【課題】 水分に対する高いガスバリア性を有するにもかかわらず、プラスチックフィルムが吸湿した含有水分の除去が容易であり、表示素子の表示性能の低下などの問題が生じにくい、表示素子などへの用途に適した透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】 基材プラスチックフィルムの一方の面にガスバリア機能層を有し、他方の面に透明導電層を有する透明導電性フィルムであって、前記ガスバリア機能層の水蒸気透過度を０．０１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下とし、前記透明導電層の水蒸気透過度を１．０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以上としたことを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明はアレイ基板及び液晶ディスプレイに関する。
【解決手段】本発明は、アレイ基板と液晶ディスプレイを開示している。このアレイ基板は、サブストレートと、前記サブストレートに形成された、横縦方向に交差して複数の画素ユニットを囲んで形成したデータライン及びゲートラインと、を備え、各画素ユニットは画素電極と薄膜トランジスタースイッチ素子とを備え、前記薄膜トランジスタースイッチ素子は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、活性層を備え、前記ゲート電極と活性層との間にゲート絶縁層が設けられ、前記ゲート絶縁層は不透明絶縁層を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、容易に形成することが可能であり、画素電極の断線が生じにくく、高品質なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板、これを用いた液晶表示装置、および上記カラーフィルタ付ＴＦＴ基板を、容易な工程で高いスループットで製造することができ、製造コストを削減することが可能なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成された複数のＴＦＴ素子と、上記基板上に形成された複数色の画素部と、上記画素部上に形成された画素電極と、上記画素部間に配置され、上記ＴＦＴ素子のドレイン電極と上記画素電極とを接続するためのコンタクトホールとを有し、上記コンタクトホール内には、上記ドレイン電極および上記画素電極の間に導電材料が配置されていることを特徴とするカラーフィルタ付ＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のＴＦＴアレイ基板１００においては、ＴＦＴ５１と、ソース電極５３及びドレイン電極５４、並びにソース電極５３及びドレイン電極５４と同一材料により同層に形成される金属パターン５の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン６と、透明導電膜パターン６上を含むゲート絶縁膜８上を覆う上層絶縁膜９を備え、少なくとも額縁領域４２に形成される透明導電膜パターン６は、ソース電極５３、ドレイン電極５４或いは金属パターン５のパターン端面を覆うことなく形成される。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く電気的特性に優れ、印刷法でも製造可能な金属酸化物半導体薄膜を提供する。更に、本発明は、該金属酸化物半導体薄膜の製造方法及び該金属酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物を含有する金属酸化物半導体薄膜であって、前記金属酸化物は、下記式（１）に規定する関係を満たすことを特徴とする金属酸化物半導体薄膜。
［数１］
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【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第１の支持体に移し替え、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】低コストで歩留りが良く生産性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の表示領域内にタッチパネル等のセンサーを組み込み後、インクジェット工法を用いてセンサー電極部に遮光層を形成するためのインクあふれ防止用堤防となる遮光層用バンクを形成する。該遮光層用バンクはセンサー電極周囲に有機絶縁着色層の積層にて形成され、かつ部分的には単層もしくは一層少なくすることにより、所定の間隔を空けた複数の切り欠きを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた液晶表示素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】前、後ガラス基板を接合する矩形枠状シール材３の奥側枠辺３０１にノズル部３０３が凸設され、このノズル部３０３に隣接させてトランスファ電極１４が設置され、且つ、ノズル部３０３を封止する封止材１５がノズル部３０３に充填されると共に隣設されたトランスファ電極１４を被着している。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】透明導電性が高く、透過光の色調がニュートラルであり、かつ耐屈曲性に優れたＣＮＴを導電膜とする透明導電積層体を提供する。
【解決手段】透明導電積層体１０３は、厚み２０〜１８８μｍの透明基材１０１の少なくとも片面上にカーボンナノチューブ導電膜１０２と透明保護膜とが透明基材側からこの順に設けられた透明導電積層体であって、前記透明保護膜の厚みが１０〜１２０ｎｍの範囲にあり、前記透明保護膜側の反射率曲線の極小値が２８０〜７００ｎｍの波長範囲にあり、かつ波長３８０〜７８０ｎｍにおける透明保護膜側の平均反射率が２．５％以下のものである。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、透明性、導電性、膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性、膜強度の劣化が少なく、安定性に優れ、かつ発光均一性の劣化が少なく発光寿命に優れる有機ＥＬ素子を与える透明電極を提供することにある。
【解決手段】基材上にパターン上に形成された金属材料からなる第１導電層と、導電性ポリマーを含有する第２導電層を有する透明導電膜において、前記第２導電層にオキサゾリン基を有する構造単位を含むバインダー樹脂を含有することを特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】製造時間を短縮できる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、第１基板、前記第１基板と対向する第２基板、前記第１基板及び前記第２基板のうちの一つ以上の基板に形成され、前記第１基板と前記第２基板との間に電界を形成する電極部、及び前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、内部に液晶が位置する一つ以上の液晶空間を含む液晶フィルムを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶化された半導体層内に残存する金属触媒の含有量を効果的に減少させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを備えた表示装置において、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に位置し、金属触媒を利用して結晶化された半導体層と、前記半導体層の上に絶縁配置されたゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置され、前記半導体層内で前記金属触媒より拡散係数が低い酸化金属で形成されたゲッター層とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。 （もっと読む）

【課題】高い溶解性を示し、加工性に優れたものであって、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜の材料として有用である導電性チエノピラジン共重合体組成物を提供する。
【解決手段】化学式(I)で表される繰り返し単位を有するチエノピラジン共重合体とドーパントとを含有する導電性チエノピラジン共重合体組成物。


[式(I)中、Ｒ^１及びＲ^２は夫々水素原子、アリール基、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｗ及びＹは夫々２価のチオフェン環、ｎ及びｍは０〜１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は夫々下記化学式(II)Ｒ^７−[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]_ｂ−(Ｘ^２)_ｃ−・・・（II）(式(II)中、Ｒ^７は水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｘ^１及びＸ^２は同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]は繰り返し単位毎にＸ^１と−(ＣＨ_２)_ａ−とが同一又は異なり、ａは１〜２０、ｂは０〜２０、ｃは０〜１)で示される側鎖基] （もっと読む）

【課題】汎用性の基体を使用し、透明性、導電性、膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性、膜強度の劣化が少ない透明電極用の分散液の調製方法、透明導電膜、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜の形成方法で形成された透明導電膜を用いた透明電極を有する有機ＥＬ素子の提供。
【解決手段】少なくとも導電性ポリマーと、前記一般式（Ｉ）、（II）で表わされる構造単位を有するポリマー（Ｋ）を含む分散液の調製方法であって、少なくとも前記導電性ポリマーと前記ポリマー（Ｋ）を含有する分散液を脱溶媒処理することを特徴とする分散液の調製方法。 （もっと読む）