説明

Fターム[2H111FA27]の内容

Fターム[2H111FA27]に分類される特許

1 - 20 / 48


【課題】保存信頼性に優れ、かつ酸化インジウムおよび酸化スズを保護層の材料として用いた場合よりもさらに生産性に優れた追記型光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体は、無機記録層と、無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層とを備える。複合酸化物を[(In231-X(A)X]としたときに、Aは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Xは0.15≦X≦0.75の範囲を満たす。 (もっと読む)


【課題】高線速度記録が可能で、広い線速度範囲で高品質の信号が得られ、かつ信号保存性に優れた情報記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層15を有する情報記録媒体1である。前記記録層15は、第1構成層〜第X構成層(Xは2以上の整数)を、前記記録層15の厚み方向に順に配置することによって形成されている。前記第1構成層〜前記第X構成層のうち少なくとも何れか1つの構成層である第m構成層(mは1≦m≦Xを満たす整数)が、Ge−SbまたはTeを含む。 (もっと読む)


【課題】多層型の光記録媒体において、レーザー光の入射側から最も遠い記録再生機能層以外の記録再生機能層における反射率均一性、耐久性、信号強度等に優れた光記録媒体を提供する。
【解決手段】レーザー光の入射側から少なくとも、第1保護層、第2保護層、記録層、第3保護層、反射層、及び第4保護層をこの順に有する半透明な記録再生機能層を有する光記録媒体において、前記第2保護層と前記第4保護層とが同一の構成元素を有する材料からなり、前記第2保護層の屈折率が、前記第1保護層の屈折率よりも0.3以上大きく、前記第2保護層の膜厚をD2、前記第4保護層の膜厚をD4、前記記録層に該レーザー光をフォーカスした場合の記録前反射率をRとしたとき、Rの膜厚に対する増加率d(R)/d(D2)とd(R)/d(D4)との正負を逆とする。 (もっと読む)


【課題】光波長吸収範囲の狭い有機染料に代え、導体(金属)または半導体の無機材料で記録層を形成し、ブルーレイ記録可能媒体を提供する。
【解決手段】記録可能光学式記録媒体が、磁気スパッタリングによって準備される無機記録層を備えている。記録層は、銅(Cu)、シリコン(Si)、クロミウム(Cr)またはその組合せから選ばれる主要成分を含む組合せ薄膜である。データ記録の目的は、レーザービームによって記録可能光学記録媒体に照射した後に記録層のミクロ構造を変更することを経由して達成されることができる。 (もっと読む)


【課題】反射率(初期反射率)が高く、かつ記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層を備え、耐久性にも優れた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層と、該記録層に隣接して形成される誘電体層とを備えた光情報記録媒体であって、前記記録層は、酸化Inと酸化Pdを含み、該酸化Pdが一酸化Pdと二酸化Pdを含むものであり、かつ、記録層に含まれるIn原子とPd原子の合計に対するPd原子の比率が6〜60原子%であることを特徴とする光情報記録媒体。 (もっと読む)


【課題】記録層の膜質(吸収率、屈折率、消衰係数など)が径方向に変化している場合であっても、均一なディスク特性(記録感度、反射率など)を有する光記録媒体、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ディスク状の光記録媒体であって、記録光が入射する側から順に、第一誘電体層、記録層および第二誘電体層を備え、前記記録層は、前記記録光に対する吸収率が径方向で変化し、前記第一誘電体層および前記第二誘電体層の少なくとも一つは、前記記録光に対する記録感度が径方向で均一化されるように前記吸収率の変化に対応して径方向において膜厚が変化していることを特徴とする光記録媒体など。 (もっと読む)


【課題】高温高湿環境下での耐久性に優れた光情報記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属系記録層と、金属系記録層に隣接する誘電体層とを基板の上に有する光情報記録媒体をスパッタリング法により製造する方法であって、
In基合金からなる記録層を用意する工程と、
誘電体層の組成に応じて下記条件で誘電体層を成膜する工程、を包含する。
(1)誘電体層がAlの酸化物を主成分として含むときは、スパッタ電力:3W/cm以下、誘電体層の厚さ:5〜70nmに制御。
(2)誘電体層がSiの酸化物を主成分として含むときは、スパッタ電力:3W/cm以下、誘電体層の厚さ:4〜8nmまたは30〜70nmに制御。
(3)誘電体層がNbの酸化物を主成分として含むときは、スパッタ電力:2W/cm以上、誘電体層の厚さ:10〜15nmに制御。
(4)誘電体層がZnの硫化物を主成分とし、Siの酸化物を更に含むときは、スパッタ電力:3W/cm以下、誘電体層の厚さ:2〜15nmに制御。 (もっと読む)


【課題】青色レーザ波長領域でも精度の良い記録マークを形成でき、良好な記録品質で情報を記録できる無機記録層を備えた追記型光記録媒体、特に、無機記録層として酸化ビスマスを主成分とする記録層を備えた追記型光記録媒体について、更なる記録特性と保存信頼性の向上を図ること、及び、該光記録媒体、特に、記録極性が「High to Low」である光記録媒体に対しても適用可能な記録方法の提供。
【解決手段】基板上に、少なくとも、無機材料からなる記録層と反射層が形成されており、青色レーザ光の照射により該記録層に非可逆的な変化を生じさせて情報の記録を行なうことができる追記型光記録媒体。 (もっと読む)


【課題】青色波長領域のレーザ光による記録再生が可能で、高感度かつ低線速から高線速までの広い線速範囲の記録にも適した光記録媒体とその製造方法、及び、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。
【解決手段】(1)基板上に、少なくとも青色波長領域のレーザ光で記録再生可能な記録層を有し、該記録層がBi(ビスマス)とO(酸素)を主成分として含み、更にC(炭素)及び/又はN(窒素)を含み、Feを含まない光記録媒体。
(2)記録層が、更にB、Li、Sn、Ge、Sr、Mg、Ba、Ca、Mo、W、Co、Si、In、Ti、Mn、Ga、Zr、Cr、Hf、K、Na、Zn、Ni、Cu、Pd、Ag、P、Ta、Y、Nb、Al、V、Sb、Te、La系列元素から選択される少なくとも一種の元素Xを含む(1)記載の光記録媒体。 (もっと読む)


【課題】追記型光記録媒体を構成する材料の組み合わせと厚み範囲が最適化され、記録感度、ジッタ等の記録特性に優れた追記型光記録媒体の提供。
【解決手段】レーザ光照射側から、少なくとも下部保護層、記録層、上部保護層、耐硫化層、及び反射層をこの順に有してなり、前記記録層が、ビスマス、酸化ビスマス及びビスマス酸化物の少なくともいずれかを含有し、前記反射層が銀及び銀合金の少なくともいずれかを含有し、前記下部保護層の厚みが50nm〜100nmであり、前記上部保護層が硫黄含有材料を含有する追記型光記録媒体である。 (もっと読む)


【課題】高密度記録における信号品質が良好で、保存信頼性の高い光学的情報記録媒体と、その光学的情報記録媒体の記録再生方法及び記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の光学的情報記録媒体では、透明基板1上に設けられた少なくとも1つの情報層が、透明基板1側から順に配置された保護層2及び追記形の記録層3を含んでいる。記録層3は、Cr−O、Zn−O、Ga−O、In−O、Sn−O、Sb−O、Bi−O及びTe−Oから選ばれる少なくともいずれか1種を含む。保護層2は、Cr−O、Zn−O、Ga−O、In−O、Sn−O、Sb−O、Bi−O及びTe−Oから選ばれる少なくともいずれか1種を含む。保護層2に含まれる酸素原子以外の全原子の合計を100原子%とした場合に、保護層2におけるCr、Zn、Ga、In、Sn、Sb、Bi及びTeの原子数割合の合計は、70原子%以上である。 (もっと読む)


【課題】超解像光記録媒体における超解像記録マークの再生特性及び再生耐久性を向上させる。
【解決手段】基板10と、この基板10上に順に、反射層12と、第3の誘電体層14と、レーザ光を吸収して発熱する光吸収層16と、第2の誘電体層18と、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層20と、第1の誘電体層22と、光透過層24とを設けてなり、光透過層24を介してレーザ光が照射されたときに、分解反応層20における貴金属酸化物が貴金属と酸素とに分解されて、生成された酸素ガスにより空洞が形成されると共に、この空洞内に、貴金属の微粒子が析出して、分解反応層20に記録マークが形成されるように構成された超解像光記録媒体であって、第2の誘電体層が、ZnS及びSiOの少なくとも一方とTi族金属酸化物との混合物を主成分として構成されている。 (もっと読む)


【課題】光学記録媒体の記録層に用いることができる、新規な化合物を提供する。
【解決手段】式(I)、(II)、(III)又は(IV)の化合物に関する。
(もっと読む)


【課題】第2の情報記録層からも良好な記録信号特性が得られる、片面記録再生タイプの光記録媒体の提供。
【解決手段】基板上に、第1、第2の2組の情報記録層が中間層を介して積層され、第1の情報記録層側からのレーザー光照射により、2組の情報記録層にそれぞれ記録・再生が行われる光記録媒体において、第2の情報記録層が表面にウォブルした凸部を有する基板上に設けられた光反射層、色素記録層、無機保護層を少なくとも有し、該色素記録層がシアニン化合物とスクアリリウム化合物を少なくとも有し、該無機保護層の膜厚が3nm〜40nmであることを特徴とする光記録媒体。 (もっと読む)


【課題】低いジッター値など良好な記録特性を有する高密度記録が可能な追記型光記録媒体の実現に適したスパッタリングターゲットとその製造方法の提供、そのスパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体の提供、及び、生産性の向上のため製膜速度の向上が可能で、製膜時の強度の高い、充填密度を高めたスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】(1)BiとB、又は、BiとBと酸素を主成分として含む追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。
(2)BiとBの原子比が、0.6≦Bi/B≦7.0である(1)記載の追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。
(3)BiとBの複合酸化物(Biなど)を含む(1)又は(2)記載の追記型光記録媒体作成用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】従来の光記録媒体に比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザを用いる追記型DVDディスクシステムに適用可能な光記録媒体、特に高速記録に適したメディアの層構成を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に、少なくとも記録層、中間層、反射層を順に積層してなる光記録媒体において、該記録層に有機色素を主成分としたもの、該中間層に無機材料を主成分としたものが用いられ、中間層の膜厚が1nm〜10nmであり、600〜720nmの記録波長で記録可能であることを特徴とする光記録媒体。 (もっと読む)


【課題】高密度記録情報を記録し且つ再生するのに適応している高密度記録媒体を提供することにある。
【解決手段】高密度L2H記録用の1回書き込み多数回読み出し光記録媒体は、事前に溝が形成されている1.1mmの基板と、100−200nmの反射層と、5−20nmの第1の誘電体層と、50−80nmの第2の誘電体層と、高密度の光学的記録において一層小さいマーク形成を達成するため80−98%の70Sb−(5−15)In−(15−25)Sn合金及び2−20%の80ZnS−20SiOセラミックから成る金属−セラミック・ターゲットからスパッタリング形成された6−18nmの相変化材料と、80−120マイクロメートルのポリカーボネート・カバー層とから成る。 (もっと読む)


【課題】高速でのオーバーライト特性と保存信頼性とを両立することができるようにする。
【解決手段】光記録媒体10には、少なくとも上層誘電体層12、記録層14、下層誘電体層15、硫化防止層16および反射層17が、記録再生光の入射方向から順に基板11上に設けられている。記録層14がGaxSnyGezSbw(但し、0≦x≦7、13≦y≦20、0.08≦z/w≦0.2)から構成され、下層誘電体層15が硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体からなり、1nm以上6nm以下の膜厚を有し、反射層17がAg合金からなり、160nm以上の膜厚を有する。 (もっと読む)


【目的】 書き換え可能な相変化型記録媒体において、反射層が薄いか又はなくても非晶質マークの形成と消去とを容易に行なえ、また、使用可能な結晶化速度の範囲を狭めずに行なえるような、相変化型記録媒体の記録方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 記録パワーPwを最初に照射する区間である先頭パルスの直前に設けられ、バイアスパワーPbを第1設定時間yT照射する前段低パワーパルス照射ステップと、この先頭パルスの直後に設けられ、バイアスパワーPbを第2設定時間xT照射する後段低パワーパルス照射ステップとをそなえ、xとyとの間の関係が、0.95≦x+0.7*y≦2.5を満たし、かつ、それに続く高パワーエネルギービームを照射する区間である後続パルスの照射周期は、0.5T以上1.5T以下であるように構成する。 (もっと読む)


【課題】光記録媒体の多値記録において重要となる繰り返しオーバーライト時の劣化と高温環境下で記録した場合のシェルフ特性の劣化を抑制することを目的とする。
【解決手段】可逆的相変化による光学定数の変化を利用した光記録媒体において、基板上に下部誘電体保護層、相変化記録層、上部誘電体保護層、第2の上部誘電体保護層、Ag合金反射層からなり、相変化記録層がGe,Sb,Te,Sn,Inを含有する組成の層で、各組成が、3<Ge<10 , 65<Sb<80 , 15<Te<25 , 0≦Sn≦5atm%,0≦In≦5atm%、膜厚が10nm以上20nm以下、下部誘電体保護層がZnS,SiO2からなり 65<ZnS≦80、20≦SiO2<35mol%、上部誘電体保護層は75<ZnS≦85、15≦SiO2<25mol%、下部誘電体保護層の厚が100nm以上150nm以下、再結晶化限界線速Vcが7m/s<Vc<9.5m/sであることを特徴とする相変化型記録媒体を主たる構成にする。 (もっと読む)


1 - 20 / 48