液晶表示装置
【課題】シール材の基板側への接着性の向上を図るとともに、シール材と基板との間に介在される積層された絶縁膜の剥がれを防止し、かつ、該絶縁膜の下層に形成される配線あるいは回路を機械的衝撃から保護し得る液晶表示装置の提供。
【解決手段】第１基板および第２基板の間に画像表示部を囲んで形成され液晶を封止するシール材を備える液晶表示装置であって、少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されている。
【解決手段】第１基板および第２基板の間に画像表示部を囲んで形成され液晶を封止するシール材を備える液晶表示装置であって、少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、液晶を挟持する一対の基板が該液晶を封止するシール材によって貼り合わされた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（パネル）は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に複数の画素の集合からなる画像表示部を備え、一対の基板の間に画像表示部を囲むようにして形成されたシール材によって前記液晶が封入された構成となっている。
【０００３】
この場合、シール材の各基板側への接着性を良好にすることは、シール材のシール効果を向上させ、信頼性ある液晶表示装置を得ることができる。
【０００４】
また、液晶表示装置は、一対の基板のそれぞれの液晶側の面に、画像表示部において形成される絶縁膜等がたとえば複数に積層された状態でシール材の形成領域にまで延在されて形成されているのが通常となっている。
【０００５】
このため、たとえば、下記特許文献１、２、３には、基板の液晶側の面に形成された絶縁膜等の構成の工夫によって、シール材の基板側への接着性の向上を図ったものが開示されている。
【０００６】
すなわち、特許文献１には、前記絶縁膜等は基板上に順次形成されたゲート絶縁膜と有機絶縁膜の積層体からなり、該有機絶縁膜はシール材の形成領域においてゲート絶縁膜の表面が露出する貫通孔を設けた構成が開示されている。これにより、シール材を有機絶縁膜に形成した貫通孔を通してゲート絶縁膜にも接着させるようにしている。
【０００７】
また、特許文献２には、前記絶縁膜等は基板上に形成された樹脂膜からなり、該樹脂膜はシール材の形成領域において基板の表面が露出する貫通孔を設けたものが開示されている。これにより、シール材を樹脂膜に形成した貫通孔を通して基板にも接着させるようにしている。
【０００８】
さらに、特許文献３には、基板上に絶縁膜を介して形成される無機配向膜をシール材の形成領域に一部重畳するようにして延在させた構成のものが開示されている。シール材は前記絶縁膜よりも無機配向膜との密着性が高いので、密着性を向上でき、さらに、シール材の形成領域に無機配向膜が形成されていない部分をもたせることによって、無機配向膜の段差を形成し、この段差によって水分の侵入を低減できる効果も奏している。
【特許文献１】特開２００７−２５６４１５号公報
【特許文献２】特開２００７−１９９３４１号公報
【特許文献３】特開２００７−２４８７４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、液晶表示装置の種類によっては、シール材の近傍における構成が、上記特許文献１、２、３に示したものに限らず、基板の液晶側の面において、シール材の形成領域にまで延在されて形成される絶縁膜が、シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜とこの無機絶縁膜に当接して無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成されたものがある。
【００１０】
そして、このような構成の場合、シール材と無機絶縁膜との接着性はよいが、無機絶縁膜と有機絶縁膜の界面における接着性が充分でなく、シール材の形成領域において、無機絶縁膜と有機絶縁膜との間に剥がれが生じ易いという問題が生じる。
【００１１】
また、シール材の形成領域において、前記絶縁膜の下層には、画像表示部に形成された信号線の引き出し配線、あるいは画像表示部の各画素を駆動させる駆動回路などが形成されている場合がある。この場合、前記絶縁膜はこれら配線あるいは回路を機械的衝撃から保護する機能を備えることから、その機能を損なうことのない構成とすることが望ましい。
【００１２】
本発明の目的は、シール材の基板側への接着性の向上を図るとともに、シール材と基板との間に介在される積層された絶縁膜の剥がれを防止し、かつ、該絶縁膜の下層に形成される配線あるいは回路を機械的衝撃から保護し得る液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、シール材の形成領域に及んで形成される絶縁膜が、シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜とこの無機絶縁膜に当接して無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成されるものであって、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部を前記シール材の形成領域にその周方向に沿って形成するようにしたものである。
【００１４】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１５】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記液晶の広がり方向に複数の画素の集合から形成される画像表示部と、
前記第１基板および前記第２基板の間に前記画像表示部を囲んで形成され前記液晶を封止するシール材と、を備える液晶表示装置であって、
少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、
前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されていることを特徴とする。
【００１６】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って連続して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
（３）本発明の液晶表示装置は、（２）において、前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする。
【００１８】
（４）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って断続して形成されていることを特徴とする。
【００１９】
（５）本発明の液晶表示装置は、（４）において、前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする。
【００２０】
（６）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記シール材の周方向の各箇所において前記シール材の幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
（７）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹陥部は前記シール材の形成領域において点状の凹陥部が散在されて形成されていることを特徴とする。
【００２２】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２３】
上述した液晶表示装置によれば、シール材の基板側への接着性の向上を図るとともに、シール材と基板との間に介在される積層された絶縁膜の剥がれを防止し、かつ、該絶縁膜の下層に形成される配線あるいは回路を機械的衝撃から保護することができるようになる。
【００２４】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００２６】
〈実施例１〉
（全体の概略構成）
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例１を示す平面図である。図２に示す液晶表示装置はたとえば携帯電話用の液晶表示装置を示している。
【００２７】
図２において、たとえばガラスからなる基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２が対向して配置されている。基板ＳＵＢ２は、基板ＳＵＢ１よりも小さな面積で形成され、基板ＳＵＢ１のたとえば図中下側の辺部を露呈させるように配置されている。基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部には画素駆動用の半導体装置（チップ）ＳＥＣがフェースダウンされて搭載されている。
【００２８】
基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間には液晶ＬＣ（図１参照）が挟持されている。この液晶ＬＣは、基板ＳＵＢ２の周辺に沿った環状のパターンからなり、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との固着を兼ねるシール材ＳＬ（たとえば膜厚３〜４μｍ、幅７００μｍ）によって封止されるようになっている。なお、このシール材ＳＬは、たとえば基板ＳＵＢ２側の面にたとえばインクジェット方式、ディスペンサ、スクリーン印刷などを用いた塗布方法によって上述したパターンに形成されるようになっている。
【００２９】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面であってシール材ＳＬによって囲まれた領域には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬ、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。画素領域は、隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域で構成され、マトリックス状に配置される画素領域の集合からなる領域内に画像表示部ＡＲが構成されるようになっている。また、この実施例で示す液晶表示装置は、たとえばＩＰＳ（In Plane Switching）あるいは横電界方式と称され、隣接する一対のゲート信号線ＧＬの間にはコモン信号線ＣＬが形成されている。後述の画素電極（図３にて符号ＰＸで示す）とともに対向電極（図３にて符号ＣＴで示す）は基板ＳＵＢ１側に形成され、対向電極ＣＴは前記コモン信号線ＣＬに接続されるようになっているからである。尚、対向電極ＣＴ自体がコモン信号線ＣＬの役割を兼ねていてもよい。
【００３０】
図３は、各画素における等価回路を示す図で、たとえば図２の点線枠Ｐ内の回路を示している。画素領域には、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、オンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、該画素電極ＰＸとの間に電界を発生させる対向電極ＣＴが備えられている。対向電極ＣＴにはコモン信号線ＣＬを通して映像信号に対して基準となる信号(基準信号)が供給されるようになっている。
【００３１】
前記各ゲート信号線ＧＬはたとえばその一端部から引き出し配線ＷＧ（この明細書において単に配線と称する場合がある）が引き出され前記半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されている。この実施例の場合、画像表示部ＡＲの上方に形成されるゲート信号線ＧＬは図中右側の端部から、下方に形成されるゲート信号線ＧＬは図中左側の端部から各引き出し配線ＷＧが引き出されるようになっている。しかし、これに限定されることはなく、全て同方向側の端部から引き出されるように構成してもよい。そして、これら引き出し配線ＷＧは、半導体装置ＳＥＣに接続されるため下辺側のシール材ＳＬの形成領域を交差するようにして形成されているが、その手前において、幾つかの引き出し配線ＷＧは左辺側あるいは右辺側のシール材ＳＬの形成領域に重なり、さらに該形成領域に沿って形成されている。額縁領域を小さくし、画像表示部ＡＲの占める面積をできるだけ大きく構成せんとするためである。前記各ドレイン信号線ＤＬはたとえば図中下端部から引き出し配線ＷＤ（この明細書において単に配線と称する場合がある）が引き出され、これら引き出し配線ＷＤは、半導体装置ＳＥＣに接続されるためシール材ＳＬの形成領域を交差するようにして形成されている。前記各コモン信号線ＣＬはたとえば図中右端部において共通の引き出し配線ＷＣ（この明細書において単に配線と称する場合がある）によって引き出され、該引き出し配線ＷＣは半導体装置ＳＥＣに接続されるためシール材ＳＬの形成領域を交差するようにして形成されている。
【００３２】
（画素の構成）
図４（ａ）、（ｂ）は、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された画素の構成を示す図で、図２に示す点線枠Ｐ内における部分の構成を示している。図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【００３３】
まず、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩが形成され、この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００３４】
絶縁膜ＧＩの表面であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳する薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に、たとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが島状に形成されている。前記薄膜トランジスタＴＦＴは、前記半導体層ＡＳの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタが構成されるようになる。
【００３５】
前記基板ＳＵＢ１の表面には図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの表面に延在させることにより、該延在部を薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとするようになっている。また、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴが形成され、このソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部ＰＤを具備して構成されている。このパッド部ＰＤは後述の画素電極ＰＸと電気的に接続される部分として構成される。
【００３６】
前記基板ＳＵＢ１の表面にはドレイン信号線ＤＬ等をも被って保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するための絶縁膜からなり、たとえば、無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ１（たとえば膜厚３００ｎｍ）および有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２（たとえば膜厚２０００ｎｍ）の積層構造から構成される。保護膜ＰＡＳ２において有機絶縁膜を用いるのはたとえば保護膜ＰＡＳの表面を平坦化する効果を奏するためである。
【００３７】
保護膜ＰＡＳの表面であって隣接する一対のゲート信号線ＧＬの間には、該ゲート信号線ＧＬの走行方向に沿って形成されるコモン信号線ＣＬが形成されている。このコモン信号線ＣＬは図中ｘ方向に並設される各画素領域のほぼ全域を被って形成され、各画素領域における対向電極ＣＴを兼備した構成となっている。このコモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）は、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成されている。
【００３８】
基板ＳＵＢ１の表面には、コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）をも被って無機絶縁膜からなる層間絶縁膜ＬＩ（たとえば膜厚３００ｎｍ）が形成され、この層間絶縁膜ＬＩの上面には各画素領域に画素電極ＰＸが形成されている。画素電極ＰＸは、たとえば図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図ではたとえば３個）の線状の電極からなり、これら各電極は、前記薄膜トランジスタＴＦＴ側の端部において互いに接続された接続部ＪＮを備えている。画素電極ＰＸは、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成されている。画素電極ＰＸの接続部ＪＮの一部は、層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨを通して前記ソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されるようになっている。また、この場合において、コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）において、予め、前記スルーホールＴＨとほぼ同軸で該スルーホールＴＨよりも充分に径の大きな開口ＯＰが形成され、前記画素電極ＰＸが対向電極ＣＴと電気的にショートしてしまうのを回避させている。
【００３９】
また、基板ＳＵＢ１の表面には、画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと当接する膜からなり、後述する基板ＳＵＢ２側に形成された配向膜ＯＲＩ２とともに、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定するように機能する。
【００４０】
（シール材の近傍の構成）
図１は、液晶表示装置のシール材ＳＬの近傍の構成を示す図で、図２のI−I線における断面図となっている。
【００４１】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、回路構成層ＣＯＬ、保護膜ＰＡＳ１、保護膜ＰＡＳ２、層間絶縁膜ＬＩ、配向膜ＯＲＩ１が順次積層されて形成されている。
【００４２】
ここで、基板ＳＵＢ１の画像表示部ＡＲはマトリックス状に配置された複数の画素によって形成されていることから、その詳細な断面は、図４（ｂ）に示すようになっている。しかし、図１では、上述した層構造によって簡略化して示している。
【００４３】
すなわち、画素表示部ＡＲにおいて、回路構成層ＣＯＬは、図４（ｂ）に示したゲート信号線ＧＬ、絶縁膜ＧＩ、半導体層ＡＳ、ドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴ、パッド部ＰＤを備えて構成され、保護膜ＰＡＳ２と層間絶縁膜ＬＩの間には対向電極ＣＴが、層間絶縁膜ＬＩと配向膜ＯＲＩ１の間には画素電極ＰＸが配置されている。
【００４４】
一方、画像表示部ＡＲの外方であってシール材ＳＬの形成領域を超えて形成される回路構成層ＣＯＬは、絶縁膜ＧＩ、ゲート信号線ＧＬの引き出し配線ＷＧあるいはドレイン信号線ＤＬの引き出し配線ＷＤの何れか（図１では、ゲート信号線ＧＬの引き出し配線ＷＧが形成される領域を示している）の積層体で構成され、その上層に順次形成される保護膜ＰＡＳ１、保護膜ＰＡＳ２、層間絶縁膜ＬＩは、画像表示部ＡＲに形成された保護膜ＰＡＳ１、保護膜ＰＡＳ２、層間絶縁膜ＬＩが延在されて形成されたものとなっている。
【００４５】
このような構成において、シール材ＳＬの形成領域における層間絶縁膜（無機絶縁膜）ＬＩの表面には凹陥部ＤＮＴが形成され、この凹陥部ＤＮＴは該層間絶縁膜ＬＩの下層の保護膜（有機絶縁膜）ＰＡＳ２が露出するようにして形成されている。換言すれば、前記凹陥部ＤＮＴは、層間絶縁膜ＬＩを貫通し保護膜ＰＡＳ２を貫通することのない深さを有して形成されている。このようにした理由は、後に詳述するが、有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２を残存させ（残存された保護膜ＰＡＳ２の膜厚は５００〜１５００ｎｍ）、回路構成層ＣＯＬ内の引き出し配線ＷＧ（あるいは引き出し配線ＷＤ）への機械的衝撃に対する保護（クッション機能）を図らんとしているからである。また、この凹陥部ＤＮＴは、シール材ＳＬの長手方向に沿ってたとえば連続して形成され、図２の点線枠Ａ'の拡大図Ａにも示すように、シール材ＳＬの短手（幅）方向にたとえば２個形成されている。なお、この凹陥部ＤＮＴは、２個に限定されることはなく、１個であってもよく、また３個以上であってもよい。
【００４６】
層間絶縁膜ＬＩ、その下層の保護膜ＰＡＳ２にまで至って形成される凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの形成領域に形成されていることから、該シール材ＳＬは、凹陥部ＤＮＴ内に充填され、層間絶縁膜ＬＩの表面のみならず凹陥部ＤＮＴの側壁面および底面にまで接触して形成されるようになる。このため、シール材ＳＬは、前記凹陥部ＤＮＴによって層間絶縁膜ＬＩ、保護膜ＰＡＳ２との接着面積が増大し、これにより、基板ＳＵＢ１側への接着強度を増大させることができる。
【００４７】
また、シール材ＳＬは、前記凹陥部ＤＮＴによって、層間絶縁膜ＬＩのみならず保護膜ＰＡＳ２との接着がなされるようになる。保護膜ＰＡＳ２にも形成される凹陥部ＤＮＴが該保護膜ＰＡＳ２を貫通することなく該保護膜ＰＡＳ２による底部を有することから、シール材ＳＬと保護膜ＰＡＳ２との接着強度は強固なものとなる。このことは、凹陥部ＤＮＴによって層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２との接着が少なくとも凹陥部ＤＮＴの形成領域において強固にでき、該層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳとの剥がれを防止することができる。
【００４８】
また、本実施例に示したように、凹陥部ＤＮＴがシール材ＳＬの長手方向に沿って連続して形成されていることによって、たとえば、図１に対応して描いた図５に示すように、層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２との間の界面から水分Ｗが侵入するようなことがあっても、凹陥部ＤＮＴに充填されたシール材ＳＬによって侵入が阻止され、画像表示部ＡＲへの影響を未然に防ぐことができる効果を奏する。
【００４９】
なお、図１において、基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、ブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成されている。ブラックマトリックスＢＭは、画像表示部ＡＲにおいて、隣接する画素の間を遮光することによってコントラストの向上を図るようになっている。また、ブラックマトリックスＢＭは、シール材ＳＬの形成領域を超える範囲にまで形成され、液晶表示装置の背面に配置されるバックライト（図示せず）からの光が、前記シール材ＳＬおよびその近傍を透過してしまうことによって発生する光漏れを回避している。そして、ブラックマトリックスＢＭの表面には、各画素におけるブラックマトリックスＢＭの開口を塞ぐようにしてカラーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィルタＦＩＬは、隣接する３個の画素において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色を呈し、これら３個の画素によってカラー表示用の単位画素を構成するようになっている。ブラックマトリックスＢＭ、カラーフィルタＦＩＬはたとえば樹脂からなる平坦化膜ＯＣによって被われ、この平坦化膜ＯＣの画像表示部ＡＲに相当する領域には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
【００５０】
〈実施例２〉
図６は本発明の液晶表示装置の実施例２の構成図で、図２と対応した図となっている。
【００５１】
図６において、図２の場合と比較して異なる構成は、画像表示部ＡＲの図中左右側のそれぞれにおいて、走査信号駆動回路Ｖ（なお、この明細書においては単に回路と称する場合がある）が形成されていることにある。この走査信号駆動回路Ｖは、実施例１の場合、半導体装置ＳＥＣ内に組み込まれたものとなっているが、実施例２の場合は、該半導体層ＳＥＣ内の回路とは別個の回路として設けられている。
【００５２】
この走査信号駆動回路Ｖは基板ＳＵＢ１の表面において複数の薄膜トランジスタを含んで形成されている。また、この走査信号駆動回路Ｖは画像表示部ＡＲの形成の際に同時に並行して形成されることから、その層構造も画像表示部ＡＲの層構造とほぼ同じになっている。
【００５３】
そして、走査信号駆動回路Ｖは、画像表示部ＡＲの占める面積をできるだけ大きくしようとするため、シール材ＳＬの形成領域に一部重複して形成されるようになっている。この場合、走査信号駆動回路Ｖを被って形成される前記層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳ２において、図１に示した凹陥部ＤＮＴが形成されていても、該凹陥部ＤＮＴの形成領域において、保護膜（有機絶縁膜）ＰＡＳ２の一部が残存されていることから、該有機保護膜ＰＡＳ２によって機械的衝撃に対する保護がなされた構成となっている。
【００５４】
なお、図６において、走査信号駆動回路Ｖはゲート信号線ＧＬに接続され、該ゲート信号線ＧＬのそれぞれに走査信号を供給するともに、この走査信号駆動回路Ｖを通して各コモン信号線ＣＬに基準信号を供給する構成となっている。
【００５５】
〈実施例３〉
図７は本発明の液晶表示装置の実施例３の構成図で、図２の拡大図Ａと対応した図となっている。
【００５６】
図７において、該拡大図Ａの場合と比較して異なる構成は、層間絶縁膜ＬＩおよびその下層の保護膜ＰＡＳ２に形成する凹陥部ＤＮＴにある。該凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの長手方向に沿って断続的に形成されている。図７の場合、凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの短手方向に２個（この数に限定されることはない）並設されて形成され、いずれもシール材ＳＬの長手方向に沿って断続的に形成されている。
【００５７】
このように構成した凹陥部ＤＮＴは、実施例１のように連続的に形成されていなくても、層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳ２は該凹陥部ＤＮＴの形成領域において強固に接続され、それらの剥がれを防止できることから、このように構成してもよい。
【００５８】
また、この場合、図７に示すように、シール材ＳＬの短手方向に並設される一方の側の凹陥部ＤＮＴにおいて、その断続的な配置によってシール材ＳＬの長手方向に凹陥部ＤＮＴが形成されていない領域（図中ＰＴで示す）があっても、該領域に相当するシール材ＳＬの短手方向に他方の側の凹陥部ＤＮＴが存在するようになっている。
【００５９】
このようにした場合、シール材ＳＬの長手方向に断続された凹陥部ＤＮＴが形成されていても、複数に並設された他の凹陥部によって、シール材ＳＬの長手方向に沿って観る限り連続して配置されているのと同様の効果を奏する。したがって、層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２との間の界面から水分が侵入するようなことがあっても、シール材ＳＬの短手方向に並設される複数の凹陥部ＤＮＴによって侵入が阻止され、画像表示部ＡＲへの影響を防ぐことができる。
【００６０】
このような効果は、シール材ＳＬの短手方向に３個あるいはそれより大きな数で並設された凹陥部であって、それぞれの列における凹陥部が断続して形成されている場合にも適用することができる。いずれの場合でも、前記シール材ＳＬの周方向の各箇所において該シール材ＳＬの幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部が形成されるようになっていればよい。
【００６１】
〈実施例４〉
図８は本発明の液晶表示装置の実施例４の構成図で、図７と対応した図となっている。
【００６２】
図８において、図７の場合と比較して異なる構成は、凹陥部ＤＮＴは点状のパターンで形成され、これら各凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの形成領域に散在して形成されていることにある。この場合でも、全体で見ればこれら複数の凹陥部ＤＮＴが、シール材ＳＬの形成領域の周方向に沿って形成されていることとなる。
【００６３】
このようにした場合であっても、層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳ２は該凹陥部ＤＮＴの形成領域において強固に接続され、それらの剥がれを防止できる効果を奏する。
【００６４】
図８の場合、点状のパターンからなる各凹陥部ＤＮＴは面積を比較的小さく形成したものであるが、より大きな面積で構成し、シール材ＳＬの周方向の各箇所において該シール材ＳＬの幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部ＤＮＴが形成されるようにすることによって、層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２の周辺における界面からの水分の侵入を各凹陥部ＤＮＴによって阻止できるようにすることもできる。
【００６５】
点状のパターンからなる前記凹陥部ＤＮＴは、丸状でなくても、たとえば三角、四角等の他の形状であってもよい。
【００６６】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の液晶表示装置のシール材の近傍の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の実施例１を示す平面図である
【図３】本発明の液晶表示装置の画素における等価回路を示す図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の一方の基板の液晶側の面に形成される画素の構成を示す図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の効果を示す説明図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の実施例２の構成図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の実施例３の構成図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の実施例４の構成図である。
【符号の説明】
【００６８】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＥＣ……半導体装置、ＬＣ……液晶、ＳＬ……シール材、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＷＧ、ＷＤ、ＷＣ……引き出し配線、ＧＩ……絶縁膜、ＡＳ……半導体層、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＡＳ……保護膜、ＰＡＳ１……保護膜（無機絶縁膜）、ＰＡＳ２……保護膜（有機絶縁膜）、ＬＩ……層間絶縁膜（無機絶縁膜）、ＴＨ……スルーホール、ＯＰ……開口、ＤＮＴ……凹陥部、Ｗ……水分、Ｖ……走査信号駆動回路。
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、液晶を挟持する一対の基板が該液晶を封止するシール材によって貼り合わされた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（パネル）は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に複数の画素の集合からなる画像表示部を備え、一対の基板の間に画像表示部を囲むようにして形成されたシール材によって前記液晶が封入された構成となっている。
【０００３】
この場合、シール材の各基板側への接着性を良好にすることは、シール材のシール効果を向上させ、信頼性ある液晶表示装置を得ることができる。
【０００４】
また、液晶表示装置は、一対の基板のそれぞれの液晶側の面に、画像表示部において形成される絶縁膜等がたとえば複数に積層された状態でシール材の形成領域にまで延在されて形成されているのが通常となっている。
【０００５】
このため、たとえば、下記特許文献１、２、３には、基板の液晶側の面に形成された絶縁膜等の構成の工夫によって、シール材の基板側への接着性の向上を図ったものが開示されている。
【０００６】
すなわち、特許文献１には、前記絶縁膜等は基板上に順次形成されたゲート絶縁膜と有機絶縁膜の積層体からなり、該有機絶縁膜はシール材の形成領域においてゲート絶縁膜の表面が露出する貫通孔を設けた構成が開示されている。これにより、シール材を有機絶縁膜に形成した貫通孔を通してゲート絶縁膜にも接着させるようにしている。
【０００７】
また、特許文献２には、前記絶縁膜等は基板上に形成された樹脂膜からなり、該樹脂膜はシール材の形成領域において基板の表面が露出する貫通孔を設けたものが開示されている。これにより、シール材を樹脂膜に形成した貫通孔を通して基板にも接着させるようにしている。
【０００８】
さらに、特許文献３には、基板上に絶縁膜を介して形成される無機配向膜をシール材の形成領域に一部重畳するようにして延在させた構成のものが開示されている。シール材は前記絶縁膜よりも無機配向膜との密着性が高いので、密着性を向上でき、さらに、シール材の形成領域に無機配向膜が形成されていない部分をもたせることによって、無機配向膜の段差を形成し、この段差によって水分の侵入を低減できる効果も奏している。
【特許文献１】特開２００７−２５６４１５号公報
【特許文献２】特開２００７−１９９３４１号公報
【特許文献３】特開２００７−２４８７４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、液晶表示装置の種類によっては、シール材の近傍における構成が、上記特許文献１、２、３に示したものに限らず、基板の液晶側の面において、シール材の形成領域にまで延在されて形成される絶縁膜が、シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜とこの無機絶縁膜に当接して無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成されたものがある。
【００１０】
そして、このような構成の場合、シール材と無機絶縁膜との接着性はよいが、無機絶縁膜と有機絶縁膜の界面における接着性が充分でなく、シール材の形成領域において、無機絶縁膜と有機絶縁膜との間に剥がれが生じ易いという問題が生じる。
【００１１】
また、シール材の形成領域において、前記絶縁膜の下層には、画像表示部に形成された信号線の引き出し配線、あるいは画像表示部の各画素を駆動させる駆動回路などが形成されている場合がある。この場合、前記絶縁膜はこれら配線あるいは回路を機械的衝撃から保護する機能を備えることから、その機能を損なうことのない構成とすることが望ましい。
【００１２】
本発明の目的は、シール材の基板側への接着性の向上を図るとともに、シール材と基板との間に介在される積層された絶縁膜の剥がれを防止し、かつ、該絶縁膜の下層に形成される配線あるいは回路を機械的衝撃から保護し得る液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、シール材の形成領域に及んで形成される絶縁膜が、シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜とこの無機絶縁膜に当接して無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成されるものであって、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部を前記シール材の形成領域にその周方向に沿って形成するようにしたものである。
【００１４】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１５】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記液晶の広がり方向に複数の画素の集合から形成される画像表示部と、
前記第１基板および前記第２基板の間に前記画像表示部を囲んで形成され前記液晶を封止するシール材と、を備える液晶表示装置であって、
少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、
前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されていることを特徴とする。
【００１６】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って連続して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
（３）本発明の液晶表示装置は、（２）において、前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする。
【００１８】
（４）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って断続して形成されていることを特徴とする。
【００１９】
（５）本発明の液晶表示装置は、（４）において、前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする。
【００２０】
（６）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記シール材の周方向の各箇所において前記シール材の幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
（７）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記凹陥部は前記シール材の形成領域において点状の凹陥部が散在されて形成されていることを特徴とする。
【００２２】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２３】
上述した液晶表示装置によれば、シール材の基板側への接着性の向上を図るとともに、シール材と基板との間に介在される積層された絶縁膜の剥がれを防止し、かつ、該絶縁膜の下層に形成される配線あるいは回路を機械的衝撃から保護することができるようになる。
【００２４】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００２６】
〈実施例１〉
（全体の概略構成）
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例１を示す平面図である。図２に示す液晶表示装置はたとえば携帯電話用の液晶表示装置を示している。
【００２７】
図２において、たとえばガラスからなる基板ＳＵＢ１、基板ＳＵＢ２が対向して配置されている。基板ＳＵＢ２は、基板ＳＵＢ１よりも小さな面積で形成され、基板ＳＵＢ１のたとえば図中下側の辺部を露呈させるように配置されている。基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部には画素駆動用の半導体装置（チップ）ＳＥＣがフェースダウンされて搭載されている。
【００２８】
基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間には液晶ＬＣ（図１参照）が挟持されている。この液晶ＬＣは、基板ＳＵＢ２の周辺に沿った環状のパターンからなり、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との固着を兼ねるシール材ＳＬ（たとえば膜厚３〜４μｍ、幅７００μｍ）によって封止されるようになっている。なお、このシール材ＳＬは、たとえば基板ＳＵＢ２側の面にたとえばインクジェット方式、ディスペンサ、スクリーン印刷などを用いた塗布方法によって上述したパターンに形成されるようになっている。
【００２９】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面であってシール材ＳＬによって囲まれた領域には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬ、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。画素領域は、隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域で構成され、マトリックス状に配置される画素領域の集合からなる領域内に画像表示部ＡＲが構成されるようになっている。また、この実施例で示す液晶表示装置は、たとえばＩＰＳ（In Plane Switching）あるいは横電界方式と称され、隣接する一対のゲート信号線ＧＬの間にはコモン信号線ＣＬが形成されている。後述の画素電極（図３にて符号ＰＸで示す）とともに対向電極（図３にて符号ＣＴで示す）は基板ＳＵＢ１側に形成され、対向電極ＣＴは前記コモン信号線ＣＬに接続されるようになっているからである。尚、対向電極ＣＴ自体がコモン信号線ＣＬの役割を兼ねていてもよい。
【００３０】
図３は、各画素における等価回路を示す図で、たとえば図２の点線枠Ｐ内の回路を示している。画素領域には、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、オンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、該画素電極ＰＸとの間に電界を発生させる対向電極ＣＴが備えられている。対向電極ＣＴにはコモン信号線ＣＬを通して映像信号に対して基準となる信号(基準信号)が供給されるようになっている。
【００３１】
前記各ゲート信号線ＧＬはたとえばその一端部から引き出し配線ＷＧ（この明細書において単に配線と称する場合がある）が引き出され前記半導体装置ＳＥＣの出力電極に接続されている。この実施例の場合、画像表示部ＡＲの上方に形成されるゲート信号線ＧＬは図中右側の端部から、下方に形成されるゲート信号線ＧＬは図中左側の端部から各引き出し配線ＷＧが引き出されるようになっている。しかし、これに限定されることはなく、全て同方向側の端部から引き出されるように構成してもよい。そして、これら引き出し配線ＷＧは、半導体装置ＳＥＣに接続されるため下辺側のシール材ＳＬの形成領域を交差するようにして形成されているが、その手前において、幾つかの引き出し配線ＷＧは左辺側あるいは右辺側のシール材ＳＬの形成領域に重なり、さらに該形成領域に沿って形成されている。額縁領域を小さくし、画像表示部ＡＲの占める面積をできるだけ大きく構成せんとするためである。前記各ドレイン信号線ＤＬはたとえば図中下端部から引き出し配線ＷＤ（この明細書において単に配線と称する場合がある）が引き出され、これら引き出し配線ＷＤは、半導体装置ＳＥＣに接続されるためシール材ＳＬの形成領域を交差するようにして形成されている。前記各コモン信号線ＣＬはたとえば図中右端部において共通の引き出し配線ＷＣ（この明細書において単に配線と称する場合がある）によって引き出され、該引き出し配線ＷＣは半導体装置ＳＥＣに接続されるためシール材ＳＬの形成領域を交差するようにして形成されている。
【００３２】
（画素の構成）
図４（ａ）、（ｂ）は、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された画素の構成を示す図で、図２に示す点線枠Ｐ内における部分の構成を示している。図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【００３３】
まず、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩが形成され、この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００３４】
絶縁膜ＧＩの表面であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳する薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に、たとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが島状に形成されている。前記薄膜トランジスタＴＦＴは、前記半導体層ＡＳの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタが構成されるようになる。
【００３５】
前記基板ＳＵＢ１の表面には図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの表面に延在させることにより、該延在部を薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとするようになっている。また、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴが形成され、このソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部ＰＤを具備して構成されている。このパッド部ＰＤは後述の画素電極ＰＸと電気的に接続される部分として構成される。
【００３６】
前記基板ＳＵＢ１の表面にはドレイン信号線ＤＬ等をも被って保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避するための絶縁膜からなり、たとえば、無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ１（たとえば膜厚３００ｎｍ）および有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２（たとえば膜厚２０００ｎｍ）の積層構造から構成される。保護膜ＰＡＳ２において有機絶縁膜を用いるのはたとえば保護膜ＰＡＳの表面を平坦化する効果を奏するためである。
【００３７】
保護膜ＰＡＳの表面であって隣接する一対のゲート信号線ＧＬの間には、該ゲート信号線ＧＬの走行方向に沿って形成されるコモン信号線ＣＬが形成されている。このコモン信号線ＣＬは図中ｘ方向に並設される各画素領域のほぼ全域を被って形成され、各画素領域における対向電極ＣＴを兼備した構成となっている。このコモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）は、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成されている。
【００３８】
基板ＳＵＢ１の表面には、コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）をも被って無機絶縁膜からなる層間絶縁膜ＬＩ（たとえば膜厚３００ｎｍ）が形成され、この層間絶縁膜ＬＩの上面には各画素領域に画素電極ＰＸが形成されている。画素電極ＰＸは、たとえば図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図ではたとえば３個）の線状の電極からなり、これら各電極は、前記薄膜トランジスタＴＦＴ側の端部において互いに接続された接続部ＪＮを備えている。画素電極ＰＸは、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性導電膜から構成されている。画素電極ＰＸの接続部ＪＮの一部は、層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨを通して前記ソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されるようになっている。また、この場合において、コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）において、予め、前記スルーホールＴＨとほぼ同軸で該スルーホールＴＨよりも充分に径の大きな開口ＯＰが形成され、前記画素電極ＰＸが対向電極ＣＴと電気的にショートしてしまうのを回避させている。
【００３９】
また、基板ＳＵＢ１の表面には、画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと当接する膜からなり、後述する基板ＳＵＢ２側に形成された配向膜ＯＲＩ２とともに、液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定するように機能する。
【００４０】
（シール材の近傍の構成）
図１は、液晶表示装置のシール材ＳＬの近傍の構成を示す図で、図２のI−I線における断面図となっている。
【００４１】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、回路構成層ＣＯＬ、保護膜ＰＡＳ１、保護膜ＰＡＳ２、層間絶縁膜ＬＩ、配向膜ＯＲＩ１が順次積層されて形成されている。
【００４２】
ここで、基板ＳＵＢ１の画像表示部ＡＲはマトリックス状に配置された複数の画素によって形成されていることから、その詳細な断面は、図４（ｂ）に示すようになっている。しかし、図１では、上述した層構造によって簡略化して示している。
【００４３】
すなわち、画素表示部ＡＲにおいて、回路構成層ＣＯＬは、図４（ｂ）に示したゲート信号線ＧＬ、絶縁膜ＧＩ、半導体層ＡＳ、ドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴ、パッド部ＰＤを備えて構成され、保護膜ＰＡＳ２と層間絶縁膜ＬＩの間には対向電極ＣＴが、層間絶縁膜ＬＩと配向膜ＯＲＩ１の間には画素電極ＰＸが配置されている。
【００４４】
一方、画像表示部ＡＲの外方であってシール材ＳＬの形成領域を超えて形成される回路構成層ＣＯＬは、絶縁膜ＧＩ、ゲート信号線ＧＬの引き出し配線ＷＧあるいはドレイン信号線ＤＬの引き出し配線ＷＤの何れか（図１では、ゲート信号線ＧＬの引き出し配線ＷＧが形成される領域を示している）の積層体で構成され、その上層に順次形成される保護膜ＰＡＳ１、保護膜ＰＡＳ２、層間絶縁膜ＬＩは、画像表示部ＡＲに形成された保護膜ＰＡＳ１、保護膜ＰＡＳ２、層間絶縁膜ＬＩが延在されて形成されたものとなっている。
【００４５】
このような構成において、シール材ＳＬの形成領域における層間絶縁膜（無機絶縁膜）ＬＩの表面には凹陥部ＤＮＴが形成され、この凹陥部ＤＮＴは該層間絶縁膜ＬＩの下層の保護膜（有機絶縁膜）ＰＡＳ２が露出するようにして形成されている。換言すれば、前記凹陥部ＤＮＴは、層間絶縁膜ＬＩを貫通し保護膜ＰＡＳ２を貫通することのない深さを有して形成されている。このようにした理由は、後に詳述するが、有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２を残存させ（残存された保護膜ＰＡＳ２の膜厚は５００〜１５００ｎｍ）、回路構成層ＣＯＬ内の引き出し配線ＷＧ（あるいは引き出し配線ＷＤ）への機械的衝撃に対する保護（クッション機能）を図らんとしているからである。また、この凹陥部ＤＮＴは、シール材ＳＬの長手方向に沿ってたとえば連続して形成され、図２の点線枠Ａ'の拡大図Ａにも示すように、シール材ＳＬの短手（幅）方向にたとえば２個形成されている。なお、この凹陥部ＤＮＴは、２個に限定されることはなく、１個であってもよく、また３個以上であってもよい。
【００４６】
層間絶縁膜ＬＩ、その下層の保護膜ＰＡＳ２にまで至って形成される凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの形成領域に形成されていることから、該シール材ＳＬは、凹陥部ＤＮＴ内に充填され、層間絶縁膜ＬＩの表面のみならず凹陥部ＤＮＴの側壁面および底面にまで接触して形成されるようになる。このため、シール材ＳＬは、前記凹陥部ＤＮＴによって層間絶縁膜ＬＩ、保護膜ＰＡＳ２との接着面積が増大し、これにより、基板ＳＵＢ１側への接着強度を増大させることができる。
【００４７】
また、シール材ＳＬは、前記凹陥部ＤＮＴによって、層間絶縁膜ＬＩのみならず保護膜ＰＡＳ２との接着がなされるようになる。保護膜ＰＡＳ２にも形成される凹陥部ＤＮＴが該保護膜ＰＡＳ２を貫通することなく該保護膜ＰＡＳ２による底部を有することから、シール材ＳＬと保護膜ＰＡＳ２との接着強度は強固なものとなる。このことは、凹陥部ＤＮＴによって層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２との接着が少なくとも凹陥部ＤＮＴの形成領域において強固にでき、該層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳとの剥がれを防止することができる。
【００４８】
また、本実施例に示したように、凹陥部ＤＮＴがシール材ＳＬの長手方向に沿って連続して形成されていることによって、たとえば、図１に対応して描いた図５に示すように、層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２との間の界面から水分Ｗが侵入するようなことがあっても、凹陥部ＤＮＴに充填されたシール材ＳＬによって侵入が阻止され、画像表示部ＡＲへの影響を未然に防ぐことができる効果を奏する。
【００４９】
なお、図１において、基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、ブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成されている。ブラックマトリックスＢＭは、画像表示部ＡＲにおいて、隣接する画素の間を遮光することによってコントラストの向上を図るようになっている。また、ブラックマトリックスＢＭは、シール材ＳＬの形成領域を超える範囲にまで形成され、液晶表示装置の背面に配置されるバックライト（図示せず）からの光が、前記シール材ＳＬおよびその近傍を透過してしまうことによって発生する光漏れを回避している。そして、ブラックマトリックスＢＭの表面には、各画素におけるブラックマトリックスＢＭの開口を塞ぐようにしてカラーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィルタＦＩＬは、隣接する３個の画素において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色を呈し、これら３個の画素によってカラー表示用の単位画素を構成するようになっている。ブラックマトリックスＢＭ、カラーフィルタＦＩＬはたとえば樹脂からなる平坦化膜ＯＣによって被われ、この平坦化膜ＯＣの画像表示部ＡＲに相当する領域には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
【００５０】
〈実施例２〉
図６は本発明の液晶表示装置の実施例２の構成図で、図２と対応した図となっている。
【００５１】
図６において、図２の場合と比較して異なる構成は、画像表示部ＡＲの図中左右側のそれぞれにおいて、走査信号駆動回路Ｖ（なお、この明細書においては単に回路と称する場合がある）が形成されていることにある。この走査信号駆動回路Ｖは、実施例１の場合、半導体装置ＳＥＣ内に組み込まれたものとなっているが、実施例２の場合は、該半導体層ＳＥＣ内の回路とは別個の回路として設けられている。
【００５２】
この走査信号駆動回路Ｖは基板ＳＵＢ１の表面において複数の薄膜トランジスタを含んで形成されている。また、この走査信号駆動回路Ｖは画像表示部ＡＲの形成の際に同時に並行して形成されることから、その層構造も画像表示部ＡＲの層構造とほぼ同じになっている。
【００５３】
そして、走査信号駆動回路Ｖは、画像表示部ＡＲの占める面積をできるだけ大きくしようとするため、シール材ＳＬの形成領域に一部重複して形成されるようになっている。この場合、走査信号駆動回路Ｖを被って形成される前記層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳ２において、図１に示した凹陥部ＤＮＴが形成されていても、該凹陥部ＤＮＴの形成領域において、保護膜（有機絶縁膜）ＰＡＳ２の一部が残存されていることから、該有機保護膜ＰＡＳ２によって機械的衝撃に対する保護がなされた構成となっている。
【００５４】
なお、図６において、走査信号駆動回路Ｖはゲート信号線ＧＬに接続され、該ゲート信号線ＧＬのそれぞれに走査信号を供給するともに、この走査信号駆動回路Ｖを通して各コモン信号線ＣＬに基準信号を供給する構成となっている。
【００５５】
〈実施例３〉
図７は本発明の液晶表示装置の実施例３の構成図で、図２の拡大図Ａと対応した図となっている。
【００５６】
図７において、該拡大図Ａの場合と比較して異なる構成は、層間絶縁膜ＬＩおよびその下層の保護膜ＰＡＳ２に形成する凹陥部ＤＮＴにある。該凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの長手方向に沿って断続的に形成されている。図７の場合、凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの短手方向に２個（この数に限定されることはない）並設されて形成され、いずれもシール材ＳＬの長手方向に沿って断続的に形成されている。
【００５７】
このように構成した凹陥部ＤＮＴは、実施例１のように連続的に形成されていなくても、層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳ２は該凹陥部ＤＮＴの形成領域において強固に接続され、それらの剥がれを防止できることから、このように構成してもよい。
【００５８】
また、この場合、図７に示すように、シール材ＳＬの短手方向に並設される一方の側の凹陥部ＤＮＴにおいて、その断続的な配置によってシール材ＳＬの長手方向に凹陥部ＤＮＴが形成されていない領域（図中ＰＴで示す）があっても、該領域に相当するシール材ＳＬの短手方向に他方の側の凹陥部ＤＮＴが存在するようになっている。
【００５９】
このようにした場合、シール材ＳＬの長手方向に断続された凹陥部ＤＮＴが形成されていても、複数に並設された他の凹陥部によって、シール材ＳＬの長手方向に沿って観る限り連続して配置されているのと同様の効果を奏する。したがって、層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２との間の界面から水分が侵入するようなことがあっても、シール材ＳＬの短手方向に並設される複数の凹陥部ＤＮＴによって侵入が阻止され、画像表示部ＡＲへの影響を防ぐことができる。
【００６０】
このような効果は、シール材ＳＬの短手方向に３個あるいはそれより大きな数で並設された凹陥部であって、それぞれの列における凹陥部が断続して形成されている場合にも適用することができる。いずれの場合でも、前記シール材ＳＬの周方向の各箇所において該シール材ＳＬの幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部が形成されるようになっていればよい。
【００６１】
〈実施例４〉
図８は本発明の液晶表示装置の実施例４の構成図で、図７と対応した図となっている。
【００６２】
図８において、図７の場合と比較して異なる構成は、凹陥部ＤＮＴは点状のパターンで形成され、これら各凹陥部ＤＮＴはシール材ＳＬの形成領域に散在して形成されていることにある。この場合でも、全体で見ればこれら複数の凹陥部ＤＮＴが、シール材ＳＬの形成領域の周方向に沿って形成されていることとなる。
【００６３】
このようにした場合であっても、層間絶縁膜ＬＩおよび保護膜ＰＡＳ２は該凹陥部ＤＮＴの形成領域において強固に接続され、それらの剥がれを防止できる効果を奏する。
【００６４】
図８の場合、点状のパターンからなる各凹陥部ＤＮＴは面積を比較的小さく形成したものであるが、より大きな面積で構成し、シール材ＳＬの周方向の各箇所において該シール材ＳＬの幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部ＤＮＴが形成されるようにすることによって、層間絶縁膜ＬＩと保護膜ＰＡＳ２の周辺における界面からの水分の侵入を各凹陥部ＤＮＴによって阻止できるようにすることもできる。
【００６５】
点状のパターンからなる前記凹陥部ＤＮＴは、丸状でなくても、たとえば三角、四角等の他の形状であってもよい。
【００６６】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の液晶表示装置のシール材の近傍の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の実施例１を示す平面図である
【図３】本発明の液晶表示装置の画素における等価回路を示す図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の一方の基板の液晶側の面に形成される画素の構成を示す図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の効果を示す説明図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の実施例２の構成図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の実施例３の構成図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の実施例４の構成図である。
【符号の説明】
【００６８】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＥＣ……半導体装置、ＬＣ……液晶、ＳＬ……シール材、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＷＧ、ＷＤ、ＷＣ……引き出し配線、ＧＩ……絶縁膜、ＡＳ……半導体層、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＡＳ……保護膜、ＰＡＳ１……保護膜（無機絶縁膜）、ＰＡＳ２……保護膜（有機絶縁膜）、ＬＩ……層間絶縁膜（無機絶縁膜）、ＴＨ……スルーホール、ＯＰ……開口、ＤＮＴ……凹陥部、Ｗ……水分、Ｖ……走査信号駆動回路。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記液晶の広がり方向に複数の画素の集合から形成される画像表示部と、
前記第１基板および前記第２基板の間に前記画像表示部を囲んで形成され前記液晶を封止するシール材と、を備える液晶表示装置であって、
少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、
前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って連続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って断続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記シール材の周方向の各箇所において前記シール材の幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記凹陥部は前記シール材の形成領域において点状の凹陥部が散在されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記液晶の広がり方向に複数の画素の集合から形成される画像表示部と、
前記第１基板および前記第２基板の間に前記画像表示部を囲んで形成され前記液晶を封止するシール材と、を備える液晶表示装置であって、
少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、
前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って連続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記凹陥部は前記シール材の周方向に沿って断続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記凹陥部は前記シール材の幅方向に複数並設されて形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記シール材の周方向の各箇所において前記シール材の幅方向には少なくとも一つの前記凹陥部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記凹陥部は前記シール材の形成領域において点状の凹陥部が散在されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−９１８９６（Ｐ２０１０−９１８９６Ａ）
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６３４６５（Ｐ２００８−２６３４６５）
【出願日】平成２０年１０月１０日（２００８．１０．１０）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月１０日（２００８．１０．１０）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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