半導体装置の製造装置および配線パターンの形成方法
【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を
備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞ
れ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と
焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着
弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に
行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。
備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞ
れ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と
焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着
弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に
行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、形成対象の材料が混入された組成物を滴下することによるパターン形成方法
（代表的には配線の形成方法）、及び薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴともいう）で構成
された回路を有する半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
具体的には、液滴吐出（インクジェット）法による配線のパターン形成方法及びＴＦＴを
有する半導体装置の製造装置に関する。
【０００３】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
【背景技術】
【０００４】
現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。
【０００５】
また、ピエゾ方式やサーマルジェット方式に代表される液滴吐出技術、あるいは連続式
の液滴吐出技術が注目を集めている。この液滴吐出技術は活字、画像の描画に使われてき
たが、近年、微細パターン形成などの半導体分野へ応用する試みが始まっている。
【０００６】
また、本出願人は、特許文献１にＥＬ素子を作製するため、マルチチャンバーの処理室
の一つにインクジェット法を用いることを記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３４５１７４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体回路を有する電子機器の製造においては、大量生産を効率良く行うため、ウェハ
ー基板ではなくマザーガラス基板を用い、一枚のマザーガラス基板から複数のデバイスを
切り出す多面取りがよく行われている。マザーガラス基板のサイズは、１９９０年初頭に
おける第１世代の３００×４００ｍｍから、２０００年には第４世代となり６８０×８８
０ｍｍ、若しくは７３０×９２０ｍｍへと大型化して、一枚の基板から多数のデバイス、
代表的には表示パネルが取れるように生産技術が進歩してきた。
【０００９】
今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を
回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産上、不
利と考えられる。また、矩形の基板をスピンコートさせると回転軸を中心とする円形のム
ラが塗布膜に生じやすい。
【００１０】
本発明は、大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を
備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞれ複数設置し
、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と焼成とを効率
よく行って生産性を向上させる。大量生産を行う上で、インライン方式とした場合、一つ
の処理室として液滴吐出法を用いたパターン形成装置を用いると、液滴吐出法で材料液を
選択的に吐出した後にベークを行う処理を複数回行うことが必要とされるため、マルチチ
ャンバー方式に比べて生産性が低下してしまう恐れがある。
【００１２】
また、Ｘ方向およびＹ方向に移動するステージ、或いはＸ方向およびＹ方向に移動する
液滴吐出ヘッドとすると、一方向のみに移動するステージや液滴吐出ヘッドに比べて、正
確なアライメント調整が困難になりやすく、装置自体が高価なものになる。そこで、本発
明においては、大型の基板の一方向（Ｘ方向、或いはＹ方向）のみ走査させる液滴吐出法
を用いたパターン形成装置とすることで装置構成の簡略化を図る。例えば、枝分かれした
配線パターンや折れ曲がった配線パターンは、Ｘ方向の走査を行う第１のパターン形成装
置と、Ｙ方向の走査を行う第２のパターン形成装置とを用いて形成する。こうすることに
よって量産性を向上させることができる。
【００１３】
加えて、大型の基板の向きを固定させたまま処理が行えるように第１のパターン形成装
置と第２のパターン形成装置の配置を行えば、搬送手段の単純化、および搬送時間の短縮
を図ることもできる。また、搬送経路においても大型の基板の回転を行わずにパターン形
成を行うことが好ましい。
【００１４】
また、液滴吐出法を用いたパターン形成装置では、基板のサイズが大きくなればなるほ
ど、最初に吐出してパターン形成した箇所と、最後に吐出してパターン形成した箇所とで
大気に曝される時間差が大きくなる問題がある。時間差が大きくなりすぎると、焼成の具
合が異なってしまう恐れがあり、均一なパターン形成が困難になる。
【００１５】
また、液滴吐出法を用いたパターン形成装置は、処理室内のステージの移動による気流
やヘッドの移動による気流が生じて、吐出位置制御が不安定になる恐れがある。
【００１６】
そこで、本発明では、ブロー手段を設け、着弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向
（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局
所的に焼成を行う。
【００１７】
本明細書で開示する発明の構成の一つは、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴（ド
ットとも呼ぶ）を吐出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴
の飛翔軌道を制御するブロー手段と、該ブロー手段のガス流出口から吹き出されて生じた
ガス気流の流路中に設けられた加熱手段と、
前記液滴吐出手段、前記ブロー手段、および前記加熱手段を制御する制御手段と、を有す
る処理室を有することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１８】
上記構成において、前記加熱手段は、糸状、ワイヤ状、コイル状、棒状、または面状の
抵抗発熱体からなるヒータであることを特徴としている。
【００１９】
上記構成とすることによって着弾後に一定の時間を保って仮焼成を行い、最初に吐出し
てパターン形成した箇所と、最後に吐出してパターン形成した箇所とで大気に曝される時
間差が大きくなっても均一なパターン形成を得ることができる。例えば、基板サイズが、
６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１
００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板に対して、効
率よくパターン形成できる。また、ガス流路中に加熱ヒータが設けられているため、着弾
された材料パターンに対して急激な加熱や急激な冷却を防ぐことができる。なお、吹きつ
けるガスが吐出ヘッドに当たらないように、斜めから基板の走査方向と同じ方向に吹きつ
けることが好ましい。また、吐出後に処理室内で加熱することによって、トータルの焼成
時間を短縮することもできる。
【００２０】
また、トータルの焼成時間を短縮するため、ステージにヒータを設け、被処理基板を加
熱してもよい。
【００２１】
液滴吐出法を用いたパターン形成装置においては、吐出ヘッド近傍の雰囲気の温度や湿度
にも敏感であるため、加熱ヒータと吐出ヘッドは一定の間隔を保つことが好ましい。高温
のガスをノズルから吹きつける場合には、ノズルも加熱されてしまい、吐出ヘッド近傍の
雰囲気の温度上昇を招き、目詰まりが生じる恐れがある。また、吐出ヘッドとノズルを一
体化させる場合、吐出ヘッドにノズルの熱が伝導したり、吐出ヘッドの熱がノズルに伝導
したりすることを防ぐため、吐出ヘッドとノズルの間に断熱材を設けることが好ましい。
ノズルのガス流出口は線状とすることが好ましい。
【００２２】
また、複雑な気流（処理室内のステージの移動による気流やヘッドの移動による気流）を
制御するため、ブロー手段によって処理室内全体に一定の気流を発生させ、走査方向と同
じ方向に気流を制御することが好ましい。ステージの移動による気流やヘッドの移動によ
る気流を打ち消す一定の気流を処理室内に発生させることによってパターン形成をより安
定にすることができる。
【００２３】
また、上記構成において、前記ブロー手段のガス流出口から吹き出されて生じたガス気
流の下流に排気手段が設けられていることを特徴としている。排気手段を設けることで処
理室内の圧力を制御するとともに、処理室内全体に一定の気流を発生させる。
【００２４】
また、処理室内全体に一定の気流を発生させるために複数のブロー手段を設けてもよい
し、気流をコントロールするガイドを処理室内に設けてもよい。
【００２５】
本明細書で開示する発明の一つの構成は、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐
出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を制御す
るブロー手段と、前記液滴吐出手段および前記ブロー手段を制御する制御手段と、を有す
る第１の処理室と、加熱手段を有する第２の処理室と、前記第１の処理室および前記第２
の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴とする半導体装置の製造装置である
。
【００２６】
上記構成において、前記搬送室には複数の第１の処理室と、複数の第２の処理室とが連
結されているマルチチャンバー方式とすることを特徴としている。
【００２７】
また、ブロー手段によって処理室内全体に一定の気流を発生させる上でも大型の基板の
一方向（Ｘ方向、或いはＹ方向）のみ走査させる液滴吐出法を用いたパターン形成装置を
複数設けることが好ましく、他の発明の一つの構成は、
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して被処理基板のＸ方向にパターンを形
成する第１の液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を被処理基板のＸ方向に制御す
る第１のブロー手段と、前記第１の液滴吐出手段および前記第１のブロー手段を制御する
第１の制御手段と、を有する第１の処理室と、
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して被処理基板のＹ方向にパターンを形
成する第２の液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を被処理基板のＹ方向に制御す
る第２のブロー手段と、前記第２の液滴吐出手段および前記第２のブロー手段を制御する
第２の制御手段と、を有する第２の処理室と、
前記第１の処理室および前記第２の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴と
する半導体装置の製造装置である。
【００２８】
上記構成において、前記第１の処理室内、前記第１の処理室から前記第２の処理室への
搬送経路、および前記第２の処理室内において、被処理基板の向きは固定することを特徴
としている。液滴吐出法によるパターンが十分乾燥していない状態で大型の基板を回転さ
せてしまうと、基板周縁部においては遠心力がかかり、パターン形状の変形を招く恐れが
あるため、処理および搬送の全てを通じて基板の向きは固定することが好ましい。
【００２９】
また、上記構成において、前記液滴吐出手段から吐出された液滴量を測定する測定手段
が設けられていることを特徴としている。液滴量を測定し、吐出条件を制御することによ
って、より精密なパターン形成を行うことができる。
【００３０】
また、パターン形成方法も本発明の一つであり、その構成は、
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパタ
ーンを形成する際、
ブロー手段により、液滴吐出手段から吐出された液滴の飛翔軌道を変化させ、
前記ブロー手段により、液滴吐出した直後にガスを吹きつけて乾燥を行い、
吹き出されたガス流路の一部に設けられた加熱手段により、ガスを加熱し、
加熱されたガス流路の下方領域の加熱焼成を行うことを特徴とするパターン形成方法であ
る。
【００３１】
また、ガスによる気流を調節して、吐出ヘッドからの液滴をブロー手段側に引き込んで液
滴の飛翔軌道を変え、パターン形状を制御することができる。本発明のパターン形成方法
の他の構成は、
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパタ
ーンを形成する際、
液滴を吐出すると同時にブロー手段の流量を増減させて、液滴吐出手段から吐出された液
滴の飛翔軌道を変化させてパターン形状を制御することを特徴とするパターン形成方法で
ある。
【００３２】
例えば、線状のパターン描画始点において液だまりが生じるのを防ぐため、ガス流量をゼ
ロから増加させて走査を行えば、余分な液滴は、走査方向に延ばされる。また、走査を行
い、線状のパターン描画終点に向かうにつれてガス流量を減少させてゼロにすると均一の
幅の線状パターンが得られる。即ち、本発明は、吐出ヘッドやステージを移動させるので
はなく、ブロー手段のガス流量増減調節によって液滴の飛翔軌道を変えてパターンの一部
形成を行うものである。
【００３３】
また、気流により液滴の飛翔軌道を変えることによって、液滴の飛翔像を撮影することが
可能となり、吐出液滴量を測定しながら吐出を行うことができる。本発明のパターン形成
方法の他の構成は、液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐
出して選択的にパターンを形成する際、ブロー手段により液滴吐出手段から吐出された液
滴の飛翔軌道を変化させ、飛翔している（落下している）液滴を撮像して液滴量を測定し
ながら、液滴吐出手段及びブロー手段を調整することを特徴とするパターン形成方法であ
る。
【００３４】
なお、液滴量を測定する撮像手段とは、別途にアライメント用の撮像手段を設けておく
。
【００３５】
ヘッド近傍に設けた撮像手段を設ければ、ヘッド側（基板上方）からの液滴の飛翔像を
撮影でき、撮影画像を画像処理し、その画像の大きさから液滴体積を算出することができ
る。従来では、液滴は吐出ヘッドの吐出口から基板に向かって真下に吐出されていたため
、吐出ヘッドに隣接して撮像手段を設けたとしても撮像が困難であった。本発明では、液
滴は吐出ヘッドの吐出口から基板に向かって斜め下に吐出されるため、吐出ヘッドに隣接
して撮像手段を設ければ、飛翔中（落下中）の液滴を上から撮像することが可能である。
【００３６】
なお、ブロー手段から放出されるガスとしては、窒素で代表される不活性ガスや、空気
、またはそれらの乾燥ガスを用いる。ブロー手段から放出されるガスの温度は、吐出口で
の温度と比べて加熱ヒータ付近での温度が高くなるようにする。例えば、吐出口でのガス
の温度を室温もしくは１００℃未満の一定温度に保ち、ガス流路中に配置された加熱ヒー
タでガスの温度を焼成温度（１００℃〜３００℃）とすることが好ましい。また、処理室
内には、湿度または温度を制御する制御手段を設けてもよい。
【００３７】
また、乾燥しやすいパターン材料液を用いてパターンを形成する場合、急激な乾燥を抑
えるためにブロー手段で低温ガス（０℃〜−５０℃）や湿気や溶媒揮発成分を多く含んだ
ガスを吹きつけてもよいし、ガス流路中に冷却素子（ペルチェ素子など）を配置して低温
ガス（０℃〜−５０℃）を吹きつけてもよい。圧縮ボンベに収納された不活性ガスは、冷
却しなくとも常温よりも低い温度であるため、そのまま導入することもできる。
【００３８】
また、ブロー手段に加えて、基板表面の洗浄および表面改質のための大気圧プラズマ手
段や、ＵＶランプやハロゲンランプ、フラッシュランプなどの光照射手段を処理室内に設
けてもよい。また、吐出前に基板上の微少なゴミを除去するブロー手段や排気手段を処理
室内に設けてもよい。
【００３９】
また、パターン形成材料は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマ
ス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔ
ｉ）、若しくはアルミニウム（Ａｌ）、これらからなる合金、これらの分散性ナノ粒子、
又はハロゲン化銀の微粒子を用いることができる。特に低抵抗な銀、銅を用いるとよい。
また、他のパターン形成材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに
２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化
珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＳＯ、有機インジウム、有機スズ、窒化チタン（ＴｉＮ
）等を用いることもできる。本発明は、枝分かれした形状、Ｔ字形、Ｌ字形などの配線パ
ターン形成に適している。
【００４０】
例えば、有機インジウムと有機スズとがキシロール中に、９９：１の比率から９０：１
０の比率の範囲内で配合された液状材料を液滴吐出法で基板上に吐出し、加熱することで
ＩＴＯからなるパターンが形成できる。
【００４１】
本発明では、半導体装置を構成する導電層を液滴吐出法によって形成することができる。
本発明は、インクジェット法を代表とする滴下法により配線パターンを形成することを特
徴としており、代表的には、薄膜トランジスタが有する、ゲート電極、ソース電極、ドレ
イン電極、及びそれら電極に接続される配線のいずれにおいても、インクジェット法を代
表とする滴下法により形成する。
【００４２】
なお、滴下法により配線を形成した薄膜トランジスタの構造等は限定されない。すなわ
ち、結晶性半導体膜及び非結晶性半導体膜のいずれを有する薄膜トランジスタであっても
よく、半導体膜より下方にゲート電極が設けられる所謂ボトムゲート型（チャネルエッチ
型やチャネル保護型）、及び半導体膜より上方にゲート電極が設けられる所謂トップゲー
ト型のいずれの構造を有する薄膜トランジスタであってもよい。
【００４３】
また、本発明はインクジェット法により、溶媒に導電体（配線を構成する材料）が混入さ
れた組成物（溶媒に導電体が溶解又は分散させた組成物を含む）を吐出して配線を形成し
ている。特に、インクジェット法により配線を形成する場合、該配線をパターニングする
ためのマスクの露光、現像といったフォトリソグラフィー工程、配線パターニングするエ
ッチング工程を省略することができる。
【００４４】
また、本発明は、導電材料に特に限定されず、パターン形成材料として、絶縁材料を用
いることもでき、絶縁体パターン形成を行うこともできる。
【００４５】
また、パターン形成材料はドット（液滴）状に吐出されたり、ドットが連なった柱状に吐
出されたりする。また組成物がドット状又は柱状に吐出されることを単にドット（液滴）
を滴下するとも表記する。すなわち、複数のドットが連続して吐出されるため、ドットと
して認識されず線状に吐出されることもあるが、合わせて滴下と表記する。
【発明の効果】
【００４６】
本発明により、大型の基板に対しても液滴吐出法を用いたパターン形成装置で均一なパ
ターン形成を行うことができるとともに半導体装置の製造におけるタクトタイムを短縮す
ることができる。
【００４７】
また、１０００ｍｍ×１３００ｍｍ、１０００ｍｍ×１５００ｍｍ、１８００ｍｍ×２
２００ｍｍ以上とメータを超える第５世代以降のガラス基板から多数のデバイスを作製す
ることができ、デバイスの価格が下がることが期待できる。この場合でも、インクジェッ
ト法を代表とする滴下法を用いることにより、採算を維持できる製造ラインを構築するこ
とができる。それは、インクジェット法を代表とする滴下法により配線等を形成すると、
フォトプロセスの簡略化を行うことができるからである。その結果、フォトマスクが不要
となり、設備投資コストの削減、コストの削減を達成することができる。
【００４８】
さらにフォトリソグラフィー工程が不要となるため、製造時間を短縮することができる
。またインクジェット法を代表とする滴下法により形成すると、材料の利用効率が向上し
、コストの削減、廃液処理量の削減が可能となる。このようにインクジェット法を代表と
する滴下法を大面積基板への適用することは非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の製造装置の一例を示す上面図である。（実施の形態１）
【図２】パターン形成処理室の断面図である。（実施の形態１）
【図３】本発明のパターン形成方法を示す図である。（実施の形態２）
【図４】パターン形成処理室の断面図である。（実施の形態３）
【図５】パターン形成処理システムの斜視図である。（実施の形態３）
【図６】薄膜トランジスタの工程断面を示す図である。（実施の形態４）
【図７】薄膜トランジスタおよび画素電極の断面図である。（実施の形態５）
【図８】液晶モジュールの断面図である。（実施の形態６）
【図９】発光装置の等価回路図および上面図である。（実施の形態７）
【図１０】発光装置の画素断面図である。（実施の形態７）
【図１１】表示パネルの構成の一例を示す上面図を示す図。（実施の形態８）
【図１２】電子機器の一例を示す図。（実施の形態９）
【図１３】電子機器の一例を示す図。（実施の形態９）
【発明を実施するための形態】
【００５０】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００５１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、ブロー手段を有するインクジェット装置（液滴吐出装置）をマルチチ
ャンバー式の一室とした製造装置について図１を用いて説明する。
【００５２】
図１に示す製造装置は、搬送路１００に連結される基板ロード室１０１と、基板ロード
室１０１に連結される搬送室１０２と、搬送室１０２に連結されるパターン形成処理室１
０３、１０４、１０６と、搬送室１０２に連結される多段加熱室１０７、１０８と、搬送
室１０２に連結される基板アンロード室１０９が設けられている。
【００５３】
以下に基板処理および基板搬送の流れを示す。なお、ここでは、ゲート配線と、ゲート
配線から枝分かれしているゲート電極のパターンを形成する例を示す。
【００５４】
搬送路１００から搬送されてきた大型基板は、まず、基板ロード室１０１に複数枚の基
板が収納可能なカセットごと一緒にセットされる。セットされた大型基板は全て同一方向
に収納されている。
【００５５】
そして、搬送室１０２に設けられた搬送ロボット１０５により、基板２０２を基板ロー
ド室１０１から搬送室１０２を経由してパターン形成処理室１０３に導入する。なお、搬
送ロボット１０５は搬送室１０２内を自由自在に移動できる。パターン形成処理室１０３
には液滴吐出手段２０１とブロー手段２１０とを示している。
【００５６】
また、パターン形成処理室１０３に導入された基板は、一方向に移動可能なステージに
保持して液滴吐出手段の下方を通過させる。液滴吐出手段の下方を通過させながら、基板
２０２のＸ方向に導電材料を含む液滴吐出およびブローを行う。この段階で基板上にＸ方
向に延びるゲート配線を形成する。ステージは、ブロー手段により形成される気流の方向
２１４と同じ方向に移動させてパターン形成を行う。ここではステージを移動させる例を
示したが、ステージを固定して、吐出ヘッド及びブロー手段を移動させる装置としてもよ
い。
【００５７】
また、ステージに加熱ヒータを内蔵させて、液滴吐出中に基板を加熱し、焼成にかかる
時間短縮を図ってもよい。
【００５８】
ここでは一つの処理室１０３に３つの液滴吐出手段及び３つのブロー手段を設け、複数
の液滴吐出手段の合計幅が基板の幅と同一、もしくは基板の幅よりも広くなるようにして
いるが、特に限定されず、基板の幅もしくは基板の幅よりも広い一つの液滴吐出手段を用
いてもよい。大型の基板になれば、３つ以上の液滴吐出手段を設置することが好ましい。
【００５９】
そして、Ｘ方向のパターン形成が終了したら、基板の向きを変えずにパターン形成処理
室１０３から基板搬出、およびパターン形成処理室１０６への基板導入を行う。パターン
形成処理室１０６ではＹ方向のパターンを行う。パターン形成処理室１０６に導入された
基板は、Ｙ方向に移動可能なステージに保持して液滴吐出手段の下方を通過させる。液滴
吐出手段の下方を通過させながら、基板のＹ方向に導電材料を含む液滴吐出およびブロー
を行う。この段階で基板上にＹ方向にゲート電極を形成し、ゲート電極が一体化されたゲ
ート配線が形成される。
【００６０】
また、パターン形成処理室１０３のブロー手段により配線パターンを冷却して乾燥を抑
え、基板の向きを変えずにパターン形成処理室１０６への基板導入を行い、液滴吐出後、
パターン形成処理室１０６のブロー手段により一体化された配線パターンを加熱して乾燥
させてもよい。この方法は、乾燥すると重なりにくくなる同一材料を用い、液滴吐出を複
数の処理室で行って、枝分かれ、或いは交差させた配線を形成する場合に有効である。
【００６１】
ゲート配線は、ゲート電極よりも幅が広く設計されることが多く、幅が異なれば液滴吐
出手段の条件（吐出量やノズル径など）も異なるため、複数のパターン形成処理室を用い
てゲート電極およびゲート配線を形成することは有用である。また、一方向のみのパター
ン形成処理室とすることで装置構成を単純化することができる。
【００６２】
そして、基板の向きを変えずに多段加熱室１０７に搬入して焼成を行う。多段加熱室１
０７では平板ヒータ（代表的にはシースヒータ）を用いて、複数の基板を均一に加熱する
。この平板ヒータは複数設置され、平板ヒータで基板を挟むように両面から加熱すること
もでき、勿論、片面から加熱することもできる。
【００６３】
焼成が終了したら、搬送室１０２を経由して基板アンロード室１０９に導入する。この
段階で搬送路１００を経由して次に行う処理室に搬送可能となる。
【００６４】
また、搬送室１０２には多段加熱室１０８と、パターン形成処理室１０４とが連結され
ている。複数のパターン形成処理室を用い、且つ、複数の多段加熱室を用いることでタク
トタイムを短縮することができる。多段加熱室１０８は多段加熱室１０７と加熱温度を異
ならせてもよい。また、パターン形成処理室１０４は基板のＸ方向に導電材料を含む液滴
吐出およびブローを行うものである。なお、搬送室１０２に連結する多段加熱室の数とパ
ターン形成処理室の数は、図１に示す構成に特に限定されない。
【００６５】
また、図１では、搬送路１００に連結されたもう一つのマルチチャンバー式の製造装置
を示している。もう一つのマルチチャンバー式の製造装置も同様の処理を行うことが可能
である。搬送路１００に連結される基板ロード室１１１と、基板ロード室１１１に連結さ
れる搬送室１１２と、搬送室１１２に連結されるパターン形成処理室１１３、１１４、１
１６と、搬送室１１２に連結される多段加熱室１１７、１１８と、搬送室１１２に連結さ
れる基板アンロード室１１９が設けられている。また、搬送室１１２には搬送ロボット１
１５が設けられている。
【００６６】
図１に示すように、気流を制御するため、多段加熱室が隣合うようにマルチチャンバー
式の製造装置が並べられており、装置全体の気流が外側に向かうように配置している。パ
ターン形成処理室の気流の下流側に加熱室があると、加熱室による温度上昇の影響を受け
てパターン形成処理室内の気流が変化する恐れがある。
【００６７】
なお、図１では基板の向きが分かりやすいように、基板の角を一部切り取った形として
図示している。
【００６８】
また、図２にパターン形成処理室１０３の断面図の一例を示す。なお、図２において図
１と対応する箇所には同じ符号を用いて説明する。
【００６９】
図２に示すパターン形成処理室１０３内には、液滴吐出手段２０１、ブロー手段２１０
、基板２０２を配置するステージ（搬送台）２０８、ＣＣＤカメラ２１２、２２１、排気
ダクト２０５、基板搬入扉２０３が設けられている。ブロー手段２１０として、ガス導入
ユニット２０９およびガスラインおよびブローノズルが設けられ、ブローノズル先端のガ
ス流出口からガスが吹き出される。
【００７０】
ここでは、ステージを移動させることによってパターン形成を行う例を示しているので、
液滴吐出手段２０１、ブロー手段２１０、ＣＣＤカメラ２１２、２２１、をＸ―Ｙ平面内
においては固定させた例を示しているが、特に限定されず、ステージを固定して、液滴吐
出手段２０１、ブロー手段２１０、ＣＣＤカメラ２１２、２２１をＸ―Ｙ平面内において
移動可能としてもよい。ガスラインおよびブローノズルは可撓性を有する有機樹脂材料を
用いると、移動させることができる。
【００７１】
また、ＣＣＤカメラ２２１とブロー手段２１０とを一体化させ、ブロー手段２１０と液
滴吐出手段２０１とを離間させているが、特に限定されず、全て離間させても、全て一体
化させてもよく、共に移動可能としてもよい。
【００７２】
そして、ガス導入ユニット２０９、ＣＣＤカメラ２１２、２２１、液滴吐出手段２０１
、ステージ２０８、排気ユニット２１１を制御するための中央処理装置２１５が設けられ
ている。更に中央処理装置をＬＡＮケーブル、無線ＬＡＮ、光ファイバ等で生産管理シス
テム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能となり、生産性を向上させ
ることにつながる。
【００７３】
パターン形成処理室１０３の内壁に用いる材料としては、その表面積を小さくすることで
酸素や水等の不純物の吸着性を小さくすることができるので、電解研磨を施して鏡面化さ
せたアルミニウムやステンレス（ＳＵＳ）等を内部壁面に用いることが好ましい。また、
気孔がきわめて少なくなるように処理されたセラミックス等の材料を内部部材に用いても
よい。なお、これらは、中心線平均粗さが３ｎｍ以下となる表面平滑性を有するものが好
ましい。また、気流を制御するため、パターン形成処理室１０３は外部からの温度影響が
極力抑える構造とすることが好ましい。
【００７４】
また、液滴吐出手段２０１とは、組成物の吐出口を有するノズルや、１つ又は複数のノ
ズルを具備したヘッド２２０等の液滴を吐出する手段を有するものの総称とする。液滴吐
出手段が具備するノズルの径は、０．０２〜１００μｍ（好適には３０μｍ以下）に設定
し、該ノズルから吐出される組成物の吐出量は０．００１ｐｌ〜１００ｐｌ（好適には０
．１ｐｌ以上４０ｐｌ以下、より好ましくは１０ｐｌ以下）に設定する。吐出量は、ノズ
ルの径の大きさに比例して増加する。また、被処理物（例えば基板）とノズルの吐出口と
の距離は、所望の箇所に滴下するために、出来る限り近づけておくことが好ましく、好適
には０．１〜３ｍｍ（好適には１ｍｍ以下）程度に設定する。
【００７５】
本実施の形態では液滴吐出を、圧電素子を用いたいわゆるピエゾ方式で行うが、溶液の材
料によっては、発熱体を発熱させ気泡を生じさせ溶液を押し出す、いわゆるサーマルイン
クジェット方式を用いてもよい。この場合、圧電素子を発熱体に置き換える構造となる。
また液滴吐出のためには、溶液と、液室流路、予備液室、流体抵抗部、加圧室、溶液吐出
口（ノズル、ヘッド）との濡れ性が重要となる。そのため材質との濡れ性を調整するため
の炭素膜、樹脂膜等をそれぞれの流路に形成する。
【００７６】
また、図示していないが、液滴吐出手段２０１には液滴吐出を行う為のノズル駆動電源
とノズルヒータが内蔵され、また液滴吐出手段の位置を調節する為の移動手段を備えてい
る。また図示していないが、温度、湿度、流量、圧力等、種々の物性値を測定する手段を
、必要に応じて設置してもよい。
【００７７】
このようなパターン形成処理室１０３において、基板２０２を一方向への移動手段を備
えたステージ２０８に設置する。ステージ２０８に加熱ヒータを備えてもよい。本実施の
形態では、ステージにより基板をＸ―Ｙ平面内の任意の箇所に移動させる際、ＣＣＤカメ
ラ２１２により位置制御を行う。
【００７８】
また、パターン形成処理室１０３内は、ガス導入ユニット２０９および排気ユニット２
１１を中央処理装置２１５で制御して気流の向き２１４を一定に保つ。パターン形成処理
室内のスペース２０６における気流の向き２１４はステージの移動方向と同じ向きとする
。
【００７９】
そして、本実施の形態では、気流の向き２１４を一定に保ちながら、液滴吐出手段２０
１から液滴を滴下する。気流の向き２１４の影響を受け、液滴の飛翔軌道は、弧を描く。
弧を描いてＣＣＤカメラ２２１の真下を通過した液滴はＣＣＤカメラ２２１で撮像され、
中央処理装置２１５で液滴像から液滴量を算出し、液滴吐出手段２０１を制御して均一な
液滴量としてパターン形成を行う。また、ブロー手段によって配線パターン２１３の乾燥
または焼成が行われる。
【００８０】
上記の装置構成によって、液滴吐出を行いながら液滴量を均一に保ち、処理室内のスペー
ス２０６にて液滴の着弾後にパターンの乾燥または焼成を行うことができ、基板上に効率
よく 且つ精度よく微細なパターン形成を行うことができる。
【００８１】
また、液滴吐出方式には、溶液を連続して吐出させ連続した線状のパターンを形成するい
わゆるシーケンシャル方式と、溶液をドット状に吐出するいわゆるオンデマンド方式があ
るが、どちらを用いても構わない。
【００８２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する場合、配線の始点と終点
にドットの固まりが形成されることを防止する方法を図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ
）を用いて示す。
【００８３】
本実施の形態では、ブロー手段のガス流量を調節することによって配線の終点にドット
の固まりを防止する例を以下に示す。
【００８４】
まず、基板３００上には、下地層３０１を形成（または下地前処理）を全面または選択
的に行うことが好ましい。下地層の形成としては、スプレー法またはスパッタ法によって
光触媒物質（酸化チタン（ＴｉＯX）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、セレン
化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ3）、硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、
酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化タングステン（ＷＯ3））を全面に滴下する処理、またはイン
クジェット法やゾルゲル法を用いて有機材料（ポリイミド、アクリル、或いは、シリコン
（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に水素を含む有機基（例え
ばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。また、置換基としてフルオロ基を用いて
もよい。また、置換基として少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよ
い。
【００８５】
また、被形成面に対してぬれ性を低める処理を行い、ぬれ性を低める処理を行った面に
対して、選択的にぬれ性を高める処理を行った後に、ぬれ性を高める処理処理を行った面
に滴下法により配線等を形成してもよい。ぬれ性を高める処理処理としては、選択的にフ
ッ素樹脂又はシランカップリング剤を有する膜を形成すればよい。パターン形成材料を含
む組成物の接触角が大きい領域はよりぬれ性が低い領域（以下、低ぬれ性領域ともいう）
となり、接触角が小さい領域はぬれ性の高い領域（以下、高ぬれ性領域ともいう）となる
。接触角が大きいと、流動性を有する液状の組成物は、領域表面上で広がらず、組成物を
はじくので、表面をぬらさないが、接触角が小さいと、表面上で流動性を有する組成物は
広がり、よく表面をぬらすからである。よって、ぬれ性が異なる領域は、表面エネルギー
も異なる。ぬれ性が低い領域における表面の、表面エネルギーは小さく、ぬれ性の高い領
域表面における表面エネルギーは大きい。
【００８６】
光触媒物質は、光触媒機能を有する物質を指し、紫外光領域の光（波長４００ｎｍ以下
、好ましくは３８０ｎｍ以下）を照射し、光触媒活性を生じさせるものである。光触媒物
質上に、インクジェット法で代表される液滴吐出法により、溶媒に混入された導電体を吐
出すると、微細な描画を行うことができる。
【００８７】
例えば、ＴｉＯXに光照射する前、親油性はあるが、親水性はない、つまり撥水性の状
態にある。光照射を行うことにより、光触媒活性が起こり、親水性にかわり、逆に親油性
がない状態となる。なお光照射時間により、親水性と親油性を共に有する状態にもなりう
る。
【００８８】
更に光触媒物質へ遷移金属（Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｍｏ、
Ｗ等）をドーピングすることにより、光触媒活性を向上させたり、可視光領域（波長４０
０ｎｍ〜８００ｎｍ）の光により光触媒活性を起こすことができる。このように光の波長
は光触媒物質によって決定することができるため、光照射とは光触媒物質の光触媒活性化
させる波長の光を照射することを指す。
【００８９】
図３（Ａ）では、基板３００が設置されたステージまたは液滴吐出手段３０３を相対的
に移動させながらパターン３０４の形成を行っている途中を示しており、ブロー手段３０
２によって液滴の飛翔軌道は、着弾する手前で弧を描いている様子が示されている。
【００９０】
図３（Ｂ）は、基板３００が設置されたステージおよび液滴吐出手段を固定し、図３（
Ａ）よりもブロー手段からのガス流量を減少させており、液滴の飛翔軌道が変化している
様子が示されている。
【００９１】
図３（Ｃ）は、基板３００が設置されたステージおよび液滴吐出手段を固定し、且つ、
ブロー手段からのガス流量をゼロとしており、液滴が自由落下により真下に滴下されてい
る様子が示されている。
【００９２】
このように、配線の終点付近において、ブロー手段からのガス流量を徐々に減少させる
ことによって、ステージおよび液滴吐出手段を固定したままパターン形成を行うことがで
きる。また、ブロー手段からのガス流量をゼロにした時に液滴吐出も停止すれば、配線の
終点にドットの固まり、即ち、多数の液滴が終点の一箇所に滴下され比較的大きなサイズ
のパターンが形成されることを防止することもできる。
【００９３】
また、配線の始点においては、ブロー手段からのガス流量を徐々に増加させることによ
って、ステージおよび液滴吐出手段を固定したままパターン形成を行うことができる。ガ
ス流量を徐々に増加させることによって、また、配線の始点にドットの固まりが形成され
ることを防止することもできる。
【００９４】
また、配線の始点において、液滴吐出を行ないながらガス流量を減少させてブロー手段
からのガス流量をゼロになった時に、ステージまたは液滴吐出手段を移動させて液滴吐出
を行ってパターン形成を行ってもよい。この場合、配線の始点または終点付近以外は、ブ
ロー手段からのガス流量をゼロのまま、パターン形成を行うこととなる。
【００９５】
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００９６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に示した図２の構成に加え、パターン形成処理室１０
３内に加熱手段を設けた例を図４に示す。なお、図４において図２と対応する箇所には同
じ符号を用いて説明する。また、図２と同一の部分は簡略化のため、ここでは詳細な説明
を省略することとする。
【００９７】
ブロー手段により高温に加熱したガスを吹きつけようとすると、液滴吐出手段２０１に
影響を与え、吐出が不安定になる恐れがある。また、ガスラインおよびブローノズルとし
て、可撓性を有する有機樹脂材料を用いると、高温に加熱したガスを吹きつけることは困
難となる。そこで、ブロー手段により形成される気流の下流位置に液滴吐出手段から間隔
を離して加熱手段を配置する。
【００９８】
加熱手段として、発熱電源ユニット４００およびリード線およびニクロム線などの抵抗発
熱体４０１を用いている。また、発熱電源ユニット４００も中央処理装置２１５で制御を
行うことが好ましい。なお、抵抗発熱体４０１は、糸状、ワイヤ状、コイル状、棒状、ま
たは面状であってもよい。また、抵抗発熱体４０１は、セラミック材質、例えばシリコン
カーバイド（ＳｉＣ）、クロム酸ランタン（ＬａＣｒＯ3）、二酸化ジルコン（ＺｒＯ2）
、またはこれらのセラミック材質に金属粉末を混合した材料を用いてもよい。
【００９９】
また、加熱手段は、抵抗発熱体に限定されず、ゼーベック効果やトムソン効果を用いた
熱電変換素子を用いてもよい。
【０１００】
加熱手段により、ブロー手段から吹き出された気体を加熱することによって配線パター
ン２１３の乾燥または焼成が行われる。着弾後に一定の時間を保って仮焼成を行い、最初
に吐出してパターン形成した箇所と、最後に吐出してパターン形成した箇所とで大気に曝
される時間差が大きくなっても均一なパターン形成を得ることができる。また、ガス流路
中に加熱ヒータが設けられているため、着弾された材料パターンに対して急激な加熱を防
ぐことができる。また、吐出後に処理室内で加熱することによって、トータルの焼成時間
を短縮することもできる。
【０１０１】
また、大型の基板にパターン形成可能な装置システムの斜視図の一例を図５に示す。
【０１０２】
図５において、大型の基板５００上において、１つのパネルが形成される領域５３０を点
線で示す。
【０１０３】
図５には、配線等のパターンの形成に用いる液滴吐出装置の一態様を示す。液滴吐出手
段は、ヘッドを有し、ヘッドは複数のノズル５０３を有する。本実施の形態では、多数の
ノズルが設けられたヘッドを一つ有する場合で説明するが、ノズルの数や、ヘッドの数は
処理面積や工程等により設定することができる。
【０１０４】
ヘッドの幅は、大型マザーガラスから複数のパネルを形成する場合、ヘッドの幅は１つの
パネルの幅と同程度とすると好ましい。１つのパネルが形成される領域５３０に対して一
回の走査でパターン形成することができ、高いスループットが期待できるからである。
【０１０５】
ヘッドは、吐出制御手段５０７に接続され、吐出制御手段をコンピュータ５１０により制
御することにより、予め設定されたパターンを描画することができる。描画するタイミン
グは、例えば、ステージ５３１上に固定された基板５００等に形成されたマーカーを基準
点として決定すればよい。また、基板５００の縁を基準点として行ってもよい。これら基
準点をＣＣＤなどの撮像手段５０４で検出し、画像処理手段５０９にてデジタル信号に変
換させる。デジタル変化された信号をコンピュータ５１０で認識して、制御信号を発生さ
せて吐出制御手段５０７に送る。このようにパターンを描画するとき、パターン形成面と
、ノズルの先端との間隔は、０．１ｃｍ〜５ｃｍ、好ましくは０．１ｃｍ〜２ｃｍ、さら
に好ましくは０．１ｍｍ前後とするとよい。このように間隔を短くすることにより、液滴
の着弾精度が向上する。
【０１０６】
このとき、基板５００上に形成されるパターンの情報は記憶媒体５０８に格納されており
、この情報を基にして吐出制御手段５０７に制御信号を送り、ノズルを個別に制御するこ
とができる。
【０１０７】
また、ブロー手段５１３が設けられており、ガスを基板に吹きつけることによって点線
で示す矢印の方向に気流を形成する。気流の方向とステージの移動方向を同じにすること
が好ましい。ブロー手段５１３もブロー制御手段５１１に接続され、ブロー制御手段もコ
ンピュータ５１０により制御する。
【０１０８】
また、加熱手段（ヒーター）５０２が設けられており、吹きつけているガスを加熱して
パターンの乾燥を行う。加熱手段５０２も加熱制御手段５０６に接続され、加熱制御手段
もコンピュータ５１０により制御する。
【０１０９】
また、加熱手段５０２に代えて冷却手段を設けてもよい。冷却手段およびブロー手段に
より配線パターンを冷却して乾燥を抑えることができる。冷却手段としてはペルチェ効果
を利用した熱電変換素子を用いればよい。また、ガス流路中に冷却手段を設けるため、着
弾された材料パターンに対して急激な冷却を防ぐことができる。
【０１１０】
また、本実施の形態は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることがで
きる。
【０１１１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、薄膜トランジスタの作製方法の一例について説明する。
【０１１２】
まず、図６（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板６００を用意する。基板６００に
は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、
石英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、ポリエチレン-テレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ
）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、
一般的に他の基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に
耐え得るのであれば用いることが可能である。特に、半導体膜を結晶化するための加熱工
程を要しない非晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタを形成する場合、可撓性を有する
合成樹脂からなる基板を用いやすい。
【０１１３】
次いで、基板６００上に必要に応じて下地膜を形成する。下地膜は基板６００中に含まれ
るＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特
性に悪影響を及ぼすのを防ぐためと、平坦性向上のために設ける。よってアルカリ金属や
アルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる酸化珪素、窒化珪素、窒化酸
化珪素、酸化チタン、窒化チタンなどの絶縁膜を用いて下地膜を形成することができる。
また、チタン等の導電膜を用いて下地膜を形成することもできる。この場合、導電膜は、
作製工程における加熱処理等により、酸化されることがある。特に、下地膜の材料は、ゲ
ート電極材料と密着性の高いものを選択するとよい。例えば、ゲート電極にＡｇを用いる
場合、酸化チタン（ＴｉＯｘ）からなる下地膜を形成すると好ましい。なお下地膜は単層
構造又は積層構造を有してもよい。
【０１１４】
また、下地膜は、不純物が半導体膜へ拡散することが防止できれば、必ずしも設ける必要
はない。そのため本実施の形態のように、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体膜
を形成する場合、ゲート絶縁膜が半導体膜へ不純物の拡散を防止する機能を果たすことが
できるため、下地膜を設ける必要は特にない。
【０１１５】
また、基板材料により下地膜を設けると好ましい場合がある。ガラス基板、ステンレス基
板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含
まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは
有効である。一方、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも
下地膜を設ける必要はない。
【０１１６】
次いで、インクジェット法を用いた図１および図２に示す製造装置によって、溶媒中に導
電体が混入したドットを滴下して、ブロー手段によりガスを吹きつけてゲート電極６０３
およびゲート配線として機能する導電パターンを形成する。（図６（Ａ））本実施の形態
では、Ｘ方向のパターンとＹ方向のパターンを異なるパターン形成処理室で行うことで生
産性を向上させている。ゲート配線から枝分かれしたゲート電極は、異なるパターン形成
処理室で行い、一つのパターンにする。本実施の形態では、テトラデカンの溶媒中に銀（
Ａｇ）の導電体が分散しているドットを滴下する。
【０１１７】
次いで、ドットの溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加熱処
理を施す。具体的には、所定の温度、例えば、２００℃〜３００℃で加熱すればよく、好
ましくは酸素を有する雰囲気で加熱処理を行う。このときゲート電極表面に凹凸が生じな
いように加熱温度を設定する。本実施の形態のように銀（Ａｇ）を有するドットを用いる
場合、酸素及び窒素を有する雰囲気で加熱処理を行うと、溶媒中に含まれる接着剤等の熱
硬化性樹脂などの有機物が分解されるため、有機物を含まない銀（Ａｇ）を得ることがで
きる。その結果、ゲート電極表面の平坦性を高め、比抵抗値を低くすることができる。
【０１１８】
また、本実施の形態では、ブロー手段によりガスを吹きつけるため、後の加熱処理に要
する時間を短縮することができる。
【０１１９】
次いで、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜６０４として機能する絶縁膜を形成する。絶
縁膜は積層構造又は単層構造を有することができる。絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法に
より酸化珪素、窒化珪素又は窒化酸化珪素等の絶縁体を形成することができる。なお、イ
ンクジェット法により絶縁膜の材料が混入されたドットを吐出してゲート絶縁膜を形成し
てもよい。本実施の形態のように、銀（Ａｇ）をゲート電極として用いる場合、ゲート電
極を覆う絶縁膜には窒化珪素膜を用いると好ましい。酸素を有する絶縁膜を用いると、銀
（Ａｇ）と反応し、酸化銀が形成されゲート電極表面が荒れる恐れがあるからである。
【０１２０】
次いで、ゲート絶縁膜上に、半導体膜６０５を形成する。半導体膜は、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、インクジェット法等により形成することができる。半導体膜の膜
厚は２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）とする。また半導体膜の材料は珪素
だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用い
る場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好まし
い。また、半導体膜は、非晶質半導体、非晶質半導体の中に結晶粒が分散するように存在
しているセミアモルファス半導体、及び非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒
を観察することができる微結晶半導体、から選ばれたいずれの状態を有してもよい。特に
、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒観察することができる微結晶状態は所謂マイクロクリ
スタル（μｃ）と呼ばれている。
【０１２１】
セミアモルファス半導体の材料としてシリコンを用いたセミアモルファスシリコン（ＳＡ
Ｓとも表記する）は、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代
表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｓｉ
ＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。珪化物気体を水素、水素とヘ
リウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希
釈して用いることによりＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。このとき希釈率
が１０倍〜１０００倍の範囲となるように、珪化物気体を希釈すると好ましい。またＳｉ
2Ｈ6及びＧｅＦ4を用い、ヘリウムガスで希釈する方法を用いてＳＡＳを形成することが
できる。グロー放電分解による被膜の反応生成は減圧下で行うと好ましく、圧力は概略０
．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲で行えばよい。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ
〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すればよい。基
板加熱温度は３００度以下が好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が推奨される。
【０１２２】
本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用いて、珪素を主成分とする非晶質半導体膜（非
晶質珪素膜、アモルファスシリコンとも表記する）を形成する。
【０１２３】
次いで、一導電型を有する半導体膜を形成する。一導電型を有する半導体膜は、プラズ
マＣＶＤ法、スパッタリング法、インクジェット法等を用いて形成することができる。な
お一導電型を有する半導体膜を設ける場合、半導体膜と電極とのコンタクト抵抗が低くな
り好ましいが、必要に応じて設ければよい。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用い
てＮ型を有する半導体膜６０６を形成する。（図６（Ｂ））このように半導体とＮ型を有
する半導体膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、半導体膜６０５と、Ｎ型を有する
半導体膜６０６、更にはゲート絶縁膜を連続形成すると好ましく、原料ガスの供給を変化
させることにより大気開放せず、連続形成することができる。
【０１２４】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、半導体膜６０５及びＮ型を有する半導体膜６０６を所
望の形状にパターニングする。図示しないが所望箇所にマスクを形成し、マスクを用いて
エッチングすればよい。マスクは、材料の利用効率が向上し、コストの削減、廃液処理量
の削減が可能となるためインクジェット法を用いて形成すると好ましいが、フォトリソグ
ラフィー法により形成してもよい。更にインクジェット法によりマスクを形成すると、フ
ォトリソグラフィー工程の簡略化を行うことができる。すなわち、フォトマスク形成、露
光等が不要となり、設備投資コストの削減を達成でき、製造時間を短縮することができる
。
【０１２５】
また、マスク材料として、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン
など）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、ポリビニルアルコール、レジストまたはベンゾシクロブテン）を用いること
ができる。例えばポリイミドを用いてインクジェット法によりマスクを形成する場合、所
望箇所にインクジェット法によりポリイミドを吐出した後、焼成するため１５０〜３００
℃で加熱処理を行うとよい。
【０１２６】
次いで、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜を形成する。導電膜は、単層
構造及び積層構造のいずれを有してもよい。導電膜として、金、銀、銅、アルミニウム、
チタン、モリブデン、タングステンもしくはシリコンの元素からなる膜又はこれらの元素
を用いた合金膜を用いることができる。また導電膜はインクジェット法、ＣＶＤ法及びス
パッタリング法のいずれかを用いて形成することができる。
【０１２７】
本実施の形態では、インクジェット法により銀（Ａｇ）が混入されたドットを用いてソ
ース電極及びドレイン電極６０８を形成する。（図６（Ｄ））具体的には、ゲート電極の
形成と同様に行えばよい。プラズマ処理を行った領域にドットを滴下するため、インクジ
ェット法により形成されたソース電極及びドレイン電極を微細化することができる。
【０１２８】
次いで、ソース電極及びドレイン電極６０８をマスクとして、Ｎ型を有する半導体膜を選
択的にエッチングする。Ｎ型を有する半導体膜により、ソース電極とドレイン電極とが短
絡することを防止するためである。このとき、半導体膜６０５の上層が多少エッチングさ
れる。
【０１２９】
次いで、無機絶縁膜からなる保護膜６１３を形成する。（図６（Ｅ））保護膜６１３は、
酸化珪素や、窒化珪素、窒化酸化珪素などの絶縁膜をインクジェット法、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法等により形成する。
【０１３０】
以上のように、ソース電極及びドレイン電極まで設けられた薄膜トランジスタ６２０が完
成する。本実施の形態の薄膜トランジスタは、半導体膜より下方にゲート電極が設けられ
る、所謂ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。より詳細には、半導体膜が多少エッ
チングされている、所謂チャネルエッチ型である。このような薄膜トランジスタが複数設
けられた基板をＴＦＴ基板と表記する。
【０１３１】
インクジェット法により配線やマスク等を形成すると、材料の利用効率が向上し、コス
トの削減、廃液処理量の削減が可能となる。特にインクジェット法によりマスクを形成す
ると、フォトリソグラフィー工程と比較して工程の簡略化を行うことができる。その結果
、設備投資コストの削減、コストの削減、製造時間を短縮することができる。
【０１３２】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み
合わせることができる。
【０１３３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、薄膜トランジスタに接続する画素電極の形成方法について説明する。
なお、図７において図６と対応する箇所には同じ符号を用いて説明する。
【０１３４】
図７（Ａ）に示すように、上記実施の形態４に基づき絶縁表面を有する基板６００上に保
護膜６１３を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６２０を形成する。本実施の形態は、実
施の形態４に記載のＴＦＴを用いて説明するが、他のＴＦＴ構造を用いても構わない。ま
た、ソース電極またはドレイン電極と接続するように、該電極の下方に画素電極となる電
極６２５を形成する場合を説明する。
【０１３５】
まず、ゲート絶縁膜形成後、半導体膜及びＮ型を有する半導体膜をパターニングし、ソー
ス電極又はドレイン電極を形成する領域に画素電極を形成する。画素電極は、スパッタリ
ング法やインクジェット法により形成することができる。画素電極は透光性又は非透光性
を有する材料から形成する。例えば、透光性を有する場合、ＩＴＯ等を用いることができ
、非透光性を有する場合、金属膜を用いることができる。具体的な画素電極の材料として
、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
混合したＩＺＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＯ
−ＳｉＯｘ（便宜上ＩＴＳＯと表記する）、有機インジウム、有機スズ、窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）等を用いることもできる。
【０１３６】
図７（Ａ）では、画素電極となる電極６２５としてインクジェット法を用いてＩＴＯの導
電体が分散しているドットを滴下する。その後、ドットの溶媒を除去する必要があるとき
、焼成したり、乾燥させるため加熱処理を施す。
【０１３７】
図７（Ｂ）には、図７（Ａ）と異なり、ソース電極又はドレイン電極の上に画素電極６２
７を形成する場合を図示している。画素電極６２７は、上記と同様にスパッタリング法や
インクジェット法により形成することができる。
【０１３８】
図７（Ｃ）には、図７（Ａ）および図７（Ｂ）と異なり、層間絶縁膜６２１を形成して平
坦化した後に、配線６２３を形成し、配線６２３と画素電極６２８とを接続する。
【０１３９】
層間絶縁膜６２１には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど
）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン、ポリシラザン、及びそれらの積
層構造を用いることができる。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性
有機樹脂を用いることができる。中でも、層間絶縁膜６２１としてシロキサンを用いると
よい。さらにシロキサンの層間絶縁膜上に窒素を有する絶縁膜、例えば窒化珪素、又は酸
化窒化珪素を形成するとよい。このような構成を有する発光素子を形成すると、発光輝度
や寿命を向上することができる。また層間絶縁膜６２１にアクリルやポリイミドを用いる
場合、窒素を有する絶縁膜６２６は省略することができる。このような構成を有する場合
、液晶素子を形成するとよい。
【０１４０】
また、配線６２３および画素電極６２８は、上記と同様にスパッタリング法やインクジェ
ット法により形成することができる。
【０１４１】
図７（Ｃ）では、画素電極６２８としてＩＴＳＯを用いる。ＩＴＳＯは、インクジェッ
ト法を用いてＩＴＯの導電膜と珪素が分散しているドットを滴下して形成することができ
る。または、珪素を有するＩＴＯのターゲットを用いたスパッタリング法により形成する
ことができる。
【０１４２】
画素電極まで設けられた状態のＴＦＴ基板をモジュール用ＴＦＴ基板と表記する。
【０１４３】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、または実施の形態
４と自由に組み合わせることができる。
【０１４４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態４または実施の形態５で示した薄膜トランジスタを有す
る液晶モジュールを有する表示装置（液晶表示装置）について、図８を用いて説明する。
なお、図８において図６、または図７と対応する箇所には同じ符号を用いて説明する。
【０１４５】
図８には、上記実施の形態５で示したようなＴＦＴ基板に形成された薄膜トランジスタ
６２０と、画素電極となる電極６２５とを有する液晶表示装置の断面を示す。まず、上記
実施の形態５に従って、画素電極となる電極６２５を有する薄膜トランジスタ６２０を形
成する。画素電極となる電極６２５に透光性を有する導電膜（例えば、ＩＴＯやＩＴＳＯ
）を用いると透過型液晶表示装置となり、非透過性、つまり反射性の高い導電膜（例えア
ルミニウム）を用いると反射型液晶表示装置を形成することができる。本実施の形態のよ
うに液晶表示装置に用いられるモジュール用ＴＦＴ基板を、液晶モジュール用ＴＦＴ基板
と表記する。
【０１４６】
次いで、薄膜トランジスタ６２０、保護膜、画素電極となる電極６２５を覆うように、
配向膜６３１を形成する。
【０１４７】
次いで、基板６００と対向基板６３５とを、シール材を用いて張り合わせ、その間に液晶
を注入して液晶層６３６を形成し、液晶モジュールを形成する。
【０１４８】
また、対向基板６３５には、カラーフィルター６３４、対向電極６３３、配向膜６３１を
順に形成する。カラーフィルター、対向電極、又は配向膜はインクジェット法により形成
することができる。図示していないが、ブラックマトリクスを形成してもよく、ブラック
マトリクスもインクジェット法により形成することができる。
【０１４９】
また、液晶の注入を行う場合、真空状態となる処理室が必要となる。液晶は、滴下して形
成してもよく、液晶を滴下する手段にインクジェット法を用いてもよい。特に大型の基板
の場合、滴下して液晶を形成すると好ましい。液晶注入法を用いると、大型の基板になる
につれ処理室が拡大し、基板の重量が重くなり、困難をきたすためである。
【０１５０】
液晶を滴下する方法を用いる場合、まず一方の基板の周囲へシール材を形成する。一方の
基板と記載するのは、基板６００及び対向基板６３５のいずれにシール材を形成してもよ
いからである。このとき、シール材の始点と終点が一致した、閉じられた領域にシール材
を形成する。その後、一滴又は複数滴の液晶を滴下する。大型基板の場合、複数箇所に、
複数滴の液晶を滴下する。そして減圧状態とし、他方の基板と張り合わせる。減圧状態と
すると、不要な空気を取り除くことができ、空気に起因するシール材の破損や膨張を防止
することができるからである。
【０１５１】
そして、仮止めを行うためにシール材が形成された領域の２点以上を固化し、接着させる
。シール材に紫外線硬化樹脂を用いる場合、シール材が形成された領域の２点以上に紫外
線を照射すればよい。その後、処理室から基板を取り出し、本止めを行うため、シール材
全体を固化し、接着させる。このとき、薄膜トランジスタや液晶に紫外線が照射されない
ように遮光材を配置するとよい。
【０１５２】
なお、基板間のギャップを保持するため、シール材以外に、柱状又は球状のスペーサを用
いるとよい。
【０１５３】
このようにして図８に示す液晶モジュールが完成する。
【０１５４】
その後、異方性導電膜を用いてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）を接着して外
部端子と、信号線駆動回路又は走査線駆動回路とを接続すればよい。また信号線駆動回路
又は走査線駆動回路を外部回路として形成してもよい。
【０１５５】
ここまでの段階で、液滴吐出法で形成した配線を有する薄膜トランジスタを具備し、外部
端子が接続された液晶表示装置を形成することができる。
【０１５６】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、ま
たは実施の形態５と自由に組み合わせることができる。
【０１５７】
本実施の形態においては実施の形態５の図７（Ａ）に示す構造を用いて説明したが、実施
の形態５の図７（Ｃ）に示す構造とし、層間絶縁膜を形成して平坦性を高めてもよい。平
坦性を高めると、配向膜を均一に形成することができ、液晶層へ均一に電圧を印加するこ
とができるため好ましい。
【０１５８】
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態４または実施の形態５で示した薄膜トランジスタを有する
発光モジュールを有する表示装置（発光装置）について、図９および図１０を用いて説明
する。なお、図１０において図６、または図７と対応する箇所には同じ符号を用いて説明
する。
【０１５９】
図１０には、上記実施の形態５で示したようなＴＦＴ基板に形成された薄膜トランジスタ
６２０と、第１電極６２５とを有する発光装置の断面を示す。まず、上記実施の形態５に
従って、第１電極６２５を有する薄膜トランジスタ６２０を形成する。なお、第１電極６
２５は、発光素子の第１の電極として機能する。
【０１６０】
次いで、土手又は隔壁として機能する絶縁膜６４３を選択的に形成する。絶縁膜６４３は
、第１電極６２５の周縁部を覆うように形成し、互いに隣り合う第１電極間を埋める。絶
縁膜６４３には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感
光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、
レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン、ポリシラザン、及びそれらの積層構造
を用いることができる。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性有機樹
脂を用いることができる。例えば、有機材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合
、露光処理により感光性有機樹脂をエッチングすると上端部に曲率を有する開口部を形成
することができる。そのため、後に形成する電界発光層等の段切れを防止することができ
る。この状態のＴＦＴ基板を発光モジュール用ＴＦＴ基板と表記する。
【０１６１】
第１電極上に設けられた絶縁膜６４３の開口部に、電界発光層６４１を形成する。電界発
光層を形成する前に真空加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、真空加熱処理を行
い、インクジェット法により高分子材料を有する電界発光層を絶縁膜６４３の開口部に対
して形成する。
【０１６２】
次いで、電界発光層６４１及び絶縁膜６４３を覆うように発光素子の第２の電極６４２を
形成する。
【０１６３】
なお、電界発光層６４１を構成する分子励起子の種類としては一重項励起状態と三重項励
起状態が可能である。基底状態は通常一重項状態であり、一重項励起状態からの発光は蛍
光と呼ばれる。また、三重項励起状態からの発光は燐光と呼ばれる。電界発光層からの発
光とは、どちらの励起状態が寄与する場合も含まれる。更には、蛍光と燐光を組み合わせ
て用いてもよく、各ＲＧＢの発光特性（発光輝度や寿命等）により蛍光及び燐光のいずれ
かを選択することができる。
【０１６４】
電界発光層６４１は、第１の電極となる電極６２５側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）
、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注
入層）の順に積層されている。なお電界発光層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構
造をとることができる。
【０１６５】
また、電界発光層６４１として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料
を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法等によって選択的に形成する。赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料はインクジェット法により形成することもでき、こ
の場合マスクを用いずとも、ＲＧＢの塗り分けを行うことができるため好ましい。
【０１６６】
具体的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとし
てＢＣＰやＡｌｑ3、ＥＩＬとしてＢＣＰ：ＬｉやＣａＦ2をそれぞれ用いる。また例えば
ＥＭＬは、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色に対応したドーパント（Ｒの場合ＤＣＭ等、Ｇ
の場合ＤＭＱＤ等）をドープしたＡｌｑ3を用いればよい。
【０１６７】
また、電界発光層６４１は上記材料に限定されない。例えば、ＣｕＰｃやＰＥＤＯＴの代
わりに酸化モリブデン（ＭｏＯｘ：ｘ＝２〜３）等の酸化物とα−ＮＰＤやルブレンを共
蒸着して膜を形成し、ホール注入性を向上させることもできる。また電界発光層の材料は
、有機材料（低分子又は高分子を含む）、又は有機材料と無機材料の複合材料として用い
ることができる。
【０１６８】
以上、各ＲＧＢの発光を示す材料を形成する場合を説明したが、単色の発光を示す材料を
形成し、カラーフィルターや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うこ
とができる。例えば、白色又は橙色の発光を示す電界発光層を形成する場合、カラーフィ
ルター、又はカラーフィルター、色変換層、カラーフィルターと色変換層とを組み合わせ
たものを別途設けることによってフルカラー表示ができる。カラーフィルターや色変換層
は、例えば第２の基板（封止基板）に形成し、基板へ貼り合わせればよい。単色の発光を
示す材料、カラーフィルター、及び色変換層のいずれもインクジェット法により形成する
ことができる。
【０１６９】
また、フルカラー表示に限定されず、単色発光の表示を行ってもよい。例えば、単色発光
を用いてエリアカラータイプの表示装置を形成し、主に文字や記号を表示してもよい。
【０１７０】
また、第１の電極となる電極６２５及び第２の電極６４２は仕事関数を考慮して材料を選
択する必要がある。そして第１の電極及び第２の電極は、画素構成によりいずれも陽極、
又は陰極となりうる。本実施の形態では、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型であるため
、第１の電極を陰極、第２の電極を陽極とすると好ましい。また駆動用ＴＦＴの極性がｐ
チャネル型である場合、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とするとよい。
【０１７１】
以下に、陽極及び陰極に用いる電極材料について説明する。
【０１７２】
陽極として用いる電極材料としては、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）金属
、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体例な
材料としては、ＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩ
ＺＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＳＯ、金、白
金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又
は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）を用いることができる。
【０１７３】
また、陰極として用いる電極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以
下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。
具体的な材料としては、元素周期律の１族又は２族に属する元素、すなわちリチウムやセ
シウム等のアルカリ金属、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ
土類金属、及びこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ
、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができる。
【０１７４】
これら第１の電極及び第２の電極は蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等
により形成することができる。
【０１７５】
特に第２の電極としてスパッタリング法による導電膜、ＩＴＯ若しくはＩＴＳＯ、又はそ
れらの積層体を形成する場合、スパッタリング時、電界発光層にダメージが入る恐れがあ
る。スパッタリングによるダメージを低減するため、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ：ｘ＝２
〜３）等の酸化物が電界発光層の最上面に形成されると好ましい。そのため、ＨＩＬ等と
して機能する酸化モリブデン（ＭｏＯｘ：ｘ＝２〜３）等の酸化物を電界発光層の最上面
に形成し、第１の電極側から順に、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭ
Ｌ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）、第２の電極の順に積
層するとよい。このとき第１の電極は陰極として機能し、第２の電極は陽極として機能す
る。
【０１７６】
また、本実施の形態では、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型であるため、電子の移動
方向を考慮すると、第１の電極を陰極、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、
ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）、第２の電極を陽
極とすると好ましい。
【０１７７】
次いで、第２の電極を覆って、窒素を含むパッシベーション膜又はＤＬＣ等をスパッタ
リング法やＣＶＤ法により形成するとよい。その結果、水分や酸素の侵入を防止すること
ができる。また、第１の電極、第２の電極、その他の電極により、表示手段の側面を覆っ
て酸素や水分の侵入を防ぐこともできる。次いで、封止基板を貼り合わせる。封止基板に
より形成される空間には、不活性ガスを封入したり、乾燥剤を配置してもよい。また透光
性を有し、吸水性の高い樹脂を充填してもよい。
【０１７８】
このようにして図１０に示す発光モジュールが完成する。
【０１７９】
なお、発光モジュールにおいて、第１の電極及び第２の電極が透光性を有するように形成
すると、信号線から入力されるビデオ信号に応じた輝度で電界発光層から光が両矢印方向
６４５、６４６に出射する。また第１の電極が透光性を有し、第２の電極が非透光性を有
するように形成すると、矢印方向６４６のみに射出する。また第１の電極が非透光性を有
し、第２の電極が透光性を有するように形成すると、矢印方向６４５のみに射出する。こ
のとき、光の出射方向とならない側に設けられた非透光性の電極に、反射性の高い導電膜
を用いることにより光を有効利用することができる。
【０１８０】
次いで、異方性導電膜を用いてＦＰＣを接着して外部端子と、信号線駆動回路又は走査線
駆動回路とを接続すればよい。また信号線駆動回路又は走査線駆動回路を外部回路として
形成してもよい。
【０１８１】
ここまでの段階で、液滴吐出法で形成した配線を有する薄膜トランジスタを具備し、外部
端子が接続された発光装置を形成することができる。
【０１８２】
図９（Ａ）には、発光装置の画素部の等価回路図の一例を示す。一画素は、スイッチング
用のＴＦＴ（スイッチ用ＴＦＴ）８００、駆動用のＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）８０１、電流
制御用のＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴ）８０２を有し、これらＴＦＴはＮチャネル型を有す
る。スイッチング用ＴＦＴ８００の一方の電極及びゲート電極は、それぞれ信号線８０３
及び走査線８０５に接続されている。電流制御用ＴＦＴ８０２の一方の電極は第１の電源
線８０４に接続され、ゲート電極はスイッチング用ＴＦＴの他方の電極に接続されている
。
【０１８３】
容量素子８０８は、電流制御用ＴＦＴのゲートとソース間の電圧を保持するように設けれ
ばよい。本実施の形態において、例えば第１の電源線の電位を低電位とし、発光素子を高
電位とすると、電流制御用ＴＦＴはＮチャネル型を有するため、ソース電極と第１の電源
線とが接続する。そのため、容量素子は電流制御用ＴＦＴのゲート電極と、ソース電極、
つまり第１の電源線との間に設けることができる。なお、スイッチング用ＴＦＴ、駆動用
ＴＦＴ、又は電流制御用ＴＦＴのゲート容量が大きく、各ＴＦＴからのリーク電流が許容
範囲である場合、容量素子８０８は設ける必要はない。
【０１８４】
駆動用ＴＦＴ８０１の一方の電極は、電流制御用ＴＦＴの他方の電極に接続され、ゲート
電極は第２の電源線８０６に接続されている。第２の電源線８０６は、固定電位を有する
。そのため、駆動用ＴＦＴのゲート電位を固定電位とすることができ、寄生容量や配線容
量によるゲートとソース間の電圧Ｖｇｓが変化しないように動作させることができる。
【０１８５】
そして、駆動用ＴＦＴの他方の電極に発光素子８０７が接続されている。本実施の形態に
おいて、例えば第１の電源線の電位を低電位とし、発光素子を高電位とすると、駆動用Ｔ
ＦＴのドレイン電極に発光素子の陰極が接続される。そのため、陰極、電界発光層、陽極
の順に積層すると好ましい。このように、非晶質半導体膜を有するＴＦＴであって、Ｎチ
ャネル型を有する場合、ＴＦＴのドレイン電極と陰極とを接続し、ＥＩＬ、ＥＴＬ、ＥＭ
Ｌ、ＨＴＬ、ＨＩＬ、陽極の順に積層すると好適である。
【０１８６】
以下に、このような画素回路の動作について説明する。
【０１８７】
走査線８０５が選択されるとき、スイッチング用ＴＦＴがオンとなると、容量素子８０８
に電荷が蓄積されはじめる。容量素子８０８の電荷は、電流制御用ＴＦＴのゲートとソー
ス間電圧と等しくなるまで蓄積される。等しくなると、電流制御用ＴＦＴがオンとなり、
直列に接続された駆動用ＴＦＴがオンとなる。このとき、駆動用ＴＦＴのゲート電位が固
定電位となっているため、発光素子へ寄生容量や配線容量によらない一定のゲートとソー
ス間電圧Ｖｇｓを印加する、つまり一定のゲートとソース間電圧Ｖｇｓ分の電流を供給す
ることができる。
【０１８８】
このように、発光素子は電流駆動型の素子であるため、画素内のＴＦＴの特性バラツキ、
特にＶｔｈバラツキが少ない場合アナログ駆動を用いることが好適である。本実施の形態
のように、非晶質半導体膜を有するＴＦＴは、特性バラツキが低いため、アナログ駆動を
用いることができる。一方デジタル駆動でも、駆動用ＴＦＴを飽和領域（｜Ｖｇｓ−Ｖｔ
ｈ｜＜｜Ｖｄｓ｜を満たす領域）で動作させることで、一定の電流値を発光素子に供給す
ることができる。
【０１８９】
図９（Ｂ）には、上記等価回路を有する画素部の上面図の一例を示す。なお、図９（Ｂ）
のＣ−Ｃ’の断面図は、図１０に記載の断面図に相当する。
【０１９０】
インクジェット法又はスパッタリング法により、各ＴＦＴのゲート電極、走査線（ゲート
配線とも呼ぶ）、及び第２の電源線を形成している。これらの配線を図１または図２に示
す製造装置を用いて形成すると、生産性が向上するため好ましい。
【０１９１】
また、発光素子８０７の第１の電極８１０は、ゲート絶縁膜上に形成されている。また
、インクジェット法又はスパッタリング法により、ソース配線及びドレイン配線、信号線
並びに第１の電源線を形成する。これらの配線も図１または図２に示す製造装置を用いて
形成すると、生産性が向上するため好ましい。
【０１９２】
また、容量素子８０８は、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート配線、ソース配線、
及びドレイン配線により形成されている。なお、駆動用ＴＦＴは非晶質半導体膜を有する
ため、駆動用ＴＦＴのチャネル幅（Ｗ）が広くなるように設計するとよい。
【０１９３】
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、単位面積あたりの画素密度が増えた場
合、各画素にＴＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている
。
【０１９４】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、ま
たは実施の形態５と自由に組み合わせることができる。
【０１９５】
本実施の形態においては実施の形態５の図７（Ａ）に示す構造を用いて説明したが、実施
の形態５の図７（Ｃ）に示す構造とし、層間絶縁膜を形成して平坦性を高めてもよい。平
坦性を高めると、電界発光層へ均一に電圧を印加することができるため好ましい。
【０１９６】
（実施の形態８）
本実施の形態は、実施の形態６または実施の形態７で得られる表示パネルの構成を示す
。
【０１９７】
図１１（Ａ）は、表示パネルの構成の一例を示す上面図であり、絶縁表面を有する基板
１７００上に画素１７０２をマトリクス上に配列させた画素部１７０１、走査線側入力端
子１７０３、信号線側入力端子１７０４が形成されている。画素数は種々の規格に従って
設ければ良く、ＸＧＡであれば１０２４×７６８×３（ＲＧＢ）、ＵＸＧＡであれば１６
００×１２００×３（ＲＧＢ）、フルスペックハイビジョンに対応させるのであれば１９
２０×１０８０×３（ＲＧＢ）とすれば良い。
【０１９８】
画素１７０２は、走査線側入力端子１７０３から延在する走査線と、信号線側入力端子
１７０４から延在する信号線とが交差することで、マトリクス状に配設される。画素１７
０２のそれぞれには、スイッチング素子とそれに接続する画素電極が備えられている。ス
イッチング素子の代表的な一例はＴＦＴであり、ＴＦＴのゲート電極側が走査線と、ソー
ス若しくはドレイン側が信号線と接続されることにより、個々の画素を外部から入力する
信号によって独立して制御可能としている。
【０１９９】
ＴＦＴは、その主要な構成要素として、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極が挙げ
られ、半導体層に形成されるソース及びドレイン領域に接続する配線層がそれに付随する
。
【０２００】
本実施の形態では、液滴吐出法を用いた図１および図２に示す製造装置によって、溶媒
中に導電体が混入したドットを滴下して、ブロー手段によりガスを吹きつけてゲート電極
、または走査線の形成を行う。加えて、走査線側入力端子１７０３、信号線側入力端子１
７０４と接続する引き回し配線や端子電極も液滴吐出法を用いた図１および図２に示す製
造装置によって形成する。また、始めに導電性材料として銀を用いて、液滴吐出法で導電
層を形成した後、銅などでめっきを行ってもよい。めっきは電気めっきや化学（無電界）
めっき法で行えばよい。
【０２０１】
図１１（Ａ）は、走査線及び信号線へ入力する信号を、外付けの駆動回路により制御す
る表示パネルの構成を示しているが、ＣＯＧ方式によりドライバＩＣを基板上に実装して
も良い。また他の実装形態として、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ）方式を用いてもよい。ドライバＩＣは単結晶半導体基板に形成されたものでも良い
し、ガラス基板上にＴＦＴで回路を形成したものであっても良い。
【０２０２】
また、画素に設けるＴＦＴをＳＡＳで形成する場合には、図１１（Ｂ）に示すように走査
線側駆動回路３７０２を基板３７００上に形成し一体化することもできる。図１１（Ｂ）
において、画素部３７０１は、信号線側入力端子３７０４と接続した図１１（Ａ）と同様
に外付けの駆動回路により制御する。
【０２０３】
また、画素に設けるＴＦＴを移動度の高い、多結晶（微結晶）半導体、単結晶半導体な
どで形成する場合は、図１１（Ｃ）は、画素部４７０１、走査線駆動回路４７０２と、信
号線駆動回路４７０４を基板４７００上に一体形成することもできる。
【０２０４】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６または実施の形態７と自由に組み合わせることができる。
【０２０５】
（実施の形態９）
本発明の半導体装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル
型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオ
コンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体
的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し
、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それら電子機器
の具体例を図１２、図１３に示す。
【０２０６】
図１２（Ａ）は２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体２
００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカ部２００４、撮像部２００５、ビデ
オ入力端子２００６等を含む。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送
受信用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。表示装置は、上記実施の形態で示し
た液滴吐出法より形成された電極、または配線を有する。また、表示部２００３を多面取
りにより形成することにより、大型の表示装置の製造コストを低減することができる。
【０２０７】
図１２（Ｂ）はパーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６
等を含む。パーソナルコンピュータは、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成され
た電極、または配線を有する。また、表示部２２０３を多面取りにより形成することによ
り、パーソナルコンピュータの製造コストを低減することができる。
【０２０８】
図１２（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（
ＤＶＤ等）読込部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部
Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示す
る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。画像再
生装置は、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成された電極、または配線を有する
。また、表示部Ａ２４０３、または表示部Ｂ２４０４を多面取りにより形成することによ
り、画像再生装置の製造コストを低減することができる。
【０２０９】
また、図１２（Ｄ）は携帯情報端末の斜視図であり、図１２（Ｅ）は折りたたんで携帯電
話として使用する状態を示す斜視図である。図１２（Ｄ）において、使用者はキーボード
のように右手指で操作キー２７０６ａを操作し、左手指で操作キー２７０６ｂを操作する
。携帯情報端末は、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成された電極、または配線
を有する。また、表示部２７０３ａを多面取りにより形成することにより、携帯情報端末
の製造コストを低減することができる。
【０２１０】
図１２（Ｅ）に示すように、折りたたんだ場合には、片手で本体２７０１、および筐体２
７０２を持ち、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６ｃ、アンテ
ナ２７０８等を使用する。なお、図１２（Ｄ）および図１２（Ｅ）に示した携帯情報端末
は、主に画像および文字を横表示する表示部２７０３ａと、縦表示する表示部２７０３ｂ
とを備えている。
【０２１１】
また、図１３は、記録媒体を備えた携帯型の音楽再生装置であり、本体２９０１、表示
部２９０３、記録媒体（カード型メモリ等）読み込み部、操作キー２９０２、２９０６、
接続コード２９０４に接続されたヘッドフォンのスピーカー部２９０５等を含む。携帯型
の音楽再生装置は、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成された電極、または配線
を有する。また、表示部２９０３を多面取りにより形成することにより、携帯型の音楽再
生装置の製造コストを低減することができる。
【０２１２】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６、実施の形態７、または実施の形態８と自由に組み合わせるこ
とができる。
【産業上の利用可能性】
【０２１３】
本発明により、大量生産を行う上で大型の基板に適したパターン形成装置を実現すること
ができる。また、液滴吐出法を用いた本発明のパターン形成装置によって、半導体装置の
製造におけるタクトタイムを短縮することができる。
【符号の説明】
【０２１４】
１００：搬送路
１０３：パターン形成処理室
２０１：液滴吐出手段
２１０：ブロー手段
２１４：気流の方向
【技術分野】
【０００１】
本発明は、形成対象の材料が混入された組成物を滴下することによるパターン形成方法
（代表的には配線の形成方法）、及び薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴともいう）で構成
された回路を有する半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
具体的には、液滴吐出（インクジェット）法による配線のパターン形成方法及びＴＦＴを
有する半導体装置の製造装置に関する。
【０００３】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
【背景技術】
【０００４】
現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。
【０００５】
また、ピエゾ方式やサーマルジェット方式に代表される液滴吐出技術、あるいは連続式
の液滴吐出技術が注目を集めている。この液滴吐出技術は活字、画像の描画に使われてき
たが、近年、微細パターン形成などの半導体分野へ応用する試みが始まっている。
【０００６】
また、本出願人は、特許文献１にＥＬ素子を作製するため、マルチチャンバーの処理室
の一つにインクジェット法を用いることを記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３４５１７４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体回路を有する電子機器の製造においては、大量生産を効率良く行うため、ウェハ
ー基板ではなくマザーガラス基板を用い、一枚のマザーガラス基板から複数のデバイスを
切り出す多面取りがよく行われている。マザーガラス基板のサイズは、１９９０年初頭に
おける第１世代の３００×４００ｍｍから、２０００年には第４世代となり６８０×８８
０ｍｍ、若しくは７３０×９２０ｍｍへと大型化して、一枚の基板から多数のデバイス、
代表的には表示パネルが取れるように生産技術が進歩してきた。
【０００９】
今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を
回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産上、不
利と考えられる。また、矩形の基板をスピンコートさせると回転軸を中心とする円形のム
ラが塗布膜に生じやすい。
【００１０】
本発明は、大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を
備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞれ複数設置し
、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と焼成とを効率
よく行って生産性を向上させる。大量生産を行う上で、インライン方式とした場合、一つ
の処理室として液滴吐出法を用いたパターン形成装置を用いると、液滴吐出法で材料液を
選択的に吐出した後にベークを行う処理を複数回行うことが必要とされるため、マルチチ
ャンバー方式に比べて生産性が低下してしまう恐れがある。
【００１２】
また、Ｘ方向およびＹ方向に移動するステージ、或いはＸ方向およびＹ方向に移動する
液滴吐出ヘッドとすると、一方向のみに移動するステージや液滴吐出ヘッドに比べて、正
確なアライメント調整が困難になりやすく、装置自体が高価なものになる。そこで、本発
明においては、大型の基板の一方向（Ｘ方向、或いはＹ方向）のみ走査させる液滴吐出法
を用いたパターン形成装置とすることで装置構成の簡略化を図る。例えば、枝分かれした
配線パターンや折れ曲がった配線パターンは、Ｘ方向の走査を行う第１のパターン形成装
置と、Ｙ方向の走査を行う第２のパターン形成装置とを用いて形成する。こうすることに
よって量産性を向上させることができる。
【００１３】
加えて、大型の基板の向きを固定させたまま処理が行えるように第１のパターン形成装
置と第２のパターン形成装置の配置を行えば、搬送手段の単純化、および搬送時間の短縮
を図ることもできる。また、搬送経路においても大型の基板の回転を行わずにパターン形
成を行うことが好ましい。
【００１４】
また、液滴吐出法を用いたパターン形成装置では、基板のサイズが大きくなればなるほ
ど、最初に吐出してパターン形成した箇所と、最後に吐出してパターン形成した箇所とで
大気に曝される時間差が大きくなる問題がある。時間差が大きくなりすぎると、焼成の具
合が異なってしまう恐れがあり、均一なパターン形成が困難になる。
【００１５】
また、液滴吐出法を用いたパターン形成装置は、処理室内のステージの移動による気流
やヘッドの移動による気流が生じて、吐出位置制御が不安定になる恐れがある。
【００１６】
そこで、本発明では、ブロー手段を設け、着弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向
（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局
所的に焼成を行う。
【００１７】
本明細書で開示する発明の構成の一つは、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴（ド
ットとも呼ぶ）を吐出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴
の飛翔軌道を制御するブロー手段と、該ブロー手段のガス流出口から吹き出されて生じた
ガス気流の流路中に設けられた加熱手段と、
前記液滴吐出手段、前記ブロー手段、および前記加熱手段を制御する制御手段と、を有す
る処理室を有することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１８】
上記構成において、前記加熱手段は、糸状、ワイヤ状、コイル状、棒状、または面状の
抵抗発熱体からなるヒータであることを特徴としている。
【００１９】
上記構成とすることによって着弾後に一定の時間を保って仮焼成を行い、最初に吐出し
てパターン形成した箇所と、最後に吐出してパターン形成した箇所とで大気に曝される時
間差が大きくなっても均一なパターン形成を得ることができる。例えば、基板サイズが、
６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１
００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板に対して、効
率よくパターン形成できる。また、ガス流路中に加熱ヒータが設けられているため、着弾
された材料パターンに対して急激な加熱や急激な冷却を防ぐことができる。なお、吹きつ
けるガスが吐出ヘッドに当たらないように、斜めから基板の走査方向と同じ方向に吹きつ
けることが好ましい。また、吐出後に処理室内で加熱することによって、トータルの焼成
時間を短縮することもできる。
【００２０】
また、トータルの焼成時間を短縮するため、ステージにヒータを設け、被処理基板を加
熱してもよい。
【００２１】
液滴吐出法を用いたパターン形成装置においては、吐出ヘッド近傍の雰囲気の温度や湿度
にも敏感であるため、加熱ヒータと吐出ヘッドは一定の間隔を保つことが好ましい。高温
のガスをノズルから吹きつける場合には、ノズルも加熱されてしまい、吐出ヘッド近傍の
雰囲気の温度上昇を招き、目詰まりが生じる恐れがある。また、吐出ヘッドとノズルを一
体化させる場合、吐出ヘッドにノズルの熱が伝導したり、吐出ヘッドの熱がノズルに伝導
したりすることを防ぐため、吐出ヘッドとノズルの間に断熱材を設けることが好ましい。
ノズルのガス流出口は線状とすることが好ましい。
【００２２】
また、複雑な気流（処理室内のステージの移動による気流やヘッドの移動による気流）を
制御するため、ブロー手段によって処理室内全体に一定の気流を発生させ、走査方向と同
じ方向に気流を制御することが好ましい。ステージの移動による気流やヘッドの移動によ
る気流を打ち消す一定の気流を処理室内に発生させることによってパターン形成をより安
定にすることができる。
【００２３】
また、上記構成において、前記ブロー手段のガス流出口から吹き出されて生じたガス気
流の下流に排気手段が設けられていることを特徴としている。排気手段を設けることで処
理室内の圧力を制御するとともに、処理室内全体に一定の気流を発生させる。
【００２４】
また、処理室内全体に一定の気流を発生させるために複数のブロー手段を設けてもよい
し、気流をコントロールするガイドを処理室内に設けてもよい。
【００２５】
本明細書で開示する発明の一つの構成は、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐
出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を制御す
るブロー手段と、前記液滴吐出手段および前記ブロー手段を制御する制御手段と、を有す
る第１の処理室と、加熱手段を有する第２の処理室と、前記第１の処理室および前記第２
の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴とする半導体装置の製造装置である
。
【００２６】
上記構成において、前記搬送室には複数の第１の処理室と、複数の第２の処理室とが連
結されているマルチチャンバー方式とすることを特徴としている。
【００２７】
また、ブロー手段によって処理室内全体に一定の気流を発生させる上でも大型の基板の
一方向（Ｘ方向、或いはＹ方向）のみ走査させる液滴吐出法を用いたパターン形成装置を
複数設けることが好ましく、他の発明の一つの構成は、
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して被処理基板のＸ方向にパターンを形
成する第１の液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を被処理基板のＸ方向に制御す
る第１のブロー手段と、前記第１の液滴吐出手段および前記第１のブロー手段を制御する
第１の制御手段と、を有する第１の処理室と、
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して被処理基板のＹ方向にパターンを形
成する第２の液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を被処理基板のＹ方向に制御す
る第２のブロー手段と、前記第２の液滴吐出手段および前記第２のブロー手段を制御する
第２の制御手段と、を有する第２の処理室と、
前記第１の処理室および前記第２の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴と
する半導体装置の製造装置である。
【００２８】
上記構成において、前記第１の処理室内、前記第１の処理室から前記第２の処理室への
搬送経路、および前記第２の処理室内において、被処理基板の向きは固定することを特徴
としている。液滴吐出法によるパターンが十分乾燥していない状態で大型の基板を回転さ
せてしまうと、基板周縁部においては遠心力がかかり、パターン形状の変形を招く恐れが
あるため、処理および搬送の全てを通じて基板の向きは固定することが好ましい。
【００２９】
また、上記構成において、前記液滴吐出手段から吐出された液滴量を測定する測定手段
が設けられていることを特徴としている。液滴量を測定し、吐出条件を制御することによ
って、より精密なパターン形成を行うことができる。
【００３０】
また、パターン形成方法も本発明の一つであり、その構成は、
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパタ
ーンを形成する際、
ブロー手段により、液滴吐出手段から吐出された液滴の飛翔軌道を変化させ、
前記ブロー手段により、液滴吐出した直後にガスを吹きつけて乾燥を行い、
吹き出されたガス流路の一部に設けられた加熱手段により、ガスを加熱し、
加熱されたガス流路の下方領域の加熱焼成を行うことを特徴とするパターン形成方法であ
る。
【００３１】
また、ガスによる気流を調節して、吐出ヘッドからの液滴をブロー手段側に引き込んで液
滴の飛翔軌道を変え、パターン形状を制御することができる。本発明のパターン形成方法
の他の構成は、
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパタ
ーンを形成する際、
液滴を吐出すると同時にブロー手段の流量を増減させて、液滴吐出手段から吐出された液
滴の飛翔軌道を変化させてパターン形状を制御することを特徴とするパターン形成方法で
ある。
【００３２】
例えば、線状のパターン描画始点において液だまりが生じるのを防ぐため、ガス流量をゼ
ロから増加させて走査を行えば、余分な液滴は、走査方向に延ばされる。また、走査を行
い、線状のパターン描画終点に向かうにつれてガス流量を減少させてゼロにすると均一の
幅の線状パターンが得られる。即ち、本発明は、吐出ヘッドやステージを移動させるので
はなく、ブロー手段のガス流量増減調節によって液滴の飛翔軌道を変えてパターンの一部
形成を行うものである。
【００３３】
また、気流により液滴の飛翔軌道を変えることによって、液滴の飛翔像を撮影することが
可能となり、吐出液滴量を測定しながら吐出を行うことができる。本発明のパターン形成
方法の他の構成は、液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐
出して選択的にパターンを形成する際、ブロー手段により液滴吐出手段から吐出された液
滴の飛翔軌道を変化させ、飛翔している（落下している）液滴を撮像して液滴量を測定し
ながら、液滴吐出手段及びブロー手段を調整することを特徴とするパターン形成方法であ
る。
【００３４】
なお、液滴量を測定する撮像手段とは、別途にアライメント用の撮像手段を設けておく
。
【００３５】
ヘッド近傍に設けた撮像手段を設ければ、ヘッド側（基板上方）からの液滴の飛翔像を
撮影でき、撮影画像を画像処理し、その画像の大きさから液滴体積を算出することができ
る。従来では、液滴は吐出ヘッドの吐出口から基板に向かって真下に吐出されていたため
、吐出ヘッドに隣接して撮像手段を設けたとしても撮像が困難であった。本発明では、液
滴は吐出ヘッドの吐出口から基板に向かって斜め下に吐出されるため、吐出ヘッドに隣接
して撮像手段を設ければ、飛翔中（落下中）の液滴を上から撮像することが可能である。
【００３６】
なお、ブロー手段から放出されるガスとしては、窒素で代表される不活性ガスや、空気
、またはそれらの乾燥ガスを用いる。ブロー手段から放出されるガスの温度は、吐出口で
の温度と比べて加熱ヒータ付近での温度が高くなるようにする。例えば、吐出口でのガス
の温度を室温もしくは１００℃未満の一定温度に保ち、ガス流路中に配置された加熱ヒー
タでガスの温度を焼成温度（１００℃〜３００℃）とすることが好ましい。また、処理室
内には、湿度または温度を制御する制御手段を設けてもよい。
【００３７】
また、乾燥しやすいパターン材料液を用いてパターンを形成する場合、急激な乾燥を抑
えるためにブロー手段で低温ガス（０℃〜−５０℃）や湿気や溶媒揮発成分を多く含んだ
ガスを吹きつけてもよいし、ガス流路中に冷却素子（ペルチェ素子など）を配置して低温
ガス（０℃〜−５０℃）を吹きつけてもよい。圧縮ボンベに収納された不活性ガスは、冷
却しなくとも常温よりも低い温度であるため、そのまま導入することもできる。
【００３８】
また、ブロー手段に加えて、基板表面の洗浄および表面改質のための大気圧プラズマ手
段や、ＵＶランプやハロゲンランプ、フラッシュランプなどの光照射手段を処理室内に設
けてもよい。また、吐出前に基板上の微少なゴミを除去するブロー手段や排気手段を処理
室内に設けてもよい。
【００３９】
また、パターン形成材料は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマ
ス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔ
ｉ）、若しくはアルミニウム（Ａｌ）、これらからなる合金、これらの分散性ナノ粒子、
又はハロゲン化銀の微粒子を用いることができる。特に低抵抗な銀、銅を用いるとよい。
また、他のパターン形成材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに
２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化
珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＳＯ、有機インジウム、有機スズ、窒化チタン（ＴｉＮ
）等を用いることもできる。本発明は、枝分かれした形状、Ｔ字形、Ｌ字形などの配線パ
ターン形成に適している。
【００４０】
例えば、有機インジウムと有機スズとがキシロール中に、９９：１の比率から９０：１
０の比率の範囲内で配合された液状材料を液滴吐出法で基板上に吐出し、加熱することで
ＩＴＯからなるパターンが形成できる。
【００４１】
本発明では、半導体装置を構成する導電層を液滴吐出法によって形成することができる。
本発明は、インクジェット法を代表とする滴下法により配線パターンを形成することを特
徴としており、代表的には、薄膜トランジスタが有する、ゲート電極、ソース電極、ドレ
イン電極、及びそれら電極に接続される配線のいずれにおいても、インクジェット法を代
表とする滴下法により形成する。
【００４２】
なお、滴下法により配線を形成した薄膜トランジスタの構造等は限定されない。すなわ
ち、結晶性半導体膜及び非結晶性半導体膜のいずれを有する薄膜トランジスタであっても
よく、半導体膜より下方にゲート電極が設けられる所謂ボトムゲート型（チャネルエッチ
型やチャネル保護型）、及び半導体膜より上方にゲート電極が設けられる所謂トップゲー
ト型のいずれの構造を有する薄膜トランジスタであってもよい。
【００４３】
また、本発明はインクジェット法により、溶媒に導電体（配線を構成する材料）が混入さ
れた組成物（溶媒に導電体が溶解又は分散させた組成物を含む）を吐出して配線を形成し
ている。特に、インクジェット法により配線を形成する場合、該配線をパターニングする
ためのマスクの露光、現像といったフォトリソグラフィー工程、配線パターニングするエ
ッチング工程を省略することができる。
【００４４】
また、本発明は、導電材料に特に限定されず、パターン形成材料として、絶縁材料を用
いることもでき、絶縁体パターン形成を行うこともできる。
【００４５】
また、パターン形成材料はドット（液滴）状に吐出されたり、ドットが連なった柱状に吐
出されたりする。また組成物がドット状又は柱状に吐出されることを単にドット（液滴）
を滴下するとも表記する。すなわち、複数のドットが連続して吐出されるため、ドットと
して認識されず線状に吐出されることもあるが、合わせて滴下と表記する。
【発明の効果】
【００４６】
本発明により、大型の基板に対しても液滴吐出法を用いたパターン形成装置で均一なパ
ターン形成を行うことができるとともに半導体装置の製造におけるタクトタイムを短縮す
ることができる。
【００４７】
また、１０００ｍｍ×１３００ｍｍ、１０００ｍｍ×１５００ｍｍ、１８００ｍｍ×２
２００ｍｍ以上とメータを超える第５世代以降のガラス基板から多数のデバイスを作製す
ることができ、デバイスの価格が下がることが期待できる。この場合でも、インクジェッ
ト法を代表とする滴下法を用いることにより、採算を維持できる製造ラインを構築するこ
とができる。それは、インクジェット法を代表とする滴下法により配線等を形成すると、
フォトプロセスの簡略化を行うことができるからである。その結果、フォトマスクが不要
となり、設備投資コストの削減、コストの削減を達成することができる。
【００４８】
さらにフォトリソグラフィー工程が不要となるため、製造時間を短縮することができる
。またインクジェット法を代表とする滴下法により形成すると、材料の利用効率が向上し
、コストの削減、廃液処理量の削減が可能となる。このようにインクジェット法を代表と
する滴下法を大面積基板への適用することは非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の製造装置の一例を示す上面図である。（実施の形態１）
【図２】パターン形成処理室の断面図である。（実施の形態１）
【図３】本発明のパターン形成方法を示す図である。（実施の形態２）
【図４】パターン形成処理室の断面図である。（実施の形態３）
【図５】パターン形成処理システムの斜視図である。（実施の形態３）
【図６】薄膜トランジスタの工程断面を示す図である。（実施の形態４）
【図７】薄膜トランジスタおよび画素電極の断面図である。（実施の形態５）
【図８】液晶モジュールの断面図である。（実施の形態６）
【図９】発光装置の等価回路図および上面図である。（実施の形態７）
【図１０】発光装置の画素断面図である。（実施の形態７）
【図１１】表示パネルの構成の一例を示す上面図を示す図。（実施の形態８）
【図１２】電子機器の一例を示す図。（実施の形態９）
【図１３】電子機器の一例を示す図。（実施の形態９）
【発明を実施するための形態】
【００５０】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００５１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、ブロー手段を有するインクジェット装置（液滴吐出装置）をマルチチ
ャンバー式の一室とした製造装置について図１を用いて説明する。
【００５２】
図１に示す製造装置は、搬送路１００に連結される基板ロード室１０１と、基板ロード
室１０１に連結される搬送室１０２と、搬送室１０２に連結されるパターン形成処理室１
０３、１０４、１０６と、搬送室１０２に連結される多段加熱室１０７、１０８と、搬送
室１０２に連結される基板アンロード室１０９が設けられている。
【００５３】
以下に基板処理および基板搬送の流れを示す。なお、ここでは、ゲート配線と、ゲート
配線から枝分かれしているゲート電極のパターンを形成する例を示す。
【００５４】
搬送路１００から搬送されてきた大型基板は、まず、基板ロード室１０１に複数枚の基
板が収納可能なカセットごと一緒にセットされる。セットされた大型基板は全て同一方向
に収納されている。
【００５５】
そして、搬送室１０２に設けられた搬送ロボット１０５により、基板２０２を基板ロー
ド室１０１から搬送室１０２を経由してパターン形成処理室１０３に導入する。なお、搬
送ロボット１０５は搬送室１０２内を自由自在に移動できる。パターン形成処理室１０３
には液滴吐出手段２０１とブロー手段２１０とを示している。
【００５６】
また、パターン形成処理室１０３に導入された基板は、一方向に移動可能なステージに
保持して液滴吐出手段の下方を通過させる。液滴吐出手段の下方を通過させながら、基板
２０２のＸ方向に導電材料を含む液滴吐出およびブローを行う。この段階で基板上にＸ方
向に延びるゲート配線を形成する。ステージは、ブロー手段により形成される気流の方向
２１４と同じ方向に移動させてパターン形成を行う。ここではステージを移動させる例を
示したが、ステージを固定して、吐出ヘッド及びブロー手段を移動させる装置としてもよ
い。
【００５７】
また、ステージに加熱ヒータを内蔵させて、液滴吐出中に基板を加熱し、焼成にかかる
時間短縮を図ってもよい。
【００５８】
ここでは一つの処理室１０３に３つの液滴吐出手段及び３つのブロー手段を設け、複数
の液滴吐出手段の合計幅が基板の幅と同一、もしくは基板の幅よりも広くなるようにして
いるが、特に限定されず、基板の幅もしくは基板の幅よりも広い一つの液滴吐出手段を用
いてもよい。大型の基板になれば、３つ以上の液滴吐出手段を設置することが好ましい。
【００５９】
そして、Ｘ方向のパターン形成が終了したら、基板の向きを変えずにパターン形成処理
室１０３から基板搬出、およびパターン形成処理室１０６への基板導入を行う。パターン
形成処理室１０６ではＹ方向のパターンを行う。パターン形成処理室１０６に導入された
基板は、Ｙ方向に移動可能なステージに保持して液滴吐出手段の下方を通過させる。液滴
吐出手段の下方を通過させながら、基板のＹ方向に導電材料を含む液滴吐出およびブロー
を行う。この段階で基板上にＹ方向にゲート電極を形成し、ゲート電極が一体化されたゲ
ート配線が形成される。
【００６０】
また、パターン形成処理室１０３のブロー手段により配線パターンを冷却して乾燥を抑
え、基板の向きを変えずにパターン形成処理室１０６への基板導入を行い、液滴吐出後、
パターン形成処理室１０６のブロー手段により一体化された配線パターンを加熱して乾燥
させてもよい。この方法は、乾燥すると重なりにくくなる同一材料を用い、液滴吐出を複
数の処理室で行って、枝分かれ、或いは交差させた配線を形成する場合に有効である。
【００６１】
ゲート配線は、ゲート電極よりも幅が広く設計されることが多く、幅が異なれば液滴吐
出手段の条件（吐出量やノズル径など）も異なるため、複数のパターン形成処理室を用い
てゲート電極およびゲート配線を形成することは有用である。また、一方向のみのパター
ン形成処理室とすることで装置構成を単純化することができる。
【００６２】
そして、基板の向きを変えずに多段加熱室１０７に搬入して焼成を行う。多段加熱室１
０７では平板ヒータ（代表的にはシースヒータ）を用いて、複数の基板を均一に加熱する
。この平板ヒータは複数設置され、平板ヒータで基板を挟むように両面から加熱すること
もでき、勿論、片面から加熱することもできる。
【００６３】
焼成が終了したら、搬送室１０２を経由して基板アンロード室１０９に導入する。この
段階で搬送路１００を経由して次に行う処理室に搬送可能となる。
【００６４】
また、搬送室１０２には多段加熱室１０８と、パターン形成処理室１０４とが連結され
ている。複数のパターン形成処理室を用い、且つ、複数の多段加熱室を用いることでタク
トタイムを短縮することができる。多段加熱室１０８は多段加熱室１０７と加熱温度を異
ならせてもよい。また、パターン形成処理室１０４は基板のＸ方向に導電材料を含む液滴
吐出およびブローを行うものである。なお、搬送室１０２に連結する多段加熱室の数とパ
ターン形成処理室の数は、図１に示す構成に特に限定されない。
【００６５】
また、図１では、搬送路１００に連結されたもう一つのマルチチャンバー式の製造装置
を示している。もう一つのマルチチャンバー式の製造装置も同様の処理を行うことが可能
である。搬送路１００に連結される基板ロード室１１１と、基板ロード室１１１に連結さ
れる搬送室１１２と、搬送室１１２に連結されるパターン形成処理室１１３、１１４、１
１６と、搬送室１１２に連結される多段加熱室１１７、１１８と、搬送室１１２に連結さ
れる基板アンロード室１１９が設けられている。また、搬送室１１２には搬送ロボット１
１５が設けられている。
【００６６】
図１に示すように、気流を制御するため、多段加熱室が隣合うようにマルチチャンバー
式の製造装置が並べられており、装置全体の気流が外側に向かうように配置している。パ
ターン形成処理室の気流の下流側に加熱室があると、加熱室による温度上昇の影響を受け
てパターン形成処理室内の気流が変化する恐れがある。
【００６７】
なお、図１では基板の向きが分かりやすいように、基板の角を一部切り取った形として
図示している。
【００６８】
また、図２にパターン形成処理室１０３の断面図の一例を示す。なお、図２において図
１と対応する箇所には同じ符号を用いて説明する。
【００６９】
図２に示すパターン形成処理室１０３内には、液滴吐出手段２０１、ブロー手段２１０
、基板２０２を配置するステージ（搬送台）２０８、ＣＣＤカメラ２１２、２２１、排気
ダクト２０５、基板搬入扉２０３が設けられている。ブロー手段２１０として、ガス導入
ユニット２０９およびガスラインおよびブローノズルが設けられ、ブローノズル先端のガ
ス流出口からガスが吹き出される。
【００７０】
ここでは、ステージを移動させることによってパターン形成を行う例を示しているので、
液滴吐出手段２０１、ブロー手段２１０、ＣＣＤカメラ２１２、２２１、をＸ―Ｙ平面内
においては固定させた例を示しているが、特に限定されず、ステージを固定して、液滴吐
出手段２０１、ブロー手段２１０、ＣＣＤカメラ２１２、２２１をＸ―Ｙ平面内において
移動可能としてもよい。ガスラインおよびブローノズルは可撓性を有する有機樹脂材料を
用いると、移動させることができる。
【００７１】
また、ＣＣＤカメラ２２１とブロー手段２１０とを一体化させ、ブロー手段２１０と液
滴吐出手段２０１とを離間させているが、特に限定されず、全て離間させても、全て一体
化させてもよく、共に移動可能としてもよい。
【００７２】
そして、ガス導入ユニット２０９、ＣＣＤカメラ２１２、２２１、液滴吐出手段２０１
、ステージ２０８、排気ユニット２１１を制御するための中央処理装置２１５が設けられ
ている。更に中央処理装置をＬＡＮケーブル、無線ＬＡＮ、光ファイバ等で生産管理シス
テム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能となり、生産性を向上させ
ることにつながる。
【００７３】
パターン形成処理室１０３の内壁に用いる材料としては、その表面積を小さくすることで
酸素や水等の不純物の吸着性を小さくすることができるので、電解研磨を施して鏡面化さ
せたアルミニウムやステンレス（ＳＵＳ）等を内部壁面に用いることが好ましい。また、
気孔がきわめて少なくなるように処理されたセラミックス等の材料を内部部材に用いても
よい。なお、これらは、中心線平均粗さが３ｎｍ以下となる表面平滑性を有するものが好
ましい。また、気流を制御するため、パターン形成処理室１０３は外部からの温度影響が
極力抑える構造とすることが好ましい。
【００７４】
また、液滴吐出手段２０１とは、組成物の吐出口を有するノズルや、１つ又は複数のノ
ズルを具備したヘッド２２０等の液滴を吐出する手段を有するものの総称とする。液滴吐
出手段が具備するノズルの径は、０．０２〜１００μｍ（好適には３０μｍ以下）に設定
し、該ノズルから吐出される組成物の吐出量は０．００１ｐｌ〜１００ｐｌ（好適には０
．１ｐｌ以上４０ｐｌ以下、より好ましくは１０ｐｌ以下）に設定する。吐出量は、ノズ
ルの径の大きさに比例して増加する。また、被処理物（例えば基板）とノズルの吐出口と
の距離は、所望の箇所に滴下するために、出来る限り近づけておくことが好ましく、好適
には０．１〜３ｍｍ（好適には１ｍｍ以下）程度に設定する。
【００７５】
本実施の形態では液滴吐出を、圧電素子を用いたいわゆるピエゾ方式で行うが、溶液の材
料によっては、発熱体を発熱させ気泡を生じさせ溶液を押し出す、いわゆるサーマルイン
クジェット方式を用いてもよい。この場合、圧電素子を発熱体に置き換える構造となる。
また液滴吐出のためには、溶液と、液室流路、予備液室、流体抵抗部、加圧室、溶液吐出
口（ノズル、ヘッド）との濡れ性が重要となる。そのため材質との濡れ性を調整するため
の炭素膜、樹脂膜等をそれぞれの流路に形成する。
【００７６】
また、図示していないが、液滴吐出手段２０１には液滴吐出を行う為のノズル駆動電源
とノズルヒータが内蔵され、また液滴吐出手段の位置を調節する為の移動手段を備えてい
る。また図示していないが、温度、湿度、流量、圧力等、種々の物性値を測定する手段を
、必要に応じて設置してもよい。
【００７７】
このようなパターン形成処理室１０３において、基板２０２を一方向への移動手段を備
えたステージ２０８に設置する。ステージ２０８に加熱ヒータを備えてもよい。本実施の
形態では、ステージにより基板をＸ―Ｙ平面内の任意の箇所に移動させる際、ＣＣＤカメ
ラ２１２により位置制御を行う。
【００７８】
また、パターン形成処理室１０３内は、ガス導入ユニット２０９および排気ユニット２
１１を中央処理装置２１５で制御して気流の向き２１４を一定に保つ。パターン形成処理
室内のスペース２０６における気流の向き２１４はステージの移動方向と同じ向きとする
。
【００７９】
そして、本実施の形態では、気流の向き２１４を一定に保ちながら、液滴吐出手段２０
１から液滴を滴下する。気流の向き２１４の影響を受け、液滴の飛翔軌道は、弧を描く。
弧を描いてＣＣＤカメラ２２１の真下を通過した液滴はＣＣＤカメラ２２１で撮像され、
中央処理装置２１５で液滴像から液滴量を算出し、液滴吐出手段２０１を制御して均一な
液滴量としてパターン形成を行う。また、ブロー手段によって配線パターン２１３の乾燥
または焼成が行われる。
【００８０】
上記の装置構成によって、液滴吐出を行いながら液滴量を均一に保ち、処理室内のスペー
ス２０６にて液滴の着弾後にパターンの乾燥または焼成を行うことができ、基板上に効率
よく 且つ精度よく微細なパターン形成を行うことができる。
【００８１】
また、液滴吐出方式には、溶液を連続して吐出させ連続した線状のパターンを形成するい
わゆるシーケンシャル方式と、溶液をドット状に吐出するいわゆるオンデマンド方式があ
るが、どちらを用いても構わない。
【００８２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する場合、配線の始点と終点
にドットの固まりが形成されることを防止する方法を図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ
）を用いて示す。
【００８３】
本実施の形態では、ブロー手段のガス流量を調節することによって配線の終点にドット
の固まりを防止する例を以下に示す。
【００８４】
まず、基板３００上には、下地層３０１を形成（または下地前処理）を全面または選択
的に行うことが好ましい。下地層の形成としては、スプレー法またはスパッタ法によって
光触媒物質（酸化チタン（ＴｉＯX）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、セレン
化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ3）、硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、
酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化タングステン（ＷＯ3））を全面に滴下する処理、またはイン
クジェット法やゾルゲル法を用いて有機材料（ポリイミド、アクリル、或いは、シリコン
（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に水素を含む有機基（例え
ばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。また、置換基としてフルオロ基を用いて
もよい。また、置換基として少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよ
い。
【００８５】
また、被形成面に対してぬれ性を低める処理を行い、ぬれ性を低める処理を行った面に
対して、選択的にぬれ性を高める処理を行った後に、ぬれ性を高める処理処理を行った面
に滴下法により配線等を形成してもよい。ぬれ性を高める処理処理としては、選択的にフ
ッ素樹脂又はシランカップリング剤を有する膜を形成すればよい。パターン形成材料を含
む組成物の接触角が大きい領域はよりぬれ性が低い領域（以下、低ぬれ性領域ともいう）
となり、接触角が小さい領域はぬれ性の高い領域（以下、高ぬれ性領域ともいう）となる
。接触角が大きいと、流動性を有する液状の組成物は、領域表面上で広がらず、組成物を
はじくので、表面をぬらさないが、接触角が小さいと、表面上で流動性を有する組成物は
広がり、よく表面をぬらすからである。よって、ぬれ性が異なる領域は、表面エネルギー
も異なる。ぬれ性が低い領域における表面の、表面エネルギーは小さく、ぬれ性の高い領
域表面における表面エネルギーは大きい。
【００８６】
光触媒物質は、光触媒機能を有する物質を指し、紫外光領域の光（波長４００ｎｍ以下
、好ましくは３８０ｎｍ以下）を照射し、光触媒活性を生じさせるものである。光触媒物
質上に、インクジェット法で代表される液滴吐出法により、溶媒に混入された導電体を吐
出すると、微細な描画を行うことができる。
【００８７】
例えば、ＴｉＯXに光照射する前、親油性はあるが、親水性はない、つまり撥水性の状
態にある。光照射を行うことにより、光触媒活性が起こり、親水性にかわり、逆に親油性
がない状態となる。なお光照射時間により、親水性と親油性を共に有する状態にもなりう
る。
【００８８】
更に光触媒物質へ遷移金属（Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｍｏ、
Ｗ等）をドーピングすることにより、光触媒活性を向上させたり、可視光領域（波長４０
０ｎｍ〜８００ｎｍ）の光により光触媒活性を起こすことができる。このように光の波長
は光触媒物質によって決定することができるため、光照射とは光触媒物質の光触媒活性化
させる波長の光を照射することを指す。
【００８９】
図３（Ａ）では、基板３００が設置されたステージまたは液滴吐出手段３０３を相対的
に移動させながらパターン３０４の形成を行っている途中を示しており、ブロー手段３０
２によって液滴の飛翔軌道は、着弾する手前で弧を描いている様子が示されている。
【００９０】
図３（Ｂ）は、基板３００が設置されたステージおよび液滴吐出手段を固定し、図３（
Ａ）よりもブロー手段からのガス流量を減少させており、液滴の飛翔軌道が変化している
様子が示されている。
【００９１】
図３（Ｃ）は、基板３００が設置されたステージおよび液滴吐出手段を固定し、且つ、
ブロー手段からのガス流量をゼロとしており、液滴が自由落下により真下に滴下されてい
る様子が示されている。
【００９２】
このように、配線の終点付近において、ブロー手段からのガス流量を徐々に減少させる
ことによって、ステージおよび液滴吐出手段を固定したままパターン形成を行うことがで
きる。また、ブロー手段からのガス流量をゼロにした時に液滴吐出も停止すれば、配線の
終点にドットの固まり、即ち、多数の液滴が終点の一箇所に滴下され比較的大きなサイズ
のパターンが形成されることを防止することもできる。
【００９３】
また、配線の始点においては、ブロー手段からのガス流量を徐々に増加させることによ
って、ステージおよび液滴吐出手段を固定したままパターン形成を行うことができる。ガ
ス流量を徐々に増加させることによって、また、配線の始点にドットの固まりが形成され
ることを防止することもできる。
【００９４】
また、配線の始点において、液滴吐出を行ないながらガス流量を減少させてブロー手段
からのガス流量をゼロになった時に、ステージまたは液滴吐出手段を移動させて液滴吐出
を行ってパターン形成を行ってもよい。この場合、配線の始点または終点付近以外は、ブ
ロー手段からのガス流量をゼロのまま、パターン形成を行うこととなる。
【００９５】
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００９６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に示した図２の構成に加え、パターン形成処理室１０
３内に加熱手段を設けた例を図４に示す。なお、図４において図２と対応する箇所には同
じ符号を用いて説明する。また、図２と同一の部分は簡略化のため、ここでは詳細な説明
を省略することとする。
【００９７】
ブロー手段により高温に加熱したガスを吹きつけようとすると、液滴吐出手段２０１に
影響を与え、吐出が不安定になる恐れがある。また、ガスラインおよびブローノズルとし
て、可撓性を有する有機樹脂材料を用いると、高温に加熱したガスを吹きつけることは困
難となる。そこで、ブロー手段により形成される気流の下流位置に液滴吐出手段から間隔
を離して加熱手段を配置する。
【００９８】
加熱手段として、発熱電源ユニット４００およびリード線およびニクロム線などの抵抗発
熱体４０１を用いている。また、発熱電源ユニット４００も中央処理装置２１５で制御を
行うことが好ましい。なお、抵抗発熱体４０１は、糸状、ワイヤ状、コイル状、棒状、ま
たは面状であってもよい。また、抵抗発熱体４０１は、セラミック材質、例えばシリコン
カーバイド（ＳｉＣ）、クロム酸ランタン（ＬａＣｒＯ3）、二酸化ジルコン（ＺｒＯ2）
、またはこれらのセラミック材質に金属粉末を混合した材料を用いてもよい。
【００９９】
また、加熱手段は、抵抗発熱体に限定されず、ゼーベック効果やトムソン効果を用いた
熱電変換素子を用いてもよい。
【０１００】
加熱手段により、ブロー手段から吹き出された気体を加熱することによって配線パター
ン２１３の乾燥または焼成が行われる。着弾後に一定の時間を保って仮焼成を行い、最初
に吐出してパターン形成した箇所と、最後に吐出してパターン形成した箇所とで大気に曝
される時間差が大きくなっても均一なパターン形成を得ることができる。また、ガス流路
中に加熱ヒータが設けられているため、着弾された材料パターンに対して急激な加熱を防
ぐことができる。また、吐出後に処理室内で加熱することによって、トータルの焼成時間
を短縮することもできる。
【０１０１】
また、大型の基板にパターン形成可能な装置システムの斜視図の一例を図５に示す。
【０１０２】
図５において、大型の基板５００上において、１つのパネルが形成される領域５３０を点
線で示す。
【０１０３】
図５には、配線等のパターンの形成に用いる液滴吐出装置の一態様を示す。液滴吐出手
段は、ヘッドを有し、ヘッドは複数のノズル５０３を有する。本実施の形態では、多数の
ノズルが設けられたヘッドを一つ有する場合で説明するが、ノズルの数や、ヘッドの数は
処理面積や工程等により設定することができる。
【０１０４】
ヘッドの幅は、大型マザーガラスから複数のパネルを形成する場合、ヘッドの幅は１つの
パネルの幅と同程度とすると好ましい。１つのパネルが形成される領域５３０に対して一
回の走査でパターン形成することができ、高いスループットが期待できるからである。
【０１０５】
ヘッドは、吐出制御手段５０７に接続され、吐出制御手段をコンピュータ５１０により制
御することにより、予め設定されたパターンを描画することができる。描画するタイミン
グは、例えば、ステージ５３１上に固定された基板５００等に形成されたマーカーを基準
点として決定すればよい。また、基板５００の縁を基準点として行ってもよい。これら基
準点をＣＣＤなどの撮像手段５０４で検出し、画像処理手段５０９にてデジタル信号に変
換させる。デジタル変化された信号をコンピュータ５１０で認識して、制御信号を発生さ
せて吐出制御手段５０７に送る。このようにパターンを描画するとき、パターン形成面と
、ノズルの先端との間隔は、０．１ｃｍ〜５ｃｍ、好ましくは０．１ｃｍ〜２ｃｍ、さら
に好ましくは０．１ｍｍ前後とするとよい。このように間隔を短くすることにより、液滴
の着弾精度が向上する。
【０１０６】
このとき、基板５００上に形成されるパターンの情報は記憶媒体５０８に格納されており
、この情報を基にして吐出制御手段５０７に制御信号を送り、ノズルを個別に制御するこ
とができる。
【０１０７】
また、ブロー手段５１３が設けられており、ガスを基板に吹きつけることによって点線
で示す矢印の方向に気流を形成する。気流の方向とステージの移動方向を同じにすること
が好ましい。ブロー手段５１３もブロー制御手段５１１に接続され、ブロー制御手段もコ
ンピュータ５１０により制御する。
【０１０８】
また、加熱手段（ヒーター）５０２が設けられており、吹きつけているガスを加熱して
パターンの乾燥を行う。加熱手段５０２も加熱制御手段５０６に接続され、加熱制御手段
もコンピュータ５１０により制御する。
【０１０９】
また、加熱手段５０２に代えて冷却手段を設けてもよい。冷却手段およびブロー手段に
より配線パターンを冷却して乾燥を抑えることができる。冷却手段としてはペルチェ効果
を利用した熱電変換素子を用いればよい。また、ガス流路中に冷却手段を設けるため、着
弾された材料パターンに対して急激な冷却を防ぐことができる。
【０１１０】
また、本実施の形態は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることがで
きる。
【０１１１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、薄膜トランジスタの作製方法の一例について説明する。
【０１１２】
まず、図６（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板６００を用意する。基板６００に
は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、
石英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、ポリエチレン-テレフタレー
ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ
）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、
一般的に他の基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に
耐え得るのであれば用いることが可能である。特に、半導体膜を結晶化するための加熱工
程を要しない非晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタを形成する場合、可撓性を有する
合成樹脂からなる基板を用いやすい。
【０１１３】
次いで、基板６００上に必要に応じて下地膜を形成する。下地膜は基板６００中に含まれ
るＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特
性に悪影響を及ぼすのを防ぐためと、平坦性向上のために設ける。よってアルカリ金属や
アルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる酸化珪素、窒化珪素、窒化酸
化珪素、酸化チタン、窒化チタンなどの絶縁膜を用いて下地膜を形成することができる。
また、チタン等の導電膜を用いて下地膜を形成することもできる。この場合、導電膜は、
作製工程における加熱処理等により、酸化されることがある。特に、下地膜の材料は、ゲ
ート電極材料と密着性の高いものを選択するとよい。例えば、ゲート電極にＡｇを用いる
場合、酸化チタン（ＴｉＯｘ）からなる下地膜を形成すると好ましい。なお下地膜は単層
構造又は積層構造を有してもよい。
【０１１４】
また、下地膜は、不純物が半導体膜へ拡散することが防止できれば、必ずしも設ける必要
はない。そのため本実施の形態のように、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体膜
を形成する場合、ゲート絶縁膜が半導体膜へ不純物の拡散を防止する機能を果たすことが
できるため、下地膜を設ける必要は特にない。
【０１１５】
また、基板材料により下地膜を設けると好ましい場合がある。ガラス基板、ステンレス基
板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含
まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは
有効である。一方、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも
下地膜を設ける必要はない。
【０１１６】
次いで、インクジェット法を用いた図１および図２に示す製造装置によって、溶媒中に導
電体が混入したドットを滴下して、ブロー手段によりガスを吹きつけてゲート電極６０３
およびゲート配線として機能する導電パターンを形成する。（図６（Ａ））本実施の形態
では、Ｘ方向のパターンとＹ方向のパターンを異なるパターン形成処理室で行うことで生
産性を向上させている。ゲート配線から枝分かれしたゲート電極は、異なるパターン形成
処理室で行い、一つのパターンにする。本実施の形態では、テトラデカンの溶媒中に銀（
Ａｇ）の導電体が分散しているドットを滴下する。
【０１１７】
次いで、ドットの溶媒を除去する必要があるとき、焼成したり、乾燥させるため加熱処
理を施す。具体的には、所定の温度、例えば、２００℃〜３００℃で加熱すればよく、好
ましくは酸素を有する雰囲気で加熱処理を行う。このときゲート電極表面に凹凸が生じな
いように加熱温度を設定する。本実施の形態のように銀（Ａｇ）を有するドットを用いる
場合、酸素及び窒素を有する雰囲気で加熱処理を行うと、溶媒中に含まれる接着剤等の熱
硬化性樹脂などの有機物が分解されるため、有機物を含まない銀（Ａｇ）を得ることがで
きる。その結果、ゲート電極表面の平坦性を高め、比抵抗値を低くすることができる。
【０１１８】
また、本実施の形態では、ブロー手段によりガスを吹きつけるため、後の加熱処理に要
する時間を短縮することができる。
【０１１９】
次いで、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜６０４として機能する絶縁膜を形成する。絶
縁膜は積層構造又は単層構造を有することができる。絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法に
より酸化珪素、窒化珪素又は窒化酸化珪素等の絶縁体を形成することができる。なお、イ
ンクジェット法により絶縁膜の材料が混入されたドットを吐出してゲート絶縁膜を形成し
てもよい。本実施の形態のように、銀（Ａｇ）をゲート電極として用いる場合、ゲート電
極を覆う絶縁膜には窒化珪素膜を用いると好ましい。酸素を有する絶縁膜を用いると、銀
（Ａｇ）と反応し、酸化銀が形成されゲート電極表面が荒れる恐れがあるからである。
【０１２０】
次いで、ゲート絶縁膜上に、半導体膜６０５を形成する。半導体膜は、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、インクジェット法等により形成することができる。半導体膜の膜
厚は２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）とする。また半導体膜の材料は珪素
だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用い
る場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好まし
い。また、半導体膜は、非晶質半導体、非晶質半導体の中に結晶粒が分散するように存在
しているセミアモルファス半導体、及び非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒
を観察することができる微結晶半導体、から選ばれたいずれの状態を有してもよい。特に
、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒観察することができる微結晶状態は所謂マイクロクリ
スタル（μｃ）と呼ばれている。
【０１２１】
セミアモルファス半導体の材料としてシリコンを用いたセミアモルファスシリコン（ＳＡ
Ｓとも表記する）は、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代
表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｓｉ
ＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。珪化物気体を水素、水素とヘ
リウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希
釈して用いることによりＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。このとき希釈率
が１０倍〜１０００倍の範囲となるように、珪化物気体を希釈すると好ましい。またＳｉ
2Ｈ6及びＧｅＦ4を用い、ヘリウムガスで希釈する方法を用いてＳＡＳを形成することが
できる。グロー放電分解による被膜の反応生成は減圧下で行うと好ましく、圧力は概略０
．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲で行えばよい。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ
〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すればよい。基
板加熱温度は３００度以下が好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が推奨される。
【０１２２】
本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用いて、珪素を主成分とする非晶質半導体膜（非
晶質珪素膜、アモルファスシリコンとも表記する）を形成する。
【０１２３】
次いで、一導電型を有する半導体膜を形成する。一導電型を有する半導体膜は、プラズ
マＣＶＤ法、スパッタリング法、インクジェット法等を用いて形成することができる。な
お一導電型を有する半導体膜を設ける場合、半導体膜と電極とのコンタクト抵抗が低くな
り好ましいが、必要に応じて設ければよい。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用い
てＮ型を有する半導体膜６０６を形成する。（図６（Ｂ））このように半導体とＮ型を有
する半導体膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、半導体膜６０５と、Ｎ型を有する
半導体膜６０６、更にはゲート絶縁膜を連続形成すると好ましく、原料ガスの供給を変化
させることにより大気開放せず、連続形成することができる。
【０１２４】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、半導体膜６０５及びＮ型を有する半導体膜６０６を所
望の形状にパターニングする。図示しないが所望箇所にマスクを形成し、マスクを用いて
エッチングすればよい。マスクは、材料の利用効率が向上し、コストの削減、廃液処理量
の削減が可能となるためインクジェット法を用いて形成すると好ましいが、フォトリソグ
ラフィー法により形成してもよい。更にインクジェット法によりマスクを形成すると、フ
ォトリソグラフィー工程の簡略化を行うことができる。すなわち、フォトマスク形成、露
光等が不要となり、設備投資コストの削減を達成でき、製造時間を短縮することができる
。
【０１２５】
また、マスク材料として、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン
など）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、ポリビニルアルコール、レジストまたはベンゾシクロブテン）を用いること
ができる。例えばポリイミドを用いてインクジェット法によりマスクを形成する場合、所
望箇所にインクジェット法によりポリイミドを吐出した後、焼成するため１５０〜３００
℃で加熱処理を行うとよい。
【０１２６】
次いで、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜を形成する。導電膜は、単層
構造及び積層構造のいずれを有してもよい。導電膜として、金、銀、銅、アルミニウム、
チタン、モリブデン、タングステンもしくはシリコンの元素からなる膜又はこれらの元素
を用いた合金膜を用いることができる。また導電膜はインクジェット法、ＣＶＤ法及びス
パッタリング法のいずれかを用いて形成することができる。
【０１２７】
本実施の形態では、インクジェット法により銀（Ａｇ）が混入されたドットを用いてソ
ース電極及びドレイン電極６０８を形成する。（図６（Ｄ））具体的には、ゲート電極の
形成と同様に行えばよい。プラズマ処理を行った領域にドットを滴下するため、インクジ
ェット法により形成されたソース電極及びドレイン電極を微細化することができる。
【０１２８】
次いで、ソース電極及びドレイン電極６０８をマスクとして、Ｎ型を有する半導体膜を選
択的にエッチングする。Ｎ型を有する半導体膜により、ソース電極とドレイン電極とが短
絡することを防止するためである。このとき、半導体膜６０５の上層が多少エッチングさ
れる。
【０１２９】
次いで、無機絶縁膜からなる保護膜６１３を形成する。（図６（Ｅ））保護膜６１３は、
酸化珪素や、窒化珪素、窒化酸化珪素などの絶縁膜をインクジェット法、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法等により形成する。
【０１３０】
以上のように、ソース電極及びドレイン電極まで設けられた薄膜トランジスタ６２０が完
成する。本実施の形態の薄膜トランジスタは、半導体膜より下方にゲート電極が設けられ
る、所謂ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。より詳細には、半導体膜が多少エッ
チングされている、所謂チャネルエッチ型である。このような薄膜トランジスタが複数設
けられた基板をＴＦＴ基板と表記する。
【０１３１】
インクジェット法により配線やマスク等を形成すると、材料の利用効率が向上し、コス
トの削減、廃液処理量の削減が可能となる。特にインクジェット法によりマスクを形成す
ると、フォトリソグラフィー工程と比較して工程の簡略化を行うことができる。その結果
、設備投資コストの削減、コストの削減、製造時間を短縮することができる。
【０１３２】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み
合わせることができる。
【０１３３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、薄膜トランジスタに接続する画素電極の形成方法について説明する。
なお、図７において図６と対応する箇所には同じ符号を用いて説明する。
【０１３４】
図７（Ａ）に示すように、上記実施の形態４に基づき絶縁表面を有する基板６００上に保
護膜６１３を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６２０を形成する。本実施の形態は、実
施の形態４に記載のＴＦＴを用いて説明するが、他のＴＦＴ構造を用いても構わない。ま
た、ソース電極またはドレイン電極と接続するように、該電極の下方に画素電極となる電
極６２５を形成する場合を説明する。
【０１３５】
まず、ゲート絶縁膜形成後、半導体膜及びＮ型を有する半導体膜をパターニングし、ソー
ス電極又はドレイン電極を形成する領域に画素電極を形成する。画素電極は、スパッタリ
ング法やインクジェット法により形成することができる。画素電極は透光性又は非透光性
を有する材料から形成する。例えば、透光性を有する場合、ＩＴＯ等を用いることができ
、非透光性を有する場合、金属膜を用いることができる。具体的な画素電極の材料として
、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を
混合したＩＺＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＯ
−ＳｉＯｘ（便宜上ＩＴＳＯと表記する）、有機インジウム、有機スズ、窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）等を用いることもできる。
【０１３６】
図７（Ａ）では、画素電極となる電極６２５としてインクジェット法を用いてＩＴＯの導
電体が分散しているドットを滴下する。その後、ドットの溶媒を除去する必要があるとき
、焼成したり、乾燥させるため加熱処理を施す。
【０１３７】
図７（Ｂ）には、図７（Ａ）と異なり、ソース電極又はドレイン電極の上に画素電極６２
７を形成する場合を図示している。画素電極６２７は、上記と同様にスパッタリング法や
インクジェット法により形成することができる。
【０１３８】
図７（Ｃ）には、図７（Ａ）および図７（Ｂ）と異なり、層間絶縁膜６２１を形成して平
坦化した後に、配線６２３を形成し、配線６２３と画素電極６２８とを接続する。
【０１３９】
層間絶縁膜６２１には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど
）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン、ポリシラザン、及びそれらの積
層構造を用いることができる。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性
有機樹脂を用いることができる。中でも、層間絶縁膜６２１としてシロキサンを用いると
よい。さらにシロキサンの層間絶縁膜上に窒素を有する絶縁膜、例えば窒化珪素、又は酸
化窒化珪素を形成するとよい。このような構成を有する発光素子を形成すると、発光輝度
や寿命を向上することができる。また層間絶縁膜６２１にアクリルやポリイミドを用いる
場合、窒素を有する絶縁膜６２６は省略することができる。このような構成を有する場合
、液晶素子を形成するとよい。
【０１４０】
また、配線６２３および画素電極６２８は、上記と同様にスパッタリング法やインクジェ
ット法により形成することができる。
【０１４１】
図７（Ｃ）では、画素電極６２８としてＩＴＳＯを用いる。ＩＴＳＯは、インクジェッ
ト法を用いてＩＴＯの導電膜と珪素が分散しているドットを滴下して形成することができ
る。または、珪素を有するＩＴＯのターゲットを用いたスパッタリング法により形成する
ことができる。
【０１４２】
画素電極まで設けられた状態のＴＦＴ基板をモジュール用ＴＦＴ基板と表記する。
【０１４３】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、または実施の形態
４と自由に組み合わせることができる。
【０１４４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態４または実施の形態５で示した薄膜トランジスタを有す
る液晶モジュールを有する表示装置（液晶表示装置）について、図８を用いて説明する。
なお、図８において図６、または図７と対応する箇所には同じ符号を用いて説明する。
【０１４５】
図８には、上記実施の形態５で示したようなＴＦＴ基板に形成された薄膜トランジスタ
６２０と、画素電極となる電極６２５とを有する液晶表示装置の断面を示す。まず、上記
実施の形態５に従って、画素電極となる電極６２５を有する薄膜トランジスタ６２０を形
成する。画素電極となる電極６２５に透光性を有する導電膜（例えば、ＩＴＯやＩＴＳＯ
）を用いると透過型液晶表示装置となり、非透過性、つまり反射性の高い導電膜（例えア
ルミニウム）を用いると反射型液晶表示装置を形成することができる。本実施の形態のよ
うに液晶表示装置に用いられるモジュール用ＴＦＴ基板を、液晶モジュール用ＴＦＴ基板
と表記する。
【０１４６】
次いで、薄膜トランジスタ６２０、保護膜、画素電極となる電極６２５を覆うように、
配向膜６３１を形成する。
【０１４７】
次いで、基板６００と対向基板６３５とを、シール材を用いて張り合わせ、その間に液晶
を注入して液晶層６３６を形成し、液晶モジュールを形成する。
【０１４８】
また、対向基板６３５には、カラーフィルター６３４、対向電極６３３、配向膜６３１を
順に形成する。カラーフィルター、対向電極、又は配向膜はインクジェット法により形成
することができる。図示していないが、ブラックマトリクスを形成してもよく、ブラック
マトリクスもインクジェット法により形成することができる。
【０１４９】
また、液晶の注入を行う場合、真空状態となる処理室が必要となる。液晶は、滴下して形
成してもよく、液晶を滴下する手段にインクジェット法を用いてもよい。特に大型の基板
の場合、滴下して液晶を形成すると好ましい。液晶注入法を用いると、大型の基板になる
につれ処理室が拡大し、基板の重量が重くなり、困難をきたすためである。
【０１５０】
液晶を滴下する方法を用いる場合、まず一方の基板の周囲へシール材を形成する。一方の
基板と記載するのは、基板６００及び対向基板６３５のいずれにシール材を形成してもよ
いからである。このとき、シール材の始点と終点が一致した、閉じられた領域にシール材
を形成する。その後、一滴又は複数滴の液晶を滴下する。大型基板の場合、複数箇所に、
複数滴の液晶を滴下する。そして減圧状態とし、他方の基板と張り合わせる。減圧状態と
すると、不要な空気を取り除くことができ、空気に起因するシール材の破損や膨張を防止
することができるからである。
【０１５１】
そして、仮止めを行うためにシール材が形成された領域の２点以上を固化し、接着させる
。シール材に紫外線硬化樹脂を用いる場合、シール材が形成された領域の２点以上に紫外
線を照射すればよい。その後、処理室から基板を取り出し、本止めを行うため、シール材
全体を固化し、接着させる。このとき、薄膜トランジスタや液晶に紫外線が照射されない
ように遮光材を配置するとよい。
【０１５２】
なお、基板間のギャップを保持するため、シール材以外に、柱状又は球状のスペーサを用
いるとよい。
【０１５３】
このようにして図８に示す液晶モジュールが完成する。
【０１５４】
その後、異方性導電膜を用いてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）を接着して外
部端子と、信号線駆動回路又は走査線駆動回路とを接続すればよい。また信号線駆動回路
又は走査線駆動回路を外部回路として形成してもよい。
【０１５５】
ここまでの段階で、液滴吐出法で形成した配線を有する薄膜トランジスタを具備し、外部
端子が接続された液晶表示装置を形成することができる。
【０１５６】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、ま
たは実施の形態５と自由に組み合わせることができる。
【０１５７】
本実施の形態においては実施の形態５の図７（Ａ）に示す構造を用いて説明したが、実施
の形態５の図７（Ｃ）に示す構造とし、層間絶縁膜を形成して平坦性を高めてもよい。平
坦性を高めると、配向膜を均一に形成することができ、液晶層へ均一に電圧を印加するこ
とができるため好ましい。
【０１５８】
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態４または実施の形態５で示した薄膜トランジスタを有する
発光モジュールを有する表示装置（発光装置）について、図９および図１０を用いて説明
する。なお、図１０において図６、または図７と対応する箇所には同じ符号を用いて説明
する。
【０１５９】
図１０には、上記実施の形態５で示したようなＴＦＴ基板に形成された薄膜トランジスタ
６２０と、第１電極６２５とを有する発光装置の断面を示す。まず、上記実施の形態５に
従って、第１電極６２５を有する薄膜トランジスタ６２０を形成する。なお、第１電極６
２５は、発光素子の第１の電極として機能する。
【０１６０】
次いで、土手又は隔壁として機能する絶縁膜６４３を選択的に形成する。絶縁膜６４３は
、第１電極６２５の周縁部を覆うように形成し、互いに隣り合う第１電極間を埋める。絶
縁膜６４３には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感
光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、
レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン、ポリシラザン、及びそれらの積層構造
を用いることができる。有機材料として、ポジ型感光性有機樹脂又はネガ型感光性有機樹
脂を用いることができる。例えば、有機材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合
、露光処理により感光性有機樹脂をエッチングすると上端部に曲率を有する開口部を形成
することができる。そのため、後に形成する電界発光層等の段切れを防止することができ
る。この状態のＴＦＴ基板を発光モジュール用ＴＦＴ基板と表記する。
【０１６１】
第１電極上に設けられた絶縁膜６４３の開口部に、電界発光層６４１を形成する。電界発
光層を形成する前に真空加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、真空加熱処理を行
い、インクジェット法により高分子材料を有する電界発光層を絶縁膜６４３の開口部に対
して形成する。
【０１６２】
次いで、電界発光層６４１及び絶縁膜６４３を覆うように発光素子の第２の電極６４２を
形成する。
【０１６３】
なお、電界発光層６４１を構成する分子励起子の種類としては一重項励起状態と三重項励
起状態が可能である。基底状態は通常一重項状態であり、一重項励起状態からの発光は蛍
光と呼ばれる。また、三重項励起状態からの発光は燐光と呼ばれる。電界発光層からの発
光とは、どちらの励起状態が寄与する場合も含まれる。更には、蛍光と燐光を組み合わせ
て用いてもよく、各ＲＧＢの発光特性（発光輝度や寿命等）により蛍光及び燐光のいずれ
かを選択することができる。
【０１６４】
電界発光層６４１は、第１の電極となる電極６２５側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）
、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注
入層）の順に積層されている。なお電界発光層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構
造をとることができる。
【０１６５】
また、電界発光層６４１として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料
を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法等によって選択的に形成する。赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料はインクジェット法により形成することもでき、こ
の場合マスクを用いずとも、ＲＧＢの塗り分けを行うことができるため好ましい。
【０１６６】
具体的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとし
てＢＣＰやＡｌｑ3、ＥＩＬとしてＢＣＰ：ＬｉやＣａＦ2をそれぞれ用いる。また例えば
ＥＭＬは、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色に対応したドーパント（Ｒの場合ＤＣＭ等、Ｇ
の場合ＤＭＱＤ等）をドープしたＡｌｑ3を用いればよい。
【０１６７】
また、電界発光層６４１は上記材料に限定されない。例えば、ＣｕＰｃやＰＥＤＯＴの代
わりに酸化モリブデン（ＭｏＯｘ：ｘ＝２〜３）等の酸化物とα−ＮＰＤやルブレンを共
蒸着して膜を形成し、ホール注入性を向上させることもできる。また電界発光層の材料は
、有機材料（低分子又は高分子を含む）、又は有機材料と無機材料の複合材料として用い
ることができる。
【０１６８】
以上、各ＲＧＢの発光を示す材料を形成する場合を説明したが、単色の発光を示す材料を
形成し、カラーフィルターや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うこ
とができる。例えば、白色又は橙色の発光を示す電界発光層を形成する場合、カラーフィ
ルター、又はカラーフィルター、色変換層、カラーフィルターと色変換層とを組み合わせ
たものを別途設けることによってフルカラー表示ができる。カラーフィルターや色変換層
は、例えば第２の基板（封止基板）に形成し、基板へ貼り合わせればよい。単色の発光を
示す材料、カラーフィルター、及び色変換層のいずれもインクジェット法により形成する
ことができる。
【０１６９】
また、フルカラー表示に限定されず、単色発光の表示を行ってもよい。例えば、単色発光
を用いてエリアカラータイプの表示装置を形成し、主に文字や記号を表示してもよい。
【０１７０】
また、第１の電極となる電極６２５及び第２の電極６４２は仕事関数を考慮して材料を選
択する必要がある。そして第１の電極及び第２の電極は、画素構成によりいずれも陽極、
又は陰極となりうる。本実施の形態では、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型であるため
、第１の電極を陰極、第２の電極を陽極とすると好ましい。また駆動用ＴＦＴの極性がｐ
チャネル型である場合、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とするとよい。
【０１７１】
以下に、陽極及び陰極に用いる電極材料について説明する。
【０１７２】
陽極として用いる電極材料としては、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）金属
、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体例な
材料としては、ＩＴＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩ
ＺＯ、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＳＯ、金、白
金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又
は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）を用いることができる。
【０１７３】
また、陰極として用いる電極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以
下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。
具体的な材料としては、元素周期律の１族又は２族に属する元素、すなわちリチウムやセ
シウム等のアルカリ金属、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ
土類金属、及びこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ
、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができる。
【０１７４】
これら第１の電極及び第２の電極は蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等
により形成することができる。
【０１７５】
特に第２の電極としてスパッタリング法による導電膜、ＩＴＯ若しくはＩＴＳＯ、又はそ
れらの積層体を形成する場合、スパッタリング時、電界発光層にダメージが入る恐れがあ
る。スパッタリングによるダメージを低減するため、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ：ｘ＝２
〜３）等の酸化物が電界発光層の最上面に形成されると好ましい。そのため、ＨＩＬ等と
して機能する酸化モリブデン（ＭｏＯｘ：ｘ＝２〜３）等の酸化物を電界発光層の最上面
に形成し、第１の電極側から順に、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭ
Ｌ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）、第２の電極の順に積
層するとよい。このとき第１の電極は陰極として機能し、第２の電極は陽極として機能す
る。
【０１７６】
また、本実施の形態では、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型であるため、電子の移動
方向を考慮すると、第１の電極を陰極、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、
ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）、第２の電極を陽
極とすると好ましい。
【０１７７】
次いで、第２の電極を覆って、窒素を含むパッシベーション膜又はＤＬＣ等をスパッタ
リング法やＣＶＤ法により形成するとよい。その結果、水分や酸素の侵入を防止すること
ができる。また、第１の電極、第２の電極、その他の電極により、表示手段の側面を覆っ
て酸素や水分の侵入を防ぐこともできる。次いで、封止基板を貼り合わせる。封止基板に
より形成される空間には、不活性ガスを封入したり、乾燥剤を配置してもよい。また透光
性を有し、吸水性の高い樹脂を充填してもよい。
【０１７８】
このようにして図１０に示す発光モジュールが完成する。
【０１７９】
なお、発光モジュールにおいて、第１の電極及び第２の電極が透光性を有するように形成
すると、信号線から入力されるビデオ信号に応じた輝度で電界発光層から光が両矢印方向
６４５、６４６に出射する。また第１の電極が透光性を有し、第２の電極が非透光性を有
するように形成すると、矢印方向６４６のみに射出する。また第１の電極が非透光性を有
し、第２の電極が透光性を有するように形成すると、矢印方向６４５のみに射出する。こ
のとき、光の出射方向とならない側に設けられた非透光性の電極に、反射性の高い導電膜
を用いることにより光を有効利用することができる。
【０１８０】
次いで、異方性導電膜を用いてＦＰＣを接着して外部端子と、信号線駆動回路又は走査線
駆動回路とを接続すればよい。また信号線駆動回路又は走査線駆動回路を外部回路として
形成してもよい。
【０１８１】
ここまでの段階で、液滴吐出法で形成した配線を有する薄膜トランジスタを具備し、外部
端子が接続された発光装置を形成することができる。
【０１８２】
図９（Ａ）には、発光装置の画素部の等価回路図の一例を示す。一画素は、スイッチング
用のＴＦＴ（スイッチ用ＴＦＴ）８００、駆動用のＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）８０１、電流
制御用のＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴ）８０２を有し、これらＴＦＴはＮチャネル型を有す
る。スイッチング用ＴＦＴ８００の一方の電極及びゲート電極は、それぞれ信号線８０３
及び走査線８０５に接続されている。電流制御用ＴＦＴ８０２の一方の電極は第１の電源
線８０４に接続され、ゲート電極はスイッチング用ＴＦＴの他方の電極に接続されている
。
【０１８３】
容量素子８０８は、電流制御用ＴＦＴのゲートとソース間の電圧を保持するように設けれ
ばよい。本実施の形態において、例えば第１の電源線の電位を低電位とし、発光素子を高
電位とすると、電流制御用ＴＦＴはＮチャネル型を有するため、ソース電極と第１の電源
線とが接続する。そのため、容量素子は電流制御用ＴＦＴのゲート電極と、ソース電極、
つまり第１の電源線との間に設けることができる。なお、スイッチング用ＴＦＴ、駆動用
ＴＦＴ、又は電流制御用ＴＦＴのゲート容量が大きく、各ＴＦＴからのリーク電流が許容
範囲である場合、容量素子８０８は設ける必要はない。
【０１８４】
駆動用ＴＦＴ８０１の一方の電極は、電流制御用ＴＦＴの他方の電極に接続され、ゲート
電極は第２の電源線８０６に接続されている。第２の電源線８０６は、固定電位を有する
。そのため、駆動用ＴＦＴのゲート電位を固定電位とすることができ、寄生容量や配線容
量によるゲートとソース間の電圧Ｖｇｓが変化しないように動作させることができる。
【０１８５】
そして、駆動用ＴＦＴの他方の電極に発光素子８０７が接続されている。本実施の形態に
おいて、例えば第１の電源線の電位を低電位とし、発光素子を高電位とすると、駆動用Ｔ
ＦＴのドレイン電極に発光素子の陰極が接続される。そのため、陰極、電界発光層、陽極
の順に積層すると好ましい。このように、非晶質半導体膜を有するＴＦＴであって、Ｎチ
ャネル型を有する場合、ＴＦＴのドレイン電極と陰極とを接続し、ＥＩＬ、ＥＴＬ、ＥＭ
Ｌ、ＨＴＬ、ＨＩＬ、陽極の順に積層すると好適である。
【０１８６】
以下に、このような画素回路の動作について説明する。
【０１８７】
走査線８０５が選択されるとき、スイッチング用ＴＦＴがオンとなると、容量素子８０８
に電荷が蓄積されはじめる。容量素子８０８の電荷は、電流制御用ＴＦＴのゲートとソー
ス間電圧と等しくなるまで蓄積される。等しくなると、電流制御用ＴＦＴがオンとなり、
直列に接続された駆動用ＴＦＴがオンとなる。このとき、駆動用ＴＦＴのゲート電位が固
定電位となっているため、発光素子へ寄生容量や配線容量によらない一定のゲートとソー
ス間電圧Ｖｇｓを印加する、つまり一定のゲートとソース間電圧Ｖｇｓ分の電流を供給す
ることができる。
【０１８８】
このように、発光素子は電流駆動型の素子であるため、画素内のＴＦＴの特性バラツキ、
特にＶｔｈバラツキが少ない場合アナログ駆動を用いることが好適である。本実施の形態
のように、非晶質半導体膜を有するＴＦＴは、特性バラツキが低いため、アナログ駆動を
用いることができる。一方デジタル駆動でも、駆動用ＴＦＴを飽和領域（｜Ｖｇｓ−Ｖｔ
ｈ｜＜｜Ｖｄｓ｜を満たす領域）で動作させることで、一定の電流値を発光素子に供給す
ることができる。
【０１８９】
図９（Ｂ）には、上記等価回路を有する画素部の上面図の一例を示す。なお、図９（Ｂ）
のＣ−Ｃ’の断面図は、図１０に記載の断面図に相当する。
【０１９０】
インクジェット法又はスパッタリング法により、各ＴＦＴのゲート電極、走査線（ゲート
配線とも呼ぶ）、及び第２の電源線を形成している。これらの配線を図１または図２に示
す製造装置を用いて形成すると、生産性が向上するため好ましい。
【０１９１】
また、発光素子８０７の第１の電極８１０は、ゲート絶縁膜上に形成されている。また
、インクジェット法又はスパッタリング法により、ソース配線及びドレイン配線、信号線
並びに第１の電源線を形成する。これらの配線も図１または図２に示す製造装置を用いて
形成すると、生産性が向上するため好ましい。
【０１９２】
また、容量素子８０８は、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート配線、ソース配線、
及びドレイン配線により形成されている。なお、駆動用ＴＦＴは非晶質半導体膜を有する
ため、駆動用ＴＦＴのチャネル幅（Ｗ）が広くなるように設計するとよい。
【０１９３】
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、単位面積あたりの画素密度が増えた場
合、各画素にＴＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている
。
【０１９４】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、ま
たは実施の形態５と自由に組み合わせることができる。
【０１９５】
本実施の形態においては実施の形態５の図７（Ａ）に示す構造を用いて説明したが、実施
の形態５の図７（Ｃ）に示す構造とし、層間絶縁膜を形成して平坦性を高めてもよい。平
坦性を高めると、電界発光層へ均一に電圧を印加することができるため好ましい。
【０１９６】
（実施の形態８）
本実施の形態は、実施の形態６または実施の形態７で得られる表示パネルの構成を示す
。
【０１９７】
図１１（Ａ）は、表示パネルの構成の一例を示す上面図であり、絶縁表面を有する基板
１７００上に画素１７０２をマトリクス上に配列させた画素部１７０１、走査線側入力端
子１７０３、信号線側入力端子１７０４が形成されている。画素数は種々の規格に従って
設ければ良く、ＸＧＡであれば１０２４×７６８×３（ＲＧＢ）、ＵＸＧＡであれば１６
００×１２００×３（ＲＧＢ）、フルスペックハイビジョンに対応させるのであれば１９
２０×１０８０×３（ＲＧＢ）とすれば良い。
【０１９８】
画素１７０２は、走査線側入力端子１７０３から延在する走査線と、信号線側入力端子
１７０４から延在する信号線とが交差することで、マトリクス状に配設される。画素１７
０２のそれぞれには、スイッチング素子とそれに接続する画素電極が備えられている。ス
イッチング素子の代表的な一例はＴＦＴであり、ＴＦＴのゲート電極側が走査線と、ソー
ス若しくはドレイン側が信号線と接続されることにより、個々の画素を外部から入力する
信号によって独立して制御可能としている。
【０１９９】
ＴＦＴは、その主要な構成要素として、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極が挙げ
られ、半導体層に形成されるソース及びドレイン領域に接続する配線層がそれに付随する
。
【０２００】
本実施の形態では、液滴吐出法を用いた図１および図２に示す製造装置によって、溶媒
中に導電体が混入したドットを滴下して、ブロー手段によりガスを吹きつけてゲート電極
、または走査線の形成を行う。加えて、走査線側入力端子１７０３、信号線側入力端子１
７０４と接続する引き回し配線や端子電極も液滴吐出法を用いた図１および図２に示す製
造装置によって形成する。また、始めに導電性材料として銀を用いて、液滴吐出法で導電
層を形成した後、銅などでめっきを行ってもよい。めっきは電気めっきや化学（無電界）
めっき法で行えばよい。
【０２０１】
図１１（Ａ）は、走査線及び信号線へ入力する信号を、外付けの駆動回路により制御す
る表示パネルの構成を示しているが、ＣＯＧ方式によりドライバＩＣを基板上に実装して
も良い。また他の実装形態として、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ）方式を用いてもよい。ドライバＩＣは単結晶半導体基板に形成されたものでも良い
し、ガラス基板上にＴＦＴで回路を形成したものであっても良い。
【０２０２】
また、画素に設けるＴＦＴをＳＡＳで形成する場合には、図１１（Ｂ）に示すように走査
線側駆動回路３７０２を基板３７００上に形成し一体化することもできる。図１１（Ｂ）
において、画素部３７０１は、信号線側入力端子３７０４と接続した図１１（Ａ）と同様
に外付けの駆動回路により制御する。
【０２０３】
また、画素に設けるＴＦＴを移動度の高い、多結晶（微結晶）半導体、単結晶半導体な
どで形成する場合は、図１１（Ｃ）は、画素部４７０１、走査線駆動回路４７０２と、信
号線駆動回路４７０４を基板４７００上に一体形成することもできる。
【０２０４】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６または実施の形態７と自由に組み合わせることができる。
【０２０５】
（実施の形態９）
本発明の半導体装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル
型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオ
コンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体
的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し
、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それら電子機器
の具体例を図１２、図１３に示す。
【０２０６】
図１２（Ａ）は２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体２
００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカ部２００４、撮像部２００５、ビデ
オ入力端子２００６等を含む。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送
受信用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。表示装置は、上記実施の形態で示し
た液滴吐出法より形成された電極、または配線を有する。また、表示部２００３を多面取
りにより形成することにより、大型の表示装置の製造コストを低減することができる。
【０２０７】
図１２（Ｂ）はパーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６
等を含む。パーソナルコンピュータは、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成され
た電極、または配線を有する。また、表示部２２０３を多面取りにより形成することによ
り、パーソナルコンピュータの製造コストを低減することができる。
【０２０８】
図１２（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（
ＤＶＤ等）読込部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部
Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示す
る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。画像再
生装置は、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成された電極、または配線を有する
。また、表示部Ａ２４０３、または表示部Ｂ２４０４を多面取りにより形成することによ
り、画像再生装置の製造コストを低減することができる。
【０２０９】
また、図１２（Ｄ）は携帯情報端末の斜視図であり、図１２（Ｅ）は折りたたんで携帯電
話として使用する状態を示す斜視図である。図１２（Ｄ）において、使用者はキーボード
のように右手指で操作キー２７０６ａを操作し、左手指で操作キー２７０６ｂを操作する
。携帯情報端末は、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成された電極、または配線
を有する。また、表示部２７０３ａを多面取りにより形成することにより、携帯情報端末
の製造コストを低減することができる。
【０２１０】
図１２（Ｅ）に示すように、折りたたんだ場合には、片手で本体２７０１、および筐体２
７０２を持ち、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６ｃ、アンテ
ナ２７０８等を使用する。なお、図１２（Ｄ）および図１２（Ｅ）に示した携帯情報端末
は、主に画像および文字を横表示する表示部２７０３ａと、縦表示する表示部２７０３ｂ
とを備えている。
【０２１１】
また、図１３は、記録媒体を備えた携帯型の音楽再生装置であり、本体２９０１、表示
部２９０３、記録媒体（カード型メモリ等）読み込み部、操作キー２９０２、２９０６、
接続コード２９０４に接続されたヘッドフォンのスピーカー部２９０５等を含む。携帯型
の音楽再生装置は、上記実施の形態で示した液滴吐出法より形成された電極、または配線
を有する。また、表示部２９０３を多面取りにより形成することにより、携帯型の音楽再
生装置の製造コストを低減することができる。
【０２１２】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６、実施の形態７、または実施の形態８と自由に組み合わせるこ
とができる。
【産業上の利用可能性】
【０２１３】
本発明により、大量生産を行う上で大型の基板に適したパターン形成装置を実現すること
ができる。また、液滴吐出法を用いた本発明のパターン形成装置によって、半導体装置の
製造におけるタクトタイムを短縮することができる。
【符号の説明】
【０２１４】
１００：搬送路
１０３：パターン形成処理室
２０１：液滴吐出手段
２１０：ブロー手段
２１４：気流の方向
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を制御するブロー手段と、前記液滴吐出手段および前記ブロー手段を制御する制御手段と、を有する第１の処理室と、
加熱手段を有する第２の処理室と、
前記第１の処理室および前記第２の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記パターン形成材料は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を含む材料であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記パターン形成材料は、インジウムを含む有機材料、または錫を含む有機材料であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する際、液滴を吐出すると同時にブロー手段の流量を増減させて、液滴吐出手段から吐出された液滴の飛翔軌道を変化させてパターン形状を制御することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記パターン形成材料は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を含む材料であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記パターン形成材料は、インジウムを含む有機材料、または錫を含む有機材料であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１】
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を制御するブロー手段と、前記液滴吐出手段および前記ブロー手段を制御する制御手段と、を有する第１の処理室と、
加熱手段を有する第２の処理室と、
前記第１の処理室および前記第２の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記パターン形成材料は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を含む材料であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記パターン形成材料は、インジウムを含む有機材料、または錫を含む有機材料であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する際、液滴を吐出すると同時にブロー手段の流量を増減させて、液滴吐出手段から吐出された液滴の飛翔軌道を変化させてパターン形状を制御することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記パターン形成材料は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を含む材料であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記パターン形成材料は、インジウムを含む有機材料、または錫を含む有機材料であることを特徴とするパターン形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−３５４１７（Ｐ２０１１−３５４１７Ａ）
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３６７０１（Ｐ２０１０−２３６７０１）
【出願日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【分割の表示】特願２００５−１４４６５４（Ｐ２００５−１４４６５４）の分割
【原出願日】平成１７年５月１７日（２００５．５．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【分割の表示】特願２００５−１４４６５４（Ｐ２００５−１４４６５４）の分割
【原出願日】平成１７年５月１７日（２００５．５．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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