【課題】マスク交換が不要で、しかもスループットが低下しない露光装置、露光方法およびそれに用いるフォトマスクを提供する。
【解決手段】この発明の露光装置は、所定波長の光を出射する光源１と、少なくとも二種類のパターンが所定のピッチで交互に配置されたパターンを有し、光源からの光が透過されるフォトマスク３と、フォトマスクと被露光対象との間に設けられ、フォトマスクのパターンを被露光対象に結像する光学系５と、フォトマスクのパターンが第一の位置で被露光対象に露光された時点でフォトマスクを第一の位置に対して所定のピッチだけ移動させるマスク移動機構４を含む。 （もっと読む）

【課題】 数種類の透過率を有し、かつ各々の種類の透過率において寸法の異なるパターンを有するテストマスクにより半透明欠陥に対する欠陥検査装置の検出感度調整することを目的とする。前記テストマスクの製造方法とテストマスクを用いた欠陥検査装置の検出感度調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 テストマスクは、数種類の透過率を有し、かつ各々の種類の透過率において寸法の異なるパターンを有するようにしたものであり、テストマスクの製造方法は、ガラス基板上の遮光膜のパターン形成を行う工程と、パターンの遮光膜の膜厚を変える工程と、を備え、前記遮光膜の膜厚を変える工程を繰り返し、テストマスクを作製する。テストマスクをウェハーへ転写し、各種欠陥の保証欠陥寸法と決定し、欠陥検査装置にて、テストマスクにより半透明欠陥に対する欠陥検査装置の検出感度調整する。 （もっと読む）

半導体デバイスの半導体層を形成する方法であって、エネルギー源と半導体ウェーハとの間にレティクルを介在させることであって、レティクルは、それぞれが異なるバイアスを有する少なくとも２つの複製マスクパターンを含む、レティクルを介在させること、及び、エネルギー源を用いて、シャッタ内の開口部に、且つ少なくとも２つの複製マスクパターンのうちの一つに、エネルギーを通過させることであって、それによって、半導体ウェーハ上に像を形成する、エネルギーを通過させることを含む、半導体デバイスの半導体層を形成する方法。少なくとも２つの複製マスクパターンのうちの一つは、要求されるバイアスに基づいて選択される。少なくとも２つの複製マスクパターンは、互いに対して並置され、且つシャッタ開口部に対して平行に又は横向きに延在する。 （もっと読む）

パターニング方法は、相補的なレチクルの組を個別に転写することを可能にする。一実施形態においては、例えば本方法では、位相シフトマスク（ＰＳＭ）（１１２）をエッチングし、次にｃＰＳＭマスク（１１０）に対応するカットマスクをエッチングする。更に、分離相補型マスクパターン転写方法は２つの個別の、かつ分離されたマスクパターニング工程を含み、これらの工程では、像を最終ウェハパターニングの前に、複合パターンを、中間ハードマスク（１１２）に部分的に転写することにより形成する。中間ハードマスク材料（１１２）及び最終ハードマスク材料（１１０）は、像が最終エッチングプロセスの前に下層の基板（１０２）またはウェハに像が転写されることがないように選択される。
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異なる処理条件の結果として、半導体のウェハ上に作成された複数の対象物の変動を算出することによる集積回路のレイアウトおよび設計解析のためのシステム。本変動は各機能の不具合を判断するため、または処理中に生じる変動の影響度によりレイアウト設計をランクづけするために解析される。一実施例において、本変動は、対象物が常に印刷する最小領域を判断する内端、および対象物が特定の処理条件下で印刷する最大領域を判断する外端をもつＰＶバンドにより示される。
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本発明は、大型フォトマスク即ちレチクルなどのマスク、及び前記マスクのパターンをディスプレイ・パネル又は半導体ウェハなどのワークピースに印刷するウェハ・ステッパ又は投影型露光装置などの露光ステーションを使用したリソグラフィにおける幾何学誤差を予測及び／又は測定し、且つ、修正するための方法及びシステムに関する。ワークピース上にパターンを印刷する際のプロセスの変化を補償する方法には、前記ワークピース上に印刷された前記パターン内の二次元ＣＤプロファイルを決定するステップ、前記二次元ＣＤプロファイル内の変動を等化するための二次元補償ファイルを作成するステップ、及び前記二次元補償ファイルでワークピースをパターニングするステップが含まれている。
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仮想のウエハースとリソグラフのライブラリを使用することで、リソグラフのツールとプロセスのエミュレーションを生産するための技術が開示される。リソグラフ投影イメージ用マシンをエミュレートすることは、イメージマシン、イメージマシンで使用されるレチクル、および層固有のプロセスの特性を決定すること含む。そして、イメージマシン、レチクルおよび層固有のプロセスの特徴を用いて、仮想のウエハー上でエミュレーションを実行する。決定されたマシンの特徴は、露光源、レンズ異常、射出瞳、マシン、振動、校正オフセット、またはレジストを含む。決定されたレチクルの特徴は、明細書で述べたような歪み、臨界寸法、位相伝送エラー、マスククリップ、またはマスク位置を含む。また層固有のプロセスの特徴は、マシンモデル、マシン設定用識別子、およびフィールド露光順を含む。エミュレーション結果は、最適化器に入力でき、そして投影イメージ用マシンに関連する最適な運転条件が決定される。

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集積回路の元の非解像度強化レイアウトおよび関係する解像度強化レイアウトに基づいて、中間解像度強化状態レイアウトを生成する。中間解像度強化状態レイアウトは、元のレイアウトの部分と対応するフラグメントおよびそのフラグメントと関係付けられるバイアスを含み、バイアスは、フラグメントと、解像度強化レイアウトとの間の距離を指示する。また、フラグメントには、フラグメント種類、フラグメント配置およびバイアス等の、属性を割り当てる。中間解像度強化状態レイアウトを組合せて、フルチップＩＣのためのレイアウトを生成することができる。二つ以上の中間解像度強化状態レイアウトをアセンブルし、局部的に再融合して、中間解像度強化状態レイアウトと関係付けられる解像度強化を調整し、フルＩＣのための中間解像度強化状態レイアウトを得る。
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本発明は、画像システム（ＩＳ）における画像ぼけ部に関するパラメータを決定する方法であって、前記方法は、前記画像システム（ＩＳ）によって、テストパターン（ＭＴＰ）を有する目的物を照射し、それによって前記テストパターンの画像を形成する方法に関する。前記テストパターン（ＭＴＰ）は、前記画像システム（ＩＳ）の分解能よりも小さな寸法を有しており、これにより、照射器収差から独立してテストパターンの画像が形成される。テストパターン（ＭＴＰ）は孤立パターンであり、これにより、画像は光近接効果を有さない。画像は、画像システム及び／又はぼかされた画像を検出する検出器における確率変動によりぼかされる。画像ぼけ部に関するパラメータは、ぼかされた画像の形状に関するパラメータから決定される。本発明により、レジスト拡散及び／又は焦点雑音が特徴付けられてもよい。マスクを設計する方法において、レジストにおける拡散による画像ぼけ部に関するパラメータが考慮される。本発明によるコンピュータプログラムは、ぼかされた画像の形状に関するパラメータから画像ぼけ部に関するパラメータを決定するステップを実行し得る。

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レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法が提供される。１方法は、レチクル設計データがレチクル製造プロセスを使用してどのようにレチクル上にプリントされるかを示す第１シミュレートイメージを生成する段階を含む。また本方法は、第１シミュレートイメージを使用して第２シミュレートイメージを生成する段階を含む。第２シミュレートイメージは、レチクルがウェーハプリントプロセスの１つ又はそれ以上のパラメータの種々の値でどのようにウェーハ上にプリントされるかを示す。更に、第２シミュレートイメージを使用してレチクル設計データにおける欠陥を検出する段階を含む。別の方法は、種々の値の関数として第２シミュレートイメージの特性における変化率を求める段階に加えて上述の生成ステップを含む。この方法はまた、変化率に基づいてレチクル設計データにおける欠陥を検出する段階を含む。 （もっと読む）

複数の露光領域（２）を有し、露光領域（２）の各々がＩＣを配置された複数の格子領域（３）を有するウエハ（１）において、ダイシング経路（６，８）の２つのグループ（５，７）が設けられ、４つの制御モジュール領域（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｃ２、Ｃ４、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｆ１、Ｆ３、Ｇ２、Ｈ１、Ｊ１）が各露光領域（２）に割り当てられ、制御モジュール領域（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｃ２、Ｃ４、Ｄ２、Ｄ４、Ｅ１、Ｅ３、Ｆ１、Ｆ３、Ｇ２、Ｈ１、Ｊ１）の各々が、少なくとも１つの光学制御モジュール（ＯＣＭ−Ａ１、ＯＣＭ−Ａ２、ＯＣＭ−Ａ３、ＯＣＭ−Ａ４、ＯＣＭ−Ｂ１、ＯＣＭ−Ｂ２、ＯＣＭ−Ｂ３、ＯＣＭ−Ｂ４、ＯＣＭ−Ｃ２、ＯＣＭ−Ｄ４）を含み、当該露光領域（２）内に位置し、少なくとも１つの格子領域（３）の代わりに設けられ、相互最小距離（Ｋ）を隔てて配置される。
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位相シフト・フォトマスク、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させるための方法が開示される。その方法は、基板の上面に形成されたゼロ度ＰＳＷ、および基板の第１領域に形成された１８０度ＰＳＷを備えるフォトマスクを提供するステップを含む。リソグラフィ・プロセス中に基板の第２の領域全体にわたって、増加された強度の放射エネルギーの投影を促進させる直交ＰＳＷは、ゼロ度ＰＳＷと１８０度ＰＳＷの間の第２の領域に形成される。
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マスクパターンとして透過性基板１００上に設けられたパターン１２１は部分パターン１２１Ａ及び１２１Ｂを有する。部分パターン１２１Ａ及１２１Ｂはそれぞれ、透光部を基準として露光光を反対位相で透過させる位相シフター１０２と該位相シフター１０２を囲む遮光部１０１とからなるマスクエンハンサー構造を持つ。部分パターン１２１Ａは、透光部を挟んで所定の寸法以下の距離で他のパターン１２２及び１２３と近接している。部分パターン１２１Ａの位相シフター１０２Ａの幅は、部分パターン１２１Ｂの位相シフター１０２Ｂの幅よりも小さい。
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対応するフォトマスクのＣＤを補正することにより、ウェハのパターン線の臨界寸法（ＣＤ）の変動を補償するための方法。フォトマスクは、２つのほぼ対向する面、すなわち、第１の背面および第２の前面を有する透明基板を有し、前面上には吸収性コーティングが塗布され、パターン線のところのコーティングを除去することによりパターン線がすでに形成されている。この方法は、フォトマスクに関連するウェハ露光フィールドの領域を横切ってＣＤ変動を決定するステップと、所定の目標値より大きなＣＤ変動が決定されたウェハ露光フィールドの領域と相関する領域内のフォトマスクの基板内に遮光素子（ＳＥ）を供給するステップとを含み、それにより、遮光素子が、領域を通過する光を減衰してウェハ上のＣＤ変動を補償し、従って、改善されたＣＤ許容ウェハを供給する。 （もっと読む）

【課題】 レジスト型遮光膜マスクにおいては、現像のみでパタン短寸法が決定されるため寸法ばらつき、平均値の変動が小さくならないという課題があった。
【解決手段】 描画パタンに対して、寸法バイアスを入れる。このとき、寸法バイアス量は描画時のビーム照射量に対する寸法変化が最小となる照射量での寸法誤差分に設定する。又、予め遮光膜部分の短寸法を大きく形成し、酸素プラズマを使用したライトアッシングにより、所望の寸法を得る。これらの手段により、レジスト型遮光膜マスクにおいても低コストで歩留まり良く、所望の短寸法精度でマスク製作が可能となった。 （もっと読む）

【課題】 エバネッセント光と伝播光の両方を用いた露光において、均一な大小パターン形成を実現する、パターン作製方法及び、パターン作製装置を提供する。
【解決手段】 フォトマスクを透過する光の主成分がエバネッセント光となる微小開口と伝播光となる開口を有したフォトマスクを用いたパターン作製方法において、フォトレジストを微小開口の幅以下の膜厚形成し、露光用光をフォトマスクに入射させ、フォトレジストを露光した後に現像を行い、被加工基板上にフォトレジストのパターンを作製した。 （もっと読む）