【課題】ドレッサにおいて機材に埋め込まれたダイヤモンドの状態について確実に評価、検査することができるドレッサ検査装置およびドレッサの検査方法、並びにこれらを適用したＣＭＰ装置、およびＣＭＰ装置の検査方法を得る。
【解決手段】基材の表面にダイヤモンド粒子が埋め込まれてなるドレッサの異常を検査するドレッサ検査装置であって、ドレッサにおけるダイヤモンド粒子が埋め込まれた面に対して、ダイヤモンド粒子が埋め込まれた面と略水平な方向に光を照射する光源手段１１と、光源手段からの照射光がダイヤモンド粒子が埋め込まれた面において反射した反射光を集光してダイヤモンド粒子が埋め込まれた面の画像を取得する反射像取得手段１３と、反射像取得手段で取得した複数の画像の合成処理を行って合成画像を生成する画像処理手段１５と、合成画像に基づいてドレッサの異常を検出する異常検出手段１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶を簡便かつ効率的に低コストで加工し得る技術を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の加工方法において、窒化物半導体結晶（１）を加工する際に、その結晶（１）とツール電極（３）との間に電圧を印加して放電を発生させ、その放電による局所的熱によって結晶を部分的に除去して加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オシレーション量を変更するために、偏心カムを都度交換又はローラの移動を必要としない、オシレーション量の変更が可能なオシレーション装置を有するテープラップ装置を提供。
【解決手段】アーム12に対しピン30により揺動可能に取り付けられた従動リンク13と、従動リンク13の中心31の回りに回転可能に従動リンク13に支持された従動リング14と、従動リンク13中心31から偏心した偏心中心32の回りに回転可能にモータ軸18に支持された調整リング15と、を有し、従動リング14は調整リング15に設けた複数の長穴22を介して調整リング15に対して相対的に長穴方向（軸方向 9）に移動自由に遊隙をもってボルト21で止められ、さらに、従動リング14に固定したプレート23に取り付けられて調整リング15をキー溝26方向に移動させかつ従動リング14に対して位置決め可能な調整ボルト16が設けた。 （もっと読む）

【目的】 研磨途中でウエハを定盤から離すことなく研磨中の膜の厚さを知ることができ、研磨の高精度な制御が効率よくできるウエハの研磨に用いられるウエハ研磨方法及びウエハ研磨装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 定盤に膜付きウエハを押し付けて研磨する研磨方法において、前記定盤の一部の領域を通過させて前記ウエハの研磨面に光を照射し、前記領域を通過した前記ウエハからの反射光をモニタすることにより、研磨途中に前記膜の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】 硬い素材の上に柔らかい素材が重層された試料を短時間で研磨する。
【解決手段】 研磨材の研磨面に試料を当てて試料２０を研磨する研磨治具において、硬い素材２０ａの上に素材２０ａより柔らかい素材２０ｂが積層された重層形態試料２０の硬い素材２０ａ側が試料取付面１２ａに固着される角度設定台１２と、角度設定台１２を固定する基台１１であって角度設定台１２の試料取付面１２ａが研磨面に対して所要角度θ傾けられたとき硬い素材２０ａを研磨面に当てて該素材を所要位置まで研磨しその後に角度設定台１２の試料取付面１２ａが研磨面に対して垂直にされたとき柔らかい素材２０ｂを研磨面に当てて該素材を研磨する基台１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドライイン／ドライアウト方式のポリッシング装置に適用可能であり、半導体ウエハ等のポリッシング対象物の単位時間及び単位設置面積あたりの処理能力を高めることができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】研磨面を有した複数の研磨テーブル９，１０と、ポリッシング対象物１０２を保持しかつポリッシング対象物を前記研磨面に押圧する複数のトップリング１２と、複数の研磨テーブル９，１０の中心からそれぞれ等距離の位置に回転軸を有し、該回転軸から等しい半径方向距離にポリッシング対象物を載置する複数の置き台１５，１６を備えたインデックステーブル１９とを備え、インデックステーブル１９は位置決め機構を有し、複数の置き台はそれぞれがトップリング１２のポリッシング対象物搬送位置に移動可能となっていて、該位置にてプッシャー１７によりポリッシング対象物をトップリングに受け渡す。 （もっと読む）

【課題】 研磨パッドがウェハに対してオーバーハングしたときにウェハに偏荷重が作用するのを防止した研磨装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る研磨装置は、研磨パッド４０の上方に配設される電磁石３５から発生した磁界により、磁性を有するプレート部材６１の第１保持部６５が研磨パッド４０へ引き付けられるように上方へ移動することで、第１保持部６５に保持されたウェハ５０の被研磨面５１が研磨パッド４０の研磨面４１に当接するように構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのノッチとベベルの研磨を一つの装置内で効率よく行うことのできる半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の装置１０は、半導体ウエハＷを保持するためのウエハステージ２３を有するウエハステージユニット２０、ウエハステージユニット２０を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段３０、３２、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチを研磨するノッチ研磨部４０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのベベルを研磨するベベル研磨部５０から構成される。ハウジング１１内に搬入された半導体ウエハＷをウエハステージ２３に載置し、またウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをウエハステージ２３から取り上げるためのウエハチャック手段８０からさらに構成される。 （もっと読む）

【課題】
対象物体の上にプローブを安定して保持することができるプローブ保持装置及び、それを用いた研磨装置、測定装置及び光学装置並びに、安定して測定を行うことができる表面形状測定装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかるプローブ保持装置は、対象物体３に対してオペレーションを行なうための研磨装置８において、オペレーションに供される加工プローブ１０１を対象物体の上に保持するプローブ保持装置２０１であって、対象物体３との間にエアギャップを設けるよう対象物体３に対して気体を噴出する噴出部２０３と、対象物体３との間に設けられたエアギャップから気体を吸引する吸引部２０２とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】振動の周波数や変位量の点で充分な振動防止効果を有する研磨装置を提供すること。
【解決手段】研磨パッドが表面に取り付けられる第１ターンテーブル１０と、研磨パッドにより研磨されるウェハ１を回転させる第２ターンテーブル２０とを備え、第１ターンテーブル１０と第２ターンテーブル２０を回転させつつ、研磨パッドをウェハ１に押圧させることで、ウェハ１の表面を研磨する研磨装置であって、第１・第２ターンテーブル１０，２０に対して回転駆動力を伝達する第１・第２駆動軸１１，２１と、第１・第２駆動軸１１，２１を第１・第２液封入式防振装置１３，２３を介して支持する第１・第２ケーシング１４，２４と、第１・第２駆動軸１１，２１の振動を検出する第１・第２加速度センサー１５，２５と、第１・第２加速度センサー１５，２５の出力に基づいて第１・第２液封入式防振装置１３，２３に内蔵されたアクチュエータを制御する第１・第２制御部１６，２６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 高い精度で効率のよいマスクブランクス用ガラス基板の製造方法の提供。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板１００の製造方法であって、ガラス基板の主表面を研磨するガラス研磨工程を備え、ガラス研磨工程は、主表面を研磨する研磨段階と、ガラス基板の表面側又は裏面側の主表面に光を照射し、表面側の主表面、及び裏面側の主表面のそれぞれからの反射光に基づき、ガラス基板１００の厚みを検知する基板厚検知段階と、検知された厚みを予め設定された値と比較して、厚みが予め設定された値、もしくはその値よりも小さくなった場合にガラス研磨工程を終了させる終点判定段階とを有する。１０は、研磨装置、１２は、研磨部、１４は、光照射部、１６は、基板厚検知部、１８は、終点判定部、２０は、洗浄水供給部、２４は、下定盤、２６は、研磨液供給部、３２は、研磨パッド、３４は、研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】上定盤の変動を抑制し且つ上定盤のたわみを抑制して、ワークへの荷重を均等にかけることのできる両面研磨装置を提供する。
【解決手段】回転可能な下定盤３と、昇降機構によって該下定盤３に対して昇降自在であると共に回転可能な上定盤２と、前記下定盤３と前記上定盤２に挟持されると共に複数のワークが装着されるキャリアと、該キャリアを前記下定盤３及び上定盤２の間で自転及び公転させる自公転機構とを具備する両面研磨装置において、前記上定盤３を吊支する上定盤支持プレート５０が、前記昇降機構の上下動可能な支持ロッド３０の端部に揺動自在に設けられる連結機構の上部に接続され、前記連結機構の揺動支点が、前記上定盤の研磨面と略同一平面上に位置する。 （もっと読む）

【課題】 基板の研磨に用いる研磨布が黒色であっても研磨布上でキャリアより位置ずれしたシリコン基板を検出できる方法。
【解決手段】 研磨パッドの上面側より研磨布１１上の所定位置Ｓ₁に１５度の角度で第一反射センサＡ機器より第１の検査光を照射し、その反射光量の第１の受光素子信号Ｐ_１をしきい値Ｌ_ｗと比較してｏｎ／ｏｆｆ信号を第一リレ−Ａより発信するとともに、同時に前記研磨パッドの上面側より研磨布１１上の所定位置Ｓ₁に５度の角度で第二反射センサＢ機器より第２の検査光を照射し、その反射光量の第２の光量信号Ｐ₂をしきい値Ｌ_ｂと比較してｏｎ／ｏｆｆ信号を第二リレ−Ｂより発信し、各リレ−Ａ，Ｂより発信されたｏｎ／ｏｆｆ信号の組み合わせが同じ（ｏｎとｏｎ）であるときは研磨パッド上の基板に位置ずれが生じていることを意味するｏｎの警告信号をインデックスヘッド型研磨装置３０のシ−ケンスに出力する。 （もっと読む）

【課題】作業者への負荷が少なく、且つ半導体チップの断面研磨量を精度よく所望の量にすることができる半導体チップの断面研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１の断面研磨量の設定値を、制御部１６に入力する。半導体チップ１の断面を研磨板１２に押圧する。制御部１６が研磨板１２を一定量回転させることにより、半導体チップ１の断面を研磨する。研磨量測定部１５が断面の研磨量を計測する。研磨量の計測値が設定値未満である場合に、制御部１６が、研磨板１２を再度一定量回転させ、半導体チップ１の断面を研磨する。 （もっと読む）

研磨ヘッド４０の内部に設けられて一端側が上記取り付け面４２ａに開口するとともに他端側が真空源６０に接続された真空管路５０を有し、この真空管路５０を介して空気を吸引することにより研磨ヘッド４０の取り付け面４２ａに研磨体３０を吸着保持させる構成を有する。そのうえで、真空管路５０中に設けられた絞り５２と、この絞り５２の前後位置における真空管路５０内の圧力を検出する第１圧力センサ５４及び第２圧力センサ５６と、これら２つの圧力センサ５４，５６により検出される絞り５２前後の圧力差に基づいて、研磨ヘッド４０に研磨体３０が吸着保持されているか否かを判断する判断装置５８とを備える。
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【課題】 ウェハ研磨またはドレス工程による研磨層の厚さ変化をモニタすることのできるＣＭＰ加工用研磨布、ＣＭＰ装置並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＭＰ加工用研磨布（以下、研磨布）１０は、ＣＭＰ装置の研磨盤Ｔ１に貼り付けられ回転するものである。研磨布１０は、粘着層１１、クッション層１２、粘着層１３、研磨層１４が順次に積層された構成となっている。研磨布１０は、最上層の研磨層１４において、スラリー保持のための第１パターン１４１に加え、研磨層厚みモニタ用の第２パターン１４２が形成されている。第１パターン１４１は、研磨層１４の厚さが変わっても同等の平面形状を保つ溝または穴のパターンを有する。第２パターン１４２は、研磨層１４の厚さの減少に応じて平面形状が小さくなる溝または穴のテーパーパターンを有する。 （もっと読む）

【課題】 研磨加工のための研磨バレル内において、テンプルやブローバーなどの眼鏡の長手部材が局部的に過研磨されないような最も望ましい略一定の静止姿勢に保持しておくことができるバレル研磨機における眼鏡長手部材支持機構を提供すること。
【解決手段】 各ワーク取付枠２には、センター部材21とその両端に配置されるサイド部材22とを止着具３により接合することによって、これら両部材の間に研磨対象の眼鏡長手部材Ｐを挟持可能な挟持部23が形成される一方、
前記センター部材21の両側縁部およびサイド部材22の対向縁部にはそれぞれ弾性押さえ片４・４が配設されており、かつ、これら弾性押さえ片４には鉛直方向に亙りガイド溝41・41…が多数形成されており、
これらワーク取付枠２におけるセンター部材21とサイド部材22とが当接して形成される挟持部23に、研磨対象である各眼鏡長手部材Ｐを各々挟持させてセットする。 （もっと読む）

【課題】 研磨加工のための研磨バレル内において、眼鏡前枠が局部的に過研磨されないような最も望ましい略一定の静止姿勢に保持しておくことができるバレル研磨機における眼鏡前枠支持機構を提供すること。
【解決手段】 各ワーク取付枠２には、当該取付枠両サイドの側枠21・21間に研磨対象の眼鏡前枠Ｆの両リムｒ・ｒの間隔に対応するステーロッド３・３が少なくとも一対架設され、かつ、これらのステーロッド３には前記眼鏡前枠の両リムｒ・ｒを掛止め可能な掛止フック31が多数突設されており、
これらワーク取付枠２におけるステーロッド３・３の隣向する掛止フック31と31に、研磨対象である各眼鏡前枠Ｆのリムｒ・ｒを各々掛止させてセットすることにより、回転する研磨バレル１の中で遠心力を受けて移動する研磨材ｅがステーロッド３・３間に略一定の静止姿勢に掛止セットされた前記多数の眼鏡前枠Ｆに万遍に接触させて研磨できるようにする。 （もっと読む）

【課題】加工中に研磨材被覆テープが研削粉等で目詰まりしテープラップ研削による精度が向上しない状態になっても、加工中の主軸の負荷状態を常時監視し、最適なテープラップ研削を行うようにしたテープラップ加工機の主軸制御装置を提供。
【解決手段】主軸50の回転方向の変更及び回転速度の変更を制御する主軸制御装置52と、主軸50の負荷を検出し記録する主軸負荷検出記録装置51と、主軸50の負荷と予め設定した主軸の負荷しきい値との比較演算を行う比較演算装置53と、を有し、シュー５を前進させてテープラップ加工中の主軸50の負荷が予め設定した主軸の負荷しきい値より小さいとき、直ちに主軸制御装置52に主軸50の回転方向を変更させるか、又はシュー５を後退させるよう、割り込み処理を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】被研磨体を損傷させることなく、一連の工程における複数の被研磨体の配置パターンを変更することなく、円滑かつ正確に遂行することが可能な、複数の治具ユニットの組合わせからなる研磨加工用治具セット及び複数被研磨体の研磨方法を提供する。
【解決手段】複数の被研磨体１０を研磨治具２００に配置し、被研磨体の研磨加工の終了後に、研磨治具から被研磨体を脱離させるまでの一連の工程に用いられる、複数の治具ユニットの組合わせからなる研磨加工用治具セットであって、治具ユニットを、配置用小型トレイ１と、分割トレイ２と、配置用小型トレイに載置された被研磨体を、研磨治具の表面上に転写状態で配置することが可能な分割プレートと、被研磨体の研磨加工の終了後に、研磨治具の表面上から所定の剥離処理によって脱離した被研磨体が、転写状態で、かつ部分パターンに分割された状態で移載されることが可能な脱離用小型トレイから構成される。 （もっと読む）