薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置
【課題】薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置に関し、特に、薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）は多様な分野に利用されており、特に液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）及び電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板表示装置でスイッチング及び駆動素子として利用されている。
【０００３】
薄膜トランジスタは、走査信号を伝達するゲート線に接続されるゲート電極、画素電極に印加される信号を伝達するデータ線に接続されるソース電極、ソース電極と対向するドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極に電気的に接続される半導体、並びにゲート電極と半導体の間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。
【０００４】
このうちの半導体及びゲート絶縁膜は、薄膜トランジスタの特性を決定する重要な要素である。半導体としてはケイ素（Ｓｉ）が主に用いられ、ゲート絶縁膜としては酸化ケイ素または酸化窒素などが多く用いられているが、それらは高性能薄膜トランジスタを製作するのに限界があり、製造費用が高く、工程が複雑であるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の薄膜トランジスタにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。
【０００７】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及び亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）よりなる群の中から選択される一つを共通して含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つをさらに含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、前記各々の酸化物のセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部（ａｔｏｍｉｃ ｐａｒｔｓ）に対してそれぞれ、０〜５０原子部、０〜８０原子部、及び０〜１００原子部の含有量で含まれることが好ましい。
前記第２金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、前記選択される酸化物のそれぞれのセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部に対してそれぞれ、５０原子部以上、８０原子部以上、及び１００原子部以上の含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物で互いに異なる含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物に含まれる前記金属の含有量より少ないことが好ましい。
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との間に無機物質を含む補助層をさらに有することが好ましい。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極と重畳する位置に半導体を形成する段階と、前記ゲート電極を形成する段階と前記半導体を形成する段階との間にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記半導体と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する段階とを有し、前記半導体を形成する段階と前記ゲート絶縁膜を形成する段階のそれぞれは、第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体を溶液工程により形成する段階を含み、前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。
【０００９】
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、錫（Ｓｎ）含有化合物、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを共通して含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを含有する化合物をさらに含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ０〜５０原子部、０〜８０原子部、又は０〜１００原子部の含有量で含まれることが好ましい。
前記第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ５０原子部以上、８０原子部以上、又は１００原子部以上の含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体で互いに異なる含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量より少ないことが好ましい。
前記半導体を形成する段階は、前記第１金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、前記第１金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含み、前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記第２金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、前記第２金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含むことが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、上記の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置によれば、ゲート絶縁膜及び半導体を全て溶液工程により形成することができるので、化学気相蒸着方法またはスパッタリングのような高価の費用及び複雑な工程が要求される方法を使用しなくても、高性能の薄膜トランジスタを製作することができ、薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図６】本発明の実施例によって製造された金属酸化物前駆体から形成されたゲート絶縁膜の絶縁特性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例によって製造された金属酸化物前駆体から形成されたゲート絶縁膜の絶縁特性を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例による薄膜トランジスタの電流特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明に係る薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるという場合、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるという場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００１５】
最初に、図１を参照して、本発明の第１の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【００１６】
図１を参照すると、本実施形態は、ボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）構造の薄膜トランジスタで、基板１１０の上にゲート電極１２４、ゲート絶縁膜１４０、半導体１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００１７】
基板１１０は、ガラス、高分子、またはシリコンウエハなどとすることができ、ゲート電極１２４は基板の一方向に沿って延びたゲート線（図示せず）と接続されている。ゲート電極１２４と重畳する位置に半導体１５４が形成されており、ゲート電極１２４と半導体１５４との間には基板全面を覆うゲート絶縁膜１４０が形成されている。半導体１５４の上には電圧の印加時に半導体１５４と電気的に接続するソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成されている。
【００１８】
以下、半導体１５４及びゲート絶縁膜１４０について説明する。
半導体１５４は、第１金属酸化物で形成され、ゲート絶縁膜１４０は第２金属酸化物で形成されている。
【００１９】
第１金属酸化物及び第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含む。ここで、金属は、金属と半金属を全て含むもので、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、またはこれらの組み合わせとすることができる。つまり、第１金属酸化物及び第２金属酸化物は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及び亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）よりなる群の中から選択される一つを共通して含むことができる。
【００２０】
また、第１金属酸化物及び第２金属酸化物のうちの少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つをさらに含むことができる。これらは、第１金属酸化物及び／または第２金属酸化物に含まれて、しきい電圧などのような薄膜トランジスタ特性を改善することができる。
【００２１】
例えば、第１金属酸化物及び第２金属酸化物は、共通的にインジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）を含有するインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）とすることができ、ここにセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはケイ素（Ｓｉ）をそれぞれ独立的に含むセリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、またはケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）とすることができる。
【００２２】
セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）の場合、セリウム（Ｃｅ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約０〜５０原子部の含有量で含まれる場合、半導体特性を有することができ、セリウム（Ｃｅ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約５０原子部以上の含有量で含まれる場合、絶縁性を有することができる。
【００２３】
ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）の場合、ハフニウム（Ｈｆ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約０〜８０原子部の含有量で含まれる場合、半導体特性を有することができ、ハフニウム（Ｈｆ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約８０原子部以上の含有量で含まれる場合、絶縁性を有することができる。
【００２４】
ケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）の場合、ケイ素（Ｓｉ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約０〜１００原子部の含有量で含まれる場合、半導体特性を有することができ、ケイ素（Ｓｉ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約１００原子部以上の含有量で含まれる場合、絶縁性を有することができる。
【００２５】
上記のように、半導体及びゲート絶縁膜は一つ以上の金属を共通的に含む金属酸化物で形成される一方、各金属酸化物の金属元素の比率、酸素分率などを異なるようにして、それぞれ半導体特性及び絶縁特性を有することができる。
この時、半導体及びゲート絶縁膜に共通して含まれる金属の含有量は互いに異なることができる。例えば、半導体及びゲート絶縁膜に共通して含まれる金属の含有量は、半導体に含まれる金属の含有量がゲート絶縁膜に含まれる金属の含有量より少ないことができる。
【００２６】
このように、半導体及びゲート絶縁膜を同種系の金属酸化物で形成することによって、半導体とゲート絶縁膜との間の界面（Ａ）における異質性を減少することができ、そのために薄膜トランジスタのチャネル領域で電荷の損失を減らして、薄膜トランジスタの特性を改善することができる。
【００２７】
次に、上述した薄膜トランジスタの製造方法について、図１を参照して説明する。
最初に、基板１１０の上に導電体を積層してフォトエッチングし、ゲート電極１２４を含むゲート線（図示せず）を形成する。次に、ゲート電極１２４の上にゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４を順次に形成し、その上に導電体を積層してフォトエッチングし、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５を形成する。
【００２８】
ここで、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４はそれぞれ金属酸化物前駆体を使用した溶液工程により形成することができる。
この時、半導体形成用金属酸化物前駆体（以下、‘金属酸化物前駆体’という）及びゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体（以下、‘金属酸化物前駆体’という）は、一つ以上の金属を共通して含むことができる。
【００２９】
第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、例えば、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、錫（Ｓｎ）含有化合物、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを共通して含むことができる。
インジウム含有化合物は、インジウム塩、水酸化インジウム、インジウムアルコキシド、及びこれらの水和物よりよりなる群の中から選択される少なくとも一つとすることができるが、これに限定されることではない。
【００３０】
塩は、例えば、アセテート（ａｃｅｔａｔｅ）、カルボニル（ｃａｒｂｏｎｙｌ）、炭酸塩（ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、硝酸塩（ｎｉｔｒａｔｅ）、硫酸塩（ｓｕｌｆａｔｅ）、燐酸塩（ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、及び塩化塩（ｈａｌｉｄｅ）などとすることができる。インジウム含有化合物の例としては、インジウムアセチルアセトネート（ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔｙｌ ａｃｅｔｏｎａｔｅ）、酢酸インジウム（ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）、塩化インジウム（ｉｎｄｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、インジウムイソプロポキシド（ｉｎｄｉｕｍ ｉｓｏｐｒｏｐｏｘｉｄｅ）、及びこれらの水和物を挙げることができる。
【００３１】
亜鉛含有化合物は、亜鉛塩、水酸化亜鉛、亜鉛アルコキシド、及びこれらの水和物よりなる群の中から選択される少なくとも一つとすることができるが、これに限定されることではない。亜鉛含有化合物の例としては、酢酸亜鉛（ｚｉｎｃ ａｃｅｔａｔｅ、Ｚｎ（ＣＨ３ＣＯＯ）２）、亜鉛硝酸塩（ｚｉｎｃ ｎｉｔｒａｔｅ）、亜鉛アセチルアセトネート（ｚｉｎｃ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化亜鉛（Ｚｉｎｃ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、及びこれらの水和物を挙げることができる。
【００３２】
錫含有化合物は、錫塩、水酸化錫、錫アルコキシド、及びこれらの水和物よりなる群の中から選択される少なくとも一つとすることができるが、これに限定されることではない。錫含有化合物の例としては、錫アセテート（ｔｉｎ ａｃｅｔａｔｅ、Ｓｎ（ＣＨ３ＣＯＯ）２）、錫硝酸塩（ｔｉｎ ｎｉｔｒａｔｅ）、錫アセチルアセトネート（ｔｉｎ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化錫（ｔｉｎ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、及びこれらの水和物を挙げることができる。
【００３３】
亜鉛含有化合物、インジウム含有化合物、及び錫含有化合物は、多様に組み合わせて使用することができる。
【００３４】
第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、上述した金属以外に、他の金属または半金属を含む化合物をさらに含むことができる。このような金属または半金属としては、セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせがあり、これらを含む化合物は、例えば、ハロゲン化物、アセテート化合物、カルボニル化合物、カーボネート化合物、窒化物化合物、またはアルコキシド化合物などの形態で導入することができる。
【００３５】
これらは、金属酸化物前駆体から製造された金属酸化物が薄膜トランジスタに適用された場合、しきい電圧を調節する因子として作用するもので、薄膜トランジスタの特性を改善することができる。
上述した金属含有化合物は、金属酸化物前駆体の総含有量に対してそれぞれ約０．０１〜３０重量％で含まれることができる。各成分が上記範囲で含まれる場合、溶解度を確保できる。
【００３６】
金属酸化物前駆体溶液は、溶液安定化剤をさらに含むことができる。溶液安定化剤は、アルコールアミン化合物、アルキルアンモニウムヒドロキシ化合物、アルキルアミン化合物、ケトン化合物、酸化合物、塩基化合物、及び脱イオン水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）などよりなる群の中から選択される少なくとも一つを含むことができ、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−メチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、ジエチレングリコールアミン、２−（アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−ｔ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチルジエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルアミン、エチルアミン、アセチルアセトン、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウムより選択された少なくとも一つを含むことができる。
【００３７】
溶液安定化剤は、金属酸化物前駆体溶液に含まれて、他の成分の溶解度を高めることができ、これによって均一の薄膜を形成することができる。溶液安定化剤は、上述した他の成分の種類及び含有量によって含有量が変わり、前駆体溶液の総含有量に対して約０．０１〜３０重量％で含まれることができる。溶液安定化剤が前記範囲で含まれる場合、溶解度及び薄膜コーティング性を高めることができる。
【００３８】
上述した金属含有化合物及び溶液安定化剤は、溶媒に混合されて、金属酸化物前駆体に製造される。この時、金属含有化合物が二つ以上の場合、これらはそれぞれ溶媒に混合された溶液に製造した後、これらを混合することもでき、一つの溶媒に共に混合して製造することも可能である。溶液安定化剤は、各成分の溶液にそれぞれ添加することもでき、各溶液を混合した後に添加することも可能である。例えば、酢酸亜鉛とインジウムアセチルアセトネートをそれぞれの溶媒に混合して、酢酸亜鉛溶液及びインジウムアセチルアセトネート溶液をそれぞれ製造し、これらを混合した後、ここに塩化ハフニウムまたは塩化ハフニウムを含む溶液を添加して、金属酸化物前駆体を製造することができる。
【００３９】
ここで、溶媒は、上述した成分を溶解できれば、特に限定されず、例えば、脱イオン水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−プロポキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、酢酸エチル、ブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル、メチルメトキシプロピオン酸、エチルエトキシプロピオン酸、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールメチルアセテート、ジエチレングリコール酢酸エチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグライム、テトラハイドロフラン、アセチルアセトン、及びアセトニトリルよりなる群の中から選択される少なくとも一つを含むことができる。
溶媒は、金属前駆体の総含有量に対して、上述した成分を除いた残量で含まれることができる。
【００４０】
ゲート絶縁膜を形成する段階は、上述した第２金属酸化物前駆体を基板に適用（形成）した後、これを熱処理して、金属酸化物を含むゲート絶縁膜に形成することができる。
半導体を形成する段階は、上述した第１金属酸化物前駆体をゲート絶縁膜上に適用（形成）した後、これを熱処理して、金属酸化物を含む半導体に形成することができる。
この時、第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体を適用（形成）する段階は、上述した金属酸化物前駆体をスピンコーティング、スリットコーティング、インクジェット印刷、噴霧（ｓｐｒａｙ）、または浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）などの方法により基板上に適用（形成）することができる。
【００４１】
次に、基板に適用された金属酸化物前駆体を熱処理して金属酸化物に成長させる。熱処理は、比較的低い温度でプリベーク（ｐｒｅｂａｋｅ）して、溶媒を所定程度除去した後に、高温で熱処理を行う。この時、熱処理温度は約３００〜６００℃とすることができる。
【００４２】
このように本実施形態による薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜及び半導体を全て溶液工程により形成することができるので、化学気相蒸着方法またはスパッタリングのような高価の費用及び複雑な工程が要求される方法を使用しなくても、高性能の薄膜トランジスタを製作することができる。
【００４３】
以下、図２を参照して、本発明の第２の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図２は、本発明の第２の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
図２を参照すると、本実施形態による薄膜トランジスタは、基板１１０の上にゲート電極１２４が形成され、ゲート電極１２４の上に補助層１３０が形成されている。補助層１３０の上にはゲート絶縁膜１４０、半導体１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００４４】
本実施形態は、上述した実施形態とは異なって、ゲート絶縁膜１４０の下部に補助層１３０をさらに含む。補助層１３０は、無機絶縁物質で形成することができ、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素などを挙げることができる。
補助層１３０は、ゲート電極１２４による段差を減らして、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４を溶液工程により形成する際に、均一に形成できるようにする。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成でき、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００４５】
以下、図３及び図４を参照して、本発明の第３及び第４の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図３及び図４は、それぞれ本発明の第３及び第４の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【００４６】
最初に、図３を参照すると、第３の実施形態による薄膜トランジスタは、基板１１０の上にゲート電極１２４、ゲート絶縁膜１４０、及び半導体１５４が順次に形成され、半導体１５４の上にエッチング防止膜（ｅｔｃｈ ｓｔｏｐｐｅｒ）１６０が形成され、半導体１５４及びエッチング防止膜１６０の上にソース電極１７３及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００４７】
本実施形態は、上述した実施形態とは異なって、半導体１５４の上部にエッチング防止膜１６０をさらに含む。エッチング防止膜１６０は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４のチャネル領域が損傷することを防止して、薄膜トランジスタ特性が低下することを防止できる。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成でき、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００４８】
次に、図４を参照すると、第４の実施形態による薄膜トランジスタは、基板１１０の上にゲート電極１２４、補助層１３０、ゲート絶縁膜１４０、半導体１５４が順次に形成され、半導体１５４の上にエッチング防止膜１６０が形成され、半導体１５４及びエッチング防止膜１６０の上にソース電極１７３及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００４９】
本実施形態による薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜１４０の下部に補助層１３０をさらに含み、半導体１５４の上部にエッチング防止膜１６０をさらに含む。したがって、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４を溶液工程により形成する時に、段差を減らし、膜の厚さの均一性を高めることができ、半導体１５４のチャネル領域が損傷することを防止して、薄膜トランジスタの特性が低下することを防止できる。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成することができ、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００５０】
以下、図５を参照して、本発明の第５の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図５は、本発明の第５の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
図５を参照すると、本実施形態は、トップゲート（ｔｏｐ ｇａｔｅ）構造の薄膜トランジスタで、基板１１０の上に互いに対向するソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成されており、その上にソース電極１７３及びドレイン電極１７５と一部重畳する半導体１５４が形成されている。半導体１５４の上にゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体１５４と重畳する位置にゲート電極１２４が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成することができ、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００５１】
上述した多様な実施形態による薄膜トランジスタは、表示装置においてスイッチング素子及び／または駆動素子として用いることができる。ここで、表示装置は、液晶表示装置、有機発光表示装置、電気泳動表示装置、及びこれらと類似する装置を全て含むことができる。
以下、実施例を通じて、本発明についてより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明を目的とするものであり、本発明の範囲を制限することではない。
【実施例】
【００５２】
［半導体用金属酸化物前駆体の製造］
硝酸インジウム及び酢酸亜鉛を、インジウム（Ｉｎ）：亜鉛（Ｚｎ）＝３：１のモル比となるように２−メトキシエタノールで溶解して約０．２Ｍの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、半導体用金属酸化物前駆体を製造する。
【００５３】
［ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体の製造−１］
硝酸インジウム、酢酸亜鉛、及びセリウムエトキシド（Ｃｅ ｅｔｈｏｘｉｄｅ）を、インジウム（Ｉｎ）：亜鉛（Ｚｎ）：セリウム（Ｃｅ）＝３：１：０．５のモル比となるように、２−メトキシエタノールで溶解して約０．２Ｍの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体１を製造する。
【００５４】
［ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体の製造−２］
硝酸インジウム、酢酸亜鉛、及びセリウムエトキシド（Ｃｅ ｅｔｈｏｘｉｄｅ）を、インジウム（Ｉｎ）：亜鉛（Ｚｎ）：セリウム（Ｃｅ）＝３：１：２のモル比となるように、２−メトキシエタノールで溶解して約０．２Ｍの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体２を製造する。
【００５５】
［薄膜トランジスタの製作］
ガラス基板上にスパッタリング方法によりモリブデン２０００Åを形成した後、フォトエッチングして、ゲート電極を形成する。次に、化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法により窒化ケイ素を４０００Å蒸着した後、その上に上記で製造されたゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体２を５００〜３０００ＲＰＭの速度でスピンコーティングする。次に、３００℃で３０分間１次熱処理して、溶媒を所定程度除去した後に、４５０℃で３時間２次熱処理して、ゲート絶縁膜を形成する。
【００５６】
次に、上記で製造された半導体用金属酸化物前駆体を３０００ＲＰＭの速度でスピンコーティングした後、３００℃で３０分間１次熱処理及び４５０℃で３時間２次熱処理して、半導体膜を形成する。
次に、半導体膜をパターニングした後、その上に化学気相蒸着方法により酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を２０００Å蒸着し、パターニングして、エッチング防止膜を形成する。次に、スパッタリング方法によりモリブデン２０００Åを形成した後、フォトエッチングして、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
【００５７】
［絶縁特性確認］
上記で製造したゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体の絶縁特性を確認するために、シリコンウエハの上に金属酸化物前駆体１及び２をそれぞれ５００ｒｐｍ速度でスピンコーティングして薄膜を形成する。
これについて、図６及び図７を参照して説明する。
【００５８】
図６及び図７は、それぞれ本発明の実施例によって製造された金属酸化物前駆体から形成されたゲート絶縁膜の絶縁特性を示すグラフである。
図６及び図７を参照すると、絶縁破壊電界（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｆｉｅｌｄ）は１ｅ−６Ａを基準として４．５ＭＶ／ｃｍであり、一定の電界下で低い電流密度を維持し、キャパシタンス特性も良好で、絶縁特性を示すことが分かる。
【００５９】
［薄膜トランジスタ特性］
上記で製作された薄膜トランジスタの電流特性を測定する。
図８は、本発明の実施例による薄膜トランジスタの電流特性を示すグラフである。
図８を参照すると、実施例による薄膜トランジスタは、ターンオン電圧が０．２Ｖであり、サブスレッショルドスロープ（ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｓｌｏｐ）が０．５Ｖ／ｄｅｃを示し、Ｉｏｎ／ｏｆｆが１×１０７以上の高い電流特性を示すことが分かる。これから、実施例による薄膜トランジスタは優れた特性を有することを確認した。
【００６０】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１１０ 基板
１２４ ゲート電極
１３０ 補助層
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ 半導体
１６０ エッチング防止膜
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
Ａ チャネル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置に関し、特に、薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）は多様な分野に利用されており、特に液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）及び電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板表示装置でスイッチング及び駆動素子として利用されている。
【０００３】
薄膜トランジスタは、走査信号を伝達するゲート線に接続されるゲート電極、画素電極に印加される信号を伝達するデータ線に接続されるソース電極、ソース電極と対向するドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極に電気的に接続される半導体、並びにゲート電極と半導体の間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。
【０００４】
このうちの半導体及びゲート絶縁膜は、薄膜トランジスタの特性を決定する重要な要素である。半導体としてはケイ素（Ｓｉ）が主に用いられ、ゲート絶縁膜としては酸化ケイ素または酸化窒素などが多く用いられているが、それらは高性能薄膜トランジスタを製作するのに限界があり、製造費用が高く、工程が複雑であるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の薄膜トランジスタにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。
【０００７】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及び亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）よりなる群の中から選択される一つを共通して含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つをさらに含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、前記各々の酸化物のセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部（ａｔｏｍｉｃ ｐａｒｔｓ）に対してそれぞれ、０〜５０原子部、０〜８０原子部、及び０〜１００原子部の含有量で含まれることが好ましい。
前記第２金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、前記選択される酸化物のそれぞれのセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部に対してそれぞれ、５０原子部以上、８０原子部以上、及び１００原子部以上の含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物で互いに異なる含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物に含まれる前記金属の含有量より少ないことが好ましい。
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との間に無機物質を含む補助層をさらに有することが好ましい。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極と重畳する位置に半導体を形成する段階と、前記ゲート電極を形成する段階と前記半導体を形成する段階との間にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記半導体と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する段階とを有し、前記半導体を形成する段階と前記ゲート絶縁膜を形成する段階のそれぞれは、第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体を溶液工程により形成する段階を含み、前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする。
【０００９】
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、錫（Ｓｎ）含有化合物、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを共通して含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを含有する化合物をさらに含むことが好ましい。
前記第１金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ０〜５０原子部、０〜８０原子部、又は０〜１００原子部の含有量で含まれることが好ましい。
前記第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ５０原子部以上、８０原子部以上、又は１００原子部以上の含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体で互いに異なる含有量で含まれることが好ましい。
前記第１金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量より少ないことが好ましい。
前記半導体を形成する段階は、前記第１金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、前記第１金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含み、前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記第２金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、前記第２金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含むことが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、上記の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置によれば、ゲート絶縁膜及び半導体を全て溶液工程により形成することができるので、化学気相蒸着方法またはスパッタリングのような高価の費用及び複雑な工程が要求される方法を使用しなくても、高性能の薄膜トランジスタを製作することができ、薄膜トランジスタの特性を改善し、しかも工程を単純化できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図６】本発明の実施例によって製造された金属酸化物前駆体から形成されたゲート絶縁膜の絶縁特性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例によって製造された金属酸化物前駆体から形成されたゲート絶縁膜の絶縁特性を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例による薄膜トランジスタの電流特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明に係る薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるという場合、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるという場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００１５】
最初に、図１を参照して、本発明の第１の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【００１６】
図１を参照すると、本実施形態は、ボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）構造の薄膜トランジスタで、基板１１０の上にゲート電極１２４、ゲート絶縁膜１４０、半導体１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００１７】
基板１１０は、ガラス、高分子、またはシリコンウエハなどとすることができ、ゲート電極１２４は基板の一方向に沿って延びたゲート線（図示せず）と接続されている。ゲート電極１２４と重畳する位置に半導体１５４が形成されており、ゲート電極１２４と半導体１５４との間には基板全面を覆うゲート絶縁膜１４０が形成されている。半導体１５４の上には電圧の印加時に半導体１５４と電気的に接続するソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成されている。
【００１８】
以下、半導体１５４及びゲート絶縁膜１４０について説明する。
半導体１５４は、第１金属酸化物で形成され、ゲート絶縁膜１４０は第２金属酸化物で形成されている。
【００１９】
第１金属酸化物及び第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含む。ここで、金属は、金属と半金属を全て含むもので、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、またはこれらの組み合わせとすることができる。つまり、第１金属酸化物及び第２金属酸化物は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及び亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）よりなる群の中から選択される一つを共通して含むことができる。
【００２０】
また、第１金属酸化物及び第２金属酸化物のうちの少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つをさらに含むことができる。これらは、第１金属酸化物及び／または第２金属酸化物に含まれて、しきい電圧などのような薄膜トランジスタ特性を改善することができる。
【００２１】
例えば、第１金属酸化物及び第２金属酸化物は、共通的にインジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）を含有するインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）とすることができ、ここにセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはケイ素（Ｓｉ）をそれぞれ独立的に含むセリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、またはケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）とすることができる。
【００２２】
セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）の場合、セリウム（Ｃｅ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約０〜５０原子部の含有量で含まれる場合、半導体特性を有することができ、セリウム（Ｃｅ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約５０原子部以上の含有量で含まれる場合、絶縁性を有することができる。
【００２３】
ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）の場合、ハフニウム（Ｈｆ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約０〜８０原子部の含有量で含まれる場合、半導体特性を有することができ、ハフニウム（Ｈｆ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約８０原子部以上の含有量で含まれる場合、絶縁性を有することができる。
【００２４】
ケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）の場合、ケイ素（Ｓｉ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約０〜１００原子部の含有量で含まれる場合、半導体特性を有することができ、ケイ素（Ｓｉ）が亜鉛（Ｚｎ）１００原子部に対して約１００原子部以上の含有量で含まれる場合、絶縁性を有することができる。
【００２５】
上記のように、半導体及びゲート絶縁膜は一つ以上の金属を共通的に含む金属酸化物で形成される一方、各金属酸化物の金属元素の比率、酸素分率などを異なるようにして、それぞれ半導体特性及び絶縁特性を有することができる。
この時、半導体及びゲート絶縁膜に共通して含まれる金属の含有量は互いに異なることができる。例えば、半導体及びゲート絶縁膜に共通して含まれる金属の含有量は、半導体に含まれる金属の含有量がゲート絶縁膜に含まれる金属の含有量より少ないことができる。
【００２６】
このように、半導体及びゲート絶縁膜を同種系の金属酸化物で形成することによって、半導体とゲート絶縁膜との間の界面（Ａ）における異質性を減少することができ、そのために薄膜トランジスタのチャネル領域で電荷の損失を減らして、薄膜トランジスタの特性を改善することができる。
【００２７】
次に、上述した薄膜トランジスタの製造方法について、図１を参照して説明する。
最初に、基板１１０の上に導電体を積層してフォトエッチングし、ゲート電極１２４を含むゲート線（図示せず）を形成する。次に、ゲート電極１２４の上にゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４を順次に形成し、その上に導電体を積層してフォトエッチングし、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５を形成する。
【００２８】
ここで、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４はそれぞれ金属酸化物前駆体を使用した溶液工程により形成することができる。
この時、半導体形成用金属酸化物前駆体（以下、‘金属酸化物前駆体’という）及びゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体（以下、‘金属酸化物前駆体’という）は、一つ以上の金属を共通して含むことができる。
【００２９】
第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、例えば、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、錫（Ｓｎ）含有化合物、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを共通して含むことができる。
インジウム含有化合物は、インジウム塩、水酸化インジウム、インジウムアルコキシド、及びこれらの水和物よりよりなる群の中から選択される少なくとも一つとすることができるが、これに限定されることではない。
【００３０】
塩は、例えば、アセテート（ａｃｅｔａｔｅ）、カルボニル（ｃａｒｂｏｎｙｌ）、炭酸塩（ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、硝酸塩（ｎｉｔｒａｔｅ）、硫酸塩（ｓｕｌｆａｔｅ）、燐酸塩（ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、及び塩化塩（ｈａｌｉｄｅ）などとすることができる。インジウム含有化合物の例としては、インジウムアセチルアセトネート（ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔｙｌ ａｃｅｔｏｎａｔｅ）、酢酸インジウム（ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）、塩化インジウム（ｉｎｄｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、インジウムイソプロポキシド（ｉｎｄｉｕｍ ｉｓｏｐｒｏｐｏｘｉｄｅ）、及びこれらの水和物を挙げることができる。
【００３１】
亜鉛含有化合物は、亜鉛塩、水酸化亜鉛、亜鉛アルコキシド、及びこれらの水和物よりなる群の中から選択される少なくとも一つとすることができるが、これに限定されることではない。亜鉛含有化合物の例としては、酢酸亜鉛（ｚｉｎｃ ａｃｅｔａｔｅ、Ｚｎ（ＣＨ３ＣＯＯ）２）、亜鉛硝酸塩（ｚｉｎｃ ｎｉｔｒａｔｅ）、亜鉛アセチルアセトネート（ｚｉｎｃ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化亜鉛（Ｚｉｎｃ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、及びこれらの水和物を挙げることができる。
【００３２】
錫含有化合物は、錫塩、水酸化錫、錫アルコキシド、及びこれらの水和物よりなる群の中から選択される少なくとも一つとすることができるが、これに限定されることではない。錫含有化合物の例としては、錫アセテート（ｔｉｎ ａｃｅｔａｔｅ、Ｓｎ（ＣＨ３ＣＯＯ）２）、錫硝酸塩（ｔｉｎ ｎｉｔｒａｔｅ）、錫アセチルアセトネート（ｔｉｎ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化錫（ｔｉｎ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、及びこれらの水和物を挙げることができる。
【００３３】
亜鉛含有化合物、インジウム含有化合物、及び錫含有化合物は、多様に組み合わせて使用することができる。
【００３４】
第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、上述した金属以外に、他の金属または半金属を含む化合物をさらに含むことができる。このような金属または半金属としては、セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせがあり、これらを含む化合物は、例えば、ハロゲン化物、アセテート化合物、カルボニル化合物、カーボネート化合物、窒化物化合物、またはアルコキシド化合物などの形態で導入することができる。
【００３５】
これらは、金属酸化物前駆体から製造された金属酸化物が薄膜トランジスタに適用された場合、しきい電圧を調節する因子として作用するもので、薄膜トランジスタの特性を改善することができる。
上述した金属含有化合物は、金属酸化物前駆体の総含有量に対してそれぞれ約０．０１〜３０重量％で含まれることができる。各成分が上記範囲で含まれる場合、溶解度を確保できる。
【００３６】
金属酸化物前駆体溶液は、溶液安定化剤をさらに含むことができる。溶液安定化剤は、アルコールアミン化合物、アルキルアンモニウムヒドロキシ化合物、アルキルアミン化合物、ケトン化合物、酸化合物、塩基化合物、及び脱イオン水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）などよりなる群の中から選択される少なくとも一つを含むことができ、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−メチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、ジエチレングリコールアミン、２−（アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−ｔ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチルジエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルアミン、エチルアミン、アセチルアセトン、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウムより選択された少なくとも一つを含むことができる。
【００３７】
溶液安定化剤は、金属酸化物前駆体溶液に含まれて、他の成分の溶解度を高めることができ、これによって均一の薄膜を形成することができる。溶液安定化剤は、上述した他の成分の種類及び含有量によって含有量が変わり、前駆体溶液の総含有量に対して約０．０１〜３０重量％で含まれることができる。溶液安定化剤が前記範囲で含まれる場合、溶解度及び薄膜コーティング性を高めることができる。
【００３８】
上述した金属含有化合物及び溶液安定化剤は、溶媒に混合されて、金属酸化物前駆体に製造される。この時、金属含有化合物が二つ以上の場合、これらはそれぞれ溶媒に混合された溶液に製造した後、これらを混合することもでき、一つの溶媒に共に混合して製造することも可能である。溶液安定化剤は、各成分の溶液にそれぞれ添加することもでき、各溶液を混合した後に添加することも可能である。例えば、酢酸亜鉛とインジウムアセチルアセトネートをそれぞれの溶媒に混合して、酢酸亜鉛溶液及びインジウムアセチルアセトネート溶液をそれぞれ製造し、これらを混合した後、ここに塩化ハフニウムまたは塩化ハフニウムを含む溶液を添加して、金属酸化物前駆体を製造することができる。
【００３９】
ここで、溶媒は、上述した成分を溶解できれば、特に限定されず、例えば、脱イオン水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−プロポキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、酢酸エチル、ブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル、メチルメトキシプロピオン酸、エチルエトキシプロピオン酸、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールメチルアセテート、ジエチレングリコール酢酸エチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグライム、テトラハイドロフラン、アセチルアセトン、及びアセトニトリルよりなる群の中から選択される少なくとも一つを含むことができる。
溶媒は、金属前駆体の総含有量に対して、上述した成分を除いた残量で含まれることができる。
【００４０】
ゲート絶縁膜を形成する段階は、上述した第２金属酸化物前駆体を基板に適用（形成）した後、これを熱処理して、金属酸化物を含むゲート絶縁膜に形成することができる。
半導体を形成する段階は、上述した第１金属酸化物前駆体をゲート絶縁膜上に適用（形成）した後、これを熱処理して、金属酸化物を含む半導体に形成することができる。
この時、第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体を適用（形成）する段階は、上述した金属酸化物前駆体をスピンコーティング、スリットコーティング、インクジェット印刷、噴霧（ｓｐｒａｙ）、または浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）などの方法により基板上に適用（形成）することができる。
【００４１】
次に、基板に適用された金属酸化物前駆体を熱処理して金属酸化物に成長させる。熱処理は、比較的低い温度でプリベーク（ｐｒｅｂａｋｅ）して、溶媒を所定程度除去した後に、高温で熱処理を行う。この時、熱処理温度は約３００〜６００℃とすることができる。
【００４２】
このように本実施形態による薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜及び半導体を全て溶液工程により形成することができるので、化学気相蒸着方法またはスパッタリングのような高価の費用及び複雑な工程が要求される方法を使用しなくても、高性能の薄膜トランジスタを製作することができる。
【００４３】
以下、図２を参照して、本発明の第２の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図２は、本発明の第２の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
図２を参照すると、本実施形態による薄膜トランジスタは、基板１１０の上にゲート電極１２４が形成され、ゲート電極１２４の上に補助層１３０が形成されている。補助層１３０の上にはゲート絶縁膜１４０、半導体１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００４４】
本実施形態は、上述した実施形態とは異なって、ゲート絶縁膜１４０の下部に補助層１３０をさらに含む。補助層１３０は、無機絶縁物質で形成することができ、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素などを挙げることができる。
補助層１３０は、ゲート電極１２４による段差を減らして、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４を溶液工程により形成する際に、均一に形成できるようにする。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成でき、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００４５】
以下、図３及び図４を参照して、本発明の第３及び第４の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図３及び図４は、それぞれ本発明の第３及び第４の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【００４６】
最初に、図３を参照すると、第３の実施形態による薄膜トランジスタは、基板１１０の上にゲート電極１２４、ゲート絶縁膜１４０、及び半導体１５４が順次に形成され、半導体１５４の上にエッチング防止膜（ｅｔｃｈ ｓｔｏｐｐｅｒ）１６０が形成され、半導体１５４及びエッチング防止膜１６０の上にソース電極１７３及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００４７】
本実施形態は、上述した実施形態とは異なって、半導体１５４の上部にエッチング防止膜１６０をさらに含む。エッチング防止膜１６０は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体１５４のチャネル領域が損傷することを防止して、薄膜トランジスタ特性が低下することを防止できる。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成でき、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００４８】
次に、図４を参照すると、第４の実施形態による薄膜トランジスタは、基板１１０の上にゲート電極１２４、補助層１３０、ゲート絶縁膜１４０、半導体１５４が順次に形成され、半導体１５４の上にエッチング防止膜１６０が形成され、半導体１５４及びエッチング防止膜１６０の上にソース電極１７３及びドレイン電極１７５が順次に形成されている。
【００４９】
本実施形態による薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜１４０の下部に補助層１３０をさらに含み、半導体１５４の上部にエッチング防止膜１６０をさらに含む。したがって、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４を溶液工程により形成する時に、段差を減らし、膜の厚さの均一性を高めることができ、半導体１５４のチャネル領域が損傷することを防止して、薄膜トランジスタの特性が低下することを防止できる。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成することができ、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００５０】
以下、図５を参照して、本発明の第５の実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図５は、本発明の第５の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
図５を参照すると、本実施形態は、トップゲート（ｔｏｐ ｇａｔｅ）構造の薄膜トランジスタで、基板１１０の上に互いに対向するソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成されており、その上にソース電極１７３及びドレイン電極１７５と一部重畳する半導体１５４が形成されている。半導体１５４の上にゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体１５４と重畳する位置にゲート電極１２４が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第１金属酸化物及び第２金属酸化物で形成することができ、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
【００５１】
上述した多様な実施形態による薄膜トランジスタは、表示装置においてスイッチング素子及び／または駆動素子として用いることができる。ここで、表示装置は、液晶表示装置、有機発光表示装置、電気泳動表示装置、及びこれらと類似する装置を全て含むことができる。
以下、実施例を通じて、本発明についてより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明を目的とするものであり、本発明の範囲を制限することではない。
【実施例】
【００５２】
［半導体用金属酸化物前駆体の製造］
硝酸インジウム及び酢酸亜鉛を、インジウム（Ｉｎ）：亜鉛（Ｚｎ）＝３：１のモル比となるように２−メトキシエタノールで溶解して約０．２Ｍの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、半導体用金属酸化物前駆体を製造する。
【００５３】
［ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体の製造−１］
硝酸インジウム、酢酸亜鉛、及びセリウムエトキシド（Ｃｅ ｅｔｈｏｘｉｄｅ）を、インジウム（Ｉｎ）：亜鉛（Ｚｎ）：セリウム（Ｃｅ）＝３：１：０．５のモル比となるように、２−メトキシエタノールで溶解して約０．２Ｍの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体１を製造する。
【００５４】
［ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体の製造−２］
硝酸インジウム、酢酸亜鉛、及びセリウムエトキシド（Ｃｅ ｅｔｈｏｘｉｄｅ）を、インジウム（Ｉｎ）：亜鉛（Ｚｎ）：セリウム（Ｃｅ）＝３：１：２のモル比となるように、２−メトキシエタノールで溶解して約０．２Ｍの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体２を製造する。
【００５５】
［薄膜トランジスタの製作］
ガラス基板上にスパッタリング方法によりモリブデン２０００Åを形成した後、フォトエッチングして、ゲート電極を形成する。次に、化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法により窒化ケイ素を４０００Å蒸着した後、その上に上記で製造されたゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体２を５００〜３０００ＲＰＭの速度でスピンコーティングする。次に、３００℃で３０分間１次熱処理して、溶媒を所定程度除去した後に、４５０℃で３時間２次熱処理して、ゲート絶縁膜を形成する。
【００５６】
次に、上記で製造された半導体用金属酸化物前駆体を３０００ＲＰＭの速度でスピンコーティングした後、３００℃で３０分間１次熱処理及び４５０℃で３時間２次熱処理して、半導体膜を形成する。
次に、半導体膜をパターニングした後、その上に化学気相蒸着方法により酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を２０００Å蒸着し、パターニングして、エッチング防止膜を形成する。次に、スパッタリング方法によりモリブデン２０００Åを形成した後、フォトエッチングして、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
【００５７】
［絶縁特性確認］
上記で製造したゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体の絶縁特性を確認するために、シリコンウエハの上に金属酸化物前駆体１及び２をそれぞれ５００ｒｐｍ速度でスピンコーティングして薄膜を形成する。
これについて、図６及び図７を参照して説明する。
【００５８】
図６及び図７は、それぞれ本発明の実施例によって製造された金属酸化物前駆体から形成されたゲート絶縁膜の絶縁特性を示すグラフである。
図６及び図７を参照すると、絶縁破壊電界（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｆｉｅｌｄ）は１ｅ−６Ａを基準として４．５ＭＶ／ｃｍであり、一定の電界下で低い電流密度を維持し、キャパシタンス特性も良好で、絶縁特性を示すことが分かる。
【００５９】
［薄膜トランジスタ特性］
上記で製作された薄膜トランジスタの電流特性を測定する。
図８は、本発明の実施例による薄膜トランジスタの電流特性を示すグラフである。
図８を参照すると、実施例による薄膜トランジスタは、ターンオン電圧が０．２Ｖであり、サブスレッショルドスロープ（ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｓｌｏｐ）が０．５Ｖ／ｄｅｃを示し、Ｉｏｎ／ｏｆｆが１×１０７以上の高い電流特性を示すことが分かる。これから、実施例による薄膜トランジスタは優れた特性を有することを確認した。
【００６０】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１１０ 基板
１２４ ゲート電極
１３０ 補助層
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ 半導体
１６０ エッチング防止膜
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
Ａ チャネル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、
前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、
前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及び亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）よりなる群の中から選択される一つを共通して含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つをさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記第１金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、
前記各々の酸化物のセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部（ａｔｏｍｉｃ ｐａｒｔｓ）に対してそれぞれ、０〜５０原子部、０〜８０原子部、及び０〜１００原子部の含有量で含まれることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記第２金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、
前記選択される酸化物のそれぞれのセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部に対してそれぞれ、５０原子部以上、８０原子部以上、及び１００原子部以上の含有量で含まれることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物で互いに異なる含有量で含まれることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記第１金属酸化物に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物に含まれる前記金属の含有量より少ないことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との間に無機物質を含む補助層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
ゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極と重畳する位置に半導体を形成する段階と、
前記ゲート電極を形成する段階と前記半導体を形成する段階との間にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する段階とを有し、
前記半導体を形成する段階と前記ゲート絶縁膜を形成する段階のそれぞれは、第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体を溶液工程により形成する段階を含み、
前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、錫（Ｓｎ）含有化合物、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを共通して含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを含有する化合物をさらに含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記第１金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、
前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ０〜５０原子部、０〜８０原子部、又は０〜１００原子部の含有量で含まれることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、
前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ５０原子部以上、８０原子部以上、又は１００原子部以上の含有量で含まれることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体で互いに異なる含有量で含まれることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記第１金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量より少ないことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１７】
前記半導体を形成する段階は、前記第１金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、
前記第１金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含み、
前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記第２金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、
前記第２金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重畳し、第１金属酸化物を含む半導体と、
前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第２金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、
前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物は、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及び亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）よりなる群の中から選択される一つを共通して含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つをさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第１金属酸化物及び前記第２金属酸化物の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記第１金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、
前記各々の酸化物のセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部（ａｔｏｍｉｃ ｐａｒｔｓ）に対してそれぞれ、０〜５０原子部、０〜８０原子部、及び０〜１００原子部の含有量で含まれることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記第２金属酸化物は、セリウムインジウム亜鉛酸化物（Ｃｅ−ＩＺＯ）、ハフニウムインジウム亜鉛酸化物（Ｈｆ−ＩＺＯ）、及びケイ素インジウム亜鉛酸化物（Ｓｉ−ＩＺＯ）よりなる群の中から選択される一つを含み、
前記選択される酸化物のそれぞれのセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、及びケイ素（Ｓｉ）は、亜鉛１００原子部に対してそれぞれ、５０原子部以上、８０原子部以上、及び１００原子部以上の含有量で含まれることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物で互いに異なる含有量で含まれることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記第１金属酸化物に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物に含まれる前記金属の含有量より少ないことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との間に無機物質を含む補助層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
ゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極と重畳する位置に半導体を形成する段階と、
前記ゲート電極を形成する段階と前記半導体を形成する段階との間にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する段階とを有し、
前記半導体を形成する段階と前記ゲート絶縁膜を形成する段階のそれぞれは、第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体を溶液工程により形成する段階を含み、
前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体は、一つ以上の金属を共通して含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、錫（Ｓｎ）含有化合物、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを共通して含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第１金属酸化物前駆体及び第２金属酸化物前駆体の内の少なくとも一つは、それぞれ独立的にセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タンタル（Ｔａ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、及びこれらの組み合わせよりなる群の中から選択される一つを含有する化合物をさらに含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記第１金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、
前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ０〜５０原子部、０〜８０原子部、又は０〜１００原子部の含有量で含まれることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記第２金属酸化物前駆体は、インジウム（Ｉｎ）含有化合物、亜鉛（Ｚｎ）含有化合物、及びセリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）を含有する化合物を含み、
前記セリウム（Ｃｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、又はケイ素（Ｓｉ）は、前記亜鉛（Ｚｎ）含有化合物の亜鉛１００原子部に対してそれぞれ５０原子部以上、８０原子部以上、又は１００原子部以上の含有量で含まれることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記第１金属酸化物と前記第２金属酸化物に共通して含まれる前記金属は、前記第１金属酸化物前駆体と前記第２金属酸化物前駆体で互いに異なる含有量で含まれることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記第１金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量は、前記第２金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量より少ないことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１７】
前記半導体を形成する段階は、前記第１金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、
前記第１金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含み、
前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記第２金属酸化物前駆体を塗布（ａｐｐｌｙ）する段階と、
前記第２金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−１９９２９１（Ｐ２０１１−１９９２９１Ａ）
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６２６０３（Ｐ２０１１−６２６０３）
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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