液晶表示装置及び電子機器
【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素が配置された液晶表示装置であって、
前記画素は第1及び第2のスイッチと、第1乃至第3の液晶素子と、第1及び第2の容量素子と、を有し、
第1の配線と、前記第1の液晶素子の電極の一方及び第1の容量素子の端子の一方とが第1のスイッチを介して電気的に接続され、
第2の配線と、前記第2の液晶素子の電極の一方及び前記第2の容量素子の端子の一方は第2のスイッチを介して電気的に接続され、
前記第1の容量素子の端子の他方は前記第2の容量素子の端子の他方及び第3の液晶素子の一方に電気的に接続され、
前記第1乃至第3の液晶素子の電極の他方は共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項1】
画素が配置された液晶表示装置であって、
前記画素は第1及び第2のスイッチと、第1乃至第3の液晶素子と、第1及び第2の容量素子と、を有し、
第1の配線と、前記第1の液晶素子の電極の一方及び第1の容量素子の端子の一方とが第1のスイッチを介して電気的に接続され、
第2の配線と、前記第2の液晶素子の電極の一方及び前記第2の容量素子の端子の一方は第2のスイッチを介して電気的に接続され、
前記第1の容量素子の端子の他方は前記第2の容量素子の端子の他方及び第3の液晶素子の一方に電気的に接続され、
前記第1乃至第3の液晶素子の電極の他方は共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
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【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
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【図45】
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【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
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【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
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【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
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【図95】
【図96】
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【図98】
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【図100】
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【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
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【図117】
【図118】
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【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図125】
【図126】
【図127】
【図128】
【図129】
【図130】
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【図137】
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【図139】
【図140】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
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【図12】
【図13】
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【図20】
【図21】
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【図32】
【図33】
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【図36】
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【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
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【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図125】
【図126】
【図127】
【図128】
【図129】
【図130】
【図131】
【図132】
【図133】
【図134】
【図135】
【図136】
【図137】
【図138】
【図139】
【図140】
【公開番号】特開2012−150517(P2012−150517A)
【公開日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−103189(P2012−103189)
【出願日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【分割の表示】特願2007−133533(P2007−133533)の分割
【原出願日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【分割の表示】特願2007−133533(P2007−133533)の分割
【原出願日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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