【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を生産性高く作製する方法を提供する。また、該微結晶半導体膜を用いて、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】反応室内に第１の電極及び第２の電極が備えられたプラズマＣＶＤ装置を用いて、堆積性気体及び水素を第１の電極及び第２の電極の間に配置された基板を含む反応室内に供給した後、第１の電極に高周波電力を供給することにより反応室内にプラズマを発生させて、基板に微結晶半導体膜を形成する。なお、プラズマが発生している領域において、基板端部と重畳する領域のプラズマ密度を、基板端部と重畳する領域より内側の領域のプラズマ密度より高くし、基板端部より内側の領域に微結晶半導体膜を形成する。また、上記微結晶半導体膜の作製方法を用いて、半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、透明性に優れ、更にコントラスト比が高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第１の透明基板及び第２の透明基板と、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜は、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、前記導電性無機粒子の平均粒子径が、３０〜１８０ｎｍであり、前記導電性無機粒子の前記透明導電膜の全体に対する重量含有率が、７１％以上８５％未満であり、前記透明導電膜を配置した前記第１の透明基板のヘイズ値が、１．４％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜等の電極との密着性に優れ、耐熱性に優れた表示素子用硬化膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］メルカプト基を有するポリシロキサン、及び［Ｂ］キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線性組成物であり、さらに、［Ａ］メルカプト基を有するポリシロキサン中のＳｉ原子に対するメルカプト基の含有率が、５モル％を超え６０モル％以下であるポジ型感放射線性組成物である。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置に、装置の外部又は内部からの静電的な影響や外部の電磁的妨害に対するシールド機能を付与する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第１の透明基板及び第２の透明基板と、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜と、前記第２の透明基板の前記液晶層の側に配置された表示用電極及び基準電極とを含み、前記透明導電膜は、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、特定の特性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター表示板およびその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスター表示板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置するゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線およびデータ線と連結されている薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターのゲート電極と前記薄膜トランジスターの半導体との間に位置するゲート絶縁膜と、前記薄膜トランジスターと連結されている画素電極と、前記画素電極と前記薄膜トランジスターとの間に位置する保護膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜および前記保護膜のうちの少なくとも一方は、窒化シリコン膜を含み、前記窒化シリコン膜は、２×１０^２２ｃｍ^３以下または４ａｔｏｍｉｃ％以下にて水素を含む。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶ディスプレーのアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板は画素領域を画成するゲートラインとデータラインとを備え、前記画素領域内に薄膜トランジスタ、共通電極および電極ストリップ構造の画素電極とが形成され、前記共通電極は前記データラインを覆う第２絶縁層上に形成され、前記画素電極は前記共通電極を覆う第３絶縁層上に形成される。これによって、表示領域の面積が拡大され、開口率が効果的に向上される。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】所定の間隔をおいて対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板の前記第２基板と対向する側に配置され、前記第２基板を支持し前記第２基板との間にセルギャップを形成するスペーサと、前記第１基板と前記第２基板との間の前記セルギャップに保持されるとともに、前記第１基板と前記第２基板とに間に形成される縦電界が印加される液晶層と、前記第１基板の前記第２基板と対向する側において各画素の周辺に配置され、前記第２基板から離間し前記第２基板との間に空隙を形成する壁部と、前記スペーサ及び前記壁部を覆う配向膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】全白及び中間調の双方において透過率の画面内均一性のよい液晶パネル及び液晶表示装置の提供。
【解決手段】入力端子からの距離が近い画素に対してはＴＦＴ基板３と対向基板５との間隔ｄを小さくして配向規制力を大きくし、入力端子からの距離が遠い画素に対してはＴＦＴ基板３と対向基板５との間隔ｄを大きくして配向規制力を小さくし、液晶４の回転角を変化させる。これによりゲート配線やドレイン配線の配線抵抗による信号波形の遅延に起因する透過率の面内不均一性を補償する。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】横方向電界の強度を強め、コントラスト比を低下を抑制する。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を挟持する第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板上に設けられたトランジスタと、第１の画素電極および第１の共通電極と、前記第２の基板上に設けられた第２の画素電極および第２の共通電極とを有し、前記第１の画素電極は、前記トランジスタと電気的に接続され、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と電気的に接続されている液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる機能性膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷面上に、低表面エネルギー領域を隔てて隣接する高表面エネルギー領域２３１，２４１を有する表面において、高表面エネルギー領域２３１，２４１の形状及び機能液の着弾範囲に基づいて、高表面エネルギー領域２３１（２４１）に機能液を供給する際に該機能液が高表面エネルギー領域２３１（２４１）のみに触れるための滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）を決定し、ついで滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）内の任意の位置を高表面エネルギー領域２３１（２４１）に対する機能液の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）として決定し、高表面エネルギー領域２３１（２４１）の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）にインクジェット法を用いて選択的に機能液を供給して所定パターンの機能性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽いフレキシブル性を有するものであって、表示装置の薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高牢性（高信頼性）を実現することのできる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ形成用基板は、フレキシブル性又は伸縮性を有する基板と、基板内に埋め込まれた少なくとも１つの電子部品と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各画素と駆動制御回路間の配線は配線取出しを不要にして、作業性及び歩留まりを改善する表示装置を得る。
【解決手段】駆動制御回路１０は、隣り合う複数の画素８の間に配置され、前面基板７と裏面基板６が、画素８，駆動制御回路１０，駆動制御回路１０と各画素８を接続する配線１１，及び駆動制御回路１０の電極端子１２を挟んで貼り合わされて構成され、裏面基板６には電極端子１２に対応する位置に電極端子１２が露出するように開口５が設けられ、開口５で露出した電極端子１２から配線が取出され映像信号出力回路４に接続される。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）