【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】溶液堆積（deposited）によって形成される下側導電性層と、前記下側導電性層の上に設けられかつそれと導電性相互接続を介して１つ以上の絶縁層を通じて電気的に接続されている上側導電性層とを備える電子装置を製造する方法であって、前記相互接続の作成は、下側導電性層と前記１つ以上の絶縁層とを区別する光溶発技術を使って少なくとも下側導電性層の一部へと下向きに延びる孔を前記少なくとも１つの絶縁層に定義する工程、およびその後前記孔に導電性材料を堆積する工程を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ等の表示素子パネルに接続する、透明性の高いフレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明ガラス層１と透明プラスチック層２との積層体を基材とし、そのガラス層１を貫通する溝１４内に配線３有するフレキシブルプリント配線板１０により、上記課題を解決する。このとき、配線の幅Ｗを１μｍ〜２ｍｍとし、配線の高さＨを５μｍ〜２００μｍとすることができる。こうした配線板１０は、エッチャントに対して異なる被エッチング能を持つ少なくとも２種の透明層１，２が積層されてなる積層体を準備する工程と、そのエッチャントでエッチングされる側の透明層１を所定パターンでエッチングを行って貫通させる工程と、その貫通した溝１４内に導電材３’を形成する工程とを有する方法で製造する。 （もっと読む）

部材の配置方法は、基板と第１の液体を準備する工程と、部材及び第２の液体を含有する部材含有液を準備する工程と、親水性領域に第１の液体を配置する工程と、前記親水性領域に配置された前記第１の液体に前記部材含有液を接触させる工程と、前記第１の液体および前記第２の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性領域に配置する工程と、を具備する。前記親水性領域は、部材配置領域と、前記部材配置領域の周辺に形成された液体捕捉領域とから構成されている。前記液体捕捉領域は、以下の化学式Ｉで表される表面を具備する。

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【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタとを積層して、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に絶縁層と、絶縁層上に第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を含み、第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を含み、第１のチャネル形成領域は、第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含んで構成され、絶縁層は、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】良好な性能を安定に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層３は、ゲート絶縁層２を介してゲート電極１に対向配置されている。有機半導体層３の上に、絶縁性の保護層４と共に、互いに離間されたソース電極５およびドレイン電極６が形成されている。保護層４は、少なくとも、ソース電極５とドレイン電極６とにより挟まれた領域Ｒに配置されており、ソース電極５およびドレイン電極６のそれぞれの一部は、保護層４の上に重なっている。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも第一の導電性材料７上に、絶縁性材料層２が積層され、その上に第二の導電性材料５が積層されている積層構造体１において、記絶縁性材料層２が、絶縁機能とエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する機能とを有する絶縁性濡れ変化層で構成され、第二の導電性材料５が絶縁性濡れ変化層の高表面エネルギー部３の部位に形成した。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯスパッタ適性、硬度、耐熱透明性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位と、カルボキシル基又はフェノール性水酸基と反応して共有結合を形成しうる官能基を有する構成単位とを有する樹脂、及び、（成分Ｂ）下記式（１）で表される酸発生剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。


Ｒ₁〜Ｒ₅はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アシル基、ハロゲン原子、アリール基、又は、ヘテロアリール基を表し、隣接するＲ₁〜Ｒ₅が互いに連結して環を形成してもよく、Ｘ^-は共役塩基を表す。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作を可能にする。
【解決手段】基板１上に、島状で且つ端部にテーパーを有する膜２を設け、無機絶縁膜３、非晶質半導体膜を形成する。そして、レーザーアニールにより非晶質半導体膜を結晶化させる。島状で且つ端部にテーパーを有する膜２または無機絶縁膜３の材料及び膜厚を適宜調節することによって半導体膜の冷却速度を遅くして結晶粒径の大きな第１領域４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 横電界方式の液晶表示装置において、外部からの静電気による表示異常を防止すると共に、カバーガラスまたはタッチパネル等、光学接着剤などによる貼合わせを具備する液晶表示装置などへの効果的な静電気対策構造及び製造方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置のカラーフィルタ基板の視認面に、静電気から液晶を保護するための透明導電層を形成し、ＴＦＴ基板に、静電気放電用透明電極と、アースを設けた回路基板に接続するための端子電極と、静電気放電用透明電極と端子電極とを電気的に接続するための静電気放電用メタル配線を形成する。さらに、液晶パネルの角部の静電気放電用透明電極周辺に、透明導電層と静電気放電用透明電極を電気的に接続するための導電材を設けることにより、外部からの静電気を、透明導電層、導電材、静電気放電用透明電極、静電気放電用メタル配線、端子電極、回路基板、アースの順に放電させる。 （もっと読む）

【課題】画素の電圧変動を低減することにより、多階調表示を実現できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置において、並設された複数本のソース信号線１０，２０と、ソース信号線と交差するように並設された複数本のゲート信号線３０と、ソース信号線とゲート信号線との交差部近傍に設けられた酸化物半導体を用いたトランジスタ４０を介して、ソース信号線の信号電圧が印加される画素電極７０と、を備え、隣接する一対のソース信号線間に設けられる画素電極の側縁部を、ソース信号線の側縁部に重畳させ、かつ、一方のソース信号線との重畳面積を、他方のソース信号線との重畳面積と等しくする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化しながらも、歩留まり率を低下させることなく、複数の電極間に配置された配線による視認性低下を回避する。
【解決手段】情報を表示するための表示電極１１ａ，１１ｄ間に配置された配線１２ｅのベース基材１３上における形成高さを、表示電極１１ａ，１１ｄのベース基材１３上における形成高さよりも低くし、配線１２ｅと情報表示層との間隔を、表示電極１１ａ〜１１ｉと情報表示層との間隔よりも広くする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を使用することなく、ガラス基板に導電膜を設ける表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置用のガラス基板の表面にエッチング液を接触させて、ガラス表面の算術平均粗さＲａを０．７ｎｍ〜７０ｎｍに設定する化学研磨工程と、化学研磨工程後のガラス表面に導電性ポリマーを塗布して、４００〜１２００Ω／ｓｑの導電膜を形成する成膜工程と、を有し、成膜工程後のガラス基板の全光線透過率を、板厚０．５ｍｍのガラス基板において８７％以上とする。 （もっと読む）

【課題】表示基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による表示基板は、絶縁基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターンと、前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、前記酸化物半導体パターンは第１酸化物および第３元素を含む第１酸化物半導体パターンおよび第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を示す液晶材料を利用した表示装置において、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを含む画素が設けられた画素部を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有し、前記トランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電極に電気的に接続され、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体において高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料を用いて高移動度のトランジスタを形成し、それを用いて同一基板上にドライバ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明における第1の光吸収層に相当する層の、３４０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の波長領域内の少なくとも１部の波長の光における吸光度が１未満である場合に比べて、液晶層の液晶が反射状態とされたときの反射率と、液晶層の液晶が透過状態とされたときの反射率と、の差の減少が抑制された表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１１が、基板１２、電極１６、液晶層２０Ｂ及び液晶層２０Ｇの積層体２１、遮光層２２Ｒ、光導電層２４Ｒ、電極１７、基板、電極１８、光導電層２０Ｒ、遮光層２２Ｃ、光導電層２６Ｃ、電極１９、及び基板１４を、この順に設けた構成とされ、遮光層２２Ｒが、青色及び緑色の波長領域の光のうちの予め定められた第１の波長領域の光、及び３４０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の全波長領域の光に対する吸光度が１以上とされている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）