【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、ハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥を修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥の画像を取得する画像取得工程（Ｓ２）と、前記画像と予め格納されている参照情報とに基づいて欠陥情報を抽出する欠陥抽出工程（Ｓ３）と、前記欠陥情報から前記欠陥がハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥であるか否かを判定する判定工程（Ｓ４）と、前記判定工程（Ｓ４）にて前記欠陥がハーフトーン欠陥であると判定された場合に前記ハーフトーン部の高さを測定する高さ測定工程（Ｓ９，Ｓ１２）と、この高さ測定工程で高さを測定したハーフトーン部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程（Ｓ１０）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ耐力が異なる欠陥を１台で修正可能なリペア装置、およびリペア方法を提供する。
【解決手段】本発明の位置決め装置は、載置ステージと、対象物を撮像する撮像部と、差画像データにより欠陥を抽出する第１欠陥抽出部と、レーザ照射範囲を設定するレーザ形状制御部と、レーザ光を照射する光源と、前記レーザ形状制御部が設定した照射範囲にレーザ光を照射する第１光学系と、差画像データと輝度情報により、欠陥を抽出する第２欠陥抽出部と、前記第２欠陥抽出部が抽出した欠陥の一部にスポット照射する第２光学系と、前記光源から照射されたレーザ光の光路を、前記第１光学系と前記第２光学系とに切り替える切替部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置に関し、炭素系汚染の洗浄プロセスにおける欠陥修正材料の消失を防止する。
【解決手段】 減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】マスクの製造後にマスクへの補正を行うことができる改良された方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、例えば、透過率、特定の偏光状態に対する透過率、複屈折性、および／またはジオメトリといったマスクの特性を制御可能にかつ局所的に変更するように構成されたマスク補正システムを含む。マスク補正システムは、一実施形態では、放射ビームをマスクのスポット上に誘導し、マスクは、マスク補正システムに対してスキャンされる。マスク補正システムは、マスク上の複数のスポットに実質的に同時に照射する配置を含みうる。 （もっと読む）

【課題】高精細なパターンの欠陥部を簡単な構成で修正することが可能な低価格のパターン修正装置を提供する。
【解決手段】このパターン修正装置１は、レーザ光の照射形状を所定形状に整形するスリット３７と、スリット３７によって整形されたレーザ光を基板１２の表面に集光する対物レンズ２５と、スリット３７の位置を調整し、対物レンズ２５によって集光されたレーザ光の照射位置を欠陥部１３ａに移動させる駆動部３５，３６とを備える。したがって、ＸＹテーブル３によってレーザ光の照射位置を移動させていた従来に比べ、装置構成の簡単化、装置の低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ補正ツールパラメータの決定の技術を提供する。
【解決手段】レーザビームパラメータの第１の組を有するレーザビームとの相互作用によって材料に第１の持続的修正を誘導する段階、誘導された材料の第１の持続的修正を測定する段階、レーザビームパラメータの第１の組が、レーザビームパラメータの第２の組及び少なくとも１つの未知のレーザビームパラメータを含む場合、レーザビームパラメータの第２の組を用いて材料の持続的修正を表すモデルを用いて材料の第２の持続的修正を計算する段階、第１の持続的修正及び第２の持続的修正を含むターゲット汎関数を設定する段階、ターゲット汎関数を最小にすることによって少なくとも１つの未知のレーザビームパラメータを決定する段階を含む、透過材料の誤差を補正するのに使用されるレーザビームの少なくとも１つの未知のレーザビームパラメータを決定する方法。 （もっと読む）

【課題】修正装置による修正が困難な微細パターンに生じた欠陥を精度良く修正することが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた余剰欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法である。上記透光部にある余剰欠陥と、この余剰欠陥をもつ透光部に隣接する遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する膜除去工程と、該膜除去工程において除去された遮光部における遮光膜の一部を含む領域に、遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程とを含み、該膜形成工程において行われる膜形成は、欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きい幅をもつ遮光部に対して行われる。 （もっと読む）

【課題】より低い透過率のフォトマスクのハーフトーンパターンの修正を可能にする。
【解決手段】Ｑスイッチ周波数が１Ｈｚから１ｋＨｚの範囲内に設定されたＣＶＤ加工用レーザ発振器１１から出射される、１パルス当りの照射エネルギ密度が４０ｍＪ／ｃｍ^２以上、もしくは、照射パワー密度が１ＭＷ／ｃｍ^２以上の紫外レーザ光、および、クロムカルボニルガスからなる原料ガスを用いてフォトマスク２のハーフトーンパターンの修正部分にＣＶＤ膜を成膜する。本発明は、例えば、フォトマスクの修正を行うレーザ加工装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザを用いてハーフトーンマスクの欠陥を除去し、欠陥部領域に遮断膜を効率良く形成でき、遮断膜の膜厚を調節し、ペリクル膜が形成された後も欠陥の除去が可能な機能とともに、リアルタイムで透過率を調節してリペア工程を行うことができるようにし、リペア部位の透過率の均一性を保障できるリペア方法及びそのシステムに関する。
【解決手段】本発明のハーフトーンマスクリペア方法は、原料物質にレーザを照射して半透過層の欠陥部位に蒸着することにより、ハーフトーンマスクの半透過領域の欠陥部位をリペアする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光によってＭｏＳｉ遮光膜上に発生するＨＡＺＥの発生を抑制する抑制手段の提供である。
【解決手段】ＭｏＳｉからなる遮光膜を備えるフォトマスクの遮光部に発生するアンモニアまたは有機物からなるＨＡＺＥを、ＡｒＦ露光前後にＡｒＦランプからの光を照射して分解、除去することを特長とするフォトマスクのＨＡＺＥ抑制方法、及びＭｏＳｉを含む遮光膜を備えるフォトマスクの表裏に、ＡｒＦランプからの光を照射する機構を備えたことを特徴とするフォトマスクの保管庫あるいは露光装置である。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクがダメージを受けることなく、精度よく、白欠陥の修正を可能とする、近接場光を用いたマスクパターンの白欠陥修正方法およびマスクパターンを提供する。
【解決手段】マスクパターンに発生した白欠陥３を修正する方法であって、処理室内に導入した原料ガスを、該白欠陥部３近傍に存在する近接場光５によって分解し、該白欠陥部に薄膜を形成することによって修正を行うことを特徴とするマスクパターンの白欠陥修正方法および該方法により得られるマスクパターン。 （もっと読む）

【課題】レーザクリーニングにおいて、エネルギ消費量も抑えつつ短時間に精度良く付着物を除去することができる付着物の除去方法を提供する。
【解決手段】作業者は、周期構造形成装置１００を用いて被処理対象物ＷＫの表面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造を形成する。周期構造形成装置１００は、ステージ装置１０６により被処理対象物ＷＫを変位可能に支持しつつ、レーザ光源１０１からフェムト秒レーザ光Ｌ_１００を照射して被処理対象物ＷＫの表面に周期構造を形成する。一方、作業者は、付着物が付着した被処理対象物ＷＫに対してクリーニング装置２００を用いてクリーニングを行なう。クリーニング装置２００は、レーザ光源２０１から出射され被処理対象物ＷＫ上に集光するレーザ光Ｌ_２００をガルバノミラー２０３によって被処理対象物ＷＫ上を走査することにより、被処理対象物ＷＫの表面に付着した付着物を剥離させて除去する。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工装置において、レーザ光の利用効率を容易に改善する。
【解決手段】レーザ光を偏向させる複数の偏向要素が配列された空間変調素子（２）と、この空間変調素子（２）に対しレーザ光を照射するレーザ照射部３と、空間変調素子（２）及びレーザ照射部３のうちいずれか一方（空間変調素子（２））を回動（矢印Ｒ１）させる第１の回動機構４と、空間変調素子（２）及びレーザ照射部３の両方を一体的に回動（矢印Ｒ２）させる第２の回動機構５と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。
【解決手段】薄膜形成対象物の表面とガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、照射スポット１１６予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスク上のハーフトーン領域の白欠陥部分の修正に適用した場合に、欠陥修正部分の透過率を十分に均一化すること。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されるレーザ光を、光軸前方に静止して設けられた開口を通過させたのち、対物レンズで集光することにより、反応ガス雰囲気中に置かれた試料表面に照射すると共に、前記開口へと入射されるレーザ光の光軸を前記開口に対して揺動させることにより、試料表面上における照射光強度を時間平均作用によって均一化するとき、前記開口へ入射されるレーザ光の径を前記開口の幅よりも十分に小さく設定すると共に、前記レーザ光の光軸を前記開口の幅よりも大きな振幅で揺動させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射部を局所的に真空排気する局所加工部を備え、差動排気により局所加工部を被加工物上に浮上するレーザ加工装置において、被加工物表面の異物をレーザ光照射部との間に挟みこむことを防ぐ。
【解決手段】差動排気によってレーザ照射による局所加工部４０を被加工物（基板１１）から浮上させるにあたって、その浮上量Ｄを、圧縮ガス供給部６３によるガス供給量と圧縮ガス排気部６５によるガス排気量とのバランスを制御することで変化させ、ガス排気量を小さくして浮上量Ｄを高くした状態で、加工位置間の移動を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によって流動しやすくなる条状の付着物を確実に、しかも基板の性能を損なわないように除去する。
【解決手段】照射部２３からレーザＬを基板９０上の条状付着物９１に照射する。移動機構５１ｙによって、レーザＬの照射スポットＳｐを条状付着物９１ｙの延びる方向に相対移動させる第１処理動作と、照射スポットＳｐを第１処理動作での移動軌跡と並行に相対移動させる第２処理動作とを交互に行ない、かつ、偏位機構５１ｘによって、第１処理動作では、照射スポットＳｐを条状付着物９１ｙの幅方向の一側に偏らせ、第２処理動作では、照射スポットＳｐを条状付着物９１の幅方向の他側に偏らせる。好ましくは、第１処理動作と第２処理動作の切り替えの度に、ずれ幅を前回の切り替え時のずれ幅より小さくする。 （もっと読む）

【課題】従来不可能であったフォトマスクのランダムなマスクパターンの位置誤差を、簡便かつ有効な方法で補正するフォトマスクのパタン位置の補正方法およびパタン位置が補正されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板の主面上にパタンを形成したフォトマスクのパタン位置補正方法であって、フォトマスクのパタン位置を測定してパタン設計位置からのずれ量を求め、前記ずれ量が予め定めた許容値を超えているパタン位置を位置補正の対象とし、前記補正対象のパタン位置の近傍にフェムト秒レーザを照射して前記透明基板の内部に空孔を形成し、該空孔形成による応力で前記ずれ量を補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は投影露光用フォトマスクやナノインプリントモールドの欠陥修正方法、特に白欠陥、欠落欠陥の修正方法に関するもので、危険を伴わず、汎用的な部材の構成でフォトマスクの製造工程として実用出来るフォトマスク等の欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
走査プローブ顕微鏡のプローブ先端に蒸着法により前駆体Ａの薄膜を形成する工程、前駆体Ａの薄膜を形成したプローブ先端を修正するフォトマスク等の欠陥部に接触させ前駆体Ａを転移させる工程、欠陥部に転移した前駆体Ａを、前駆体Ｂを含む雰囲気中で加熱し修正膜Ｃに転換する工程、で構成される。 （もっと読む）

【課題】
曲面を含んだ３次元形状の表面に原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の機能を利用して微細形状を形成するときの加工時間を大幅に短縮することを目的とし、そのために多数の切れ刃となるプローブ（探針）によって多数の微細溝を同時に高精度で加工できる新規な加工用カンチレバーを工夫すること。
【解決手段】
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を利用して微細パターンの加工を行うための加工用カンチレバーについて、切れ刃となるプローブ（探針）がカンチレバーの１本のレバー部先端に多数設けられていることであり、上記プローブが共通の基材と一体に形成されていること。 （もっと読む）