画像様に露光したフレキソ印刷要素が加熱によって現像され、そしてレリーフ形成層の軟化した、未重合部分を除去する方法によって熱現像によって、フレキソ印刷版が製造されるが、使用したフレキソ印刷要素は、可塑剤との混合物としてスチレン／ブタジエンブロックコポリマーを含み、そして１,２−結合の状態で存在するブタジエンの割合は、ブロックコポリマーに対して１５〜５０質量％である。 （もっと読む）

パターニングされたセラミック薄膜（１０）は、イオン伝導性セラミック、電極、ハードセラミックコーティング、透明導電性酸化物、透明半導電性酸化物、強誘電性酸化物、及び誘電性酸化物として有用である。そのセラミック薄膜（１０）は液体前駆体溶液から形成することができる。 （もっと読む）

１つ又はそれ以上のポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、２〜約９の芳香族ヒドロキシル基を含む化合物と５−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物及び４−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物との縮合生成物であるジアゾナフトキノン光活性化合物、及び少なくとも１つの溶媒を含んでなるポジに働く感光性樹脂組成物、並びに、基材上にレリーフパターンを形成し、それによってコーティングされた基材を形成するためのこうした組成物の使用。 （もっと読む）

本発明の感光性樹脂組成物は、２以上のエチレン性不飽和結合を分子内に有する（Ａ）光重合性化合物と、前記（Ａ）光重合性化合物の光重合反応を開始させる（Ｂ）光重合開始剤と、を含有する感光性樹脂組成物であって、前記（Ａ）光重合性化合物の分子内には、該（Ａ）光重合性化合物を１３０〜２５０℃の温度条件で加熱した場合に切断される結合を有する特性基が更に含まれていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

半導体材料をリワークする方法であって、（ｉ）シリコーン組成物を基板表面に塗布して膜を形成する段階と、（ｉｉ）前記膜の一部を放射線で照射し、前記表面の一部である非照射部と前記表面の残りの部分である照射部とを有する、部分的に照射された膜を作成する段階と、（ｉｉｉ）前記照射部が実質的に現像液に対して非可溶であり、前記非照射部が前記現像液に対して可溶であるような時間、前記部分的に照射された膜を加熱する段階と、（ｉＶ）前記加熱後の膜の非照射部を前記現像液で除去し、パターン形成された膜を作成する段階と（Ｖ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間前記パターン形成された膜を加熱する段階と、（Ｖｉ）有機溶媒及び塩基を含む無水エッチング液に浸漬して硬化シリコーン層の全部または一部を除去する段階と、を含む方法。 （もっと読む）

印刷部数または印刷版の増加を含む、画像形成材料上の画像の耐久性を改善する装置および方法。前記装置および方法は、一例として、画像形成デバイスと、前焼きオーブンと、現像機と、前記画像に対して照射することができる赤外線ランプを用いる現像後処理ユニットとの使用を包含することができるが、これらに限定するものではない。 （もっと読む）

アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド基を有する感光剤並びに硬化剤を含んでなる感光性樹脂組成物において、アルカリ可溶性樹脂がアクリル系樹脂であり、硬化剤がエポキシ基を含む硬化剤であり、さらに前記感光性樹脂組成物がカルボン酸を含んでなる感光性樹脂組成物、およびこの感光性樹脂組成物を用いて形成された平坦化膜あるいは層間絶縁膜を具備してなるフラットディスプレィパネルまたは半導体素子。前記カルボン酸としては、Ｃ_１２〜_１８の飽和脂肪酸、Ｃ_１２〜Ｃ_２４の不飽和脂肪残が好ましい。 （もっと読む）

特定のアミン及び／又は四級アンモニウム化合物、ヒドロキシルアミン、腐食防止剤、有機希釈剤、及び、必要に応じて水を含んでいる組成物であって、フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及び残渣、並びに基板由来のエッチング残渣を除去することができる組成物である。 （もっと読む）

【課題】レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法が提供される。
【解決手段】レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤが形成される。アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤが形成される。トップイメージレイヤがパターン付けされた照射に曝露される。トップイメージレイヤにおいてパターンが現像される。パターンがトップイメージレイヤからアンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写される。レイヤがアンダーレイヤを通してエッチングされ、トップイメージレイヤは完全に除去され、アンダーレイヤは、レイヤをエッチングするあいだ、パターンをアンダーレイヤからレイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置に設けられる半透過反射基板の製造時に、その下地層の部分的な剥離を防止する。
【解決手段】半透過反射基板の製造工程においては、まず、図５（ａ）に示すように第２基板１２０上に感光性樹脂１３２を塗布し、続いて、図５（ｂ）に示すようにフォトマスク１４５にて露光した後、現像して下地層１３０を形成する。このうち、露光処理においては、開口部１２５と凹凸面１３２ｂとが離間するように露光し、それらの間隙が平坦となるような処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 マイクロドリルの捻れ溝加工を高精度で行い，かつマイクロドリルを高歩留まりで大量生産する。
【解決手段】 所定部材を加工して，マイクロドリルのドリルボディ部を形成する工程と，少なくともドリルボディ部を含む所定領域を露光液でコーティングする露光液コーティング工程と，ドリルボディ部の露光液コーティング面にレーザビームを照射しながらマイクロドリルを直進回転移動させて，捻れ溝形成領域の露光液を除去する捻れ溝形成領域露光工程と，少なくともドリルボディ部をエッチング液に浸積し，露光液が除去された領域のドリルボディ部材をエッチング除去して，捻れ溝を形成する捻れ溝形成工程と，露光液を超音波洗浄により洗浄除去する露光液洗浄工程と，を含む。 （もっと読む）

【課題】 サブトラクティブ法で従来よりも配線ピッチの小さい導体パターンを形成することができて、高密度配線化の要求に対応できるようにする。
【解決手段】 配線基板１２の導体パターンをサブトラクティブ法で形成する場合に、導体パターンの線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とでは、最適なエッチング条件が異なることを考慮して、線幅の細い部分（配線部１４）を形成する工程と、線幅の太い部分（パッド部１６）を形成する工程とをエッチング条件を変えて別々に実施する。これにより、線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とをそれぞれ最適なエッチング条件でエッチングすることができて、サイドエッチング幅を少なくすることができ、その分、レジストパターンの線幅、ひいては、配線ピッチを小さくすることができて、配線密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）