【課題】高い耐刷性を維持しながら保水性を改良し、特に網がらみを改善した銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、該ハロゲン化銀乳剤層及びその上層の少なくとも一層に、無機表面処理が施された酸化チタンを含有することを特徴とする平版印刷材料 （もっと読む）

【課題】 安価な製版機で画像を形成でき、現像や加熱等の後工程を一切必要としない無処理印刷版を提供することである。また、その版を使用して印刷物、カラーフィルター、プリント基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】 架橋され水に不溶の親水性ポリマーと界面活性剤を含む画像形成層を有する直描型平版印刷原版に、市販のインクジェットプリンターを用いて画像を描画し、現像や加熱等の後工程を一切行わずに印刷機に装着し印刷する。 （もっと読む）

酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含み、前記（Ａ）成分が、（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、（ａ２）下記一般式（ＩＩ）で表される構成単位、および（ａ３）下記一般式（ＩＩＩ）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ１）、又は（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、および（ａ２’）下記一般式（ＩＩ’）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ２）を含有してなるポジ型レジスト組成物。下記一般式において、Ｒ^１は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^２は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^３は酸解離性溶解抑制基を表し、Ｒ^６は炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^７は炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表し、Ｒ^８は炭素数５〜１５の脂環式炭化水素基を表す。

（もっと読む）

【課題】 微細パターン形成する工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被加工膜の上に、酸を含有する下層膜を形成する工程と、
前記下層膜の上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに露光及び現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、下層膜をエッチングすることにより、前記下層膜を貫通して前記被加工膜に至る開口を形成する工程と、前記開口の内壁に露出する前記下地層の側壁にパターンシュリンク材を塗布する工程と、熱処理により前記酸を前記パターンシュリンク材中に拡散させて架橋領域層を形成する工程と、前記架橋領域層が形成されない前記パターンシュリンク材を除去する工程と、前記架橋領域層と、前記レジストパターンと、前記下層膜と、をマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】十分な色純度を有する着色層、及び十分な光遮蔽性を有するブラックマトリクスがパターン精度良く形成され、着色層及びブラックマトリクスの微細化が可能なカラーフィルタを得る。
【解決手段】加熱処理を施すことにより、その一部が解離して揮発し、その重量が加熱処理前の重量に対し、８０重量％以下に減少する樹脂を含有する樹脂組成物を用いて、着色層及びブラックマトリクスを形成し、加熱処理を施すことによって、その体積を加熱処理前の体積に対し８５体積％以下に減少させ、着色剤濃度を高くする。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング膜の微細パターンを形成する工程において、半導体基板上に堆積された被エッチング膜をより微細に高精度でパターニングする。
【解決手段】 半導体基板上に被エッチング膜を堆積する工程と、被エッチング膜上にＳｉＣ_wＨ_xＯ_yＮ_z（ｗ＞０、ｘ≧０、ｙ＞０、ｚ≧０）で表される有機無機ハイブリッド膜を堆積する工程と、有機無機ハイブリッド膜のパターンを形成する工程と、有機無機ハイブリッド膜の表面部を酸化層に変換する工程と、酸化層を選択的に除去して、有機無機ハイブリッド膜パターンを所定寸法にする工程と、所定寸法にされた有機無機ハイブリッド膜パターンをマスクとして被エッチング膜をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用の下層膜にクラック耐性をもたせるパターン形成方法、下層膜形成組成物、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板（１）上に形成された被加工膜（２）上に下層膜（３）を形成する工程と、前記下層膜（３）に酸化処理を行う工程と、前記下層膜（３）のマスクとなる中間膜（５）を形成する工程と、前記中間膜（５）上にレジスト膜（６）を形成する工程と、前記レジスト膜（６）を露光し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記中間膜（５）に転写し、中間膜パターンを形成する工程と、前記中間膜パターンを前記下層膜（３）に転写し、下層膜パターンを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡便であり、作成した遮光膜は色調が黒色で光学濃度が高く、更に画像部と非画像部の厚み差がない、遮光膜の製造方法の提供。
【解決手段】 感光性ハロゲン化銀乳剤を含有する乳剤層を露光した後、該乳剤層に隣接させた銀沈積剤を含有する受像層を該乳剤層と共に現像することにより画像を形成し、次いで乳剤層を除去する遮光膜の製造方法であって、該受像層が、現像液に不溶でかつ膨潤するポリマーを含有することを特徴とする表示装置用の遮光膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 エッチング液または現像液等の処理液を、処理の対象となる被処理材料に均一に噴霧する。
【解決手段】 隣接するヘッダパイプ１ａ〜１ｇ間において隣接するエッチングノズル３の間の距離をＰ３、エッチングノズル３のオシレーションの中心位置とエッチングがなされるプリント配線板２との間の距離をＬ３、最大オシレーション角度をθ３としたときに、下記の式を満たすように最大オシレーション角度θ３を調整する。
（Ｐ３／２）／Ｌ３＜ｔａｎθ３ （もっと読む）

【課題】 プラズマアッシング処理の有無にかかわらず、ドライエッチング後の変質されたホトレジスト膜の溶解性（除去促進効果）を大幅に向上させ、かつその効果を安定して得ることができ、しかも銅配線、低誘電体層を形成した基板に用いた場合であっても、低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法の提供。
【解決手段】 （ａ）酸化剤（例えば過酸化水素水等）と、（ｂ）アルキレンカーボネートおよびその誘導体の中から選ばれる少なくとも１種（例えばプロピレンカーボネート等）と、（ｃ）水を含有するホトレジスト除去用処理液、および、該ホトレジスト除去用処理液にて、ドライエッチング処理後の変質したホトレジスト膜を有する基板、あるいは前記ドライエッチング処理後所望によりプラズマアッシング処理を行った基板、を処理し、次いでホトレジスト用剥離液で剥離処理する基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】 煩雑な工程で形成されるレジストパターンを用いずに微細なパターンを形成し得る方法を提供する。
【解決手段】 基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターン上に形成されている有機−無機混成シロキサンネットワーク膜と、を含むマスクパターンである。シロキサンネットワーク膜は、テトラアルコキシシラン架橋剤とトリアルコキシ−モノアルキルシランカップリング剤との反応産物からなる。シロキサンネットワーク膜を形成するために、まず、シロキサンオリゴマーをレジストパターンの表面にコーティングする。その後、レジストパターンの表面でシロキサンオリゴマーのゾル−ゲル反応を誘導する。シロキサンネットワーク膜を形成した後、シロキサンネットワーク膜の周囲に残留する未反応シロキサンオリゴマーを、純水で除去する。 （もっと読む）

【課題】 引き置きによるパターンの寸法変動を抑制し、精度よいパターンを再現性よく製造する方法の提供。
【解決手段】 （１）基板上にポリシラザン化合物および光酸発生剤を含んでなる感光性組成物の塗膜を形成させる工程、（２）塗膜を像様露光する工程、（３）塗膜を弱アルカリ性水溶液に浸漬する工程、および（４）現像する現像工程を含んでなるパターン形成方法、およびそれにより得られたパターンを焼成してシリカ質膜を製造する方法。このシリカ質膜は、半導体デバイスに応用することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 式（１）、（２）及び（３）の加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、酸発生剤、含窒素有機化合物、溶剤を含有してなるレジスト組成物。
Ｒ¹Ｒ²_pＳｉＸ_3-p （１）
Ｒ³Ｒ⁴_qＳｉＸ_3-q （２）
Ｒ⁵Ｒ⁶_rＳｉＸ_3-r （３）
（Ｒ¹はヒドロキシ基を持ち、かつ、該ヒドロキシ基が結合する炭素原子に更に結合する炭素原子上に合計３つ以上のフッ素原子が結合されている有機基、Ｒ³は酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、Ｒ⁵はラクトン環を有する有機基、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁶は炭化水素基、Ｘは加水分解性基、ｐは０又は１、ｑは０又は１、ｒは０又は１。）
【効果】 本発明のレジスト組成物は、良好な解像性を示し、酸素反応性エッチングにおいて有機材料である下層膜との間でエッチング選択比がとれないという問題を解決でき、ＡｒＦ露光における２層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線を初めとした金属配線への腐食およびＣｕ／ｌｏｗ−ｋ基板における低誘電体膜への損傷を発生せず、かつ、アッシング後の残渣膜の剥離性に優れた特性を有するホトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】本発明のホトレジスト用剥離液を、（ａ）フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、および（ｂ）水溶性有機溶媒を含有してなり、前記（ａ）成分の含有率が０．００１〜０．１質量％であるのホトレジスト用剥離液とする。前記（ａ）成分の含有率は０．００１〜０．０６質量％であることが好ましく、前記水溶性有機溶媒がγ−ブチロラクトンおよび／またはプロピレングリコールであることが好ましい。 （もっと読む）

基板上に耐熱性レリーフ構造を作成する方法であって、この方法は、（ａ）基板を用意し；（ｂ）最初のコーティング段階で、ポリアミド酸およびガンマ−ブチロラクトンを含有する組成物によって基板をコートして少なくとも約０.５μｍの厚さをもつポリアミド酸の層を形成し；（ｃ）１４０℃またはそれ未満の温度でポリアミド酸の層をベーキングし；（ｄ）第２のコーティング段階で、ポリアミド酸の層上にフォトレジストの層をコーティングして二層コーティングを形成し；（ｅ）二層コーティングを＜２５０ｎｍの放射線に露光し；（ｆ）１つまたはそれ以上の水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液によって二層コーティングを現像し；（ｇ）残留するフォトレジスト層を除去し；そして（ｈ）ポリアミド酸層を少なくとも約２００℃の温度で硬化してポリイミド構造をつくる段階を包含し、この場合ポリアミド酸は、水性のテトラメチルアンモニウム中に可溶でありまたフォトレジストに使用される溶媒中には可溶でない。 （もっと読む）

【課題】 耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。
【解決手段】（Ａ）基体１０上にホトレジスト被膜を形成する工程、および（Ｂ）選択的露光を含むホトリソグラフィ工程を経て、前記ホトレジスト被膜を、肉厚部ｒ１と肉薄部ｒ２を有する段状レジストパターンＲの形状にパターニングする工程を有するレジストパターンの形成方法であって、（ａ）ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）が８０００を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、（ｂ）ナフトキノンジアジド基含有化合物、および（ｄ）有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を用いて前記ホトレジスト被膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】パターン加工工程においては支持体と充分密着した感光性セラミックスシートを、剥離工程においては基板との密着性を低くして容易に剥離することができる感光性セラミックスシートの加工方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも支持体と、感光性有機成分と無機粉末とを含有する感光性セラミックスシートを積層した支持体付シートに、パターンを形成するパターン加工工程と、該支持体から該感光性セラミックスシートを剥離する剥離工程とを有する感光性セラミックスシートの加工方法であって、該剥離工程で、活性光線照射もしくは加熱処理することを特徴とする感光性セラミックスシートの加工方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコンを含有する自己組立分子層を備えるマスクパターンとその形成方法、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】マスクパターンを形成するために、まず基板上の下地膜１１０上に、下地膜１１０を第１幅ほど露出させる開口部を備えたレジストパターン１２０を形成する。次いで、レジストパターン１２０の表面にシリコンを含有する自己組立分子層１３２を形成する。レジストパターン１２０及び自己組立分子層１３２をエッチングマスクとして下地膜１１０をエッチングして、微細パターンを具現する。 （もっと読む）

【課題】 微細構造体の倒壊を防止するとともに、効率よく現像、洗浄またはエッチングをするための方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細構造体の製造方法は、リソグラフィにより基板上の樹脂層を露光し、露光後の樹脂層に現像液を供給して樹脂型を形成する工程を含み、供給する現像液にメガヘルツ帯域の振動を与えることを特徴とする。 （もっと読む）