【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含んでおり、分解性酸化物材料、分解性窒化物材料、分解性炭化物材料、分解性炭酸化物材料、分解性硫化物材料、分解性セレン化物材料のいずれかを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含み、溶融性複合金属材料、相変化性複合金属材料、酸化性複合金属材料のいずれかを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含んでおり、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、及びＢｉからなる群から選ばれた元素の不完全酸化物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


ＯＨＣ−Ｘ−ＣＨＯ（２） （もっと読む）

【課題】パターンピッチの微細化や均一なパターン形状(パターンの幅やライン形状が均一)の形成を実現できる積層体、及び、積層体を用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の積層体１は、基材１１と、基材１１上に設けられ、熱反応型レジストを含有するレジスト層１２と、レジスト層１２上に設けられる少なくとも１層の熱伝導層１３と、を具備し、熱伝導層１３は、３００Ｋにおける熱伝導率が、０．７Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、且つ、露光波長における消衰係数が０．２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する微細なパターン構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】エッチング層上に転写層と熱反応型レジスト層を順に積層する工程と、熱反応型レジスト層の所定の領域に対して熱反応させた後、熱反応させた領域をエッチングすることにより熱反応レジスト層をパターニングする工程と、パターニングされた熱反応レジスト層をマスクとして、転写層に対して第１のドライエッチングを施すことにより転写層をパターニングする工程と、少なくともパターニングされた転写層をマスクとして、エッチング層に対して第２のドライエッチングを施すことによりエッチング層をパターニングする工程とを有し、転写層と熱反応型レジスト層に用いる材料及び第１のドライエッチングと第２のドライエッチングに用いるエッチングガスとして、特定の材料やガスを適用する。 （もっと読む）

【課題】 高いアスペクト比の微細パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に無機レジスト膜２を形成する。無機レジスト膜の所定の領域にレーザ光を照射して非晶質状態から結晶状態に変化させる。結晶状態となった領域の無機レジスト膜を除去する。基板上に第１の金属膜を形成すると共に無機レジスト膜上に第１の金属膜とは分離した第２の金属膜を形成する。その後、無機レジスト膜を第２の金属膜と共に除去する。第１の金属膜をマスクとして基板１をエッチングすることによって基板１に高いアスペクト比の凹部９を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた光学特性を有する光学部材の表面加工用の成形型調製に用いられるエッチングレジスト、該エッチングレジストを用いて得られる成形型の製造方法、及び該製造方法により得られる成形型を提供すること。
【解決手段】金属化合物として金属窒化酸化物を含有してなるエッチングレジスト。本発明のエッチングレジストの一態様としては、金属窒化酸化物が層を形成し、該金属窒化酸化物の層に加えて第１発熱層及び第２発熱層を含有し、これらが第１発熱層、金属窒化酸化物層、及び第２発熱層がこの順に積層されている態様が例示される。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣの如き光透過性を有する基板材料上に所望のレジストパターンを精度よく且つ安定に形成することができるマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する半導体基板上に光反射膜を形成する。光反射膜の上にフォトレジストを形成する。半導体基板にフォーカス検出光を照射して光反射膜で反射される反射光に基づいて調整された焦点位置に原盤マスクを介して露光光を照射してフォトレジストを露光する。その後、フォトレジストの露光部分又は露光部分以外の部分を除去することによりフォトレジストにパターニング施す。 （もっと読む）

【課題】ごく簡単な処理により無機レジスト感度を向上することができる表面処理液、表面処理方法および微細加工体の製造方法を提供する。
【解決手段】表面処理液は、有機アンモニウム塩および無機アンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種を含んでいる。有機アンモニウム塩、無機アンモニウム塩は、アニオン部分として珪酸イオン（ＳｉＯ₃^2-）、炭酸イオン（ＣＯ₃^2-）、リン酸イオン（ＰＯ₄^2-）から選ばれる少なくとも１種を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】無機レジスト層の凹凸パターン上に導電層を形成することなく、電鋳を施し、転写性の良い光ディスク用スタンパの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、０．５ａｔｏｍ％〜１．０ａｔｏｍ％の範囲でＳｎ（スズ）を含有する無機レジスト層１２を形成し、無機レジスト層１２を部分的に除去して所定形状の凹凸パターンを有する光ディスク原盤を作製し、凹凸パターンに酸処理又はアルカリ処理を行って凹凸パターンの表面を活性化状態にし、凹凸パターン上に金属層１６を形成し、金属層１６を凹凸パターンから剥離してスタンパを形成する。 （もっと読む）

【課題】低温でも優れたアッシング耐性を有する有機シリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマCVDにより有機シリコン酸化膜を形成する方法は、(i)基板が載置されるサセプタの温度を３００℃以下に調節する工程と、(ii)サセプタが設置されたリアクタ内に少なくともテトラエチルオルソシリケート(TEOS)及び酸素を導入する工程と、(iii)高周波RF電力及び低周波RF電力を印加する工程と、(iv)基板上に有機シリコン酸化膜を蒸着する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、最初に、フォトレジストの電子バンドギャップより大きいエネルギーで露光されると相変化を示す無機フォトレジストを提供するフォトニック結晶の製造方法に関する。このフォトレジストを、エネルギーがフォトレジストの電子バンドギャップ未満であるが焦点における強度がそこで非線形作用を生ずる大きさのレーザービームで露光させることにより、このフォトレジスト内で相変化が生ずる。次いで、この露光されたフォトレジストを、好ましくはこのフォトレジストの１相を溶解させるエッチング溶液に曝し、最後にこれから現像されたフォトレジストをフォトニック結晶の形で取り出す。本発明にかかる方法により製造された無機フォトニック結晶は、完全光学装置、回路及び光学通信又はコンピュータシステムに好適である。
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