【課題】リソグラフィプロセスのために好ましいレイアウトを得るための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、複数のフィーチャを含む初期レイアウトを識別するステップと、終了条件が満足するまでフィーチャを再構成することによって、好ましいレイアウトを得るステップと、を含み、再構成するステップが、複数のリソグラフィプロセス条件に関しフィーチャへの一組の変化がリソグラフィメトリックにどのように影響したかを測定する費用関数を評価するステップと、少なくとも幾つかがフィーチャの特性の関数である一連の項に費用関数を展開するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第１のパターンと、チップ外領域に形成され第１のパターンとは異なる第２のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第１のパターンとの比較から第２のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第２のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクブランクス中の微細な位相欠陥を感度良く且つ簡易に検出する検査方法を提供する。
【解決手段】反射光学系を有するＥＵＶ露光装置に、チップパターンを有するＥＵＶマスクブランクスと、下層膜、中間層膜及びネガ型レジスト膜が形成された基板とを設置する。ＥＵＶ光露光によりネガ型レジスト膜にチップパターンを転写した後、当該ネガ型レジスト膜をマスクとして中間層膜をエッチングしてチップパターンを転写し、その後、当該中間層膜をマスクとして下層膜をエッチングしてチップパターンを転写する。下層膜の２箇所以上の領域に転写されたチップパターンを比較することによって、ＥＵＶマスクブランクスの欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】発生頻度が低くフォトマスクの寸法不具合起因のパターン系統的な欠陥の検出精度を向上させる。
【解決手段】パターングルーピング部１６ｂは、レイアウトパターン間の類似性に基づいてレイアウトパターンをグルーピングし、重み値設定部１６ｃは、パターングルーピング部１６ｂにてグルーピングされたグループに属するレイアウトパターンの形成困難性に基づいて、グループの重み値を設定し、グループ順位算出部１６ｅは、グループに属するレイアウトパターンの個数およびグループの重み値に基づいて、グループの順位を算出する。 （もっと読む）

【課題】マスクの良品率を向上させることによってマスクの製造コストを下げることができるマスク判定方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスク判定方法では、マスク上に形成されたマスクパターンの寸法および光学特性の少なくとも一方に対し、マスク面内における面内誤差平均値およびマスク面内における面内ばらつき分布の少なくとも一方を測定する。そして、照明光源から発した露光光を前記マスクに照射して基板上に基板上パターンを形成した場合に前記基板上に形成される像性能を表すコスト関数が所望値に近づく照明条件を、前記面内誤差平均値および前記面内ばらつき分布の少なくとも一方に基づいて算出する。さらに、前記照明条件で前記マスクに露光光を照射して前記基板上に基板上パターンを形成した場合の像性能が所定の許容範囲内であるか否かに基づいて、前記マスクの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】マスク欠陥のウェハ転写性を効率良く評価し、ＳＭＯが適用されているマスクのウェハ上の寸法やＤＯＦを効率良く評価する。
【解決手段】フォトマスクの評価システム１は、走査型電子顕微鏡２によりフォトマスクを撮像して写真取得部１１が得た写真を基に、フォトマスクのパターンの輪郭を抽出する輪郭抽出処理部１２と、輪郭抽出処理部１２が抽出したフォトマスクのパターンの輪郭を基にリソグラフィシミュレーションによる演算を行うリソグラフィシミュレータ部１３と、リソグラフィシミュレータ部１３の演算結果を基に、フォトマスクの欠陥のウェハへの転写の状態を取得するウェハＣＤ算出部１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行う。
【解決手段】複数の半導体素子パターン１２と、半導体素子パターン１２から、複数の半導体素子パターン１２のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３とを有するレチクル１１を用いて、半導体基板上のフォト・レジストに露光し、識別用パターン１３の転写パターンを用いて、特定半導体素子パターン１２Ａの転写パターンの検査を行う。 （もっと読む）

【課題】 パターン評価方法、パターン補正方法及びパターン発生装置に関し、回路パターン寸法を劣化させるフレア量変化を考慮して近接効果を精密に評価する。
【解決手段】 露光装置の投影光学系のミラーの特性から、被露光基板上に散乱される点像分布関数を算出し、点像分布関数と第１のマスク上に配置してある評価パターンの被覆率を畳み込むことにより任意の評価パターンにおけるフレア光強度を算出し、次いで、複数の評価パターンのパターン配置およびパターン領域を算出したフレア光強度が等しくなるよう設定し、設定に基づき第１のマスクを作製した第１のマスクに設けたパターンを被露光基板上に投影して、空間像の特性を計測し、計測結果を参照して実露光パターンの補正データを作成する。 （もっと読む）

【課題】モニタ領域を設けることなく、マスクデータの状態で設計パターンを測長することにより、素子サイズの縮小化を阻害することなく、簡易且つ正確な測長を可能とし、工数を削減してレチクルを無駄にすることのない信頼性の高いパターン検証を実現する。
【解決手段】レチクルにモニタ領域を設けることなく、レチクルの形成シミュレーション（レチクルシミュレーション）を行ってレチクルデータの状態で設計パターンを測長し、結果パターンの測長値の予め規定された目標値との乖離から、当該結果パターンの対応する設計パターンの保証の是非を決定する。 （もっと読む）

【課題】１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる露光方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る露光方法は、新マスクを露光装置に設置し、前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件を前記露光装置に設定する工程と、前記露光装置に新機種ウエハを投入し、前記露光条件によって前記新機種ウエハを露光する工程と、を具備し、前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクに生じた欠陥を修正する工程の効率化を図ったマスク製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のマスク製造方法は、マスク基板１１に形成された欠陥部１３を含むパターンの画像を取得する工程と、その画像から得られるパターンのエッジデータを基に、パターンにおける正常部から逸脱する欠陥部１３の面積を算出する工程と、欠陥部１３を含むパターンを被転写体に転写したときの欠陥部１３の転写影響度と、欠陥部１３の面積との相関関係に基づいて、欠陥部１３の評価を行う工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
別途に測定装置を必要とせずに、原版の透過率の測定及び原版上の異物の検査を行うことができる露光装置を提供する。
【解決手段】
露光装置は、光源８ｂからの光で原版１を照明する照明光学系８と、原版１のパターンを基板４に投影する投影光学系７と、原版１のパターンで回折した回折光の強度分布を検出する検出部２４と、検出部２４で検出された回折光の強度分布を記憶する記憶部１１と、記憶部１１に記憶された複数の回折光の強度分布の差に基づいて、原版１上の異物を検出または原版１の透過率を算出する演算部９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に起因するパターンの加工不良を正確かつ容易に検証できるパターン検証方法を提供すること。
【解決手段】基板上に生成されるパターン形状４３からパターン形状４３の輪郭４４を抽出する輪郭抽出ステップと、輪郭４４上にパターン形状４３の検証位置となる評価点ｐ１〜ｐ７を所定の間隔で設定する評価点設定ステップと、評価点ｐ１〜ｐ７における輪郭４４上の曲率を算出する曲率算出ステップと、曲率が予め設定された所定の閾値を満たすか否かに基づいて、パターン形状４３を検証する検証ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上へのパターン形成時に生じる加工変換差のばらつきを抑えたフォトマスクのマスクデータを容易に作成することができるパターンデータ作成方法を得ること。
【解決手段】基板に加工を施した際に生じる加工前後のパターン寸法変動量を考慮して半導体装置に形成するパターンのマスクデータを作成するパターンデータ作成方法において、加工前後のパターン寸法変動量と、加工前の基板上のパターン総表面積と、の相関関係を算出する相関関係算出工程と、予め作成しておいたマスクデータ内に含まれる各パターンに対応するパターン寸法変動量を、相関関係を用いて算出する寸法変動量算出工程と、予め作成しておいた作成済みのマスクデータおよび算出したパターン寸法変動量に基づいて、新たなマスクデータを作成するマスクデータ作成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】ウエハ主面上に塗布されたフォトレジスト膜にマスクパターンを転写する際、アンダードーズあるいはデフォーカスまたはその両方の、オフコンディション条件で転写をした後、フォトレジスト膜に転写されたパターンを電位制御型外観検査用走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）で検査する工程を経て欠陥検査する。これにより、マスク検査では容易に検査できないホールパターンにおける、多層膜位相欠陥を容易かつ実用的なスループットで外観検査が可能となり、欠陥の原因の分類に応じた欠陥救済を行った無欠陥マスクを供給することで歩留まりが向上する。 （もっと読む）

レチクル上の欠陥を検出するための方法及びシステムが提供される。１つの方法は、リソグラフィ工程のパラメータの異なる値を使用してウェーハ上の第１の区域及びパラメータの公称値を使用して少なくとも１つの第２の区域、に単一ダイレチクルを印刷することを含んでいる。方法は、第１の区域の第１の像及び少なくとも１つの第２の区域の第２の単数又は複数の像を取得することを更に含んでいる。更に、方法は、異なる第１の区域に対して取得された第１の像を第２の像の少なくとも１つと別々に比較することを含んでいる。方法は、少なくとも１つの第２の像と比較した第１の像の変異が、第１の像の第２の部分より大きい第１の像の第１の部分及び第１の像の２つ又はそれ以上に共通である第１の部分に基づいてレチクル上の欠陥を検出することを更に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】段差パターンに起因するパターン形成不良領域を、段差パターンレイアウト面内で正確かつ短時間に算出する露光不良領域算出方法を得ること。
【解決手段】基板上の段差パターンとしてゲートＧ１を形成した後、ゲートＧ１よりも後にピラーパターンＰを形成するとピラーパターンＰがパターン形成不良となる領域を不良発生危険度マップ２１として算出するために、基板面内でのゲートＧ１のパターンからの距離と露光不良領域となる可能性に関する情報との対応関係と、ゲートＧ１のパターン形成に用いたレイアウトと、を用いる。 （もっと読む）