【課題】実施形態によれば、リソグラフィの解像限界以下の微細なラインパターンを本数の選択自由度を高めて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のラインパターン２３ａを形成する工程と、それぞれのラインパターン２３ａの側壁に側壁膜２６ａを形成し、複数のラインパターン２３ａおよび複数の側壁膜２６ａを含むパターン列５０を形成する工程と、隣り合う側壁膜２６ａ間およびパターン列５０の端の側壁膜２６ａの横の領域６０に、スペーサ膜２７ａ、２７ｂを形成する工程と、領域６０に形成されたスペーサ膜２７ｂをラインアンドスペースパターンに加工するとともに、側壁膜２６ａを除去し、ラインパターン２３ａおよびスペーサ膜２７ａ、２７ｂ１、２７ｂ２を残す工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物を提供する。
【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアリールオキシシラン原料の加水分解縮合物と、溶媒として芳香族化合物を有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ用ガラス基板の再生において、ガラス基板の全面研磨を行うことなく、パターン形成の構成物である樹脂などの残渣を削除するカラーフィルタ用ガラス基板の再生装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に、少なくとも感光性黒色樹脂からなる遮光層及び感光性着色樹脂層でパターン形成されたカラーフィルタ用ガラス基板の再生方法であって、該パターン形成の不具合部を、水性の洗浄液を用いた前記遮光層及び感光性着色層の樹脂剥離、除去、洗浄手段と、その後の水洗洗浄及び乾燥手段と、さらに、欠陥検査機による残渣の検出手段と検出手段で画像認識された残渣を、レーザー照射で除去する手段を具備してなることを特徴とするカラーフィルタ用ガラス基板の再生装置である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンにポリシラザンを塗布し、不溶化層を形成してパターンを形成する場合に、従来に比して不溶化層にマスク材としてのエッチング耐性を持たせることができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、まず、被加工膜１１上にレジストパターン１３を形成し、レジストパターン１３上にポリシラザン塗布膜１４を形成し、熱処理を行って、レジストパターン１３とポリシラザン塗布膜１４とを反応させ、レジストパターン１３の側面および上面に沿って不溶化層１５を形成する。ついで、不溶化層１５を形成しなかった領域のポリシラザン塗布膜１４を除去し、不溶化層１５を酸化してポリシラザン硬化膜１６を形成し、レジストパターン１３の上面とレジストパターン１３間の底部のポリシラザン硬化膜１６を除去する。そして、レジストパターン１３を除去し、ポリシラザン硬化膜１６を用いて被加工膜１１を加工する。 （もっと読む）

【課題】レジスト以外の基板材料を酸化させること無く、溶剤を用いた従来のレジスト除去方法に比べてレジストを効果的に除去することができるレジスト除去装置を提供することにある。
【解決手段】レジストを成膜したウェハＷからレジストを除去するレジスト除去装置に、有機系溶剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段３を備える。 （もっと読む）

【課題】低ダメージで低コストなレジストの除去方法及び除去装置を提供する。
【解決手段】基板上の有機物を除去するための有機物の除去方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることにより生成したＨ_２Ｏガスを触媒反応部から噴出させ、噴出したＨ_２Ｏガスにより基板上の有機物を除去することを特徴とする有機物の除去方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないネガ型感光性組成物を提供する。また、本発明は、該ネガ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）と、光重合開始剤（Ｂ）とを含有するネガ型感光性組成物であって、前記非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）は、特定の構造単位を有する樹脂であり、（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、２．３〜６．０であるネガ型感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を低温、短時間で完全に除去でき、配線上部のバリアメタル上に粒状の異物が付着するのを抑制するレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を剥離する際、フッ素化合物と1，10−フェナントロリン一水和物、1，10−フェナントロリン無水物、2，2’−ビピリジン、1，2，3−ベンゾトリアゾール、ピリジン、3，5−ジメチルピラゾール、ニトリロ三酢酸、プロピオン酸、および酢酸から選択される１種以上の水溶性化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離液組成物で洗浄する（接触処理する）。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣの如き光透過性を有する基板材料上に所望のレジストパターンを精度よく且つ安定に形成することができるマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する半導体基板上に光反射膜を形成する。光反射膜の上にフォトレジストを形成する。半導体基板にフォーカス検出光を照射して光反射膜で反射される反射光に基づいて調整された焦点位置に原盤マスクを介して露光光を照射してフォトレジストを露光する。その後、フォトレジストの露光部分又は露光部分以外の部分を除去することによりフォトレジストにパターニング施す。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される、新規なフォトレジスト用化合物、上記フォトレジスト用化合物を用いたフォトレジスト液、および上記フォトレジスト液を使用して、所望の表面をエッチングするエッチング方法の提供。
【解決手段】メロシアニン色素骨格を有するフォトレジスト用化合物。前記フォトレジスト用化合物を含むフォトレジスト液。前記フォトレジスト液を使用する被加工表面のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】９０℃以下の低温で基板上のレジストを除去する。
【解決手段】レジスト除去装置１はレジスト１７の除去に供される基板１６を加熱可能に格納すると共に大気圧よりも低圧のもとオゾンガスと共に不飽和炭化水素ガスまたは不飽和炭化水素のフッ素置換体ガスが供給されるチャンバ２を備える。チャンバ２は基板１６の温度が９０℃以下となるように内圧が制御される。前記オゾンガスとしてはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスが挙げられる。前記処理した基板１６には洗浄するために超純水を供給するとよい。チャンバ２は基板１６を保持するサセプタ１５を備える。サセプタ２は赤外光を発する光源４によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、且つこのパターン間に良好に埋め込むことができると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本反転パターン形成方法は、基板上にレジストパターンを形成する工程と、パターン間にパターン反転用樹脂組成物を埋め込む工程と、レジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程と、を備えるものであって、パターン反転用樹脂組成物は、ポリシロキサン及び有機溶剤を含有し、且つポリシロキサンは、［Ｒ^１_ａＳｉＸ_４−ａ］（Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｘは塩素原子又は−ＯＲ^２、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基、ａは１〜３の整数である）で表される１種又は２種以上の化合物を加水分解及び／又は縮合させて得られたものである。 （もっと読む）

【課題】無機基板の好ましくないエッチングを回避しつつ、無機基板上の有機被膜を効率よく選択的に除去できる方法、およびその方法を用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】反応器内の水を沸点以上に昇温した後に、飽和蒸気よりも水相側には至らないように昇圧し、生成された水蒸気中もしくは超臨界水中で、無機基板上の有機被膜を選択的に除去することを特徴とする有機被膜の除去方法、およびその方法を用いて製造された基板。 （もっと読む）

【課題】露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況において、コンタクトホールの微細化を簡単に実現する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、貫通孔を有し、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】生産コストを上昇させることなく、ポッピングによるパーティクル汚染の防止と、ウエハ基板のダメージの低減を同時に達成する。
【解決手段】硬化変質層２０ａに対して氷微粒子が混在されたＩＰＡを吹き付け、氷微粒子の衝突によって亀裂部２１ａないしは欠損部２１ｂを生じさせ、内部の非変質層２０ｂを部分的に露呈させる。次いで、硫酸過水（ＳＰＭ）を吹き付け、亀裂部２１ａないしは欠損部２１ｂから非変質層２０ｂに浸透させ、非変質層２１ｂを溶解させて除去する。そして、アンモニア加水（ＡＰＭ）を吹き付け、半導体ウエハ基板３上に残留した硬化変質層２０ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】低温短時間の剥離条件下において残渣（例えば、Ａｌ、ＣｕおよびＴｉを含む酸化生成物）を好適に剥離でき、配線（特にＡｌを含む金属配線）等に対する腐食抑制効果が高く、環境への負荷が小さい剥離剤組成物、及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールと、水と含み、２０℃におけるｐＨが９〜１３である剥離剤組成物。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、ヒドロキシ基を有するビニルナフタレンとヒドロキシ基を有さない特定のオレフィン類の繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、水素を１０質量％以上、炭素を７０質量％以上含むモノマーに由来する繰り返し単位（Ａ）とヒドロキシ基又はエポキシ環を有する繰り返し単位（Ｂ）とを有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】 粘着剤を用いて画像部を剥離除去する際、共に粘着した非画像部の層構造が破壊されず、汚し回復性、耐刷性を劣化させない平版印刷版の消去方法を提供する。
【解決手段】 平版印刷版の画像部に粘着力０．５〜１０Ｎ／２５ｍｍの粘着剤を貼り付け、剥離することによって画像部を除去することを特徴とする平版印刷版画像の消去方法。 （もっと読む）