【課題】アンダーカット形状およびエッジカールの両方が全く存在しない機能性パターンを形成することのできる機能性パターン形成用感光性樹脂組成物および機能性パターン形成方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に塗布後にパターン露光と現像によって得られたパターンが焼成されることによって、機能性パターンを形成する機能性パターン形成用感光性樹脂組成物であって、現像後、前記現像パターンの断面形状の基板密着側長（底部長）Ａとパターン上部長Ｂの関係がＡ＜Ｂであり、該現像パターンが、無機粉末の融点より低い温度で焼成後、断面形状が基板密着部から上面に向かって狭幅化する形状に自己形成することを特徴とする機能性パターン形成用感光性樹脂組成物を、用いる。 （もっと読む）

【課題】 保護フィルムの剥離性、現像密着性、耐サンドブラスト性に優れたフォトレジストフィルム及びそれを得るための感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 支持体フィルム、感光性樹脂組成物層及び保護フィルムが順次積層されてなるフォトレジストフィルムであって、（１）保護フィルムの１８０度剥離強度が２０ｇ／ｉｎｃｈ以下、（２）スプレー圧０．０２ＭＰａで最小現像時間の２倍時間の現像を行い、レジストパターンを形成したときの最小密着線幅が６０μｍ以下であること、（３）感光性樹脂組成物層をブラスト加工を行ったときの硬化膜の残膜率が２５％以上であること、を満足するフォトレジストフィルム、及び、重量平均分子量（Ｍｗ）が３，０００〜３０，０００で、カルボキシル基を有するアクリル系オリゴマー（Ａ）、カルボキシル基を有するジオール系化合物（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を含有してなる感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 被覆形成剤のリンス処理のような工程数の増加を招くことなく、レジストパターンの開口寸法をより小さくすることができ、更なる微細加工を実現する。
【解決手段】 パターン形成方法において、被処理基板１０上に下層有機膜１１と無機元素を含有する上層レジスト膜１２とを形成し、レジスト膜１２にパターンを露光した後に現像処理を施すことにより第１のレジストパターン２１を形成し、第１のレジストパターン２１が形成されたレジスト膜１２に対して被覆形成剤３１を供給することによって、レジスト膜１２の開口内に被覆膜３２を埋め込み形成し、被覆膜３２を熱収縮させることによって、レジスト膜１２の開口を狭めることにより第２のレジストパターン２２を形成し、酸素プラズマ処理により被覆膜３２を除去し、連続してレジスト膜１２をマスクに下層膜１１を選択的に除去することにより、被覆膜３２及び下層膜１１を一括加工する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高い光透過率および高強度を有するガラス焼結体や、表面平滑性に優れたＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）のパネル部材を好適に形成することができる無機粒子含有樹脂組成物、該組成物からなり、可撓性および転写性に優れた無機粒子含有樹脂層を有する転写フィルム、および、該転写フィルムを用いたＰＤＰの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の無機粒子含有樹脂組成物は、（Ａ）無機粒子と、（Ｂ）アミド基を有する重合体と、（Ｃ）分散剤とを含有することを特徴とする。本発明の転写フィルムは、支持フィルム上に、前記組成物からなる無機粒子含有樹脂層を有することを特徴とする。本発明のＰＤＰの製造方法は、基板上に、前記転写フィルムの無機粒子含有樹脂層を転写する工程と、転写された樹脂層を焼成する工程とを含む方法によりパネル部材を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】全てのフィーチャーの解像度を高め、かつ、安価で簡単に実現することができる解像度向上方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス又はリソグラフ用マスクのような製品を製造するためのリソグラフ方法において、基板上に材料を塗布し、パターン付けし、パターン付層を用いる一連のステップにより製品を製造する。所望のパターンは第１のパターンの像をエネルギー感受性材料層中に描画することにより生成される。この像を現像し第１のパターンを生成する。第２の像を、第１のパターン上に形成されたエネルギー感受性材料層中に形成する。第２の像を現像する。所望のパターンを第１のパターン及び第２のパターンから現像する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化銀写真感光材料及び平版印刷版としての諸特性を満足させ、安定した高いレベルの架橋硬膜を施すことのできる、アルデヒド系硬膜剤の代替となるゼラチンの架橋硬膜方法を提供する。
【解決手段】酸化酵素及びフェノール性水酸基を有する芳香族還元性化合物からなるゼラチン膜の架橋硬膜システムを用いたハロゲン化銀写真感光材料及び銀塩拡散転写型平版印刷版。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチングが良好に行なえると共に、分光特性及び表面性状が良好でパターンの矩形性に優れると共に、剥れを抑えた密着性の高いカラーフィルタの作製を可能とする。
【解決手段】 着色剤と光硬化性化合物とを含むと共に、全固形分中の着色剤の濃度が５０質量％以上１００質量％未満である着色剤含有光硬化性組成物を用いて塗設された着色層を、露光により前記着色層上への感光性樹脂層形成前に光硬化させる工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜等由来のエッチング残渣、銅等の配線材料由来のエッチング残渣、およびレジスト由来のアッシング残渣からなる種々の残渣を十分に除去することができ、かつ半導体を形成する銅等の配線材料、絶縁膜、および低誘電層間絶縁膜を腐食させない基板洗浄液を提供する。
【解決手段】 フッ化物塩、下記一般式（Ｉ）で表されるチオール化合物および水を含有する基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、水素原子、炭素数が１〜３のアルキル基、あるいはＣＯＯＲ^４（Ｒ^４は、水素原子または炭素数が１〜３のアルキル基である。）であり、Ｒ^３は、水素原子、ＮＨ_２、またはＮＨ（ＣＯ）Ｒ^５（Ｒ^５は、炭素数が１〜３のアルキル基である。）である。） （もっと読む）

【課題】 レジストパターンを薄肉化可能な材料等の提供。
【解決手段】 水溶性樹脂及びアルカリ可溶性樹脂選択される少なくとも１種を含有するレジストパターン薄肉化材料。形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、該レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成することを含むレジストパターンの製造方法。下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エッチングに好適であり、下層と上層との密着性に優れ、薄膜化が可能な着色剤含有熱硬化性組成物を用い、分光特性、パターン形状の矩形性に優れたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、画像記録材料を提供する。
【解決手段】（１）〜（５）の工程を含むカラーフィルタの製造方法である。
（１）着色剤と熱硬化性化合物とを含み全固形分中の着色剤濃度が５０質量％以上１００質量％未満の着色剤含有熱硬化性組成物を基板に塗布し乾燥して着色層を形成する工程
（２）前記着色層を熱硬化する工程
（３）前記着色層上に感光性樹脂組成物を塗布し乾燥させて感光性樹脂層を形成し画像記録材料を形成する工程
（４）前記感光性樹脂層を画像様に露光し現像して感光性樹脂層にパターンを形成する工程
（５）前記感光性樹脂層にパターンが形成された画像記録材料にドライエッチング処理を施し着色層にパターンを形成する工程 （もっと読む）

【課題】 現像後のレジストパターンの整形を精巧に行って、かつレジストの残渣を除去し、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能とし、しかも、レジストの架橋部（硬化膜）に欠けや剥離、膨潤などを生じることなく、高い解像度と基体と感光層との密着性とを高度に両立したパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に感光層を少なくとも有するパターン形成材料における該感光層を、被処理基体上に積層し、該感光層を露光し、現像してレジストパターンを形成した後、該レジストパターンに対してドライプロセスによりレジストパターン整形工程が行われるパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジストの除去の際における窒素空孔の発生が低減される、窒化ガリウム系トランジスタを作製する方法、窒化ガリウム系半導体領域を加工する方法、およびを提供する。
【解決手段】パターンを有するレジストマスク２９が、窒化ガリウム系トランジスタのための第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを含む基板１９ａ上に設けられている。このレジストマスク２９を用いて基板１９ａの窒化ガリウム系半導体のエッチングを行って、部分的に除去された第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを形成する。エッチングを行った後に、レジストマスク２９を除去するために基板１９ａをフッ素系ガスのプラズマ３９に曝して基板１９ａの表面に窒素終端を施す。基板表面からの窒素の脱離の発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された当初の有機膜パターンが、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、前記有機膜パターンに対する２回目の現像処理により前記有機膜パターンを新たなパターン形状に加工する処理をスムーズに行うことを可能とする基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された当初の有機膜パターンが、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、前記有機膜パターンに対し、前記有機膜パターンの表面に形成されたダメージ層を除去する前処理Ｓ１１と、前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか又は前記有機膜パターンの一部を除去する現像処理（２回目）Ｓ１２と、をこの順に行う。前処理Ｓ１１によりダメージ層を除去した後で現像処理Ｓ１２を行うので、２回目の現像処理Ｓ１２をスムーズに均一性良く行うことができる。 （もっと読む）

【課題】寸法精度よく、かつ容易に基体表面にパターン形成することができるレジストパターン形成方法、エッチング方法、およびマスター情報担体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体１の表面上に全面に第１レジスト膜２を形成する工程と、第１レジスト膜２の上に開口３ａを有する第２レジスト膜３を形成する工程と、開口３ａ内の第１レジスト膜２の表面にイオン注入法によりイオンを注入する工程と、イオン注入層５をマスクとして第１レジスト膜２をエッチングする工程とを備えたレジストパターンの形成方法。なお、このレジストパターン７を用いて基体１または基体１の上に予め形成した薄膜を精度よくエッチングすることができる。また、この方法を適用して、マスター情報担体を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクト・ホールなどの小さなフィーチャを作成することのできるリソグラフィ工程を提供する。
【解決手段】多数の投影を用いてリソグラフィ・クラスタにおいて画像解像度を増強するリソグラフィ方法、及び解像度が増強された像を形成するために多数のパターンを投影して組み合わされた像を形成するのに用いられるリソグラフィ・クラスタ。この方法は現像可能な材料層で被覆され、且つ該現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層が被覆された基板を提供する工程を含む。第１のパターンが現像可能な層に転写される。第２のレジスト層を適用及び露光することによって、第２のパターンが現像可能な層に転写される。第１及び第２のパターンが現像可能な材料層に所望のパターンを生成する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用、３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料、を形成する方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、酸発生剤として、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
（もっと読む）

【課題】 剥離液によるレジストリフトオフ後に露出した化合物半導体にダメージを与えることなく、剥離液やレジスト残渣等の有機残留物を効果的に除去できる基板表面処理方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体層を表面に有した半導体基板上にレジストパターンをマスクとしてゲート部を成膜し、前記レジストパターンを剥離液により除去した後に、基板表面を、オゾン濃度が１５ｐｐｍ以下であり、基板表面に露出する化合物半導体層および配線層の金属に応じてｐＨおよびＯＲＰを調整したオゾン水を用いて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性が高く、他層とのミキシングや溶解を起こさず、また紫外光吸収により定在波効果を防ぐことのできる多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層レジスト中間層形成用塗布液は、Ｍを金属原子、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３を炭素数１〜８のアルキル基、ａはＭの価数、ｂ、ｃは整数でｂ＋ｃ＝金属原子Ｍの価数として、Ｍ（ＯＲ^１）_ａ、又は Ｒ^２_ｂＭ（ＯＲ^３）_ｃで表される金属アルコキシド誘導体を主成分とし、有機溶剤に溶解されている。ＭはＴｉであることが好ましい。この塗布液を基板に塗布後、１００℃〜２５０℃、不活性ガス雰囲気下にベークして固化させ、多層レジスト中間層とする。 （もっと読む）

【解決手段】 一般式（１）で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数６〜１６のアリール基を有するフラーレン類を含有するフォトレジスト下層膜形成材料。
【化１】


（Ｒ¹は水素原子又はアルキル基、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶はアリール基で、エーテル基を有してもよく、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは０〜２の整数で、０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０の整数である。）
【効果】 本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、２００ｎｍ以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるＣＦ₄／ＣＨＦ₃ガス及びＣｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスエッチングの速度も通常のｍ−クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有し、しかもパターニング後のレジスト形状も良好である。 （もっと読む）

【課題】特別な工程を追加することなく、突起状欠陥のみでなく溝状欠陥の発生を防止することが可能なフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】第１主面１０と第２主面１２とを有するとともに、第１主面１０側に、第１平面１６と、第２主面１２との距離が第１平面１６よりも大きな第２平面１９と、第１および第２平面１６，１９の端部同士を接続する接続面１８と、を有する構造２０を備える基板１４に、フォトレジストパターンを形成するにあたり、原フォトレジストパターン２２を第１平面１６上に接続面１８と離間するように形成するリソグラフィー工程と、原フォトレジストパターン２２を加熱して変形させることにより、第２平面１９よりも低い位置で接続面１８に接触する変形フォトレジストパターンを形成する熱フロー工程と、を含む。 （もっと読む）