に利用されない波長の光が非表示面側から光導電層２０へ到ることが抑制され、光導電層２０の外光による光劣化が抑制される。従って、耐光性に優れた表示媒体１２が提供される。 （もっと読む）

【課題】異物検出部が異物を検出してからノズルが異物に到るまでの距離を長くする必要がなく、装置の大型化を抑制することができる塗布装置を提供する。
【解決手段】本発明の塗布装置１１は、走行機構２５によって口金部２２を走行させながら、口金部２２のノズル４４から流出した塗布液をステージ１４上の基板１２に塗布する。そして、塗布装置１１は、ノズル４４よりも走行方向の先方側に存在する異物Ｐを検出する異物検出部４５，３３と、異物検出部４５，３３によって異物Ｐが検出されたときに、口金部２２を上方に退避させるように昇降機構２４を制御する昇降制御部（退避制御部）３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程で残留電位を発生させることなく、安定に正常な書き込みを行うことができる光書込装置を提供する。
【解決手段】デュアルＣＧＬ構造の光導電素子を用いた光書込型の表示媒体に対して、初期化工程として、初期化光を露光しながら書込時と同極性の正電圧を印加する「第１の初期化処理工程（明初期化）」を行い。明初期化の初期化光を消灯した後に、初期化光を消灯したままで、書込時と逆極性の負電圧を印加する「第２の初期化処理工程（暗初期化）」を行う。 （もっと読む）

【課題】少ないマスク数で表示特性が良好な表示装置を作製する。
【解決手段】第１の導電膜と、該第１の導電膜上に絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜をこの順に積層した薄膜積層体と、を形成し、第１のエッチングにより前記第１の導電膜を露出させつつ、少なくとも前記薄膜積層体のパターンを形成し、第２のエッチングにより第１の導電膜のパターンを形成し、第３のエッチングにより第２の導電膜を所望の形状とすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することで薄膜トランジスタを作製し、この薄膜トランジスタを覆って保護膜を形成し、該保護膜に開口部を形成し、該保護膜上に画素電極層を選択的に形成することで前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極層と画素電極層を接続させる。そして、前記開口部の形成に際して不要な半導体層等をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料とポリビニルアセタール樹脂とを含む系において、シクロペンタノン以外の溶媒を用いた場合に比べ、顔料分散性、液寿命、及び成膜品質に優れた顔料分散液を提供すること。
【解決手段】少なくとも、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と、ポリビニルアセタール樹脂と、シクロペンタノンと、を含んで構成される顔料分散液。これを、電荷発生層用の顔料分散液として利用した光スイッチング素子、表示媒体、及び光書込み型表示装置。 （もっと読む）

【課題】
課題は、回路基板の有機ＴＦＴ素子の接続部において接続用電極配線のショートや寸法精度不良を改善するため、層間絶縁膜（絶縁バンク）を素子の電極間のみに形成することで接続用電極の隣接パターンショートを確実に回避することである。
【解決手段】
解決手段は、回路基板において、基板と、基板上に形成された薄膜トランジスタ素子と、該薄膜トランジスタ素子の金属電極群に外部回路基板の接続端子を電気的に接続するための接続部において、当該接続部の各々の金属電極間のみを覆う絶縁膜が形成された接続部と、上記薄膜トランジスタ素子の金属電極と上記絶縁膜の両方に接する接続用電極群とを有することであり、そしてまた、上記薄膜トランジスタ素子の金属電極は接続部で周期的に配列され、上記絶縁膜はライン形状であり上記薄膜トランジスタ素子の金属電極間に周期的に配置され、上記絶縁膜の算術平均粗さＲａは２μｍ以下であることである。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により基板上に形成する絶縁膜を、熱処理または紫外光照射による固化後も表面平坦性を保持可能で所望の形状に形成できる絶縁膜形成用インクを提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用のインクは、液性媒体と、絶縁膜３０形成材料と、液性媒体に分散された合成樹脂製のビーズ２００と、を含む。基板Ｐ上に供給された前記インクは、熱処理または紫外光照射により固化する際に表面平坦性が損なわれず膜厚が均一な絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】照明付きの反射型の表示装置においてＦＰＣの増加を抑える。
【解決手段】端子Ｔ１と、端子Ｔ１に電気的に接続された中継配線１０２と、液晶素子ＬＣとを有し、液晶素子ＬＣの光透過率を制御して階調を表示する表示体１００と、陽極１１２及び陰極１１４を含み、陽極１１２と陰極１１４との間に供給される電源を用いて発光する発光素子Ｐ１と、陽極１１２と電気的に接続された接続部Ｃ１と、陰極と電気的に接続された接続部とを有し、発光素子Ｐ１を発光させて液晶素子ＬＣを照らす照明体１１０と、中継配線１０２と接続部Ｃ１とを電気的に接続する導電体１２０と、他方の中継配線と陰極と電気的に接続された接続部とを電気的に接続する導電体とを備える。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法による有機半導体層のパターン形成を歩留まり良く達成することができる有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いソース電極、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、有機半導体を第一の溶媒に溶解し、インクジェット法で滴下することで、該ソース電極と該ドレイン電極と該ゲート絶縁膜と、あるいは該ソース電極と該ドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階と、該有機半導体を可溶な第二の溶媒をインクジェット法で該島状有機半導体層に滴下し、該ソース電極と該ドレインン電極と該ゲート絶縁膜と接触する島状有機半導体層を形成する段階を含み、第二の溶媒は第一の溶媒より表面張力が低く、かつ、第二の溶媒は第一の溶媒より沸点が低い、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアクティブマトリクス基板を有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板３０上にマトリクス状に設けられている複数の走査線２及び複数の信号線１と、複数の走査線２及び複数の信号線１が交差して区画される複数の画素領域５２の各々に設けられている複数のスイッチング素子５１と、複数の走査線２及び複数の信号線１並びに複数のスイッチング素子５１の上に設けられている第１の絶縁膜１２と、複数のスイッチング素子５１の各々により駆動される複数の表示素子とを有する。第１の絶縁膜１２は、複数の画素領域５２が設けられている表示領域３の外側であって走査線２上又は信号線１上に、開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】不均一なピッチで配列されるビアホールを有する層間絶縁膜上に、均一なピッチで上部電極を形成した回路基板を提供する。
【解決手段】基板１００上において、下部電極１０１は、上部電極１０２と、ビアホール１０３を有する絶縁膜１０４（絶縁膜１０４ａ，絶縁膜１０４ｂ，絶縁膜１０４ｃ）を介して接合される。絶縁膜１０４に形成されるビアホール１０３は、マトリクス状に下部電極１０１上に配置され、その中心線Ｂ１−Ｂ１’，Ｂ２−Ｂ２’間の距離は、互いに異なるピッチＰ１，ピッチＰ２である。絶縁膜１０４ａの膜厚ｔ１を絶縁膜１０４ｂおよび１０４ｃの膜厚（ｔ３およびｔ２）よりも厚くし、上部電極１０２形成用のマスク１１０と絶縁膜１０４ａとの密着性を確保することで、隣接する上部電極１０２間のショートを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】塗布手段の上下動作の短縮により描画タクト時間の大幅な短縮を図ることができ生産性の向上が可能となる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、複数の基板領域をそれぞれ有する一対の基板母材から電気光学装置を製造する製造方法であって、一対の基板母材のうち一方の基板母材１２ａの複数の基板領域１２ｂにそれぞれ第１の電極５８を設ける工程と、他方の基板母材の複数の基板領域にそれぞれ第２の電極を設ける工程と、一対の基板母材のうち一方又は他方の基板母材１２ａの複数の基板領域１２ｂに塗布手段８のノズルから導通材料を隣り合う第１の電極５８あるいは第２の電極間を連結するように連続して吐出して上下導通材６２を形成する工程と、複数の基板領域にシール材を描画する工程と、複数の基板領域に電気光学材料を滴下する工程と、対応する基板領域が互いに対向するように貼り合わせる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】工数の増加を伴うことなく、寄生容量を抑制できるとともに、高開口率および高透過率を示すアクティブ素子基板の製造方法を実現する。
【解決手段】画素ＴＦＴ７および信号配線上に、コンタクトホール９ａ・１０ａを有する透明な絶縁層９・１０を形成する工程を備え、該工程は、画素ＴＦＴ７および信号配線を覆うように、感光性を有さない第１の絶縁層９を形成する工程と、第１の絶縁層９を覆うように、感光性を有する第２の絶縁層１０を形成する工程と、第２の絶縁層１０を露光および現像により、パターニングする工程と、第２の絶縁層１０をマスクとして上記第１の絶縁層９をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を主とした透明導電膜、該透明導電膜の製造方法、および該透明導電膜を含むデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜１６は、基材１２上に成膜された、添加金属元素を含む金属酸化物の非晶質の前駆体膜１４に対し、高周波電界中で希ガスを主として含むガスのプラズマに暴露し、かつ還元条件下での改質処理を施すことにより得られる。
本発明では、非晶質の前駆体膜１４をプラズマに暴露させた後、還元雰囲気下でアニール処理を施すことによって還元条件下での改質処理を行うことができる。本発明では、上記金属酸化物は、チタンを主とする金属元素とし、ニオブを前記添加金属元素とする酸化物とすることができる。 （もっと読む）

【課題】部品点数を減らすことができ、薄型化にも有利となる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１ガラス基板１と、同基板１上に形成された下部電極層２と、同層２上に形成された下部誘電体層３と、同層３上に形成されたＥＬ層４と、同層４上に形成された上部誘電体層５と、同層５上に形成された上部電極層６と、上部電極層６より上側に形成され、平坦な上面を有する平坦化絶縁層７と、その上側に配置された第１偏光層８と、その上に形成された薄膜トランジスタ９と、その上側を覆うように形成された層間絶縁膜１０と、その上側に設けられた液晶層１１と、その上側に配置されたカラーフィルタ層１２と、その上側に配置された第２ガラス基板１３と、液晶層１１より上側で第２ガラス基板１３の上側または下側に配置された第２偏光層１４とを備える。 （もっと読む）