【課題】テラヘルツ電磁波の発生または検出に必要なシステムの小型・簡素化すると共に低コスト化を実現することのできる電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置１は表面が（１１１）面である基板と、基板上にエピタキシャル成長された化合物半導体層と、その化合物半導体層上に、間隙を有して配設された一対のアンテナ本体を有するアンテナを備え、エピタキシャル成長された化合物半導体層の略法線方向、すなわち略＜１１１＞方向から化合物半導体層に偏光を入射することで、その層において入射した偏光の波長が１／２の波長の偏光に変換され、この１／２の波長の偏光により光電効果が生じる機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ通信で必要なチャンネル間隔（２５ＧＨｚ間隔，５０ＧＨｚ間隔等）の光周波数コムを発生させ、且つ、変調器を１種類にして変調信号の位相調整を不要とすることなどが可能な半導体光変調器及び光周波数コム発生光源を提供する。
【解決手段】例えば、半導体光変調器１００は、入力光１０１を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器１０２と、この半導体位相変調器１０２によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器１０３とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 （もっと読む）

【課題】透過率を向上できる波長変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】波長変換素子１０ｄの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、第１の結晶１１を成長させる。次に第１の結晶１１の表面上に、第１の結晶１１と屈折率の差が実質的にないアモルファス結晶１６である第２の結晶を成長させる。そして、光導波路１３に沿って第１および第２の結晶１１、１６の分極方向が周期的に反転する分極反転構造を形成し、分極反転構造は入射光に対して擬似位相整合条件を満たすように、第１および第２の結晶１１、１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】近赤外、赤外波長領域で利用可能な光パラメトリック発振による波長変換装置を提供すること。
【解決手段】非線形光学結晶に式(1)で表される周期ｄで正負の極性が交番する周期的分極反転構造を形成し、擬似位相整合を用いて周波数ω3の光１を入射させることで周波数ω3＝ω1＋ω2の関係を満たす周波数ω1と周波数ω2の各光２、３を出力させる波長変換素子４と、この素子が配置される光共振器５とで構成される光パラメトリック発振波長変換装置であって、非線形光学結晶が窒化物単結晶で構成されていることを特徴とする。
ｄ＝ｍ／［（ｎ3／λ3）−（ｎ2／λ2）−（ｎ1／λ1）］ (1) ［式(1)において、ｍは位相整合の次数、λ1、λ2、λ3は周波数ω1、ω2、ω3の光の波長、ｎ1、ｎ2、ｎ3は周波数ω1、ω2、ω3の光に対する窒化物単結晶の屈折率］ （もっと読む）

【課題】構造を単純にすることができる位相整合方法及び非線形光学デバイスを提供する。
【解決手段】 非線形デバイス１は、コア層２と、前記コア層２の一側主面2a及び他側主面2bのそれぞれの面上に形成されたクラッド層３とを備える。前記コア層２は、前記クラッド層３よりも屈折率が高く、前記一側主面2a及び前記他側主面2bの長さが、前記一側主面2aと前記他側主面2bとの間の長さより長い扁平形状である。これにより、従来のように高屈折率の半導体薄膜と低屈折率の誘電体薄膜とを交互に積層したり、高屈折率の半導体薄膜と低屈折率の誘電体薄膜とを周期的に繰り返し形成したりすることなく、構成を単純化することができる。 （もっと読む）

【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】従来の波長変換素子の製造方法では、ホットプレス法を用い、高温高圧を水晶基板に加える装置が必要となり、その装置は非常に巨大な装置と成ってしまう。又、その作業効率も悪く、品質も安定しない。
【解決手段】結晶形成室内の所定の位置に、形成される水晶板のＸ軸が水晶板形成面と平行となるように水晶板形成面に露出する結晶方向を配向させた複数個の単結晶片を、水晶板形成面上に形成される水晶板のＸ軸が隣り合う単結晶片間で逆方向を向く形態で配列集合させ接合した単結晶片集合基板を配置する工程と、単結晶片集合基板上に、この単結晶片集合基板を構成する各単結晶片の水晶板形成面の結晶配向に沿ったＸ軸方向を有する水晶板を所望の厚みにまで形成する工程と、水晶板を形成した単結晶片集合基板を取り出し、水晶板を波長変換素子として所望する外形サイズに切断し波長変換素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】下部電極と上部電極との距離を可及的に小さく抑え、コア層に印加する電圧を効率良く十分に確保して消費電圧を低減させると共に、光導波路の光損失量を小さく抑える信頼性の高い光学素子を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成された電気光学材料からなる光導波路２とを備えて光偏向素子が構成されている。光導波路２は、下部クラッド層３と上部クラッド層５との間に光路が形成されるコア層４が挟持されて構成されている。下部及び上部クラッド層３，５は、導電性酸化物を材料として形成されており、コア層４に電圧を印加するための下部及び上部電極を兼ねている。 （もっと読む）

【課題】三次元フォトニック結晶を用いた場合に、光の取り出しを行うことが可能となる発光装置、該発光装置を備えた光源装置を提供する。
【解決手段】活性媒質と、該活性媒質より発光する第１の波長を有する光を３次元空間内に閉じ込める共振器と、該第１の波長を有する光の波長を第２の波長に変換する波長変換媒質と、を備えた発光装置を構成する。
その際、前記活性媒質を前記三次元フォトニック結晶の内部に局所的または周期的に配置し、また前記波長変換媒質を非線形媒質で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡易な構成により、光損失等の特性劣化を生ぜしめることなく、容易且つ確実に電気光学効果方式による高速駆動を実現し、更なる小型化も可能とする光学素子及び光スイッチを提供する。
【解決手段】 光導波路３のコア層１２が、菱面体構造を示す電気光学材料からなり、主面の結晶方位が（１００）である基板上に成長形成した膜として成長形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電気光学定数の高い電気光学薄膜素子を得る。
【解決手段】 Ｚカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも大きいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子、あるいはＸカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも小さいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子である。Ｚカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、＋０．１％以上、Ｘカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、−０．１％以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

光偏向素子は、シリコン単結晶基板２１上に、マグネシアスピネル膜２２、下部電極２３、下部クラッド層２４、コア層２５、上部電極２６が順次積層された構成とし、これらのうち、マグネシアスピネル膜２２、下部電極２３、下部クラッド層２４のＰＬＺＴ膜、及びコア層２５のＰＺＴ膜は、それぞれの下層に対してエピタキシャル成長により形成されている。下部電極２３と上部電極２６との間に印加される電圧に応じて電気光学効果により屈折率が変化する屈折率変化領域２５Ａ、２４Ａが形成され、コア層２５に入射された光は屈折率変化領域２５Ａとの境界においてコア層２５の面内方向に偏向される。
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