【課題】トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】有機半導体層１７は、ゲート電極１３を幅方向に覆う状態で配置されており、ゲート電極１３の幅方向の中央部に配置された厚膜部１７−１と、この厚膜部１７−１よりも薄い膜厚を有してゲート電極１３の幅方向の両端に配置された薄膜部１７−２とを有する。またソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄは、有機半導体層１７の薄膜部１７−２上に端部が積層される。有機半導体層１７は、厚膜部１７−１が前記ゲート電極１３の幅の範囲内に設けられる一方、薄膜部１７−２は、厚膜部１７−１からゲート電極１３の幅方向の外側に延設される。 （もっと読む）

【課題】応答特性を確保すると共にコントラストを向上させることが可能な液晶表示素子を提供する。
【解決手段】複数のスリット２１が設けられた画素電極２０Ｂを有するＴＦＴ基板２０と、負の誘電率異方性を示す液晶分子４１を含む液晶層４０と、ＴＦＴ基板２０と液晶層４０を介して対向すると共に、画素電極２０Ｂと対向する領域全体に設けられた対向電極３０Ｂを有するＣＦ基板３０とを備えている。ＣＦ基板３０の側に位置する液晶分子４１Ｂは、ＴＦＴ基板２０の側に位置する液晶分子４１Ａよりも大きなプレチルトを有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】基板１の上に有機半導体層２を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層３を、ＣＶＤ法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層４を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層５を形成する。マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。パターニング終了後もマスク層５は保護層として残す。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィ工程でレジストパターンの不良を防止して、モールドの寿命を向上させることができるレジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、これを利用したアレイ基板の製造方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板を提供する。
【解決手段】ＵＶ硬化性樹脂及び添加剤を含んで、前記ＵＶ硬化性樹脂及び前記ＵＶ硬化性樹脂と接触するベース層間に化学的結合を誘導する接着増進剤を含むことを特徴とするレジスト組成物である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層及び共通電極層が、液晶層に突出し、かつ隣接するもの同士が液晶層を介在して間隔をもって噛み合うように配置される。 （もっと読む）

【課題】低温かつ短時間での加熱・焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有し、低線熱膨張係数を示す、フレキシブルディスプレイのスペーサー、保護膜、層間絶縁膜等の形成に好適に用いられる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】（Ａ）（ａ１）カルボキシル基含有構造単位及び（ａ２）エポキシ基含有構造単位を有する共重合体、並びに
（Ｂ）エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物
（Ｃ）感放射線性重合開始剤
（Ｄ）一般式（1）及び（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも一方を含むことを特徴とする表示素子用感放射線性樹脂組成物によって達成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】柱状スペーサの塑性変形を防止しつつ、開口率が低下しない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置１００は、アレイ基板１０と、アレイ基板１０と対向配置され、当該アレイ基板１０との間に液晶７が封止された対向基板２０と、対向基板２０のアレイ基板１０との対向面側に形成され、アレイ基板１０と対向基板２０とのギャップを保持する複数の柱状スペーサ５と、ラインパターン５６とスペースパターン５７からなり、柱状スペーサ５の先端面が、常時、その上面に当接する土台５５とを備える。土台５５は、アレイ基板１０上に形成された電極又は配線と同一材料により一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造可能な積層構造体の製造方法、並びに積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、同一パターンの高表面エネルギー部４０を一定の間隔で周期的に配列しておき、インクジェット装置の主走査方向（Ｘ軸方向）における吐出ノズル１，２の間隔を、高表面エネルギー部４０のパターン間隔と一致させて選択的に機能液の液滴ｄを滴下してソース電極２３０、ソース電極線２９０、ドレイン電極２４０となる導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 保護材の塗布時間を短縮し、液晶表示モジュール（液晶表示装置）の低コスト化を図る。
【解決手段】 第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、前記第１の基板は、前記第２の基板と重ならない非重畳領域と、前記非重畳領域に実装された半導体チップとを有する液晶表示装置であって、前記半導体チップは、前記第１の基板の前記非重畳領域上に形成された保護材で覆われており、前記半導体チップ上における前記保護材の厚さは、０．０５ｍｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】対向基板上にカラーフィルタ層を形成する場合と同様に、複雑な工程によることなくカラーフィルタ層を形成し、アレイ基板上にカラーフィルタ層が設けられた表示装置を得る。
【解決手段】表示装置１０は、各画素毎にスイッチング素子２６が形成されたアレイ基板２０と、アレイ基板２０に対向して配置された対向基板３０と、を有する。アレイ基板２０は、アレイ基板本体２１と、アレイ基板本体２１上に設けられ、各画素に対応する複数の着色層２４、及びこれらの着色層２４の間に位置する遮光層２３からなるカラーフィルタ層２２と、カラーフィルタ層２２の上層に設けられたスイッチング素子層と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電極に複数の開口部を設ける液晶表示装置における表示品位の低下を回避する。
【解決手段】液晶表示装置は、一面側に第１電極を有する第１基板と、一面側に第２電極を有し、当該第２電極と第１基板の第１電極とが向かい合うようにして第１基板と対向配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、を含む。第１電極は、各々が第１方向に延びた形状であり、規則的な市松状に設けられた複数の第１開口部２１を有し、第２電極は、各々が第１方向に延びた形状であり、規則的な市松状に設けられた複数の第２開口部２２を有する。そして、複数の第１開口部のそれぞれが複数の第２開口部のうちの平面視において隣り合う２つの第２開口部の間に位置するように、複数の第１開口部と複数の第２開口部とが相対的に配置される。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】塗布系の絶縁膜上のＩＴＯ膜の成膜に際し、エッチング残渣を生じさせず、且つ、ＩＴＯ膜と下層金属膜との間のコンタクト抵抗を低減することにより、液晶表示面での表示不良を無くすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。また、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際、非加熱で酸素流量比を１％以下とし、且つ、成膜後アニールを行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。水素原子を含む安定な物質は酸化物半導体層の金属原子に水素原子を与えることなく排気されるため、水素原子等が酸化物半導体層に取り込まれる現象を防止できる。水素原子を含む不純物と強く結合する物質としては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。 （もっと読む）