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Fターム[2H092MA10]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 製造方法 (16,988) | 製法、工程 (14,676) | 成膜方法 (5,204) | 塗布 (728)

Fターム[2H092MA10]に分類される特許

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【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第1の酸化物結晶部材と第2の酸化物結晶部材がc軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸(アキシャル)成長をさせていることである。 (もっと読む)


【課題】工程を単純化することのできる半透過型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第1及び第2基板を提供し、第1マスク工程で第1基板上にゲートラインを形成し、第2マスク工程で第1基板上のゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上の半導体パターンと半導体パターン上の画素領域を定義するようにゲートラインと交差するデータラインとソース電極及びドレイン電極を形成し、第3マスク工程でデータライン上の有機絶縁膜とソース電極及びドレイン電極を形成し有機絶縁膜を貫通する透過ホールを形成し、第4マスク工程で有機絶縁膜を貫通してドレイン電極と接続された画素電極及び透過ホールを形成し、透過ホールの画素電極を露出させる反射電極を画素電極上に形成する液晶表示装置の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】光吸収層と光導電層との層間に、光導電層側から順に非水溶性樹脂層と水溶性樹脂層とがこの順に設けられていない場合に比べて、液晶層の液晶を反射状態とするための電圧が印加されたときの反射率を、液晶層の液晶を透過状態とするための電圧が印加されたときの反射率で、割った値が大きい表示媒体、書込装置、表示装置、及び表示媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】表示媒体12を、基板13、電極15、液晶層17、接着層32、光吸収層19、非水溶性樹脂層18、水溶性樹脂層21、光導電層20、電極22、及び基板24が、この順に設けられた積層体として構成する。 (もっと読む)


【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、先に透明画素を形成するカラーフィルタの製造方法において用いられる透明画素を形成するための感放射性組成物において、アライメントマークのシグナルを阻害しない形で塗膜を形成でき、且つ、透明画素として、透明性の高い透明画素を形成することができる感光性組成物、当該感光性組成物を用いた透明画素の製造方法、当該透明画素の製造方法によって得られる透明画素および当該透明画素を有するカラーフィルタを提供することにある。
【解決手段】本発明の透明画素の製造方法は以下の通りである。
アルカリ可溶性樹脂(A)、多官能性単量体(B)および(C)光重合開始剤と、を含有し、且つ前記(A)成分100質量部に対して、前記(B)成分を60〜150重量部含有する感光性組成物を、基板に塗布する工程と、次いで露光及び現像する工程と、を有するカラーフィルタに用いられる透明画素の製造方法。 (もっと読む)


【課題】
透明基板の裏面に形成された透明導電膜の接地を行う導電樹脂の塗布を正確に行うことが可能であり、さらには、上フレームと導電樹脂との干渉を抑制することが可能な液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】
対向する2枚の透明基板(SUB1,SUB2)の間に液晶層を配置し、一方の該透明基板(SUB2)の液晶層側と異なる面に形成された透明導電膜(TCF)と、他方の該透明基板の液晶層側の面の一部に形成された透明な接地用電極パッド(TC)とを導電樹脂で接続する液晶表示装置において、該接地用電極パッドの上面側又は下面側に可視マーク(PAT)を配置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン/オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板1と、前記基板上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2及び基板1上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成されたp型有機半導体層4と、有機半導体層4上に形成された保護層5と、保護層5上に形成されたソース電極8及びドレイン電極9と、を有する半導体装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ基板に有機膜を設けて性能を高めた液晶表示装置を、より少ない製造工程数により製造することができ、生産性を向上させることができる液晶表示装置用トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板25の上に、ゲート電極26、ゲート絶縁膜27、半導体層19、ソース電極20及びドレイン電極21、パッシベーション膜28が、記載順に積層され、対向基板12との間に液晶層30を充填して対向配置された液晶表示装置用トランジスタ基板において、データ配線18及びドレイン電極21の下の半導体層19と、ソース電極20の下の半導体層19を切り離した。 (もっと読む)


【課題】水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする
【解決手段】HOに代表される水素原子を含む化合物や炭素原子を含む化合物、もしくは水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供できる。 (もっと読む)


【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 (もっと読む)


【課題】画像表示素子の配線接続部における温度上昇とそれに伴う接続抵抗の上昇を抑え,安定した配線接続によって配線接続部の信頼性を向上させる画像表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面基板2は隣り合う複数の画素列の間で電極に繋がる電極端子4が露出するように分割されると共に,この分割部分に前面基板1との対向面の裏側(裏面側)にある上部が底部より幅広の形状を有するように二つの加工面2b,2cにより構成される溝部3が形成され,信号用金属配線5aが溝部3の一方の加工面2bに沿って溝部3に露出した電極端子4に接続されるように形成されると共に,信号用金属配線5aが防湿性コート剤7によって覆われた画像表示素子において,裏面基板2の前面基板1との対向面の裏側(裏面側)に放熱用部材5bを設けた。 (もっと読む)


【課題】画像を具現することができ、ノートブックサイズ以下の大きさを持ち、開口率及び静電容量を高めることができる中小型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1基板100と、前記第1基板100の第1領域に形成される薄膜トランジスタと、前記第1基板100の第2領域に形成されるストーリッジキャパシタとを備え、前記ストーリッジキャパシタの第1電極160及び第2電極170は、透明導電性物質で形成される。 (もっと読む)


【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマCVD装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ簡便な塗布法による優れた透明性と高い導電性を備え、屈折率が小さく、平坦性に優れる低屈折率透明導電膜と、その製造方法を提供する。
【解決手段】主成分に有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物である塗布液を用い、耐熱性基板上に塗布膜を形成し、乾燥塗布膜を形成させ、乾燥塗布膜を焼成して、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の無機膜を形成する製造方法で、有機インジウム化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物のいずれか一つ以上の有機金属化合物が主成分の乾燥塗布膜を、露点−10℃を越える酸素含有雰囲気下で、少なくとも無機成分の結晶化が起こる焼成温度以上まで昇温し、含まれる有機成分を除去することで、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上が主成分の微粒子間に空隙を有する低屈折率の導電性酸化物微粒子層を形成する。 (もっと読む)


【課題】フレキシブル基板と接続可能な信頼性の高い回路基板を提供する。
【解決手段】基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層における高表面エネルギー状態の領域上に形成される複数の領域からなる第1の導電層と、前記第1の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上に形成される層間絶縁膜と、前記第1の導電層上に形成される第2の導電層とを有し、前記第2の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板の接続電極と接続される。 (もっと読む)


【課題】安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する表示パネルを供えた電子書籍を提供する。また、画像の保持特性の高い電子書籍を提供する。また、高解像度の電子書籍を提供する。また、消費電力の低い電子書籍を提供する。
【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体(ドナー)となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタによって、電子書籍の表示パネルの表示を制御するものである。 (もっと読む)


【課題】プロセスや部品の増加を招くことなく容易に赤外フィルタを形成可能であり、かつ電源投入時のキャリブレーション動作を要することなく、ノイズによる影響を小さくでき、受光システムのSN比を向上することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】第2基板32側から受光素子311へ入射する光の強度を検出する第1の光センサ部31と、第2基板側から受光素子へ入射する光路に赤外フィルタFLT321が配置された第2の光センサ部32と、第2基板に形成されて第2基板から入射する光を遮蔽するめの遮光マスクBMSK3と、を備え、遮光マスクには、第1の光センサ部の受光素子に光を導く第1の開口部および第2の光センサ部の受光素子に光を導く第2の開口部が形成され、赤外フィルタは、第2の開口部に、少なくとも2種類のカラーフィルタを遮光マスクより第1基板側に積層して形成されている。 (もっと読む)


【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態1に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板10の上に少なくともゲート電極11、ゲート絶縁層12、半導体層13、ソース電極14、ドレイン電極15及び保護層16を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層16が真空紫外光CVD法により形成されるものであり、ゲート絶縁層12の上の全面に保護層16となる膜を成膜する工程と、保護層と16なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極14とドレイン電極15の表面を露出させ保護層16のパターンを形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】液晶分子の応答伝播に要する時間の遅延を改善し、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1電極PEを含む第1基板101と、第1電極PEと対向した第2電極CEと、第2電極CE上に配置されたリブ104と、端部が第1電極PEと対向するように第2電極CE上に配置された絶縁層106と、を含む第2基板102と、第1基板101と第2基板102との間に挟持された液晶層LQと、を備え、第1電極PEは、その端縁から内側に延びる複数のスリットSLTを備え、スリットが延びる方向における第1電極PEの端縁とリブ104が配置された位置との間の領域において、絶縁層106の端部P2の位置と、スリットSLTが延びた先端P1の位置とが離間するように、絶縁層106と複数のスリットSLTとが配置されている液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。 (もっと読む)


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