【課題】層が存在しない領域を有する層が、高いレベルの精度と安い費用で正確な重なり関係で適用される、多層体及び多層体の製造プロセスを提供する。
【解決手段】部分的に形成された第一の層（３ｍ）を有する多層体（１００、１００´）の製造プロセスであって、特定の構造エレメントの高い深さ幅比、特に０．３を超える高い深さ幅比を有する回折性の第一の凹凸構造（４）が前記多層体（１００、１００´）の複製層（３）の第一の領域（５）に形成され、第一の層（３ｍ）が、前記第一の領域（５）と、前記複製層（３）に凹凸構造が形成されていない第二の領域（４、６）の前記複製層（３）に、前記複製層（３）により規定される平面に対して均一な表面密度で適用され、前記第一の凹凸構造により確定する方法で、前記第一の層（３ｍ）が前記第一の領域（５）または前記第二の領域（４、６）で除去されるとともにそれぞれに対して前記第二の領域（４、６）または前記第一の領域が除去されないように、前記第一の層（３ｍ）が部分的に除去される。 （もっと読む）

【課題】 液塗布処理プロセスから回収された使用済シンナーを精製し、シンナー中の不純物の濃度を適正範囲内に調節して液塗布処理プロセスに再び供給する装置であって、不純物濃度を高精度に検出でき、十分に濃度管理されたシンナーを供給し得ると共に、シンナーの回収率を高めることが出来るシンナーのリサイクル供給装置を提供する。
【解決手段】 シンナーのリサイクル供給装置は、供給すべきシンナーを貯留する供給貯槽（１）、使用済シンナーを精製して供給貯槽（１）に送液する回収液精製機構（２）、シンナー原液を供給貯槽（１）に送液する原液供給機構（３）、精製シンナー中の不純物濃度を超音波伝播速度、電磁導電率または吸光度の少なくとも１つによって検出する濃度計（５）とを備えている。そして、濃度計（５）による検出濃度に基づき、精製シンナー及びシンナー原液の各送液を制御可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】 簡便であり、且つ確実にレジスト膜を除去することができるレジスト膜の除去方法を提供する。
【解決手段】 インプランテーションを施すことによって表面が変質して硬化した硬化層１２と、該硬化層１２下にあって硬化していないレジスト層１３とを有したレジスト膜１１において、先ず、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）によって、レジスト膜１１の上面部に形成された厚い硬化層１２Ａを除去した。そして、硬化層１２Ａが除去された後に、その硬化層１２Ａが除去されたレジスト膜１１を硫酸Ｒに浸してレジスト層１３を溶解し、レジスト膜１１の周側部に形成された薄い硬化層１２Ｂを取り除くようにした。 （もっと読む）

【課題】
２０μｍ以上の厚膜でも均一性の高い塗膜を形成することができ、解像性、パターン形状および耐メッキ性に優れ、塗膜のクラック発生を低減することができる感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る感光性樹脂組成物は、（Ａ）ノボラック樹脂３０〜９０重量％、（Ｂ）下記一般式（１）で表されるビニルアルキルエーテル樹脂５〜６０重量％および（Ｃ）アクリル樹脂０〜５０重量％を含む樹脂成分１００重量部に対して、（Ｄ）ナフトキノンジアジド基含有化合物５〜６０重量部および（Ｅ）溶剤を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の方法により、構造化表面が形成される。この構造化表面を形成する方法は、前記基板の主表面に、除去可能な放射線感光コーティングを設置するステップと、除去可能な放射線感光コーティングを放射線で露光して、除去可能な放射線感光コーティングの露光部分を基板から除去して、構造化表面を形成するステップとを有する。次に、構造化表面は、基板と、少なくとも一つの分離バンクによって定形された構造のパターンを有する。また、本方法は、前記構造および分離バンクに、流動性材料を設置するステップを含んでも良く、これにより、構造内に流動性材料のパターンが形成される。
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高温に耐えるレリーフ画像を形成するのに使用するための、非−ＮＭＰ溶媒中の接着促進剤を伴う安定な非感光性ポリイミド前駆体組成物およびこの画像を作成する方法。この非感光性ポリイミド前駆体組成物は、ａ）ガンマ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）中に可溶な１つまたはそれ以上のポリアミド酸および水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ただしポリアミド酸は、ポリイミド前駆体組成物が併用されるべき感光性組成物中に使用される溶媒に対しても耐性があるものとする；ｂ）ガンマ−ブチロラクトンを含む溶媒；およびｃ）式Ｉ〜ＶＩ（式中、Ｒ¹はＨ、Ｃ₁〜Ｃ₁₀の線状、環状または分枝状のアルキル、フェニルもしくはハロフェニルまたはアルキル置換フェニルであり、Ｒ²はＣ₁〜Ｃ₁₀の線状、環状もしくは分枝状のアルキル、フェニル、ハロフェニルもしくはアルキル置換フェニルまたは以下のＶＩＩ、ＶＩＩＩまたはＩＸ（式中、Ｒ³はＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルキル基またはＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルコキシ基であり、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は独立にＣ₁〜Ｃ₄の線状もしくは分枝状のアルキル基であり、ｍは１から大体４の整数であり、またｎは１から大体５の整数である）の部分構造の１つである）によって表される構造から選択される１つまたはそれ以上の接着促進剤を含有する。
を含む。
【化１】

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【課題】遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、半透明位相シフト膜パターンが、遮光膜パターンの寸法精度の影響を受けずに形成ができ、寸法精度が良好であるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板上に半透明位相シフト層、レジスト層を順次、積層する工程と、レジスト膜に必要とするメインパターンとアライメントマークを形成する工程と、レジスト膜をマスクとして半透明位相シフト層をエッチングして、必要とする半透明位相シフト膜を形成する工程と、遮光層を形成する工程と、レジスト層を積層し、所定の形状のレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングして、遮光膜パターンを形成する工程とを少なくとも有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 非感光性樹脂等からなる厚膜であっても、高精度のパターニングが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。この方法において、第一のパターン１が金属又は感光性樹脂からなるパターンであることが好ましく、被パターン材料が有機材料又は無機材料であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高アスペクトなパターンの形成が可能となる近接場露光によるレジストパターンの形成方法、及び該レジストパターンの形成方法を用いた基板の加工方法、デバイスの作製方法を提供する。
【解決手段】近接場露光用マスクを基板上に形成したレジスト層に近接させ、該マスクの面側に光を照射した際に該マスクの微小開口から滲み出る近接場光を用いて露光し、前記レジスト層にマスクパターンを転写する近接場露光によるレジストパターンの形成方法において、前記基板上に、近接場光のしみ出し深さ以上の厚さのネガ型レジスト層を形成する工程と、前記ネガ型レジスト層を、前記近接場光を用いて露光する露光工程と、前記露光されたネガ型レジスト層を現像液で現像し、該ネガ型レジスト層の厚さよりも浅い領域にパターンを形成する現像工程と、を少なくとも有する構成とする。 （もっと読む）