【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】例えば、高い膜質を有する多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。即ち、第２膜（２２０）の角部（２２２）の断面形状は、第１膜（２１１）の角部（２１２）に比べて、角が取れているように、或いは曲線で構成されるように形成されている。尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板における配線と電極端子との接続部において、電極端子に欠陥が生じた場合でも、配線に含まれる金属が腐食することがない構成を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、接続部１６を備えたアクティブマトリクス基板であって、上記接続部１６は、第１の金属層１ｂと、上記第１の金属層１ｂの上に、上記第１の金属層１ｂの幅より狭く積層された第２の金属層１ａと、上記第２の金属層１ａの上に、上記第２の金属層１ａを完全に覆い、かつ上記第１の金属層１ｂの幅より狭く積層された保護部２と、上記保護部２の上に、上記保護部２を完全に覆い、かつ上記第１の金属層１ｂに接触するように積層された電極端子３とを備えているので、電極端子３に欠陥部４が生じた場合でも、配線に含まれる金属が腐食することがない。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの層間ショート欠陥を低減することが可能な薄膜トランジスタ基板およびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ３０は、例えば、基板１０上に、下層電極３１、キャパシタ絶縁膜３２および酸化物半導体よりなる上層電極３３を順に有している。具体的には、上層電極３３は、ＴＦＴの酸化物半導体層と同層に形成されたものである。上層電極３３が薄く、ステップカバレージが悪いので、キャパシタ絶縁膜３２中に異物が存在しても、下層電極３１と上層電極３３との間で層間ショートが発生しにくくなる。酸化物半導体はアモルファスシリコンに比べて導電性が高いので、櫛歯状などの複雑な形状にする必要はなく、上層電極３３の全面をキャパシタ電極として機能させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 良好な品質の液晶表示装置を、高い製造効率で製造する。
【解決手段】 （ａ）電極を備えた第１の透明基板と、電極を備え、第１の透明基板に対向配置され、該電極及び第１の透明基板の電極と電気的に接続された接続端子が形成された第２の透明基板と、第１の透明基板と第２の透明基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示素子と、接続端子の形成された可撓性を有する配線基板とを準備する。（ｂ）第２の透明基板の接続端子と、配線基板の接続端子とを電気的に接続するとともに、第２の透明基板と配線基板とを固着する。（ｃ）第２の透明基板の接続端子の端部に対応させて、配線基板に貫通孔を形成する。（ｄ）工程（ｂ）で固着された第２の透明基板と配線基板の一主面の、第２の透明基板の接続端子と配線基板の接続端子の接続位置、及び、工程（ｃ）で形成された貫通孔の位置に、流動性を有する樹脂材料を塗布する。 （もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜の上に反射電極用のＡｌ合金膜が直接接続された構造を備えた表示装置の製造工程において、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ現像液に曝された場合に、上記Ａｌ合金膜の腐食を有効に抑制することのできる、上記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜の上に反射電極用のＡｌ合金膜が直接接続されてなる構造を備えた表示装置の製造方法であって、基板上に前記酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、前記酸化物透明導電膜を１５０℃以上に５分間以上加熱して結晶質とする第２の工程と、前記酸化物透明導電膜上に前記Ａｌ合金膜を形成する第３の工程とを包含し、前記Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．１〜４原子％含有するＡｌ合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湾曲させても回路のクラック・断線を防止することができる液晶表示パネルを提供することを目的としている。
【解決手段】液晶表示パネルは、トランジスタ、電極及び配線を少なくとも構成する無機薄膜２６を含む。第１の基板１０は、第２の基板１２と対向する第１の内面１４と、第２の基板１２とは反対の第１の外面１６と、を有する。第２の基板１２は、第１の基板１０と対向する第２の内面１８と、第１の基板１０とは反対の第２の外面２０と、を有する。無機薄膜２６は、第１又は第２の内面１４，１８に密着して形成されている。第１の外面１６から第２の外面２０までの厚みの中心Ｃが、第２の基板１２の内部に位置する。第１の基板１０の厚みＴ_１と、第２の基板１２の厚みＴ_２と、第１及び第２の内面１４，１８の間隔Ｄとが、Ｔ_１＋Ｄ＜Ｔ_２の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングマスクの除去処理において異物が存在する絶縁層中に混入した異物によって、画素電極と共通電極間において電気的な短絡が生じることを抑制する。
【解決手段】平坦化層１８には共通電極１２が形成されている。共通電極１２は接続電極１３と電気的に接続され、さらに接続電極１３は、コンタクトホールＣＨ２を介して共通配線１３１と電気的に接続されている。共通電極１２を覆うように形成された絶縁層５０を挟んで、画素電極１１が形成されている。画素電極１１は、コンタクトホールＣＨ１によってドレイン電極２０ｄと電気的に接続されている。画素電極１１と接続電極１３とは、いずれも平坦化層１８上に形成されていることが解る。すなわち、画素電極１１と接続電極１３とは、同じ層に形成されている。言い換えると、画素電極１１とドレイン電極２０ｄとの接続と、接続電極１３と共通配線１３１との接続を、同時に行う。 （もっと読む）

【課題】工程を追加することなく、データ線断線不良を低減することができる補助修理線構造を実現することにある。
【解決手段】透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に第１方向に形成されているゲート線と、前記ゲート線と同一層に同一物質で第２方向に形成されており、前記ゲート線を境界として分離された多数の部分からなる補助修理線と、前記ゲート線及び前記補助修理線を覆う第１絶縁層と、前記補助修理線に沿って前記第１絶縁層上に第２方向に形成されているデータ線とを含む。 （もっと読む）

【課題】シール材の基板側への接着性の向上を図るとともに、シール材と基板との間に介在される積層された絶縁膜の剥がれを防止し、かつ、該絶縁膜の下層に形成される配線あるいは回路を機械的衝撃から保護し得る液晶表示装置の提供。
【解決手段】第１基板および第２基板の間に画像表示部を囲んで形成され液晶を封止するシール材を備える液晶表示装置であって、少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】
良好な特性を有するスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。
【解決手段】
マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するＴＦＴをスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、該ＴＦＴのチャネルを形成する多結晶Ｓｉ層４より下層に位置する電極配線２を、希土類元素を添加元素として含むＡｌ合金からなる第一の合金層２ａと、希土類元素と高融点金属とＡｌとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層２ｂとの積層構造とすることで、多結晶Ｓｉ形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ用薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化する。
【解決手段】ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線と、共通電極を含む共通配線とを絶縁基板の上に形成し、前記ゲート配線及び共通配線を覆うゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上に半導体パターン、前記半導体パターンの上に接触層パターン、前記接触層の上にソース電極及びドレーン電極をそれぞれ形成し、前記ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線とを形成し、前記ドレーン電極の一部以外の前記データ配線を覆う保護膜パターンを形成し、前記データ配線と異なる層に画素電極を形成する段階とを含み、前記ソース及びドレーン電極の分離は、前記ソース電極及びドレーン電極の間に位置する第１部分と前記第１部分より厚い第２部分と前記第１部分より薄い第３部分とを含む感光膜パターンを用いた写真エッチングによって行う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式において平坦化膜上の絶縁膜の荒れを防止することができ、信頼性に優れた高品質な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶層を挟持する一対の基板を有し、一対の基板のうち一方の基板１０に設けられた第１電極と第２電極の間に生じる電界によって液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置１００において、画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、表示領域の外に位置する非表示領域８と、を有し、一方の基板１０には、画素毎に設けられたスイッチング素子と、スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、スイッチング素子及び配線部を覆う樹脂材料からなる平坦化膜２５と、平坦化膜２５上に形成された第１電極と、第１電極を少なくとも覆う無機材料からなる絶縁膜２７と、絶縁膜２７上に設けられた第２電極と、が設けられ、非表示領域８における絶縁膜２７に平坦化膜２５の表面に達する開口部８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置におけるコンタクトホールを微細化すると共に、回路設計を比較的容易にする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の画素領域（１０ａ）において互いに交差するデータ線（６ａ）及び走査線（１１）と、データ線及び走査線の交差に対応して規定された画素に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御する画素スイッチング用トランジスタ（３０）と、データ線と画素スイッチング用トランジスタとを電気的に中継接続する第１中継電極（２００）と、画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、データ線と電気的に接続された複数の周辺回路用トランジスタとを備える。電気光学装置における、複数の周辺回路用トランジスタは、第１導電型トランジスタ及び第２導電型トランジスタを含み、画素スイッチング用トランジスタは、第１導電型トランジスタ及び第２導電型トランジスタのうち一方である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを覆う電極膜のピンホール欠陥を抑制した透過型液晶表示装置を提供すること
【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板と、を含み、液晶は絶縁膜の上下に位置する上側電極と下側電極とにより発生する電界により制御され、第１の基板は、第１の電極膜が形成される第１の導電層と、第１の導電層上の第１の保護層と、第１の保護層を貫通して第１の電極膜に達する第１の孔と、第１の保護層上に設けられ、第１の孔の底部で第１の電極膜の部分に接する第２の電極膜と下側電極とを含む第２の導電層と、第２の導電層上に設けられ絶縁膜を含む第２の保護層と、第２の保護層上に設けられ、第２の保護層を貫通し第２の電極膜に達する第２の孔と第２の孔の底部で第２の電極膜の部分に接する第３の電極膜と上側電極とを含む第３の導電層と、を含む、ことを特徴とする透過型液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 基板の周辺領域の金属配線の上に配向膜を有する液晶表示パネルにおいて配向膜のラビング処理時の配向膜の剥離を防止する。
【解決手段】 本発明の液晶表示パネルは液晶層と液晶層を外部から入力される電気信号によって駆動する基板とを有し、基板には液晶層が駆動される画素領域と、画素領域の外側であって外部からの電気信号を伝達する金属配線を備えた周辺領域とを有し、基板の画素領域および周辺領域に配向膜が形成され、周辺領域の金属配線と配向膜との間に金属配線の側部を覆う透明電極層を有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子と画素電極の導通を確実に図り、点灯不良の低減を可能とする。
【解決手段】コンタクトホール２７は、着色層２５ａ等を有しない部分に形成されているので、コンタクトホール２７の周囲は、着色層２５ａ等が存在せず、コンタクトホール２７における壁面の角度であるテーパ角θを小さくできる。コンタクトホール２７を介してドレイン電極２６ｃに接続される画素電極では、テーパ角θと同じ角度で曲がっている部分が存在するが、角度が小さいので、その部分にひびが入る可能性を低減することができる。 （もっと読む）