【課題】パーティクルの発生が少なく、洗浄耐性の優れた遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】多層反射層０２を掘り込んだ遮光枠を有する反射型マスクにおいて、多層反射層の側面に、電解めっき法により側壁保護層を形成することで、パーティクルの発生を低減することができる。さらに本発明のマスクとすることで、マスク洗浄工程における多層反射層の劣化を抑制することが可能となり、高品質の反射型マスクを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有し、高い精度で転写パターンを形成できる反射型マスクブランク、その製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】回路パターン領域８５を形成する前段階で遮光枠２５を形成し、また遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないから、回路パターン領域８５へのパーティクル付着を抑制でき、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないため、多層反射層２１が数層残ってしまう懸念が無く、多層反射層２１から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠２５を形成することができる。これらのことから、反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１を用いることで、高い精度で転写パターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を有する反射型マスクブランクの製造工程において、前記基板に遮光枠パターンを掘り込み、その段差分吸収層を厚く形成することにより
反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランクを作製することができる。この反射型マスクブランクに回路パタンーを形成することで、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクに、回路パターンと、回路パターン形成領域外の遮光枠領域とを設けて、反射型マスクを構成する。遮光枠領域内の吸収膜と、保護膜と、多層反射膜とを除去して溝を形成し、この溝の内部に不要な波長の光を吸収する樹脂層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ステンシルマスクについて、メンブレンの破損を防止し、また取り扱いを容易にするステンシルマスクを提供する。
【解決手段】電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、基板上に設けられ、開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層と、ステンシルパターン形成層上に設けられ、ステンシルパターン形成層のうちステンシルパターンが形成されているメンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備える。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクの裏面に形成された導電膜と、マスク固定用の静電チャックとの接合の結果、発生する異物や接合面の劣化を防止できる反射型マスクおよび露光装置を提供する。
【解決手段】ＥＵＶマスク１２は、基材上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜及び吸収膜を形成し、基材の裏面に導電膜及び保護被膜を均一に塗布したもので、ＥＵＶ露光装置のマスクステージ１３に吸着させる。ＥＵＶマスク１２と露光装置内の静電チャックが、炭素原子を基本骨格とする保護被膜を介して接触することで、ＥＵＶマスク裏面の導電膜と静電チャック双方の表面劣化、異物の発生、固着を防ぐ。同時に、静電チャック側に残留した異物は装置内で洗浄用光源１７からエネルギー線１８を照射することで除去する。 （もっと読む）

【課題】補助パターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、補助パターンの欠けや基板表面からの剥離、あるいは補助パターンの倒れを防止し、マスク製作が比較的容易で高精度のパターン転写が可能となる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され前記反射層へのエッチング損傷を防止するバッファ層と、前記バッファ層上に形成され前記ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用反射型マスクであって、前記ＥＵＶ露光用反射型マスクのマスクパターンが、ウェハ上に転写される主パターンと、前記主パターンの近傍に設けられ投影光学系の解像限界以下の大きさの補助パターンとからなり、前記補助パターンがバッファ層で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクにおいて、中間膜の薬液耐性を向上させる。
【解決手段】遮光部１１０は、半透光膜１０１、中間膜１０２、及び遮光膜１０３が透明基板１００上にこの順に積層されてなり、半透光部１１５は、半透光膜１０１が透明基板１００上に形成されてなり、透光部１２０は、透明基板１００が露出してなり、遮光部１１０を構成する中間膜１０２の側部には、中間膜１０２が酸化されてなる変質部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高価なＥＵＶ露光用のマスクブランクの再利用が容易な反射型マスクブランクの再生方法および該反射型マスクブランクを用いた高品質パターンを有する反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、吸収層上にハードマスク層とを少なくとも設けたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの再生方法であって、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、ハードマスクパターンのパターン寸法計測および外観欠陥検査を行う工程と、パターン寸法計測および／または外観欠陥検査の値が所定の仕様値の範囲外であり、寸法補正および／または欠陥修正が困難とされるとき、ハードマスクパターンをエッチングして除去する工程と、吸収層上に再度ハードマスク層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ光を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、使用により汚染した反射型マスクを、洗浄することにより生じるＥＵＶ光反射率の低下に対し、ＥＵＶ光反射率を元の反射率に復元することが可能な反射型マスクおよびその修復方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 酸によるマスク洗浄を複数回繰り返すことによって削られたキャッピング層の上にＥＵＶ光の反射率を調整するための堆積膜を所定量形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】新規な保護膜が形成されたレジストパターン形成用部材を提供する。
【解決手段】保護膜付きレジストパターン形成用部材は、酸化物を含む表面を有し、レジストパターン形成のためレジスト膜に密着して用いられるレジストパターン形成用部材と、レジストパターン形成用部材上に形成され、直鎖状で主鎖がパーフルオロポリエーテルを含み末端基に水酸基を含む両親媒性分子を含む保護膜とを有する （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーのフォトマスクへの照射はフォトマスクの回路パターン面のパターン膜を改質させ、素子線幅を変動させてしまう不都合が生じる。また、一度納品したフォトマスクがフォトマスクメーカーに戻り再度洗浄される再洗浄品は、回路パターン膜が改質しているため、洗浄により素子線幅が更に変動する不都合が生じる。更に、洗浄による回路パターン膜の破壊や回路パターン膜と膜の間に異物がはまり込む等の理由から納品時の外観品質維持が極めて困難となる。
【解決手段】石英基板1aの回路パターン膜1b上に、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物等からなる透明な保護膜1cを回路パターン膜1bの膜厚以上の高さで成膜し、保護膜成膜時に形成される表面凹凸を研磨することにより除去してフォトマスク1を製造する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによるキャッピング膜の表面あれや膜質の変化を起こさず微細なパターン形成することが可能な反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に形成され、多層反射膜を保護するキャッピング膜と、キャッピング膜上に形成され、ドライエッチングに対して耐性を有するドライエッチングストッパ膜と、ドライエッチングストッパ膜上に形成され、露光光を吸収する吸収膜と、吸収膜上に形成され、検査光の反射を防止する反射防止膜と、を有し構成されることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時の露光光に対するコントラストを向上させ、またパターンエッジ部分でのパターン解像性を向上させて高解像度のパターン転写を行うことができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２と、バッファ膜３と、露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランク１０であって、吸収体膜４は、最上層４ｂと下層４ａからなる積層構造となっており、最上層はＴａの酸化物、酸窒化物又は炭化物のいずれかを含む材料で形成され、屈折率ｎが０．９５〜０．９７、消衰係数ｋが−０．０３３〜−０．０２３であり、下層はＴａを含む材料で形成され、屈折率ｎが０．９４〜０．９７、消衰係数ｋが−０．０５０〜−０．０３６である。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成して得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層は、上記吸収層が部分的に除去された吸収体転写パターンが形成された吸収体転写パターン領域を有し、上記吸収体転写パターン領域の外周の少なくとも一部には、上記多層膜、中間層および吸収層が除去されて上記基板が露出している遮光枠部が形成されており、上記遮光枠部内の上記多層膜が露出した側面のみに、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する保護用酸化皮膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの基板から着膜層を簡易及び低コストな方法で剥離し、基板の再利用を図ることにより、フォトマスクの低コスト化を図る。
【解決手段】基板上にパターン層と保護膜層とが形成されたフォトマスクにて、上記基板から上記パターン層及び上記保護膜層を剥離する方法であって、上記フォトマスクの上記保護膜層側から所定の深さの切り込み部を形成する第一ステップと、上記パターン層を上記基板から剥離する溶剤を上記切り込み部から浸透させる第二ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】露光によるフォトマスクの劣化を防ぐ為に、遮光膜の酸化を制御して、フォトマスクを長寿命化することができるフォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供すること。
【解決手段】基板を準備し、基板上に遮光膜を形成し、遮光膜の表面を窒化処理し、窒化処理によって、窒化クロム、窒化チタンクロム、窒化チタンタングステン、窒化ジリコニウム、窒化アルミニウムのいずれかを形成し、窒化処理がプラズマ軟窒化法、ガス酸窒化法、イオンビームスパッタリング法、アークイオンプレーティング法のいずれかを用いることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 保護テープ基材の内部異物、凝集粒子やオリゴマーの発生が極めて少ないフォトマスク保護テープ用ポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】 下記式（１）および（２）を同時に満たす量のチタン化合物およびリン化合物を含み、アンチモン元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、実質的に粒子を含まない二軸配向ポリエステルフィルムの両面に塗布層を有することを特徴とするフォトマスク保護テープ用二軸配向ポリエステルフィルム。
１≦Ｗ_ＴＩ≦２０ …（１）
１≦Ｗ_Ｐ≦３００ …（２）
（上記式中、Ｗ_ＴＩはポリエステルフィルム中のチタン元素含有量（ｐｐｍ）、Ｗ_Ｐはポリエステルフィルム中のリン元素含有量（ｐｐｍ）を示す） （もっと読む）

【課題】 保護テープ基材の内部異物、凝集粒子やオリゴマーの発生が極めて少ないフォトマスク保護テープ用ポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】 下記式（１）および（２）を同時に満たす量のチタン化合物およびリン化合物を含み、アンチモン元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、実質的に粒子を含まない二軸配向ポリエステルフィルムの両面に帯電防止層を有し、当該帯電防止層表面の表面固有抵抗がいずれも１．０×１０^１３Ω／□以下であることを特徴とする液状レジストフォトマスク保護テープ用二軸配向ポリエステルフィルム。
１≦Ｗ_ＴＩ≦２０ …（１）
１≦Ｗ_Ｐ≦３００ …（２）
（上記式中、Ｗ_ＴＩはポリエステルフィルム中のチタン元素含有量（ｐｐｍ）、Ｗ_Ｐはポリエステルフィルム中のリン元素含有量（ｐｐｍ）を示す） （もっと読む）