【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】 従来の導波路型光フィルターと比較して、小型化及び低コスト化を図ることができる導波路型光フィルターを提供するものである。
【解決手段】 導波路型光フィルターは、１×３型マルチモード干渉導波路４ａと、３×１型マルチモード干渉導波路５ａの入力ポートに一端が接続される１本の入射光導波路１ａからなる第１の光導波路群１と、１×３型マルチモード干渉導波路４ａの出力ポートに一端が接続される３本の光導波路（直線導波路２ａ、第１の曲線導波路２ｂ、第２の曲線導波路２ｃ）からなる第２の光導波路群２と、を備え、第２の光導波路群２のうち、一の光導波路の長さが、他の光導波路の長さと異なる。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶共振器の共振波長を効率的に調整し、偏光モード分裂が解消されたフォトニック結晶デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの点欠陥が形成された２次元フォトニック結晶から構成されるフォトニック結晶共振器２７の一主面に膜１４を形成する膜形成工程と、フォトニック結晶共振器２７における共振波長を測定する波長測定工程と、波長測定工程で測定した共振波長に基づいて、膜１４を局所的に加工することにより、フォトニック結晶共振器２７における特定の共振器モードの波長を調整する波長調整工程と、から構成されるフォトニック結晶共振器の共振波長を調整する方法により、偏光モード分裂が解消されたフォトニック結晶デバイス３１を得る。 （もっと読む）

【課題】近接場光発生素子の動作を安定させて信頼性を高める。
【解決手段】基板１００上に、半導体レーザ素子１０、光吸収導波路２０、近接場光発生部３０、磁界発生素子５０が形成されている。半導体レーザ素子１０は、井戸層が量子井戸面内方向に引っ張り歪を有しており、ＴＭ偏光した光を出射する。半導体レーザ素子１０は、レーザ発振によるＴＭ偏光以外に、自然放出によって生じたＴＥ偏光をも出射する。光吸収導波路２０は、井戸層が無歪又は量子井戸面内方向に圧縮歪を有する量子井戸吸収層を含んでおり、ＴＥ偏光の光を吸収する。したがって、光吸収導波路２０の光出射端からはＴＭ偏光の光のみが出射される。 （もっと読む）

【課題】屈折率が小さい領域との屈折率の差が大きく、電磁波の減衰による効率低下が小さい単結晶インジウムアンチモン導波路を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の上部に設けられた単結晶インジウムアンチモン薄膜２に、電磁波が透過するコア領域５と電磁波が透過しないクラッド領域４が設けられた構造を備える。クラッド領域４は、低誘電率物質からなる円柱３が一定の周期ａで設けられたフォトニック結晶構造になっている。また低誘電率物質からなる円柱３の直径ｂは、周期ａより十分小さければよい。コア領域５は、屈折率が大きく、かつ電磁波の吸収が小さい単結晶インジウムアンチモン薄膜２に、円柱３が存在しない領域である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶成長技術以外の方法を用いて、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化を実現することを課題とする。
【解決手段】量子ドット集合体を有する第１の基板を用意する工程と、第１の基板とウエハ接合を行うための第２の基板を用意する工程と、第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板上面にＳＯＤを塗布する工程と、第１の基板の量子ドット集合体が形成された側と第２の基板とを接合する工程と、接合した基板を加熱する工程と、第１の基板の薄膜化を行う工程とを含む光デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】構造を単純にすることができる位相整合方法及び非線形光学デバイスを提供する。
【解決手段】 非線形デバイス１は、コア層２と、前記コア層２の一側主面2a及び他側主面2bのそれぞれの面上に形成されたクラッド層３とを備える。前記コア層２は、前記クラッド層３よりも屈折率が高く、前記一側主面2a及び前記他側主面2bの長さが、前記一側主面2aと前記他側主面2bとの間の長さより長い扁平形状である。これにより、従来のように高屈折率の半導体薄膜と低屈折率の誘電体薄膜とを交互に積層したり、高屈折率の半導体薄膜と低屈折率の誘電体薄膜とを周期的に繰り返し形成したりすることなく、構成を単純化することができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングによる光導波路の損傷が回避される光導波路素子を提供する。
【解決手段】有機非線形光学材料を含む光導波路と、光導波路の一方の面側に配される第1電極と、光導波路の他方の面側に配される第２電極と、第２電極上に積層された保護部材であって、該第２電極に近い側の第1面に設けられ且つ該第２電極に接続された第３電極、該第２電極に遠い側の第２面に設けられた第４電極、及び該第1面と該第２面とを貫通すると共に前記第３電極と前記第４電極とを電気的に導通する導通部を有する保護部材と、を備えたことを特徴とする光導波路素子。 （もっと読む）

【課題】すべて光学的なゲートを提供する。
【解決手段】すべて光学的なゲートは、第1、第2光学入力信号を受信する第1、第2入力媒体と第1、第2光学入力信号を合成する第1合成媒体とを含むORゲートと、第3光学入力信号として第１光学出力信号を受信する第3入力媒体と一定の連続波(CW)光を有する第4光学入力信号を受信する第4入力媒体と第3、第4光学入力信号から合成信号を合成する第2合成媒体と合成信号がロウ論理レベルを有する時にハイ論理レベルを有する第2光学出力信号としてCW光を出力し合成信号がハイ論理レベルを有する時に第2光学出力信号として光を出力しない第1非線形素子とを含むNOTゲートと、を有し、ORゲート及びNOTゲートはフォトニック結晶内に実装され、第1〜4入力媒体及び第1、第2合成媒体はフォトニック結晶内における構造物の欠如により定義され、第1非線形素子は第2合成媒体の出力側と光学出力媒体の入力側の間に光学的に配置される。 （もっと読む）

【課題】放電や静電破壊を抑制しつつより高い電圧でポーリング処理を行うことが可能であり、より高い有機非線形光学材料の電気光学効果が引き出された光導波路素子、光導波路素子のポーリング処理方法を提供すること。および簡易な構成でＤＣドリフトの発生を抑制可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】例えば、基板１０上に、下部電極１２（第１の電極）、下部クラッド層１４（第１のクラッド層）、光導波路層１６（光導波路１７）、上部クラッド層１８（第２のクラッド層）、上部電極２０（第２の電極）、及び保護層２２が順に積層されて構成させ、保護層２２に上部電極２０の少なくとも一部を露出する開口２２Ａを設ける。そして、当該開口２２Ａから露出する上部電極２０に対し電圧印加手段の端子を電気的に接続し、当該上部電極２０に電圧を印加してポーリング処理を施す。 （もっと読む）

【課題】静電破壊や放電を抑制しつつより高い電圧でポーリング処理を行うことが可能であり、より高い有機非線形光学材料の電気光学効果が引き出された光導波路素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に、少なくとも、下部電極層１２と、下部クラッド層１４と、有機非線形光学材料を含み電気光学効果を有すると共に光の伝搬を行う導波路を有する導波路層１６と、上部クラッド層１８と、上部電極層２０と、を順次備え、２つの光の入出力端面と、該入出力端面と交わる２つの側端面とを有し、当該各面における下部電極層１２の一部又は全部が下部クラッド層で覆われている光導波路素子である。そして、この下部電極層１２を形成する際、素子状に切断する際の切断面と交わる領域の一部又は全部を下部電極層非形成領域１２Ａとなるように設けて、下部電極層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でＤＣドリフトの発生を抑制可能な導波路装置及び導波路素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】導波路素子１２が、基板２７上に、下部電極１３、下部クラッド層２１、導波路層１６、上部クラッド層１８、及び複数対の上部電極からなる上部電極群２０と、が順に積層されて構成されており、この上部電極群２０が、下部電極１３に対応する複数対の上部電極からなり、電圧印加部１４は、この上部電極群２０の各対をなす上部電極に対して値が同一で且つ逆極性の電圧を所定時間印加する。 （もっと読む）

【課題】従来の光導波モードを利用する技術よりも、安定かつ高い感度で被検出試料を検出できる光導波モードセンサーを提供する。
【解決手段】本発明は、ガラスとその上に形成した反射膜と、さらに該反射膜自身の表面を酸化して形成した光導波路層とからなる検出板を用いる。この検出板のガラス側から、反射膜に光を入射する光入射機構と、反射膜によって反射される前記光の反射光を検出する光検出機構と、を備える。入射光の一部又は全部が光導波路内を伝搬する光導波モードと結合することによって反射光強度が著しく増減する光入射角度領域を用いて、検出板の表面に検出対象となる物質が吸着又は付着した際に生じる反射光強度の変化を読み取ることによって、物質の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造を基板の表面に形成可能な三次元微細加工方法を提供する。
【解決手段】第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

本発明の様々な実施の形態は、微小共振装置および微小共振装置の製造方法に関する。一実施の形態においては、微小共振装置（２００）は、上面層（２０４）を有する基板（２０６）、および基板内に埋込まれ、基板の上面層に隣接して配置される少なくとも１個の導波路（２１４、２１６）を備える。微小共振装置はまた、上層（２１８）、中間層（２２２）、下層（２２０）、周辺領域、および周囲被膜（２２４）を有する微小共振器（２０２、４０２）を含む。微小共振器の下層（２２０）は基板の上面層（２０４）に接続され、上面層と電気通信を行う。微小共振器が配置されることによって、周辺領域の少なくとも一部は少なくとも１個の導波路（２１４、２１６）上方に配置される。周囲被膜（２２４）は周囲面の少なくとも一部を覆い、微小共振器の上層、中間層、および下層に比べて比較的低い屈折率を有する。
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本発明は集積化光通信装置であって、第III族―第Ｖ族半導体で組み立てられかつ１のエピタキシャル成長の連続稼動で成長した多導波鉛直集積化構造で実行可能なものを記述し、該装置は、前記共通受動的導波路を共通または双方向に伝播する光信号の複数の鉛直方向に集積化された受動的または能動的波長指定導波路への鉛直かつ横方向の分岐を可能にし、したがって、前記波長指定導波路が異なる波長で作動して一体的に前記同一の基体に集積化されかつ共用された受動的導波路に接続される。本発明の典型的な実施の形態において、２つの能動的波長指定導波路、その各々はレーザまたは光検出器、が鉛直方向に集積化されて両方の作動波長によって共用される入力／出力光ポートと前記共通受動的導波路が接続されて、単一のファイバ、２波長受光器（両方の波長指定導波路は導波光検出器）または送信器（両方の波長指定導波路は端部放射半導体注入レーザ）またはトランシーバ（１の波長指定導波路は導波光検出器及び他の端部放射半導体注入レーザ）を形成する。先行技術に対して都合が良いことには、前記提案された鉛直方向の分岐及び横方向の経路の設定は削減した設置面積を可能にする一方、大いに設計の柔軟性および／または装置の動作を改善する。
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【課題】電力効率が高く作製が容易なフォトニック結晶光素子を提供すること。
【解決手段】能動領域上側クラッド層と能動領域下側クラッド層との間に活性層を含む能動領域コア層を積層形成した能動領域積層部に所定の波長の光を導波する線欠陥部を除き能動領域上側クラッド層から能動領域コア層の下面よりも深い位置まで能動領域コア層主面方向に周期配列した複数の空孔を設けフォトニック結晶光導波路を形成した能動領域部と、受動領域上側クラッド層と受動領域下側クラッド層との間に受動領域コア層を積層形成した受動領域積層部にフォトニック結晶光導波路に光学的に接続する受動光導波路を形成した受動領域部とが半導体基板上に集積され、能動領域積層部の積層構造の実効屈折率は受動領域積層部の積層構造の実効屈折率よりも大きく、活性層はフォトニック結晶光導波路の分散曲線上で高周波数側に位置する零群速度点において利得を有する。 （もっと読む）

【課題】マウント基板を簡単に実装することができ、しかも、安価な材料で光コネクタ等を構成することができる光電気変換装置を提供する。
【解決手段】電気信号を光信号にまたは光信号を電気信号に変換する光素子４Ａ，４Ｂと、この光素子４Ａ，４Ｂに電気信号を送信するまたは光素子から電気信号を受信するためのＩＣ回路５０Ａ，５０Ｂと、光素子４Ａ，４Ｂと光学的に結合する導波路３１を有するマウント基板３とを備えた光電気変換装置１Ａであって、導波路３１に光学的に結合可能な外部導波路９を設けるとともに、この外部導波路９の端部に光コネクタ８Ａを設け、マウント基板３に、光コネクタ８Ａと嵌合する嵌合凹部３５を設けた。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶を用いた光素子の小型化を図ることが可能な光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上には、ＳｉＯ_２からなるクラッド１２が設けられており、このクラッド１２上に線状のコア１１が設けられて、細線導波路１４が構成されている。クラッド１２の両側には一対の台座２が常温接合によりＳｉ基板１上に立設されている。２次元フォトニック結晶３は、孔９５が三角格子状に形成された周期構造を有し、その中間部に欠陥導波路部９６が形成されている。２次元フォトニック結晶３は、コア１１の上面との間に空間が形成され、かつ欠陥導波路部９６とコア１１が上下に平行に重なるように配置され、台座２の上面に常温接合されている。 （もっと読む）