【課題】リフトオフ処理時間を大にすることなく、寸法精度に優れた微細パターンを容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層１５は、下層のレジスト層１３との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 フォトリソグラフィ工程の現状の解像度を凌駕してトンネリング絶縁膜を形成する方法であって、基板上に第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を形成する工程と、リフロー可能な物質膜パターンを形成した後、これをリフローさせる工程と、第２の絶縁膜及び第１の絶縁膜を除去して基板を露出させる工程と、トンネリング絶縁膜を形成する工程と、を含む。これにより、フォトリソグラフィ工程の解像度による寸法よりもさらに狭い寸法を有するトンネリング絶縁膜を形成することができ、これによるプログラム及び消去効率を低減させることなくメモリ素子の高集積度を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電材料やウエハ基板へのダメージ、汚染及び作業環境の悪化を防止することが可能な、レジスト材の除去を伴ったパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上に、ＳｉＯ₂膜などの低誘電材料膜１１を形成し、その上に水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２を形成する。次に、この水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２上に、非水溶性または非アルカリ性ポリマー層１３を形成する。次いで、レジスト膜１４を塗布・形成し、露光・現像の後に、エッチングを水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より下部の層（低誘電材料膜１１）まで行い、パターンを転写する。その後、ウエハ基板を水またはアルカリ溶液に浸漬し、側壁に露出した水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２から溶解させ、水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より上層全ての層（１３，１４）を剥離することにより、レジスト材の除去を行いつつ所定のパターンをウエハ基板上に形成する。 （もっと読む）

半導体素子（５０）は、導電層（１６）をパターニングしてトランジスタ（８０，８２，８４）のゲート（６０，６２，６４）を形成することにより形成される。ゲート（６０，６２，６４）を形成するプロセスは、導電層（１６）を覆うフォトレジスト（５４，５６，５８）をパターニングする工程を有する。パターニング済みフォトレジスト（５４，５６，５８）をトリミングしてフォトレジストの幅が小さくなるようにする。フッ素、好適にはＦ_２をトリミング済みフォトレジスト（５４，５６，５８）に導入して導電層に対するフォトレジストの硬度及びフォトレジストの選択性を高くする。トリミング済みのフッ素化フォトレジスト（５４，５６，５８）をマスクとして使用して、導電層（１６）をエッチングしてゲート（６０，６２，６４）として有用な導電パターンを形成する。トランジスタ（８０，８２，８４）は、導電性ピラーがゲート（６０，６２，６４）となるように形成される。他のハロゲン元素、特に塩素をフッ素の代わりに使用することができる。
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我々はレチクル製造のために限界寸法バイアスを減少させてきた。レチクル基板の放射線阻止層へのパターン転写は、本質的に、パターンがフォトレジストから転写されるハードマスクの使用に左右される。ハードマスクへのパターン転写の間に生じるフォトレジストプルバックは最小にされる。更に、放射線阻止層の反射特性に適合する反射防止特性を持つハードマスク材料が、限界寸法サイズの減少とハードマスク自体におけるパターン特徴部の完全性の改善を可能にする。放射線阻止層上に残った反射防止ハードマスク層は、レクチルが半導体デバイス製造プロセスに用いられる場合に機能性を与える。
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中空の円筒形基底層及びその一番外側層として継ぎ目のない像記録表面を含んでなる継ぎ目のない印刷スリーブが記載される。像記録表面は一体型のフレキソ印刷表面として働く。印刷スリーブは好ましくは、基底層の外面と像記録表面間に中間の感光性重合体又は弾性の重合体層を含んでなる。更に基底層は好ましくは、化学線に均一に透過性又は半透過性である。
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プラズマ処理システム内で基材からフォトレジストを除去する方法およびシステムは、N_XO_Y（X及びYは１以上の整数）を含むプロセスガスを導入することを含む。さらに、プロセスの化学操作として、希ガス（即ち、He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn）といった不活性ガスを付加することを含む。本発明は、さらに、基材上の膜内にフィーチャを形成する方法を提供する。この方法は、基材上に誘電層を形成し；誘電層上にフォトレジストパターンを形成し；エッチングによってフォトレジストパターンを誘電層に対して転写し；N_XO_Y（X及びYは１以上の整数）を含むプロセスガスを用いて誘電層からフォトレジストを除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法が提供される。
【解決手段】レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤが形成される。アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤが形成される。トップイメージレイヤがパターン付けされた照射に曝露される。トップイメージレイヤにおいてパターンが現像される。パターンがトップイメージレイヤからアンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写される。レイヤがアンダーレイヤを通してエッチングされ、トップイメージレイヤは完全に除去され、アンダーレイヤは、レイヤをエッチングするあいだ、パターンをアンダーレイヤからレイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる。 （もっと読む）