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Fターム[2H147BA07]の内容

光集積回路 (45,729) | 導波路の断面構造の特徴 (1,159) | 装荷型 (19)

Fターム[2H147BA07]に分類される特許

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【課題】複数の段差を有する導波路構造において、簡易かつ精度よく、コア層と上部クラッド層におけるメサ中心のずれを小さくする。
【解決手段】下部クラッド層103とコア層102と上部クラッド層101とを積層し、上部クラッド層101上に、互いに並行に配置される第一及び第二のストライプ状マスク105a、105bと、第一のストライプ状マスク105aと第二のストライプ状マスク105bとの間に配置される第三のストライプ状マスク106とからなる3本のストライプ状マスク107を形成し、第一、第二のストライプ状マスク105a、105b及び第三のストライプ状マスク106をマスクとして第一メサを形成し、第一及び第二のストライプ状マスク105a、105bをそれぞれ除去し、第一及び第二のストライプ状マスク105a、105bを除去した後に、第三のストライプ状マスク106をマスクとして、第一メサの上部に位置し、第一メサよりも幅の狭い第二メサを形成する。 (もっと読む)


【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子WG1のコア1は、第1導電型の第1半導体コア領域32と、第1半導体コア領域32とギャップ部40を挟んで対向配置された第2導電型の第2半導体コア領域33と、第1半導体コア領域32と光の導波方向において隣接する第2導電型又は無極性の第3半導体コア領域22と、第2半導体コア領域33と光の導波方向において隣接し、第3半導体コア領域22とギャップ部40を挟んで対向配置された第1導電型又は無極性の第4半導体コア領域23と、を部分領域として含み、第1半導体コア領域32と第2半導体コア領域33とに電極が接続されている。 (もっと読む)


【課題】厳しい温度制御が必要なEA/LDを使うことなく、簡便な温度制御でGE−PONと10GE−PONとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。
【解決手段】双方向光通信モジュール1は、波長λ1の信号光を送信する第1LD素子3と、波長λ1の信号光より伝送速度が高い波長λ2の信号光を送信する第2LD素子4と、波長λ3の信号光を受信するPD素子2を備えるものであって、第1LD素子3の信号光の光強度をモニタする第1モニタPD素子5と、第2LD素子4の信号光の光強度をモニタする第2モニタPD素子6と、第2LD素子4の信号光を「1」レベルの波長光と「0」レベルの波長光とに分波する分波フィルタ11と、「0」レベルの波長光の光強度をモニタする第3モニタPD素子7と、を備え、分波フィルタ11の分波特性が調整可能とされている。 (もっと読む)


【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板11上にコア層13と上部クラッド層15とが積層されている。その上には、光導波路1a及び1b、MMI分波器2a、MMI合波器2bを備える。光導波路1a及び1bには位相変調領域が設けられている。MMI分波器2aから出射された光は、光導波路1a及び1bで位相変調され、MMI合波器2bへ出射する。また、光導波路1a及び1bの両側にコア層13を貫通して形成された2本のトレンチ5に挟まれたメサ部19が形成されている。なお、光導波路1a及び1bは、位相変調領域とMMI分波器2a及び位相変調領域とMMI合波器2bとの間で長さLgapの分離溝Gapで分離されている。 (もっと読む)


【課題】作製歩留まりが高く、良好な特性を有する光集積回路を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に、幅方向における第1の比屈折率差と第1のコア幅とを有する第1の光導波路素子と、幅方向における第2の比屈折率差と第2のコア幅とを有する第2の光導波路素子が形成されており、前記第1の光導波路素子と前記第2の光導波路素子とが光学的に結合する接合部分を少なくとも1箇所以上有する光集積回路において、前記第2の比屈折率差は前記第1の比屈折率差よりも大きく、前記接合部分において第2のコア幅は前記第1のコア幅よりも広い。 (もっと読む)


【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】第1クラッド層104と、第1クラッド層104の上方に形成された活性層106と、活性層106の上方に形成された第2クラッド層108と、を含み、利得領域140は、活性層106の第1側面105に設けられた第1端面から第2端面までの間に、利得領域140に生じる光を反射させる第1反射面および第2反射面を有し、第1側面105の垂線に対して傾いた方向に向かって延びている第1部分142と、第1側面105の垂線に対して傾いた方向に向かって延びている第2部分144と、第1反射面の垂線に対して傾いた方向に向かって延びている第3部分146と、で構成され、第1反射面の側方および第2反射面の側方の少なくとも一方には、分布ブラッグ反射型ミラー170が設けられ、利得領域140に生じる光は、第1端面および第2端面から出射される。 (もっと読む)


【課題】近接場光発生素子の動作を安定させて信頼性を高める。
【解決手段】基板100上に、半導体レーザ素子10、光吸収導波路20、近接場光発生部30、磁界発生素子50が形成されている。半導体レーザ素子10は、井戸層が量子井戸面内方向に引っ張り歪を有しており、TM偏光した光を出射する。半導体レーザ素子10は、レーザ発振によるTM偏光以外に、自然放出によって生じたTE偏光をも出射する。光吸収導波路20は、井戸層が無歪又は量子井戸面内方向に圧縮歪を有する量子井戸吸収層を含んでおり、TE偏光の光を吸収する。したがって、光吸収導波路20の光出射端からはTM偏光の光のみが出射される。 (もっと読む)


【課題】
光導波路上に形成された膜体による戻り光を抑制可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成された基板と、該基板上に形成された光導波路2と、該光導波路上に形成され、該光導波路と接するように配置された膜体3とを有する光導波路素子において、該光導波路上に位置する該膜体3の光導波路を跨ぐ端面の内、少なくとも一つは、該端面の基板側の端面ライン31と該光導波路2を伝搬する光波の進行方向cとのなす角度θが、90°以外となるように設定されていることを特徴とする。
好ましくは、該角度θが90°から±5°以上傾いていることを特徴とする。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の波長分波光学素子は、少なくとも、導波層と、該導波層の屈折率よりも0.03以上高い屈折率を有するトップ層とが積層されてなり、該トップ層の表面に一定の間隔をもって規則的に形成された等方性を有する多数の凸部を備えた波長分波光学素子であって、該トップ層の表面に、所定の間隙をもってそれぞれ独立に形成された凸部が、面積および/または形状の異なる二種類の凸部パターン(パターンA、パターンB)からなり、隣接する凸部パターンが相互に異なる凸部パターンであり、任意のパターンAの中心を通ってトップ層表面に対して垂直方向に仮想される仮想中心線aと、これに隣接するパターンBの中心部を通ってトップ層表面に対して垂直方向に仮想される仮想中心線bとの距離が一定であることを特徴としている。
【効果】本発明によれば、サイドバンドのない単一波長の光を分離するのに適した高性能の波長分波分光素子を安価に供給することができる。 (もっと読む)


【課題】 適切な構成を得ることが可能な光回路装置を提供する。
【解決手段】 基板11と、基板上に形成された第1のクラッド層12と、第1のクラッド層上に形成されたコア部13と、第1のクラッド層上にコア部の第1の部分を介して形成された能動部14と、能動部上に形成された電極部17とを含む能動光学素子と、第1のクラッド層上に形成され、コア部の少なくとも第2の部分を覆い且つ能動部を囲む第2のクラッド層15とを備える。 (もっと読む)


【課題】 スポットサイズの小さい光導波路と導波路型光機能部品との間の光結合効率の高い光導波回路を提供することにある。
【解決手段】 光導波路と導波路型光機能部品のコアをそれぞれ近接させ、導波路型光機能部品のコアに連続して実効的屈折率が接続対象の導波路に向かい低くなるような層を設ける。 (もっと読む)


【課題】MMI導波路に入力された光を設計通りの経路で伝播させること。
【解決手段】導波路層14が、MMI導波路20と、MMI導波路の一端面20aに接続された2個の入力用光導波路22,22と、入力用光導波路を挟んで一端面に接続される2個の入力側ダミー導波路24,24と、一端面に対向する他端面20bに接続される2個の出力用光導波路26,26とを備えており、2個の入力用光導波路の間に、第1凹溝30が形成されており、入力側ダミー導波路と入力用光導波路との間には、第1凹溝と合同の立体形状を有する第2凹溝32が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 装置の小型化が実現でき、透過特性が向上されたスポットサイズ変換器を提供すること。
【解決手段】 アンダークラッド86上に該アンダークラッド86よりも屈折率が高い第一コア81が形成されている。第一コア81は、突起部分87と、対向導波路とを有する。第一コア81上には、直線部分84とテーパー部分85とを有する第二コア83が形成さており、突起部分87においては、第一コア81と第二コア83とはほぼ等しい幅であり、対向導波路上には、テーパー部分85が形成されている。また、少なくともスラブ82上には、直線部分84が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 パターン変換誤差が生じた場合でも、反射光が入力導波路に戻らないような多モード干渉型光導波路を提供する。
【解決手段】 入力導波路701、702と、出力導波路704、705と、入力導波路701、702が一方の端部に接続されると共に、出力導波路704、705が一方の端部に対向する他方の端部に接続され、導波路幅が入力導波路701、702及び出力導波路704、705より広い多モード干渉領域703とを有し、多モード干渉領域703の他方の端部に、出力導波路704、705とは異なる2本の多モード導波路706、707を備えた多モード干渉型光導波路。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも1種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供できる。 (もっと読む)


半導体電界吸収変調器/レーザー(EML)またはクーラーレス光送信フォトニック集積回路(TxPIC)のようなクーラーレスフォトニック集積回路(PIC)は、周囲の冷却または密閉包装を必要とせずに、室温よりも高い温度の広い温度範囲で動作する。TxPIC上には、N個の光送信信号のWDMチャネルの大規模集積回路があるので、斬新な検出スキームおよび適応型アルゴリズムを有する新しいDWDMシステムは、PICの能力を最適化し、DWDMシステム内の光送受信モジュールが冷却せずに動作できるようにするために、PICの高機能な制御を提供する。さらに、オンチップチャネルのレーザーソースの波長グリッドは、レーザーソースの個々の放出波長が、標準化された波長グリッドに従って波長のピークで発射されないWDM波長帯域内に熱的に浮動することが可能であるが、むしろ周囲温度の変化とともに周囲を移動することが可能である。
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(i)Nb25またはTa25の少なくとも1種と、(ii)(a)Al23、(b)REO、または(c)ZrO2もしくはHfO2の少なくとも1種の内の少なくとも2種とを含む、セラミックスである。本発明によるセラミックスの実施態様では、光導波路、ガラスビーズ、物品(たとえば、平板)、繊維、粒子(たとえば、研磨粒子)、および薄層コーティングの形態として製造したり、形成したり、またはそれらのものに転化させたりすることができる。
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本発明は、光学波モードを変換する方法および装置を提供する。本装置は、基材、および該基材上の導波材料の第一層を包含し、該第一層は、第一屈折率、第一水平寸法、および第一垂直寸法を有する。本装置は、該第一層に隣接した導波材料の第二層も包含し、該第二層は、第二屈折率、第二水平寸法、および第二垂直寸法を有する。 (もっと読む)


SOI構造のサブミクロン表面層に生成することができ、あるいはSOI表面層とその上を覆っている多結晶シリコン層のサブミクロンの厚さの組合せの中に生成することができる一組のプレーナ型二次元光デバイスである。従来のマスキング/エッチング技法を使用して様々な受動デバイスおよび光デバイスをこのSOIプラットフォームの中に形成することができる。デバイスの様々な領域をドーピングして能動デバイス構造を形成することができる。また、多結晶シリコン層を個別にパターン化して、伝搬する光信号に実効モード・インデックス変化領域を提供することも可能である。

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