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Fターム[2H092JB42]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | アクティブ基板の能動素子以外の構造 (19,547) | 素子の配置 (632) | 1つの画素電極に複数の能動素子 (430)

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【課題】各画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べて画素小型化を可能にすると共に、各画素内に2つのSRAMを用意した場合においた構成でも安定な動作を行う。
【解決手段】画素12Aは、列データ線dに出力されるデータがスイッチSW11によりサンプリングされてSRAM121に書き込まれる。画像表示部11を構成する全ての画素12AのSRAM121にデータが書き込まれる。その後、トリガパルスにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされ、SRAM121のデータがDRAM122を構成する容量C1に一斉に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加される。画素12Aは、7個のトランジスタと1つの容量C1とから構成されるため、少ない数の構成素子により画素を構成できると共に、SRAM121とDRAM122と反射電極PEとを、素子の高さ方向に有効に配置することで、画素の小型化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】トップゲート型の薄膜トランジスタのオフリーク電流を低減させ、表示品質を向上させることが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
ゲート線からの走査信号に同期しドレイン線からの映像信号を画素電極に出力する薄膜トランジスタが形成される第1基板を有する液晶表示装置であって、ゲート電極が半導体層よりも第1基板よりも遠い側に形成され、ドレイン電極がドレイン線に接続される第1の薄膜トランジスタと、第1の薄膜トランジスタと直列に接続され、ソース電極が画素電極に電気的に接続される第2の薄膜トランジスタと、半導体層と第1基板との間に形成され、第1基板側から入射されるバックライト光を遮光する遮光層とを備え、前記遮光層は、平面的に見て、第1の薄膜トランジスタと重畳して形成され、第1の薄膜トランジスタ側に入射するバックライト光を遮光すると共に、第2の薄膜トランジスタ側に入射するバックライト光は通過させる液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】表示装置において、近隣の他の配線に悪影響を与えることなく、配線の欠陥を修復することができるようにする。
【解決手段】表示装置の欠陥修正方法は、互いに隣接する2つの絵素電極31a,31bに挟まれた1つの隙間領域10において同一層内で互いに平行に延在する複数の配線11,12と、これらを覆うように設けられた上側絶縁層とを備える表示装置における、前記複数の配線のうちの第1配線の欠陥を修正する方法であって、前記欠陥としての断線箇所41を挟むように位置する第1,第2部位61,62において、前記上側絶縁層に第1,第2貫通孔63,64をそれぞれあける工程と、前記第1配線のうち第1貫通孔63内に露出した部分と前記第1配線のうち第2貫通孔64内に露出した部分とを電気的に接続するように、修復用導電膜54を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】1画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の副画素、第2の副画素及び第3の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第1の容量配線と、第2の容量配線と、第3の容量配線とを設け、第1の副画
素〜第3の副画素にそれぞれ、第1の容量素子〜第3の容量素子の一方の電極及び第1の
容量配線〜第3の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第1の容量配線及び第
2の容量配線の電位を変化させ、第3の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
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【課題】光学式ウォブリング方式による画像表示において、静止画像の長時間表示での焼き付きや液晶材料の信頼性低下のない画像表示装置を提供する。
【解決手段】元画像に対して複数のフィールド画像を生成するフィールド画像生成回路101と、複数のフィールド画像を垂直走査により表示する液晶表示素子21Rと、フィールド画像Wに対応した信号電圧を液晶表示素子21Rへ供給する信号電圧供給部108と、液晶表示素子21Rで表示されるフィールド画像に対応して液晶表示素子21Rからの変調光の光路をシフトする光路シフト素子30と、垂直走査期間毎に信号電圧の極性を反転する極性反転部107と、垂直走査期間毎にフィールド画像を切り替え、且つ極性反転周期の正の整数倍で規定される切り替え期間毎にフィールド画像の表示順序を切り替えるフィールド画像切り替え部106とを備える。 (もっと読む)


【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。 (もっと読む)


【課題】TFTの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するTFTと、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第1の半導体膜と、第1の半導体膜上に形成された一対の第2の半導体膜とを有し、一対の第2の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第1の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】動作速度を向上させる。
【解決手段】第1のソース及び第1のドレインの一方に画像信号線を介して画像信号が入力され、第1のゲートに第1の走査信号線を介して第1の走査信号が入力される第1のトランジスタ101と、2つの電極のうちの一方の電極が第1のトランジスタの第1のソース及び第1のドレインの他方に電気的に接続される容量素子102と、第2のソース及び第2のドレインの一方が第1のトランジスタ101の第1のソース及び第1のドレインの他方に電気的に接続され、第2のゲートに第2の走査信号線を介して第2の走査信号が入力される第2のトランジスタ103と、第1の電極が第2のトランジスタの第2のソース及び第2のドレインの他方に電気的に接続される液晶素子104と、を備え、画像信号線としての機能を有する導電層及び第2の走査信号が入力される走査信号線としての機能を有する導電層は、互いに離間し、且つ並置されている。 (もっと読む)


【課題】TFTをそれぞれ有する複数の画素からなる画素アレイにおいて、画素の電気的特性に影響を及ぼすことなく、容易に高密度化することが可能な画素アレイを提供する。
【解決手段】複数の画素を有する画素アレイにおいて、隣接する所定数の画素にそれぞれ設けられたTFTは互いに近接配置され、該TFTの半導体膜は近接する複数のTFTに渡って連続して形成される。画素アレイは、同一の列に配列された複数の画素にそれぞれ設けられたTFTに接続され、該TFTに信号を供給、または該TFTから信号を読み出す列信号線と、複数の画素の隣接する行間に設けられ、TFTをオフ状態にしうる電圧信号が印加された行共通線と、を有する。半導体膜が連続して形成された複数のTFTのうち、行方向に近接配置される各TFTは、2本の列信号線を挟んで近接配置されており、列方向に近接配置される各TFTは、行共通線を挟んで近接配置されている。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の周囲が薄暗い環境であっても、表示された画像が良好に認識でき
る液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、外光を照明光源とする反射モー
ドと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装
置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶層を介して入射する光を反射する画素と、透光性を有する画素を対にし
て複数設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両
モードでの画像表示をすればよい。また、光を反射する画素と、透光性を有する画素をそ
れぞれ独立した信号線駆動回路と接続すればよい。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く生産性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、主基板と、光制御層と、を含む表示装置が提供される。光制御層は、主基板と積層される。主基板は、主基体上に設けられた波長選択透過層と、回路層と、を有する。波長選択透過層は、下側反射層と、下側反射層の上に設けられた上側反射層と、下側反射層と上側反射層との間に設けられた第1スペーサ層及び第2スペーサ層を含む。第2スペーサ層の厚さは第1スペーサ層とは異なる。回路層は、主基体の主面に対して垂直な第1方向に沿って見たときに第1、第2スペーサ層と重なる部分を有する第1、第2画素電極を含む。 (もっと読む)


【課題】2D映像と3D映像を選択的に実現することができる映像表示装置を提供する。
【解決手段】映像表示装置は複数のピクセル(PIX)を含み2Dモードと3Dモードで動作する表示パネルと表示パネルからの光を第1及び第2偏光の光で分割するパターンドリターダと、オフレベルで第1直流制御電圧を発生しオフレベルより高く完全オンレベルより低い不完全オンレベルで第2直流制御電圧を発生し、駆動モードによって第1及び第2直流制御電圧を選択的に出力する制御電圧発生部を備え、ピクセルそれぞれはミラータイプで垂直配置された上部及び下部表示部(UDIS、LDIS)を備え、上部表示部は隣合う上部メイン表示部(UMP)と上部補助表示部(USP)を含み、下部表示部は隣合う下部メイン表示部(LMP)と下部補助表示部(LSP)を含み、上部メイン表示部と下部メイン表示部の間には上部補助表示部と下部補助表示部が隣合って配置される。 (もっと読む)


【課題】画像信号の入力頻度の向上を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御する。そのため、当該液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】残像(混色)現象を解消することで表示品質を向上でき、また動画表示の品質を改善する。
【解決手段】画素部内の全ての画素14内の転送容量Ctに全画面の画素データが保持された直後に、リセット電圧制御用配線rstを介して印加されるリセット電圧によりトランジスタTr3をオンとし、リセット電圧設定用配線rsvを介して供給される黒側電圧を配線容量Cpに供給して保持させる。黒側電圧が配線容量Cpに保持された期間後で、トランジスタTr3がオフとされ、かつ、次の画面の画素データが複数の列信号線に供給される前の時間内に、画素選択信号用配線triを介して供給される画素選択信号によりトランジスタTr2がオンとされて、画素部内の全ての画素14内の転送容量Ctに保持されていた全画面の画素データを配線容量Cpに一括転送して保持させると共に画素電極PEに印加する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、3分割以上の分割構造を実現することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、複数の画素と、各画素に関連付けられた、TFT(TFT−A、B、C)と、ソースバスラインと、ゲートバスラインと、CSバスライン(CS−A、B)とを有する。各画素は、それぞれが互いに異なる電圧を保持し得る液晶容量を有する少なくとも3つの副画素(SP−A、B、C)を有し、2つの副画素は、2つのCSバスライン(CS−A、B)のいずれか一方に接続された補助容量を有し、1つの副画素は、ゲートバスラインに接続された補助容量を有する。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】フレーム周波数の変化に対応させて、開口率を低減させることなく画素内に所望
の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び2つの容量素子を各画素に
有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の
開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に
依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内
の保持容量の大きさを変化させる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜とゲート絶縁膜を介して重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜に接し、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを備えるトランジスタであり、下地絶縁膜は、酸化物半導体膜と一部接する第1の酸化絶縁膜と、当該第1の酸化絶縁膜の周囲に設けられる第2の酸化絶縁膜とを有し、トランジスタのチャネル幅方向と交差する酸化物半導体膜の端部は、第2の酸化絶縁膜上に位置するものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半透過半反射型アレイ基板及び半透過半反射型液晶ディスプレーを提供する。
【解決手段】前記アレイ基板は複数の画素ユニットを有する。各画素ユニットは、ベース基板に設けられる反射電極及び透過電極と、前記ベース基板に設けられ、光線が前記ベース基板から前記反射電極と前記透過電極との間に透過することを遮断し、前記反射電極と前記透過電極との間であって前記反射電極及び前記透過電極の下方に設けられる不透明なゲートラインと、ゲート電極が前記ゲートラインに電気的に接続される薄膜トランジスタとを備える。 (もっと読む)


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