本発明は、水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基を有する少なくとも一種の繰り返し単位と、ヒドロキシル及び／またはカルボキシル基を有する少なくとも一種の繰り返し単位とを含んでなるポリマー、末端ビニルエーテル基を有する架橋剤、場合によっては及び光酸発生剤及び／または酸及び／または熱酸発生剤を含む、前記組成物に関する。本発明は更に、このような組成物の使用方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 クロム含有材料をパターン形成する場合における、下にある基板との不都合な相互作用を防止する改善されたレジスト配合物を提供する。
【解決手段】 室温で固体の塩基と液体の低蒸気圧塩基とを含む塩基添加物の組み合わせを用いることによって、異なる基板上であっても良好なフッティング特性を有するレジスト組成物が得られる。この組成物は、マスク製造に一般に用いられるクロム含有層などの金属基板に対して特に有用である。 （もっと読む）

本発明は層間絶縁膜や表面保護膜等に用いられる感光性樹脂組成物において、解像性に優れた、アルカリ水溶液で現像可能な感光性樹脂組成物を提供するものであり、下記一般式IIで表される繰返し構造単位を少なくとも有する重合体を用いて感光性樹脂組成物を調製する。


（式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^２〜Ｒ^９はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘは−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＯＮＨ−、−(ＣＨ_２)_ｎ−ＣＨ＝Ｎ−、又は−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＯＮＨ−であり、Ｘ中のＮ原子はｏ−位がＡＯ−基のベンゼン環の炭素原子に結合しており、Ａは水素原子又は酸により分解する基を表し、ｎは１〜３の正の整数を表す。） （もっと読む）

我々はレチクル製造のために限界寸法バイアスを減少させてきた。レチクル基板の放射線阻止層へのパターン転写は、本質的に、パターンがフォトレジストから転写されるハードマスクの使用に左右される。ハードマスクへのパターン転写の間に生じるフォトレジストプルバックは最小にされる。更に、放射線阻止層の反射特性に適合する反射防止特性を持つハードマスク材料が、限界寸法サイズの減少とハードマスク自体におけるパターン特徴部の完全性の改善を可能にする。放射線阻止層上に残った反射防止ハードマスク層は、レクチルが半導体デバイス製造プロセスに用いられる場合に機能性を与える。
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本発明は、ターポリマーである化合物を提供し、これは、（ａ）フッ素原子少なくとも1つが共有結合したエチレン性不飽和線状又は分岐化合物少なくとも１種と、（ｂ）前記ターポリマーにおいて、環状又は多環式脱結晶化モノマーを形成する、フッ素原子少なくとも1つが共有結合した環状又は多環式化合物のエチレン性不飽和前駆体少なくとも１種と、（ｃ）前記ターポリマー中のモノマーとして、酸又は塩基に曝されると、溶解度を変えるエチレン性不飽和官能化合物少なくとも1種とのターポリマーである化合物である。そのような化合物の製法及びフォトリソグラフィでの使用法も記載する。 （もっと読む）

構造（Ｉ）のモノマーの重合により形成されたモノマー単位を有するポリマーとコポリマー（ここで、Ｒ¹はエチレン性不飽和の重合性基を含む部分構造であり、Ｒ²はＣ₁〜Ｃ₃のアルキレン基であり、Ｒ³は、Ｃ₁〜₁₀の線状若しくは環状アルキル基、Ｃ₆〜₁₀の芳香族若しくは置換芳香族基、Ｃ₁〜₈のアルコキシメチル基、又はＣ₁〜₈のアルコキシエチル基である）は、感光性組成物のバインダー樹脂として、また、半導体デバイスや材料の製造におけるフォトリソグラフィープロセスに有用である。
【化１】

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(a)随時選択的に前処理された基板、
(b)(i)ノボラック樹脂、官能化ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリビニルクレゾール、およびフェノール性および／またはスルホンアミド側鎖を有するポリ（メタ）アクリレートから選択される水性アルカリ性現像剤中に可溶性の、少なくとも40重量％（塗膜の乾燥重量に基づく）の少なくとも1種のポリマー、
(ii)水性アルカリ性現像剤に不溶性の0.1〜20重量％（塗膜の乾燥重量に基づく）の少なくとも1種の(C₄〜C₂₀アルキル)フェノールノボラック樹脂、および
(iii)650〜1,300nmの範囲の波長の輻射線を吸収することができ、これを熱に変換できる物質、プリントアウト色素、可塑剤、界面活性剤、無機充填剤、抗酸化剤、コントラスト色素および顔料、ポリマー粒子、およびセルロースポリマーのカルボン酸誘導体から選択される、随時選択的な少なくとも1種のさらなる成分
を含むポジ型塗膜を含んでなる感熱性要素。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像度、寸法制御性等の諸性能に優れたアルカリ水溶液を用いて現像するポジ型パタン形成材料およびそれを遮光膜として機能させる露光用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線照射により酸を生じる化合物およびカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するバインダ樹脂、１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を有する化合物、および窒素含有樹脂結合剤を酸触媒付加反応させて得られる組成物を少なくとも含むパタン形成材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の表面にさらに微細なパターンを形成することができる微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板６上に、特定の元素を含む特定のガスに接触して特定の元素と結合し所定のエッチングガスに対する耐性が強化される性質を有するレジスト層９を形成する工程と、レジスト層９に第一の露光１０を行い、第一の露光領域９ｂと第一の非露光領域９ａとを形成する工程と、第一の露光領域９ｂに対して第二の露光１１を行い、第二の露光領域９ｃと第三の露光領域９ｄとを形成する工程と、レジスト層９を特定のガスにさらして第三の露光領域９ｄのみを特定の元素と結合させる工程と、第二の露光領域９ｃと第一の非露光領域９ａとをエッチングにより除去し第三の露光領域９ｅからなるレジストパターンを形成する工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 シリル化プロセスを用いて微細なパターンの形成を可能とし、しかもシリル化部表面に形成されるＳｉＯ_x 層の除去を支障なく行うことのできる、半導体装置の製造方法が提供が望まれている。
【解決手段】 下地基板２０上の被パターニング層２３上にレジスト層２４を形成し、次にレジスト層２４の所定箇所を露光し、次いでこの露光工程後のレジスト層２４における未露光部分をシリル化する。続いて、露光した箇所のレジスト層２４をドライ現像によって除去し、シリル化された部分に対応した積層パターン３０を得る。次いで、積層パターン３０からその表層部に形成されたＳｉＯ_x層２９を除去してレジストパターン３２を形成する。その後、レジストパターン３２をマスクにして被パターニング層２３をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外レーザー等を光源とする露光に適し、画像部の残膜率の高いポジ型感光性組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）光熱変換物質及び（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂を含有し、熱分解性物質を含有しないポジ型感光性樹脂組成物に於いて、更に（Ｃ）界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 （もっと読む）