光記録媒体およびその製造方法
【課題】保存信頼性に優れ、かつ酸化インジウムおよび酸化スズを保護層の材料として用いた場合よりもさらに生産性に優れた追記型光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体は、無機記録層と、無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層とを備える。複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす。
【解決手段】光記録媒体は、無機記録層と、無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層とを備える。複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、無機記録層を有する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などが光記録媒体の市場を牽引してきた。しかし、近年では、テレビのハイビジョン化やＰＣ（Personal Computer）で取り扱うデータの急激な増大に伴い、光記録媒体の更なる大容量化が求められている。この要求に応えるべく、ＢＤ（Blu-ray Disc（登録商標））などの青色レーザに対応した大容量の光記録媒体が登場し、新たな大容量の光記録媒体の市場が立ち上がりつつある。
【０００３】
記録可能な光記録媒体としては、ＤＶＤ−Ｒ(Digital Versatile Disc-Recordable)、ＤＶＤ±ＲＷ(Digital Versatile Disc±ReWritable)に代表される書換型の光記録媒体と、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）やＤＶＤ−Ｒ（Digital Versatile Disc-Recordable）に代表される追記型の光記録媒体とがあるが、特に、後者は低価格メディアとして市場の拡大に大きく貢献してきた。したがって、青色レーザに対応した大容量の光記録媒体においても、市場を拡大させるためには、追記型光記録媒体の低価格化が必要になると考えられる。
【０００４】
追記型光記録媒体では、記録材料として無機材料と有機色素材料との両方が規格上認められている。有機材料を用いた追記型光記録媒体は、スピンコート法により安価に製造可能であるという利点を有するのに対して、無機材料を用いた追記型光記録媒体は、再生耐久性やプッシュプル信号特性に優れるという利点を有するものの、大がかりなスパッタ装置が必要であるという欠点を有している。したがって、無機材料を用いた追記型光記録媒体が価格の点で有機材料を用いたものに対抗するためには、製造装置の初期投資を抑え、１枚当たりのタクトを上げて、記録媒体を効率よく生産することが不可欠となる。
【０００５】
上記問題を解決するための最も有効な手段として、記録膜を構成する層数を減らし、成膜チャンバー数を減らしてスパッタ装置への初期投資を抑え、製造タクトを短くすることが挙げられる。しかし、層数を単に減らしても、膜厚が厚く、かつ成膜レートが遅い材料を使用すると、製造タクトが伸びてしまい逆にコストの上昇を招いてしまう虞もある。
【０００６】
従来、無機材料を用いた追記型光記録媒体の保護層の材料としては、ＳｉＮ、ＺｎＳ-ＳｉＯ2などの透明誘電体材料が主に用いられている（例えば特許文献１参照）。しかし、ＳｉＮやＺｎＳ−ＳｉＯ2は成膜レートが速く生産性に優れているという利点を有しているが、記録データの保存特性（保存信頼性）が悪いという問題がある。上記以外の誘電体材料には保存信頼性が高いものも存在するが、これらの材料は高周波（ＲＦ）スパッタリングが必要であるため成膜レートが非常に遅く生産性が悪いという問題がある。したがって、保存信頼性と生産性との両立は非常に困難である。
【０００７】
この問題を解決すべく、保護層としてＤＣスパッタリング可能な酸化インジウムおよび酸化スズ（以下、ＩＴＯと称する。）を用いる技術が提案されている（例えば特許文献２参照）。この技術では、追記型光情報記録媒体において高い保存信頼性を実現できると同時に、成膜チャンバー数を削減し、高い生産性を得ることができる。すなわち、ＩＴＯを保護層に用いることで、高成膜レートが得られるので１つのチャンバーでも保護層を厚膜化することが可能となり、その結果設計の自由度を保ったままチャンバー数を減らすことが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−５９１０６号公報
【０００９】
【特許文献２】特開２００９−１２９５２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、保護層の材料としてＩＴＯを用いると、ＩＴＯターゲットの使用が進むにつれて、ターゲット表面にノジュールを生じやすい。ノジュールとは、スパッタ時間の経過に伴いターゲット表面に発生する微小な突起物であり、高抵抗物質を起点とした掘れ残りとされている。さらにそのノジュールの析出が進むと、そのまわりで絶縁破壊を生じ、それが粉状になってシールドやディスクに付着する。例えば、ディスクに粉が付着した場合には、粉が付着した箇所では、再生レーザのガイド溝が覆われてしまうため、トラッキングサーボ欠陥としてディスク不良とされる。このようなディスク不良が増加したときには、生産を停止してターゲット表面のノジュールを除去する必要があり、稼働率の低下、つまり生産性の悪化の原因となる。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、保存信頼性に優れ、かつ酸化インジウムおよび酸化スズを保護層の材料として用いた場合よりもさらに生産性に優れた追記型光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、保護層の材料として、酸化インジウムおよび酸化セリウム（Indium Cerium Oxide、以下ＩＣＯと称する。）、もしくは酸化インジウムおよび酸化ガリウム（Indium Gallium Oxide、以下ＩＧＯと称する。）を主成分とする材料を用いることにより、良好な記録特性、および高い保存信頼性を実現できるとともに、高い耐ノジュール性を得ることができることを見出し、実験的にもこれを実証し、この発明を案出するに至ったものである。
【００１３】
上述の課題を解決するために、本願第１の発明は、
無機記録層と、
無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層と
を備え、
複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体である。
【００１４】
本願第２の発明は、
無機記録層を形成する工程と、
無機記録層の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層を形成する工程と
を備え、
複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体の製造方法である。
【００１５】
本願発明では、無機記録層の少なくとも一方の面に、酸化インジウムおよび酸化セリウム、または酸化インジウムおよび酸化ガリウムを主成分とする保護層を備えているので、優れた保存信頼性を得ることができる。また、酸化インジウムおよび酸化セリウム、もしくは酸化インジウムおよび酸化ガリウムを主成分とする材料は、導電性が高いことから直流（ＤＣ）スパッタリング法による成膜が可能であり、成膜レートが高いので、ＩＴＯ材料同様に高い生産性を維持することができ、さらにノジュールが発生しないことによる稼働率の向上も図れる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、保存信頼性と高い生産性を両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図２】実施例１〜実施例９および比較例１〜比較例２の追記型光記録媒体のジッター特性示すグラフである。
【図３】実施例１〜実施例９および比較例１〜比較例２の追記型光記録媒体の保存信頼性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
＜追記型光記録媒体の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この追記型光記録媒体１０は、基板１上に、反射層２、第１の保護層３、蓄熱層７、無機記録層４、第２の保護層５、光透過層６が順次積層された構成を有する。
【００１９】
この一実施形態に係る追記型光記録媒体１０では、光透過層６の側からレーザ光を無機記録層４に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層６の側から無機記録層４に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような追記型光記録媒体１０としては、例えばＢＤ−Ｒが挙げられる。
【００２０】
追記型光記録媒体１０のジッターは、好ましくは７．５％以下、より好ましくは７．０％以下である。ジッターを７．５％以下にすると、十分に良好なエラーレートを実現できるため、良好の情報信号特性を得ることができる。追記型光記録媒体１０のシンボルエラーレート（ＳＥＲ）は、好ましくは２．０×１０-3以下、より好ましくは１．０×１０-3以下、さらに好ましくは３．０×１０-4以下である。ＳＥＲが２．０×１０-3以下であると、一般的にエラー訂正可能であるため、良好の情報信号特性を得ることができる。
【００２１】
以下、追記型光記録媒体１０を構成する基板１、反射層２、第１の保護層３、蓄熱層７、無機記録層４、第２の保護層５、光透過層６について順次説明する。
【００２２】
（基板）
基板１は、例えば、中央に開口（以下センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、例えば、凹凸面１１となっており、この凹凸面１１上に無機記録層４が成膜される。以下では、凹凸面１１のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
【００２３】
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
【００２４】
基板１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ〜１．３ｍｍ、より好ましくは０．６ｍｍ〜１．３ｍｍ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
【００２５】
基板１の材料としては、例えばプラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
【００２６】
（反射層）
反射層２の材料としては、例えばＡｇ合金やＡｌ合金など、従来公知の光ディスクにおいて一般的に使用可能な金属や半金属などをこの反射層２に求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。また、反射層２の材料としては、光の反射能に加えてヒートシンク（放熱）能を有するものを用いることが望ましい。こうすることで反射層２に放熱層としての機能を持たせることもできる。
【００２７】
（第１の保護層、第２の保護層）
第１の保護層３、および第２の保護層５は無機記録層４を保護し、記録／再生時の光学特性および熱特性を制御するためのものである。第１の保護層３、および第２の保護層５の少なくとも一方が、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分としている。この複合酸化物は、インジウムとセリウムの酸化物（ＩＣＯ）、またはインジウムとガリウムの酸化物（ＩＧＯ）からなる。このような構成にすることで、保存信頼性と高い生産性とを両立することができる。特に、第１の保護層３、および第２の保護層５の両方がＩＣＯまたはＩＧＯを主成分としていることが好ましい。ＩＣＯ、ＩＧＯ以外の材料としては、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5など、酸化物、窒化物、炭化物の従来公知の光ディスクにおいて一般的に使用可能な誘電体を用いることができる。また、酸化インジウムおよび酸化スズ（ＩＴＯ）などの透明酸化物を用いることもできる。第１の保護層３の厚さは、適切な反射率を得るために、好ましくは１０ｎｍ〜４０ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ〜３０ｎｍである。第２の保護層５の厚さは、記録パワーマージン向上の観点から、１１ｎｍ〜３４ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１６ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００２８】
第１の保護層３および第２の保護層５の少なくとも一方を設ける構成とすることも可能であるが、良好な情報信号特性および保存信頼性特性を得る観点からすると、図１に示すように、第１の保護層３、および第２の保護層５の両方を設けることが好ましい。
【００２９】
複合酸化物は、以下の式（１）の組成を有する。
[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X] ・・・・・（１）
ただし、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．７５、より好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．６５、さらに好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．４０である。
Ｘが０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たすことで、良好な情報信号特性および保存信頼性特性を得ることができ、かつ、ノジュール耐性など生産性を向上することができる。
【００３０】
（無機記録層）
無機記録層４は、追記型の無機記録層であり、例えば、ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とし、必要に応じてＺｎ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｃｒ、ＳｎおよびＴｂからなる群から選択された少なくとも１つの元素をさらに含み、好適には、以下の式（２）の組成を有する。
【００３１】
［（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-x］y（ＳｂzＸ1-z）1-y ・・・・・（２）
ただし、０＜ｘ≦１．０、０．３≦ｙ≦０．７、０．８＜ｚ≦１．０であり、ＸはＧａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｃｒ、ＳｎおよびＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素である。
【００３２】
また、無機記録層４の厚さは、良好な記録再生特性を得る観点から、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とする無機記録層４は、記録前にはＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ｓｂがアモルファス状態となっている。このような状態にある無機記録層４に対してレーザ光を照射すると、無機記録層４の中央部分にＳｂの結晶が形成され、その他の原子は界面近傍に集中する。これにより、光学定数（ｎ：屈折率、ｋ：減衰係数）が変化し、情報信号が記録される。このように中央部分にＳｂの結晶が形成された状態にある無機記録層４を、記録前のアモルファス状態に戻すことは困難であるため、前記無機記録層は追記型の無機記録層として用いられる。
【００３３】
このように、無機記録層４がＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とし、好適には、上記式（２）の組成を有することで、記録された情報が初期のまま長期にわたって安定して保存され、信号再生時に再生用レーザ光によって信号が損なわれることがない。したがって、通常の長期保存によって変質せず書き込み特性が保存され、記録および／または再生用レーザ光に対して十分な感度と反応速度とが得られ、これによって広い線速や記録パワーにわたり良好な記録再生特性を得ることができる。また、保存信頼性の更なる向上の観点からすると、ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とする無機記録層４と、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする第１の保護層３および／または第２の保護層５とを組み合わせて用いることが好ましい。
【００３４】
無機記録層４の材料は、上述の材料に限定されるものではなく、従来公知の追記型光記録媒体において一般的に使用可能な無機記録材料を用いることも可能である。
【００３５】
例えば、無機記録層４としては、例えば、Ｔｅ、ＰｄおよびＯ（酸素）を主成分とする相変化タイプの無機記録層を用いることができ、この無機記録層は、例えば、以下の式（３）の組成を有する。
（ＴｅxＰｄ1-x）yＯ1-y ・・・・・（３）
ただし、０．７≦ｘ≦０．９、０．３≦ｙ≦０．７
【００３６】
また、無機記録層４としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）膜と銅（Ｃｕ）合金膜を積層してなる合金タイプの無機記録層、もしくは、Ｇｅ、ＢｉおよびＮを主成分とする無機記録層を用いることもできる。
【００３７】
（蓄熱層）
蓄熱層７は、第１の保護層３に比して低い熱伝導率を有し、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2などの誘電体材料を主成分としている。図１に示すように、第１の保護層３と無機記録層４との間に蓄熱層７を備えた場合には、記録および／または再生用のレーザ光は蓄熱層７とは反対の側から無機記録層４に照射されることになる。蓄熱層７は、記録の際に発生した熱を無機記録層４内に留める蓄熱層として機能する。したがって、第１の保護層３と無機記録層４との間に蓄熱層７を備えることで、熱を効率的に使うことができるようになり、追記型光記録媒体１０を高記録感度化することができる。また、無機記録層４内に一旦熱を溜めてから、熱を無機記録層４内から、高熱伝導率を有する第１の保護層３、反射層２に逃がすことで、より正確なマークエッジを形成し、低ジッター、ワイドパワーマージンを得ることができる。但し、蓄熱層７が厚すぎ、ｄｈ／（ｄ１＋ｄｈ）＞０．９５（但し、ｄ１：第１の保護層の厚さ、ｄｈ：蓄熱層の厚さ）となると、無機記録層４内に熱がこもりすぎるために、マークエッジが揃わなくなりパワーマージンが狭くなる傾向がある。よって、ｄｈ／（ｄ１＋ｄｈ）≦０．９５とすることが好ましい。蓄熱層７の成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いることができる。
【００３８】
なお、蓄熱層を設ける位置は、第１の保護層３と無機記録層４との間に限定されるものではなく、例えば、無機記録層４と第２の保護層５との間に蓄熱層７を設けるようにしてもよい。このような構成とした場合、記録および／または再生用のレーザ光は蓄熱層７の側から無機記録層４に照射されることになる。また、第１の保護層３と無機記録層４との間、および無機記録層４と第２の保護層５との間の両方に蓄熱層７を設けるようにしてもよい。
【００３９】
（光透過層）
光透過層６は、例えば、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから構成される。光透過性シートは、記録および／または再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えばポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））が挙げられる。光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれる。接着層は、例えば紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）からなる。また、光透過層６が、ＵＶレジンなどの感光性樹脂を硬化してなるレジンカバーから構成するようにしてもよい。レジンカバーの材料としては、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。
【００４０】
光透過層６の厚さは、好ましくは１０μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層６と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
【００４１】
＜追記型光記録媒体の製造方法＞
次に、本発明の一実施形態に係る追記型光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
【００４２】
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
【００４３】
（反射層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＡｇ合金やＡｌ合金を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に反射層２を成膜する。
【００４４】
（第１の保護層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＩＣＯまたはＩＧＯを主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、反射層２上に第１の保護層３を成膜する。スパッタリング法として、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
【００４５】
（蓄熱層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＺｎＳおよびＳｉＯ2を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１の保護層３上に蓄熱層７を成膜する。
【００４６】
（無機記録層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１の保護層３上に無機記録層４を成膜する。
【００４７】
（第２の保護層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＩＣＯまたはＩＧＯを主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、無機記録層４上に第２の保護層５を成膜する。スパッタリング法として、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
【００４８】
（光透過層の形成工程）
次に、光透過層６を第２の保護層５上に形成する。光透過層６の形成方法としては、例えば、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を第２の保護層５上にスピンコートし、ＵＶ光などの光を感光性樹脂に照射することにより、光透過層６を形成するレジンコート法、光透過性シートを接着剤を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層６を形成するシート接着法を用いることができる。また、このシート接着法としては、例えば、第２の保護層５上に塗布されたＵＶレジンなどの感光性樹脂を用いて、光透過性シートを基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層６を形成するシートレジン接着法、光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層
６を形成するシートＰＳＡ接着法を用いることができる。以上の工程により、図１に示す追記型光記録媒体１０が得られる。
【００４９】
上述したように、本発明の一実施形態によれば、無機記録層４の両方の面にはそれぞれ第１の保護層３、第２の保護層５が備えられ、第１の保護層３、および第２の保護層５の少なくとも一方がＩＣＯまたはＩＧＯを主成分としているので、高い保存信頼性を得ることができる。また、ＩＣＯまたはＩＧＯを保護層に用いることで、高成膜レートで保護層を成膜することができる。したがって、１つのチャンバーで成膜できる保護層を厚膜化することが可能となり、その結果熱設計の自由度を保ったままチャンバー数を減らすことが可能になる。これにより、製造装置の初期投資を大幅に抑えることができ、併せて製造時のタクト短縮効果により無機メディアでありながら低価格化を図ることができるようになる。また、ＢＤ−Ｒ６倍速などの高速記録に対しても十分な記録パワーマージンを確保できる。
【００５０】
また、基板１上に、反射層２、第１の保護層３、蓄熱層７、無機記録層４、第２の保護層５を順次積層することにより追記型光記録媒体１０を作製するので、高い生産性および保存信頼性を有する追記型光記録媒体１０を５チャンバーの成膜機を用いて作製することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例および試験例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例および試験例のみに限定されるものではない。
【００５２】
（信号特性の評価）
本実施例および比較例では、追記型光記録媒体に対する情報信号評価の記録再生には、パルステック工業株式会社製のＯＤＵ−１０００を用いた。この評価機においてレーザ光の波長は４０５ｎｍ、開口数ＮＡは０．８５とし、Blu-ray Disc ２５ＧＢ密度の規格に即した４倍速の線速度１９．６８ｍ／ｓで追記型光記録媒体に記録を行い、１倍速の４．９２ｍ／ｓで再生した。そして、パルステック工業株式会社製のイコライザーボードを通し、横河電機株式会社製のタイムインターバルアナライザー、ＴＡ７２０を用いてジッターを測定し、信号評価とした。
【００５３】
（保存信頼性の評価）
本実施例および比較例では、保存信頼性評価には、情報信号の記録再生評価にパイオニア社製Blu-ray Disc用ドライブ(BDR-101A)を用い、予め記録した信号の８０℃８５％６００時間後のシンボルエラーレート（ＳＥＲ）を観察した。
【００５４】
（層組成の分析方法）
本実施例、比較例および試験例では、各層の組成は、以下のようにして求めた。
まず、以下に示す各実施例、比較例および試験例と同一の成膜条件にて平坦な基板上に、組成を求める層（例えば第１または第２の保護層）を成膜し、サンプルを作製した。次に、誘導結合プラズマ（ICP：Inductively Coupled Plasma）質量分析装置を使用し、ICP質量分析法によって層組成を調べた。
【００５５】
＜ジッター特性および保存信頼性特性についての検討＞
（実施例１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonを有する凹凸面を形成した。
【００５６】
次に、ポリカーボネート基板上に、反射層、第１の保護層、蓄熱層、無機記録層、第２の保護層をスパッタリング法により順次積層した。具体的な各層の構成は以下のようにした。
【００５７】
反射層：Ａｇ合金、８０ｎｍ
第１の保護層：（Ｉｎ2Ｏ3）80（Ｇａ2Ｏ3）20、１４ｎｍ
蓄熱層：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、７ｎｍ
無機記録層：［（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20］40Ｓｂ60、１８ｎｍ
第２の保護層：（Ｉｎ2Ｏ3）80（Ｇａ2Ｏ3）20、１７ｎｍ
【００５８】
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を第２の保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ０．１ｍｍを有する光透過層を形成した。以上により、目的とする追記型光記録媒体を得た。
【００５９】
この追記型光記録媒体の情報信号評価を行ったところ、Blu-ray Disc ２５ＧＢ密度の規格に即した４倍速の線速度１９．６８ｍ／ｓ記録での１倍速再生ジッターは表１のとおり、５．４％と良好であった。なお、ジッターの良好な上限は７．５％とし、これ以下であると十分良いエラーレートと相間があることはよく知られている。また、保存信頼性評価では、８０℃８５％６００時間後のシンボルエラーレート（ＳＥＲ）は表１のとおり、８．０×１０-5と良好であった。ここで、ＳＥＲの良好な上限は十分に訂正可能であるとされる２．０×１０-3とした。つまり、この構成の追記型光記録媒体は、情報信号および保存信頼性ともに良好な結果であった。
【００６０】
（実施例２）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）60（Ｇａ2Ｏ3）40により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり６．２％、２．２×１０-4と良好な結果であった。
【００６１】
（実施例３）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）35（Ｇａ2Ｏ3）65により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり６．９％、８．０×１０-4と良好な結果であった。
【００６２】
（実施例４）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）90（Ｇａ2Ｏ3）10により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．７％、１．５×１０-4と良好な結果であった。
【００６３】
（実施例５）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）85（ＣｅＯ2）15により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．５％、８．２×１０-5と良好な結果であった。
【００６４】
（実施例６）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）60（ＣｅＯ2）40により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．９％、１．７×１０-4と良好な結果であった。
【００６５】
（実施例７）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）40（ＣｅＯ2）60により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり６．６％、５．７×１０-4と良好な結果であった。
【００６６】
（実施例８）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）20（ＣｅＯ2）80により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり７．４％、１．５×１０-4と良好な結果であった。
【００６７】
（実施例９）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）90（ＣｅＯ2）10により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．８％、２．４×１０-4と良好な結果であった。
【００６８】
（比較例１）
第１の保護層および第２の保護層をＩｎ2Ｏ3により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、表１のとおり情報信号評価は６．３％と良好な結果であったが、保存信頼性評価が３．０×１０-3と１．０×１０-3を超える悪い結果であった。
【００６９】
（比較例２）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）20（Ｇａ2Ｏ3）80により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、表１のとおり、それぞれ７．８％、３．０×１０-3とともに悪い結果であった。
【００７０】
表１は、実施例１〜９、比較例１、２の追記型光記録媒体のジッター特性および保存信頼性特性を示す。
【表１】
【００７１】
図２は、実施例１〜９、比較例１、２の追記型光記録媒体のジッター特性を示すグラフである。図３は、実施例１〜９、比較例１、２の追記型光記録媒体の保存信頼性特性を示すグラフである。図２および図３では、（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ｇａ2Ｏ3）X材料をＩＧＯ、（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（ＣｅＯ2）X材料をＩＣＯと表記している。
【００７２】
上記評価結果から以下のことがわかる。
Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量により、情報信号および保存信頼性特性が変化することがわかる。
ジッター７．５％以下およびＳＥＲ２．０×１０-3以下の特性を満たすためには、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量を５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下の範囲内とすることが好ましいことがわかる。なお、ジッター７．５％およびＳＥＲ２．０×１０-3は、上述したように光記録媒体の特性として求められる上限値である。
ジッター７．０％以下およびＳＥＲ１．０×１０-3以下の特性を満たすためには、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量を５ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下の範囲内とすることが好ましいことがわかる。
ジッター７．０％以下およびＳＥＲ３．０×１０-4以下の特性を満たすためには、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量を１５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の範囲内とすることが好ましことがわかる。
Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量が５ｍｏｌ％未満であると保存信頼性が悪化するのは、Ｉｎ2Ｏ3成分が多くなりすぎることで、Ｉｎ2Ｏ3膜の粒界から酸素や水分が記録膜に浸入したためと考えられる。一方、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量が７５ｍｏｌ％を超えると良好な情報信号特性を得ることが困難になるのは、保護膜における添加材料の特性が強くなり、Ｉｎ2Ｏ3から得られる良好な情報信号特性が得られ難くなるためと考えられる。
【００７３】
＜第１の保護層および第２の保護層の生産性検討＞
第１の保護層および第２の保護層の材料の生産性検討するにあたり、直流（ＤＣ）スパッタ対応とノジュールの発生度合いを観察した。ＤＣスパッタできるか否かは保護層のターゲット材料の導電性により、導電性が良いとＤＣスパッタリングが出来るが、導電性がない材料の場合には交流（ＲＦ）スパッタを選択することとなる。つまり、ＲＦスパッタは材料の導電性に関係なく成膜可能となるが、一般的にＤＣスパッタと比較するとスパッタレートが遅いので、保護層のような数十ｎｍの膜厚を成膜する場合には、複数のカソードで分割して成膜することとなる。その場合、分割した分カソードが必要になるだけでなくＲＦスパッタは構造が複雑なために設備が高価になることから、非常にコストが増大するという生産性の悪化の問題であるので、生産性を考慮するとＤＣスパッタリングが好ましい。また、ノジュールとはターゲット表面微小な突起物であり、高抵抗物質を起点とした掘れ残りとされている。さらにそのノジュールが進むとそのまわりで絶縁破壊を生じ、それが粉状になってシールドやディスクに付着する。ディスクに粉が付着した箇所は、再生レーザのガイド溝を覆ってしまうことで、トラッキングサーボ欠陥としてディスク不良とされる。そのディスク不良が増加したときには、生産を停止してターゲット表面のノジュールを除去する必要があり、稼働率の低下、つまり生産性の悪化の原因となるので、ノジュールの少ないターゲット材料が好ましい。
【００７４】
（試験例１）
酸化ガリウム２０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）80（Ｇａ2Ｏ3）20、以下ＩＧＯ20）ターゲットをOerlicon社製DVD-Sprinter成膜装置に取り付け、その真空チャンバー内を５×１０-7Ｔｏｒｒまで真空引きをし、その真空チャンバー内にＡｒガス３０ｓｃｃｍおよびＯ2ガス２ｓｃｃｍの混合ガス導入し成膜圧力を０．５ｍＴｏｒｒとした。その後、直流（ＤＣ）スパッタ２ｋＷでＩＧＯ20ターゲットをスパッタリングした。なお、ＤＣ電源にはAdvanced Energy社製のPinnacle plusを用い、ターゲットにはΦ２００ｍｍ×厚さ６ｍｍを用いた。このＩＧＯ20ターゲットはＤＣで成膜可能であり、ＩＴＯ同様に約７ｎｍ／ｓの良好なスパッタレートが得られた。また、その３０ｋＷｈ使用後のノジュールの発生状況を確認した。３０kＷｈ使用後のターゲット上の非エロージョン部に発生したノジュールの１ｃｍ2あたりの面積占有率をノジュール発生度合いとし、０．２以下の場合を「○」印、０．２以上の場合を「×」印とした。ノジュール発生度合いが０．２以下であればターゲットライフ最後まで作業なしに安定的に生産可能であった。ノジュール発生度合いが０．７以上である場合には、ターゲットライフエンドの前に生産を止めて表面清掃が必要で生産性を悪くする。このＩＧＯ20ターゲットのノジュール発生度合いは０．１であり、表２のとおり「○」印と判定した。よって、ＤＣスパッタ対応も可能であり、ノジュール判定も共に「○」印であることより、非常に生産性が良好であるターゲット材料であることが分かった。
【００７５】
（試験例２）
ターゲット材料を酸化ガリウム５０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）50（Ｇａ2Ｏ3）50、以下ＩＧＯ50）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＧＯ50ターゲットではＤＣスパッタ可能であり、かつノジュール発生度合いは０．２であり、非常に良好な結果であった。
【００７６】
（試験例３）
ターゲット材料を酸化セリウム１５ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）85（ＣｅＯ2）15、以下ＩＣＯ15）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＣＯ15ターゲットではＤＣスパッタ可能であり、かつノジュール発生度合いは０．０であり、非常に良好な結果であった。
【００７７】
（試験例４）
ターゲット材料を酸化セリウム５０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＣｅＯ2）50、以下ＩＣＯ50）とした他は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＣＯ50ターゲットではＤＣスパッタ可能であり、かつノジュール発生度合いは０．１であり、非常に良好な結果であった。
【００７８】
（試験例５）
ターゲット材料を酸化スズ１０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＴＯターゲットではＤＣスパッタ可能であったが、ノジュール発生度合いは０．５と悪く、ノジュール判定は×であった。このＩＴＯターゲットを生産に使用した場合には、ターゲットライフまでに数回のノジュール除去作業が必要になり、そのぶん稼働率の低下つまり生産性が悪かった。
【００７９】
（試験例６）
ターゲット材料を酸化ガリウム１０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）90（Ｇａ2Ｏ3）10、以下ＩＧＯ10）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＧＯ10ターゲットではＤＣスパッタ可能であったが、ノジュール発生度合いが０．５と悪かった。
【００８０】
（試験例７）
ターゲット材料を酸化セリウム５ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）95（ＣｅＯ2）5ＩＣＯ5）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＣＯ5ターゲットではＤＣスパッタ可能であったが、ノジュール発生度合いが０．４と悪かった。
【００８１】
（試験例８）
ターゲット材料を酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、Ｉｎ2Ｏ3ターゲットではＤＣスパッタ不可能であり、ノジュール発生度合いも０．８と悪かった。
【００８２】
（試験例９）
ターゲット材料を酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、Ｇａ2Ｏ3ターゲットではＤＣスパッタ不可能であった。
【００８３】
（試験例１０）
ターゲット材料を酸化セリウム（ＣｅＯ2）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＣｅＯ2ターゲットではＤＣスパッタ不可能であった。
【００８４】
表２は、試験例１〜１０のＤＣスパッタ対応およびノジュール判定の結果を示す。
【表２】
【００８５】
以上の試験例１〜１０から、ＩＴＯターゲットや酸化ガリウムや酸化セリウム添加量が少ないＩＧＯターゲット、ＩＣＯターゲットではノジュールが発生しやすくなる傾向にある。一方、複合酸化物ではない単体の酸化インジウム、酸化ガリウムおよび酸化セリウムでは、ＤＣスパッタリングが不可能でスパッタレートが遅く、生産性が劣る傾向にある。よって、第１の保護層や第２の保護層の材料には複合酸化物が好ましく、その酸化ガリウムや酸化セリウムの添加量は１５ｍｏｌ％以上であることが好ましい。また、添加する酸化ガリウムや酸化セリウムの量が多すぎると、スパッタレートが低下するため、ノジュールが出来難い程度に添加量を少なくすることが好ましい。この点を考慮すると、酸化ガリウムや酸化セリウムの添加量は７５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
【００８６】
以上の評価結果を総合すると、情報信号特性や保存信頼性特性から、酸化ガリウムや酸化セリウムの含有量は、好ましくは５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、より好ましくは５ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下、さらに好ましくは１５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下である。これを組成式で表すと、[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]（Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．０５≦Ｘ≦０．７５、より好ましくは０．０５≦Ｘ≦０．６５、さらに好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．４０である。）
【００８７】
ノジュール耐性など生産性の観点から、酸化ガリウムまたは酸化セリウムの含有量は、好ましくは１５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。これを組成式で表すと、[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]（Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．７５である。）
【００８８】
情報信号特性、保存信頼性特性、およびノジュール耐性など生産性の観点から、好ましくは１５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、より好ましくは１５ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下、さらに好ましくは１５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、さらに好ましくは１５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下である。これを組成式で表すと、[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]（Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．７５、より好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．６５、さらに好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．４０である。）
【００８９】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００９０】
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、材料、構造、形状などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値、材料、構造、形状を用いてもよい。
【００９１】
また、上述の実施形態および実施例の各構成は、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００９２】
また、上述の実施形態および実施例では、単層の無機記録膜を有する追記型光記録媒体に対して本発明を適用した例について説明したが、本発明は２層以上の無機記録膜を有する追記型光記録媒体に対しても適用可能である。
【００９３】
また、上述の実施形態および実施例では、無機記録膜上に光透過層を有し、この光透過層側からレーザ光を無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる追記型光記録媒体に対して本発明を適用した場合を例として説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に無機記録膜を有し、基板側からレーザ光を無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる追記型光記録媒体、または２枚の基板を貼り合わせてなり、一方の基板の側からレーザ光を基板間の無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる追記型光記録媒体に対しても本発明は適用可能である。
【００９４】
また、上述の実施形態および実施例では、スパッタリング法により追記型光記録媒体の各層を形成する場合を例として説明したが、これに限定されるものではなく、他の成膜方法を用いてもよい。他の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。
【００９５】
また、上述の実施形態および実施例では、追記型光記録媒体に対して本発明を適用した場合を例として説明したが、本発明は書換型光記録媒体に対しても適用可能である。但し、本発明を追記型光記録媒体に適用した場合の方が、信頼性向上の効果がより大きい。
【００９６】
また、上述の実施形態および実施例では、無機記録層の両側に保護層を備える追記型光記録媒体に対して本発明を適用した例について説明したが、無機記録層の一方の側に保護層を備える追記型光記録媒体に対しても本発明は適用可能である。すなわち、無機記録層の一方の側に、酸化インジウムおよび酸化セリウム、または酸化インジウムおよび酸化ガリウムを主成分とする保護層を設けるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１ 基板
２ 反射層
３ 第１の保護層
４ 無機記録層
５ 第２の保護層
６ 光透過層
７ 蓄熱層
８ 中間層
１０ 追記型光記録媒体
１１ 凹凸面
Ｇｉｎ イングルーブ
Ｇｏｎ オングルーブ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、無機記録層を有する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などが光記録媒体の市場を牽引してきた。しかし、近年では、テレビのハイビジョン化やＰＣ（Personal Computer）で取り扱うデータの急激な増大に伴い、光記録媒体の更なる大容量化が求められている。この要求に応えるべく、ＢＤ（Blu-ray Disc（登録商標））などの青色レーザに対応した大容量の光記録媒体が登場し、新たな大容量の光記録媒体の市場が立ち上がりつつある。
【０００３】
記録可能な光記録媒体としては、ＤＶＤ−Ｒ(Digital Versatile Disc-Recordable)、ＤＶＤ±ＲＷ(Digital Versatile Disc±ReWritable)に代表される書換型の光記録媒体と、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）やＤＶＤ−Ｒ（Digital Versatile Disc-Recordable）に代表される追記型の光記録媒体とがあるが、特に、後者は低価格メディアとして市場の拡大に大きく貢献してきた。したがって、青色レーザに対応した大容量の光記録媒体においても、市場を拡大させるためには、追記型光記録媒体の低価格化が必要になると考えられる。
【０００４】
追記型光記録媒体では、記録材料として無機材料と有機色素材料との両方が規格上認められている。有機材料を用いた追記型光記録媒体は、スピンコート法により安価に製造可能であるという利点を有するのに対して、無機材料を用いた追記型光記録媒体は、再生耐久性やプッシュプル信号特性に優れるという利点を有するものの、大がかりなスパッタ装置が必要であるという欠点を有している。したがって、無機材料を用いた追記型光記録媒体が価格の点で有機材料を用いたものに対抗するためには、製造装置の初期投資を抑え、１枚当たりのタクトを上げて、記録媒体を効率よく生産することが不可欠となる。
【０００５】
上記問題を解決するための最も有効な手段として、記録膜を構成する層数を減らし、成膜チャンバー数を減らしてスパッタ装置への初期投資を抑え、製造タクトを短くすることが挙げられる。しかし、層数を単に減らしても、膜厚が厚く、かつ成膜レートが遅い材料を使用すると、製造タクトが伸びてしまい逆にコストの上昇を招いてしまう虞もある。
【０００６】
従来、無機材料を用いた追記型光記録媒体の保護層の材料としては、ＳｉＮ、ＺｎＳ-ＳｉＯ2などの透明誘電体材料が主に用いられている（例えば特許文献１参照）。しかし、ＳｉＮやＺｎＳ−ＳｉＯ2は成膜レートが速く生産性に優れているという利点を有しているが、記録データの保存特性（保存信頼性）が悪いという問題がある。上記以外の誘電体材料には保存信頼性が高いものも存在するが、これらの材料は高周波（ＲＦ）スパッタリングが必要であるため成膜レートが非常に遅く生産性が悪いという問題がある。したがって、保存信頼性と生産性との両立は非常に困難である。
【０００７】
この問題を解決すべく、保護層としてＤＣスパッタリング可能な酸化インジウムおよび酸化スズ（以下、ＩＴＯと称する。）を用いる技術が提案されている（例えば特許文献２参照）。この技術では、追記型光情報記録媒体において高い保存信頼性を実現できると同時に、成膜チャンバー数を削減し、高い生産性を得ることができる。すなわち、ＩＴＯを保護層に用いることで、高成膜レートが得られるので１つのチャンバーでも保護層を厚膜化することが可能となり、その結果設計の自由度を保ったままチャンバー数を減らすことが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−５９１０６号公報
【０００９】
【特許文献２】特開２００９−１２９５２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、保護層の材料としてＩＴＯを用いると、ＩＴＯターゲットの使用が進むにつれて、ターゲット表面にノジュールを生じやすい。ノジュールとは、スパッタ時間の経過に伴いターゲット表面に発生する微小な突起物であり、高抵抗物質を起点とした掘れ残りとされている。さらにそのノジュールの析出が進むと、そのまわりで絶縁破壊を生じ、それが粉状になってシールドやディスクに付着する。例えば、ディスクに粉が付着した場合には、粉が付着した箇所では、再生レーザのガイド溝が覆われてしまうため、トラッキングサーボ欠陥としてディスク不良とされる。このようなディスク不良が増加したときには、生産を停止してターゲット表面のノジュールを除去する必要があり、稼働率の低下、つまり生産性の悪化の原因となる。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、保存信頼性に優れ、かつ酸化インジウムおよび酸化スズを保護層の材料として用いた場合よりもさらに生産性に優れた追記型光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、保護層の材料として、酸化インジウムおよび酸化セリウム（Indium Cerium Oxide、以下ＩＣＯと称する。）、もしくは酸化インジウムおよび酸化ガリウム（Indium Gallium Oxide、以下ＩＧＯと称する。）を主成分とする材料を用いることにより、良好な記録特性、および高い保存信頼性を実現できるとともに、高い耐ノジュール性を得ることができることを見出し、実験的にもこれを実証し、この発明を案出するに至ったものである。
【００１３】
上述の課題を解決するために、本願第１の発明は、
無機記録層と、
無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層と
を備え、
複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体である。
【００１４】
本願第２の発明は、
無機記録層を形成する工程と、
無機記録層の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層を形成する工程と
を備え、
複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体の製造方法である。
【００１５】
本願発明では、無機記録層の少なくとも一方の面に、酸化インジウムおよび酸化セリウム、または酸化インジウムおよび酸化ガリウムを主成分とする保護層を備えているので、優れた保存信頼性を得ることができる。また、酸化インジウムおよび酸化セリウム、もしくは酸化インジウムおよび酸化ガリウムを主成分とする材料は、導電性が高いことから直流（ＤＣ）スパッタリング法による成膜が可能であり、成膜レートが高いので、ＩＴＯ材料同様に高い生産性を維持することができ、さらにノジュールが発生しないことによる稼働率の向上も図れる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、保存信頼性と高い生産性を両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図２】実施例１〜実施例９および比較例１〜比較例２の追記型光記録媒体のジッター特性示すグラフである。
【図３】実施例１〜実施例９および比較例１〜比較例２の追記型光記録媒体の保存信頼性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
＜追記型光記録媒体の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この追記型光記録媒体１０は、基板１上に、反射層２、第１の保護層３、蓄熱層７、無機記録層４、第２の保護層５、光透過層６が順次積層された構成を有する。
【００１９】
この一実施形態に係る追記型光記録媒体１０では、光透過層６の側からレーザ光を無機記録層４に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層６の側から無機記録層４に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような追記型光記録媒体１０としては、例えばＢＤ−Ｒが挙げられる。
【００２０】
追記型光記録媒体１０のジッターは、好ましくは７．５％以下、より好ましくは７．０％以下である。ジッターを７．５％以下にすると、十分に良好なエラーレートを実現できるため、良好の情報信号特性を得ることができる。追記型光記録媒体１０のシンボルエラーレート（ＳＥＲ）は、好ましくは２．０×１０-3以下、より好ましくは１．０×１０-3以下、さらに好ましくは３．０×１０-4以下である。ＳＥＲが２．０×１０-3以下であると、一般的にエラー訂正可能であるため、良好の情報信号特性を得ることができる。
【００２１】
以下、追記型光記録媒体１０を構成する基板１、反射層２、第１の保護層３、蓄熱層７、無機記録層４、第２の保護層５、光透過層６について順次説明する。
【００２２】
（基板）
基板１は、例えば、中央に開口（以下センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、例えば、凹凸面１１となっており、この凹凸面１１上に無機記録層４が成膜される。以下では、凹凸面１１のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
【００２３】
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
【００２４】
基板１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ〜１．３ｍｍ、より好ましくは０．６ｍｍ〜１．３ｍｍ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
【００２５】
基板１の材料としては、例えばプラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
【００２６】
（反射層）
反射層２の材料としては、例えばＡｇ合金やＡｌ合金など、従来公知の光ディスクにおいて一般的に使用可能な金属や半金属などをこの反射層２に求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。また、反射層２の材料としては、光の反射能に加えてヒートシンク（放熱）能を有するものを用いることが望ましい。こうすることで反射層２に放熱層としての機能を持たせることもできる。
【００２７】
（第１の保護層、第２の保護層）
第１の保護層３、および第２の保護層５は無機記録層４を保護し、記録／再生時の光学特性および熱特性を制御するためのものである。第１の保護層３、および第２の保護層５の少なくとも一方が、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分としている。この複合酸化物は、インジウムとセリウムの酸化物（ＩＣＯ）、またはインジウムとガリウムの酸化物（ＩＧＯ）からなる。このような構成にすることで、保存信頼性と高い生産性とを両立することができる。特に、第１の保護層３、および第２の保護層５の両方がＩＣＯまたはＩＧＯを主成分としていることが好ましい。ＩＣＯ、ＩＧＯ以外の材料としては、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5など、酸化物、窒化物、炭化物の従来公知の光ディスクにおいて一般的に使用可能な誘電体を用いることができる。また、酸化インジウムおよび酸化スズ（ＩＴＯ）などの透明酸化物を用いることもできる。第１の保護層３の厚さは、適切な反射率を得るために、好ましくは１０ｎｍ〜４０ｎｍ、より好ましくは２０ｎｍ〜３０ｎｍである。第２の保護層５の厚さは、記録パワーマージン向上の観点から、１１ｎｍ〜３４ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１６ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００２８】
第１の保護層３および第２の保護層５の少なくとも一方を設ける構成とすることも可能であるが、良好な情報信号特性および保存信頼性特性を得る観点からすると、図１に示すように、第１の保護層３、および第２の保護層５の両方を設けることが好ましい。
【００２９】
複合酸化物は、以下の式（１）の組成を有する。
[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X] ・・・・・（１）
ただし、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．７５、より好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．６５、さらに好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．４０である。
Ｘが０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たすことで、良好な情報信号特性および保存信頼性特性を得ることができ、かつ、ノジュール耐性など生産性を向上することができる。
【００３０】
（無機記録層）
無機記録層４は、追記型の無機記録層であり、例えば、ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とし、必要に応じてＺｎ、Ｇａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｃｒ、ＳｎおよびＴｂからなる群から選択された少なくとも１つの元素をさらに含み、好適には、以下の式（２）の組成を有する。
【００３１】
［（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-x］y（ＳｂzＸ1-z）1-y ・・・・・（２）
ただし、０＜ｘ≦１．０、０．３≦ｙ≦０．７、０．８＜ｚ≦１．０であり、ＸはＧａ、Ｔｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｃｒ、ＳｎおよびＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素である。
【００３２】
また、無機記録層４の厚さは、良好な記録再生特性を得る観点から、３ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とする無機記録層４は、記録前にはＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ｓｂがアモルファス状態となっている。このような状態にある無機記録層４に対してレーザ光を照射すると、無機記録層４の中央部分にＳｂの結晶が形成され、その他の原子は界面近傍に集中する。これにより、光学定数（ｎ：屈折率、ｋ：減衰係数）が変化し、情報信号が記録される。このように中央部分にＳｂの結晶が形成された状態にある無機記録層４を、記録前のアモルファス状態に戻すことは困難であるため、前記無機記録層は追記型の無機記録層として用いられる。
【００３３】
このように、無機記録層４がＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とし、好適には、上記式（２）の組成を有することで、記録された情報が初期のまま長期にわたって安定して保存され、信号再生時に再生用レーザ光によって信号が損なわれることがない。したがって、通常の長期保存によって変質せず書き込み特性が保存され、記録および／または再生用レーザ光に対して十分な感度と反応速度とが得られ、これによって広い線速や記録パワーにわたり良好な記録再生特性を得ることができる。また、保存信頼性の更なる向上の観点からすると、ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とする無機記録層４と、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする第１の保護層３および／または第２の保護層５とを組み合わせて用いることが好ましい。
【００３４】
無機記録層４の材料は、上述の材料に限定されるものではなく、従来公知の追記型光記録媒体において一般的に使用可能な無機記録材料を用いることも可能である。
【００３５】
例えば、無機記録層４としては、例えば、Ｔｅ、ＰｄおよびＯ（酸素）を主成分とする相変化タイプの無機記録層を用いることができ、この無機記録層は、例えば、以下の式（３）の組成を有する。
（ＴｅxＰｄ1-x）yＯ1-y ・・・・・（３）
ただし、０．７≦ｘ≦０．９、０．３≦ｙ≦０．７
【００３６】
また、無機記録層４としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）膜と銅（Ｃｕ）合金膜を積層してなる合金タイプの無機記録層、もしくは、Ｇｅ、ＢｉおよびＮを主成分とする無機記録層を用いることもできる。
【００３７】
（蓄熱層）
蓄熱層７は、第１の保護層３に比して低い熱伝導率を有し、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2などの誘電体材料を主成分としている。図１に示すように、第１の保護層３と無機記録層４との間に蓄熱層７を備えた場合には、記録および／または再生用のレーザ光は蓄熱層７とは反対の側から無機記録層４に照射されることになる。蓄熱層７は、記録の際に発生した熱を無機記録層４内に留める蓄熱層として機能する。したがって、第１の保護層３と無機記録層４との間に蓄熱層７を備えることで、熱を効率的に使うことができるようになり、追記型光記録媒体１０を高記録感度化することができる。また、無機記録層４内に一旦熱を溜めてから、熱を無機記録層４内から、高熱伝導率を有する第１の保護層３、反射層２に逃がすことで、より正確なマークエッジを形成し、低ジッター、ワイドパワーマージンを得ることができる。但し、蓄熱層７が厚すぎ、ｄｈ／（ｄ１＋ｄｈ）＞０．９５（但し、ｄ１：第１の保護層の厚さ、ｄｈ：蓄熱層の厚さ）となると、無機記録層４内に熱がこもりすぎるために、マークエッジが揃わなくなりパワーマージンが狭くなる傾向がある。よって、ｄｈ／（ｄ１＋ｄｈ）≦０．９５とすることが好ましい。蓄熱層７の成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いることができる。
【００３８】
なお、蓄熱層を設ける位置は、第１の保護層３と無機記録層４との間に限定されるものではなく、例えば、無機記録層４と第２の保護層５との間に蓄熱層７を設けるようにしてもよい。このような構成とした場合、記録および／または再生用のレーザ光は蓄熱層７の側から無機記録層４に照射されることになる。また、第１の保護層３と無機記録層４との間、および無機記録層４と第２の保護層５との間の両方に蓄熱層７を設けるようにしてもよい。
【００３９】
（光透過層）
光透過層６は、例えば、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから構成される。光透過性シートは、記録および／または再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えばポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））が挙げられる。光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれる。接着層は、例えば紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）からなる。また、光透過層６が、ＵＶレジンなどの感光性樹脂を硬化してなるレジンカバーから構成するようにしてもよい。レジンカバーの材料としては、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。
【００４０】
光透過層６の厚さは、好ましくは１０μｍ〜１７７μｍの範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層６と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
【００４１】
＜追記型光記録媒体の製造方法＞
次に、本発明の一実施形態に係る追記型光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
【００４２】
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
【００４３】
（反射層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＡｇ合金やＡｌ合金を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に反射層２を成膜する。
【００４４】
（第１の保護層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＩＣＯまたはＩＧＯを主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、反射層２上に第１の保護層３を成膜する。スパッタリング法として、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
【００４５】
（蓄熱層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＺｎＳおよびＳｉＯ2を主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１の保護層３上に蓄熱層７を成膜する。
【００４６】
（無機記録層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１の保護層３上に無機記録層４を成膜する。
【００４７】
（第２の保護層の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＩＣＯまたはＩＧＯを主成分として含むターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、無機記録層４上に第２の保護層５を成膜する。スパッタリング法として、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
【００４８】
（光透過層の形成工程）
次に、光透過層６を第２の保護層５上に形成する。光透過層６の形成方法としては、例えば、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を第２の保護層５上にスピンコートし、ＵＶ光などの光を感光性樹脂に照射することにより、光透過層６を形成するレジンコート法、光透過性シートを接着剤を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層６を形成するシート接着法を用いることができる。また、このシート接着法としては、例えば、第２の保護層５上に塗布されたＵＶレジンなどの感光性樹脂を用いて、光透過性シートを基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層６を形成するシートレジン接着法、光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層
６を形成するシートＰＳＡ接着法を用いることができる。以上の工程により、図１に示す追記型光記録媒体１０が得られる。
【００４９】
上述したように、本発明の一実施形態によれば、無機記録層４の両方の面にはそれぞれ第１の保護層３、第２の保護層５が備えられ、第１の保護層３、および第２の保護層５の少なくとも一方がＩＣＯまたはＩＧＯを主成分としているので、高い保存信頼性を得ることができる。また、ＩＣＯまたはＩＧＯを保護層に用いることで、高成膜レートで保護層を成膜することができる。したがって、１つのチャンバーで成膜できる保護層を厚膜化することが可能となり、その結果熱設計の自由度を保ったままチャンバー数を減らすことが可能になる。これにより、製造装置の初期投資を大幅に抑えることができ、併せて製造時のタクト短縮効果により無機メディアでありながら低価格化を図ることができるようになる。また、ＢＤ−Ｒ６倍速などの高速記録に対しても十分な記録パワーマージンを確保できる。
【００５０】
また、基板１上に、反射層２、第１の保護層３、蓄熱層７、無機記録層４、第２の保護層５を順次積層することにより追記型光記録媒体１０を作製するので、高い生産性および保存信頼性を有する追記型光記録媒体１０を５チャンバーの成膜機を用いて作製することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例および試験例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例および試験例のみに限定されるものではない。
【００５２】
（信号特性の評価）
本実施例および比較例では、追記型光記録媒体に対する情報信号評価の記録再生には、パルステック工業株式会社製のＯＤＵ−１０００を用いた。この評価機においてレーザ光の波長は４０５ｎｍ、開口数ＮＡは０．８５とし、Blu-ray Disc ２５ＧＢ密度の規格に即した４倍速の線速度１９．６８ｍ／ｓで追記型光記録媒体に記録を行い、１倍速の４．９２ｍ／ｓで再生した。そして、パルステック工業株式会社製のイコライザーボードを通し、横河電機株式会社製のタイムインターバルアナライザー、ＴＡ７２０を用いてジッターを測定し、信号評価とした。
【００５３】
（保存信頼性の評価）
本実施例および比較例では、保存信頼性評価には、情報信号の記録再生評価にパイオニア社製Blu-ray Disc用ドライブ(BDR-101A)を用い、予め記録した信号の８０℃８５％６００時間後のシンボルエラーレート（ＳＥＲ）を観察した。
【００５４】
（層組成の分析方法）
本実施例、比較例および試験例では、各層の組成は、以下のようにして求めた。
まず、以下に示す各実施例、比較例および試験例と同一の成膜条件にて平坦な基板上に、組成を求める層（例えば第１または第２の保護層）を成膜し、サンプルを作製した。次に、誘導結合プラズマ（ICP：Inductively Coupled Plasma）質量分析装置を使用し、ICP質量分析法によって層組成を調べた。
【００５５】
＜ジッター特性および保存信頼性特性についての検討＞
（実施例１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonを有する凹凸面を形成した。
【００５６】
次に、ポリカーボネート基板上に、反射層、第１の保護層、蓄熱層、無機記録層、第２の保護層をスパッタリング法により順次積層した。具体的な各層の構成は以下のようにした。
【００５７】
反射層：Ａｇ合金、８０ｎｍ
第１の保護層：（Ｉｎ2Ｏ3）80（Ｇａ2Ｏ3）20、１４ｎｍ
蓄熱層：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、７ｎｍ
無機記録層：［（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20］40Ｓｂ60、１８ｎｍ
第２の保護層：（Ｉｎ2Ｏ3）80（Ｇａ2Ｏ3）20、１７ｎｍ
【００５８】
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を第２の保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ０．１ｍｍを有する光透過層を形成した。以上により、目的とする追記型光記録媒体を得た。
【００５９】
この追記型光記録媒体の情報信号評価を行ったところ、Blu-ray Disc ２５ＧＢ密度の規格に即した４倍速の線速度１９．６８ｍ／ｓ記録での１倍速再生ジッターは表１のとおり、５．４％と良好であった。なお、ジッターの良好な上限は７．５％とし、これ以下であると十分良いエラーレートと相間があることはよく知られている。また、保存信頼性評価では、８０℃８５％６００時間後のシンボルエラーレート（ＳＥＲ）は表１のとおり、８．０×１０-5と良好であった。ここで、ＳＥＲの良好な上限は十分に訂正可能であるとされる２．０×１０-3とした。つまり、この構成の追記型光記録媒体は、情報信号および保存信頼性ともに良好な結果であった。
【００６０】
（実施例２）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）60（Ｇａ2Ｏ3）40により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり６．２％、２．２×１０-4と良好な結果であった。
【００６１】
（実施例３）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）35（Ｇａ2Ｏ3）65により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり６．９％、８．０×１０-4と良好な結果であった。
【００６２】
（実施例４）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）90（Ｇａ2Ｏ3）10により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．７％、１．５×１０-4と良好な結果であった。
【００６３】
（実施例５）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）85（ＣｅＯ2）15により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．５％、８．２×１０-5と良好な結果であった。
【００６４】
（実施例６）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）60（ＣｅＯ2）40により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．９％、１．７×１０-4と良好な結果であった。
【００６５】
（実施例７）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）40（ＣｅＯ2）60により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり６．６％、５．７×１０-4と良好な結果であった。
【００６６】
（実施例８）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）20（ＣｅＯ2）80により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり７．４％、１．５×１０-4と良好な結果であった。
【００６７】
（実施例９）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）90（ＣｅＯ2）10により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＣｅＯ2の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、それぞれ、表１のとおり５．８％、２．４×１０-4と良好な結果であった。
【００６８】
（比較例１）
第１の保護層および第２の保護層をＩｎ2Ｏ3により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、表１のとおり情報信号評価は６．３％と良好な結果であったが、保存信頼性評価が３．０×１０-3と１．０×１０-3を超える悪い結果であった。
【００６９】
（比較例２）
第１の保護層および第２の保護層を（Ｉｎ2Ｏ3）20（Ｇａ2Ｏ3）80により形成する以外のことは、実施例１と同様にして追記型記録媒体を得た。なお、第１の保護層および第２の保護層の材料は、Ｉｎ2Ｏ3およびＧａ2Ｏ3の２種類のターゲットを用いてコスパッタ法にて作製した。実施例１と同様に情報信号評価および保存信頼性評価を行ったところ、表１のとおり、それぞれ７．８％、３．０×１０-3とともに悪い結果であった。
【００７０】
表１は、実施例１〜９、比較例１、２の追記型光記録媒体のジッター特性および保存信頼性特性を示す。
【表１】
【００７１】
図２は、実施例１〜９、比較例１、２の追記型光記録媒体のジッター特性を示すグラフである。図３は、実施例１〜９、比較例１、２の追記型光記録媒体の保存信頼性特性を示すグラフである。図２および図３では、（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ｇａ2Ｏ3）X材料をＩＧＯ、（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（ＣｅＯ2）X材料をＩＣＯと表記している。
【００７２】
上記評価結果から以下のことがわかる。
Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量により、情報信号および保存信頼性特性が変化することがわかる。
ジッター７．５％以下およびＳＥＲ２．０×１０-3以下の特性を満たすためには、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量を５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下の範囲内とすることが好ましいことがわかる。なお、ジッター７．５％およびＳＥＲ２．０×１０-3は、上述したように光記録媒体の特性として求められる上限値である。
ジッター７．０％以下およびＳＥＲ１．０×１０-3以下の特性を満たすためには、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量を５ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下の範囲内とすることが好ましいことがわかる。
ジッター７．０％以下およびＳＥＲ３．０×１０-4以下の特性を満たすためには、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量を１５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の範囲内とすることが好ましことがわかる。
Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量が５ｍｏｌ％未満であると保存信頼性が悪化するのは、Ｉｎ2Ｏ3成分が多くなりすぎることで、Ｉｎ2Ｏ3膜の粒界から酸素や水分が記録膜に浸入したためと考えられる。一方、Ｇａ2Ｏ3またはＣｅＯ2の添加量が７５ｍｏｌ％を超えると良好な情報信号特性を得ることが困難になるのは、保護膜における添加材料の特性が強くなり、Ｉｎ2Ｏ3から得られる良好な情報信号特性が得られ難くなるためと考えられる。
【００７３】
＜第１の保護層および第２の保護層の生産性検討＞
第１の保護層および第２の保護層の材料の生産性検討するにあたり、直流（ＤＣ）スパッタ対応とノジュールの発生度合いを観察した。ＤＣスパッタできるか否かは保護層のターゲット材料の導電性により、導電性が良いとＤＣスパッタリングが出来るが、導電性がない材料の場合には交流（ＲＦ）スパッタを選択することとなる。つまり、ＲＦスパッタは材料の導電性に関係なく成膜可能となるが、一般的にＤＣスパッタと比較するとスパッタレートが遅いので、保護層のような数十ｎｍの膜厚を成膜する場合には、複数のカソードで分割して成膜することとなる。その場合、分割した分カソードが必要になるだけでなくＲＦスパッタは構造が複雑なために設備が高価になることから、非常にコストが増大するという生産性の悪化の問題であるので、生産性を考慮するとＤＣスパッタリングが好ましい。また、ノジュールとはターゲット表面微小な突起物であり、高抵抗物質を起点とした掘れ残りとされている。さらにそのノジュールが進むとそのまわりで絶縁破壊を生じ、それが粉状になってシールドやディスクに付着する。ディスクに粉が付着した箇所は、再生レーザのガイド溝を覆ってしまうことで、トラッキングサーボ欠陥としてディスク不良とされる。そのディスク不良が増加したときには、生産を停止してターゲット表面のノジュールを除去する必要があり、稼働率の低下、つまり生産性の悪化の原因となるので、ノジュールの少ないターゲット材料が好ましい。
【００７４】
（試験例１）
酸化ガリウム２０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）80（Ｇａ2Ｏ3）20、以下ＩＧＯ20）ターゲットをOerlicon社製DVD-Sprinter成膜装置に取り付け、その真空チャンバー内を５×１０-7Ｔｏｒｒまで真空引きをし、その真空チャンバー内にＡｒガス３０ｓｃｃｍおよびＯ2ガス２ｓｃｃｍの混合ガス導入し成膜圧力を０．５ｍＴｏｒｒとした。その後、直流（ＤＣ）スパッタ２ｋＷでＩＧＯ20ターゲットをスパッタリングした。なお、ＤＣ電源にはAdvanced Energy社製のPinnacle plusを用い、ターゲットにはΦ２００ｍｍ×厚さ６ｍｍを用いた。このＩＧＯ20ターゲットはＤＣで成膜可能であり、ＩＴＯ同様に約７ｎｍ／ｓの良好なスパッタレートが得られた。また、その３０ｋＷｈ使用後のノジュールの発生状況を確認した。３０kＷｈ使用後のターゲット上の非エロージョン部に発生したノジュールの１ｃｍ2あたりの面積占有率をノジュール発生度合いとし、０．２以下の場合を「○」印、０．２以上の場合を「×」印とした。ノジュール発生度合いが０．２以下であればターゲットライフ最後まで作業なしに安定的に生産可能であった。ノジュール発生度合いが０．７以上である場合には、ターゲットライフエンドの前に生産を止めて表面清掃が必要で生産性を悪くする。このＩＧＯ20ターゲットのノジュール発生度合いは０．１であり、表２のとおり「○」印と判定した。よって、ＤＣスパッタ対応も可能であり、ノジュール判定も共に「○」印であることより、非常に生産性が良好であるターゲット材料であることが分かった。
【００７５】
（試験例２）
ターゲット材料を酸化ガリウム５０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）50（Ｇａ2Ｏ3）50、以下ＩＧＯ50）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＧＯ50ターゲットではＤＣスパッタ可能であり、かつノジュール発生度合いは０．２であり、非常に良好な結果であった。
【００７６】
（試験例３）
ターゲット材料を酸化セリウム１５ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）85（ＣｅＯ2）15、以下ＩＣＯ15）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＣＯ15ターゲットではＤＣスパッタ可能であり、かつノジュール発生度合いは０．０であり、非常に良好な結果であった。
【００７７】
（試験例４）
ターゲット材料を酸化セリウム５０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＣｅＯ2）50、以下ＩＣＯ50）とした他は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＣＯ50ターゲットではＤＣスパッタ可能であり、かつノジュール発生度合いは０．１であり、非常に良好な結果であった。
【００７８】
（試験例５）
ターゲット材料を酸化スズ１０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＴＯターゲットではＤＣスパッタ可能であったが、ノジュール発生度合いは０．５と悪く、ノジュール判定は×であった。このＩＴＯターゲットを生産に使用した場合には、ターゲットライフまでに数回のノジュール除去作業が必要になり、そのぶん稼働率の低下つまり生産性が悪かった。
【００７９】
（試験例６）
ターゲット材料を酸化ガリウム１０ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）90（Ｇａ2Ｏ3）10、以下ＩＧＯ10）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＧＯ10ターゲットではＤＣスパッタ可能であったが、ノジュール発生度合いが０．５と悪かった。
【００８０】
（試験例７）
ターゲット材料を酸化セリウム５ｍｏｌ％添加した酸化インジウム（（Ｉｎ2Ｏ3）95（ＣｅＯ2）5ＩＣＯ5）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＩＣＯ5ターゲットではＤＣスパッタ可能であったが、ノジュール発生度合いが０．４と悪かった。
【００８１】
（試験例８）
ターゲット材料を酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、Ｉｎ2Ｏ3ターゲットではＤＣスパッタ不可能であり、ノジュール発生度合いも０．８と悪かった。
【００８２】
（試験例９）
ターゲット材料を酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、Ｇａ2Ｏ3ターゲットではＤＣスパッタ不可能であった。
【００８３】
（試験例１０）
ターゲット材料を酸化セリウム（ＣｅＯ2）とした以外は、試験例１と同様にテストを行った。表２のとおり、ＣｅＯ2ターゲットではＤＣスパッタ不可能であった。
【００８４】
表２は、試験例１〜１０のＤＣスパッタ対応およびノジュール判定の結果を示す。
【表２】
【００８５】
以上の試験例１〜１０から、ＩＴＯターゲットや酸化ガリウムや酸化セリウム添加量が少ないＩＧＯターゲット、ＩＣＯターゲットではノジュールが発生しやすくなる傾向にある。一方、複合酸化物ではない単体の酸化インジウム、酸化ガリウムおよび酸化セリウムでは、ＤＣスパッタリングが不可能でスパッタレートが遅く、生産性が劣る傾向にある。よって、第１の保護層や第２の保護層の材料には複合酸化物が好ましく、その酸化ガリウムや酸化セリウムの添加量は１５ｍｏｌ％以上であることが好ましい。また、添加する酸化ガリウムや酸化セリウムの量が多すぎると、スパッタレートが低下するため、ノジュールが出来難い程度に添加量を少なくすることが好ましい。この点を考慮すると、酸化ガリウムや酸化セリウムの添加量は７５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
【００８６】
以上の評価結果を総合すると、情報信号特性や保存信頼性特性から、酸化ガリウムや酸化セリウムの含有量は、好ましくは５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、より好ましくは５ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下、さらに好ましくは１５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下である。これを組成式で表すと、[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]（Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．０５≦Ｘ≦０．７５、より好ましくは０．０５≦Ｘ≦０．６５、さらに好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．４０である。）
【００８７】
ノジュール耐性など生産性の観点から、酸化ガリウムまたは酸化セリウムの含有量は、好ましくは１５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。これを組成式で表すと、[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]（Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．７５である。）
【００８８】
情報信号特性、保存信頼性特性、およびノジュール耐性など生産性の観点から、好ましくは１５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、より好ましくは１５ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下、さらに好ましくは１５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、さらに好ましくは１５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下である。これを組成式で表すと、[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]（Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは、好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．７５、より好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．６５、さらに好ましくは０．１５≦Ｘ≦０．４０である。）
【００８９】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００９０】
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、材料、構造、形状などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値、材料、構造、形状を用いてもよい。
【００９１】
また、上述の実施形態および実施例の各構成は、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００９２】
また、上述の実施形態および実施例では、単層の無機記録膜を有する追記型光記録媒体に対して本発明を適用した例について説明したが、本発明は２層以上の無機記録膜を有する追記型光記録媒体に対しても適用可能である。
【００９３】
また、上述の実施形態および実施例では、無機記録膜上に光透過層を有し、この光透過層側からレーザ光を無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる追記型光記録媒体に対して本発明を適用した場合を例として説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に無機記録膜を有し、基板側からレーザ光を無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる追記型光記録媒体、または２枚の基板を貼り合わせてなり、一方の基板の側からレーザ光を基板間の無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる追記型光記録媒体に対しても本発明は適用可能である。
【００９４】
また、上述の実施形態および実施例では、スパッタリング法により追記型光記録媒体の各層を形成する場合を例として説明したが、これに限定されるものではなく、他の成膜方法を用いてもよい。他の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。
【００９５】
また、上述の実施形態および実施例では、追記型光記録媒体に対して本発明を適用した場合を例として説明したが、本発明は書換型光記録媒体に対しても適用可能である。但し、本発明を追記型光記録媒体に適用した場合の方が、信頼性向上の効果がより大きい。
【００９６】
また、上述の実施形態および実施例では、無機記録層の両側に保護層を備える追記型光記録媒体に対して本発明を適用した例について説明したが、無機記録層の一方の側に保護層を備える追記型光記録媒体に対しても本発明は適用可能である。すなわち、無機記録層の一方の側に、酸化インジウムおよび酸化セリウム、または酸化インジウムおよび酸化ガリウムを主成分とする保護層を設けるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１ 基板
２ 反射層
３ 第１の保護層
４ 無機記録層
５ 第２の保護層
６ 光透過層
７ 蓄熱層
８ 中間層
１０ 追記型光記録媒体
１１ 凹凸面
Ｇｉｎ イングルーブ
Ｇｏｎ オングルーブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機記録層と、
上記無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層と
を備え、
上記複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体。
【請求項２】
上記無機記録層と上記保護層との間に蓄熱層をさらに備え、
記録および／または再生用のレーザ光が上記蓄熱層の側、または上記蓄熱層とは反対の側から上記無機記録層に照射される請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
上記蓄熱層が、ＺｎＳおよびＳｉＯ2を主成分とする請求項２記載の光記録媒体。
【請求項４】
上記保護層が、上記無機記録層の両側に設けられる請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】
上記無機記録層が、ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項６】
無機記録層を形成する工程と、
上記無機記録層の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層を形成する工程と
を備え、
上記複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体の製造方法。
【請求項７】
上記保護層の形成工程では、直流スパッタリング法により上記保護層を形成する請求項６記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１】
無機記録層と、
上記無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層と
を備え、
上記複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体。
【請求項２】
上記無機記録層と上記保護層との間に蓄熱層をさらに備え、
記録および／または再生用のレーザ光が上記蓄熱層の側、または上記蓄熱層とは反対の側から上記無機記録層に照射される請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
上記蓄熱層が、ＺｎＳおよびＳｉＯ2を主成分とする請求項２記載の光記録媒体。
【請求項４】
上記保護層が、上記無機記録層の両側に設けられる請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】
上記無機記録層が、ＺｎＳ、ＳｉＯ2およびＳｂを主成分とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項６】
無機記録層を形成する工程と、
上記無機記録層の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを含む複合酸化物を主成分とする保護層を形成する工程と
を備え、
上記複合酸化物を[（Ｉｎ2Ｏ3）1-X（Ａ）X]としたときに、Ａは酸化セリウムまたは酸化ガリウムであり、Ｘは０．１５≦Ｘ≦０．７５の範囲を満たす光記録媒体の製造方法。
【請求項７】
上記保護層の形成工程では、直流スパッタリング法により上記保護層を形成する請求項６記載の光記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１１−２５３５７７（Ｐ２０１１−２５３５７７Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１５日（２０１１．１２．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１２４９３７（Ｐ２０１０−１２４９３７）
【出願日】平成２２年５月３１日（２０１０．５．３１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１５日（２０１１．１２．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月３１日（２０１０．５．３１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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