【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板１０の上に少なくともゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５及び保護層１６を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層１６が真空紫外光ＣＶＤ法により形成されるものであり、ゲート絶縁層１２の上の全面に保護層１６となる膜を成膜する工程と、保護層と１６なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極１４とドレイン電極１５の表面を露出させ保護層１６のパターンを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】液晶分子の応答伝播に要する時間の遅延を改善し、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１電極ＰＥを含む第１基板１０１と、第１電極ＰＥと対向した第２電極ＣＥと、第２電極ＣＥ上に配置されたリブ１０４と、端部が第１電極ＰＥと対向するように第２電極ＣＥ上に配置された絶縁層１０６と、を含む第２基板１０２と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に挟持された液晶層ＬＱと、を備え、第１電極ＰＥは、その端縁から内側に延びる複数のスリットＳＬＴを備え、スリットが延びる方向における第１電極ＰＥの端縁とリブ１０４が配置された位置との間の領域において、絶縁層１０６の端部Ｐ２の位置と、スリットＳＬＴが延びた先端Ｐ１の位置とが離間するように、絶縁層１０６と複数のスリットＳＬＴとが配置されている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】第１機能層上に設ける第２機能層の厚みムラが抑制される機能層付き部材を提供する。
【解決手段】機能層付き部材１０は、支持体１６と、支持体上に第１領域１２Ａ及び該第１領域の外周に沿った溝１４を介して該第１領域から分離して配置されている第２領域１２Ｂを有し、前記支持体とぬれ張力が異なる第１機能層１２と、第１機能層上の少なくとも第１領域上に形成されている第２機能層とを有する。また、機能層付き部材４０は、支持体１６と、支持体上に配置されてなり、支持体とぬれ張力が異なる第１機能層４２と、第１機能層の外周に沿って配置され、該第１機能層よりもぬれ張力が高い高ぬれ張力層４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上の画素回路及び駆動回路を該回路の特性にそれぞれ合わせた構造の異なるトランジスタで形成し、表示特性の優れた表示装置を提供する。
【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路部を有し、該駆動回路部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が金属膜によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用トランジスタを有する。また、当該画素部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用トランジスタを有する。該画素用トランジスタは透光性を有する材料で形成されており、高開口率の表示装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】導体パターンの形成時に生じる廃棄物の量を従来よりも大幅に低減して、歩留まりを高めることができると共に、少ない工程数で比抵抗の低い導体パターンを容易に大きな面積に形成することができる導電性ペーストを提供する。
【解決手段】導電性ペーストに関する。金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを含有する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を施した後も安定したトランジスタ特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、その製造方法及び酸化物薄膜トランジスタを用いたディスプレイを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の第１実施形態の酸化物薄膜トランジスタ１は、酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、ＰＶＰおよびフッ素系界面活性剤を含む構成とすることにより、良好かつ安定した特性を有するとともに、デバイス形成時に加熱処理を行った場合にも、特性の変化が殆どない酸化物薄膜トランジスタ１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する駆動回路及び第２の薄膜トランジスタを有する画素を有し、前記第１の薄膜トランジスタは、第１のゲート電極層と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物導電層及び第２の酸化物導電層と、前記第１の酸化物半導体層の一部に接し、且つ前記第１の酸化物導電層及び前記第２の酸化物導電層の周縁及び側面に接する酸化物絶縁層と、第１のソース電極層と、第１のドレイン電極層と、を有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２のゲート電極層と、第２の酸化物半導体層と、透光性を有する材料により構成された第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりおよび信頼性が高い表示パネルおよび電子書籍を提供することを課題とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差する表示部を有する矩形シート状の可撓性表示パネル基板上に、前記可撓性の表示パネルの上面における一辺および該一辺と対向する一辺の少なくとも一方に設けられ、前記信号線に信号を出力する信号線駆動回路と、前記基板上に、前記信号線駆動回路と略垂直方向の前記可撓性の表示パネルの一辺および該一辺と対向する一辺の少なくとも一方に設けられ、前記走査線に信号を出力する走査線駆動回路と、を有する可撓性表示パネルの、少なくとも前記信号線駆動回路と前記走査線駆動回路と重畳する位置は、該重畳する位置以外の領域よりも機械的強度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 不良の発生が抑制されるフレキシブル表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置は、プラスチック物質で形成されたフレキシブル基板、前記フレキシブル基板の一方の面上に形成された表示素子、及び前記フレキシブル基板の他方の面の少なくとも一部の領域に結合された金属物質及び金属酸化物質のうちの一つ以上の物質を含む表面残留膜を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的の一つは、薄膜素子群１１０を製造元基板１００から転写先基板２００に転写する際に、製造元基板１００が割れて仕舞う事を防止する事が出来る、薄膜素子群の転写方法を提供する事にある。
【解決手段】本発明の一態様としての薄膜素子群の転写方法は、薄膜素子群１１０が形成された製造元基板１００の周辺部１３０、及び転写先基板２００の周辺部２３０の少なくとも一方に撥水処理を行う表面処理工程と、製造元基板１００の製造元基板表面及び転写先基板２００の製造元基板表面の少なくとも一方に水溶性接着剤１５０を塗布する接着剤塗布工程と、製造元基板１００の製造元基板表面と転写先基板２００の転写先基板とを対向させて貼り合わせる基板配置工程と、接着剤硬化工程と、製造元基板１００を転写先基板２００から剥離させる事に依って、薄膜素子群１１０を転写先基板２００に転写する基板剥離工程と、を有する事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、走査線へ十分な振幅の信号を供給することができる半導体装置の提供を課題の一とする。また、消費電力を抑えつつ、走査線に供給する信号のなまりを抑制し、立ち上がり時間又は立ち下がり時間を短くすることができる半導体装置の提供を課題の一とする。
【解決手段】表示素子及び少なくとも１つの第１トランジスタをそれぞれ有する複数の画素と、複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路とを有し、表示素子の画素電極層と、第１トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層と、走査線とは、透光性を有する導電膜を用いており、走査線駆動回路は、第２トランジスタと、第２トランジスタのゲート電極層とソース電極層の間の電圧を保持する容量素子と、を有しており、第２トランジスタのソース電極層は走査線に接続されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】太陽光に晒される環境下においても使用できる耐光性を有する光書込型表示媒体及び光書込型表示装置を提供する。
【解決手段】光書込型表示媒体１００は、光透過性を有する一対の電極２，８と、書込光照射側から順に下部電荷発生層３Ｃ／電荷輸送層３Ｂ／上部電荷発生層３Ａの３層構造を有する光スイッチング層３と、メモリ性を有する表示層７とを備え、電荷輸送層３Ｂは、電荷輸送材料として下記一般式で示される化合物を含む。
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【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一とする。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】シール材の硬化不良に伴うシミの発生の問題が解消された液晶表示装置を実現する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、互いに対向配置されたアレイ基板１およびＣＦ基板２と、アレイ基板１とＣＦ基板２との間に設けられた液晶層６と、液晶層６を連続して取り囲むように配されているとともに、アレイ基板１およびＣＦ基板２を結合するように配されたシール材３と、アレイ基板１の表面の一部に設けられたメタル配線４と、アレイ基板１上における、シール材３とメタル配線４との間に設けられた透明膜とを備え、透明膜は、異なる材料で形成された少なくとも二層を含み、上記少なくとも二層のそれぞれは、シール材３とメタル配線４との間に配されている。 （もっと読む）

【課題】画素ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素ＴＦＴをチャネルエッチ型の逆スタガ型ＴＦＴで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からＴＦＴ等を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を
備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞ
れ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と
焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着
弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に
行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。
【解決手段】半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＧｅ：０．３原子％〜１．２原子％、Ｃｏ：０．０５原子％〜２．０原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１原子％〜０．５ 原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している。 （もっと読む）