半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法
【課題】半導体ウエハのノッチとベベルの研磨を一つの装置内で効率よく行うことのできる半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の装置１０は、半導体ウエハＷを保持するためのウエハステージ２３を有するウエハステージユニット２０、ウエハステージユニット２０を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段３０、３２、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチを研磨するノッチ研磨部４０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのベベルを研磨するベベル研磨部５０から構成される。ハウジング１１内に搬入された半導体ウエハＷをウエハステージ２３に載置し、またウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをウエハステージ２３から取り上げるためのウエハチャック手段８０からさらに構成される。
【解決手段】本発明の装置１０は、半導体ウエハＷを保持するためのウエハステージ２３を有するウエハステージユニット２０、ウエハステージユニット２０を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段３０、３２、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチを研磨するノッチ研磨部４０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのベベルを研磨するベベル研磨部５０から構成される。ハウジング１１内に搬入された半導体ウエハＷをウエハステージ２３に載置し、またウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをウエハステージ２３から取り上げるためのウエハチャック手段８０からさらに構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの周縁（ノッチとベベル）を研磨するための装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハの周縁は、ノッチを研磨する装置（特許文献３を参照）と、ベベルを研磨する装置（特許文献１、２を参照）とを個別に使用して研磨している。半導体ウエハの周縁の研磨は、被研磨部（ノッチ又はベベル）に、水又は水ベースの反応液に研磨材砥粒を分散させたスラリー状の研磨液や、冷却水を供給しながら、織布、不織布、発泡体などからなるテープや、接着剤で研磨材砥粒を固定した研磨層をプラスチックなどの表面に形成したテープをこの被研磨部に押し付けた状態で走行させ、これにより被研磨部を湿式に研磨している。
【特許文献１】特開平７−１６４３０１号公報
【特許文献２】特開平８−１７４３９９号公報
【特許文献３】特開平９−８５５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の技術では、半導体ウエハのノッチとベベルとを個別に研磨していたので、これら装置間の半導体ウエハの搬送に時間がかかるだけでなく、設備スペースが大きくなる、という問題がある。また、搬送中に半導体ウエハが乾燥し、デバイスウエハの歩留まりが悪化する、という問題が生じる。
【０００４】
各装置内のウエハステージへの半導体ウエハの位置決めは、ウエハ搬送用のロボットの一対のチャックハンドで半導体ウエハの周縁を挟持して行っているが、精度よく位置決めをするため、複数個のシリンダーを使用しているので、設備スペースが大きくなる。また、シリンダーとして空気圧シリンダーを使用しているので、位置決めに０．５ｍｍ程度の誤差が生じる。さらに、半導体ウエハの周縁に過度の挟持力がかかり、半導体ウエハの周縁を破損する、という問題が生じる。
【０００５】
半導体ウエハは、ウエハステージに真空により吸着されており、この半導体ウエハのウエハステージからの剥離は、ウエハ搬送用のロボットの一対のチャックハンドで半導体ウエハの周縁を挟持し、このチャックハンドを持ち上げた瞬間に、半導体ウエハとウエハステージとの間の真空吸着状態を解除している。このことから、ウエハステージに吸着している半導体ウエハを剥離するとき、大きな剥離力（半導体ウエハをウエハステージから剥離するのに要する力）を半導体ウエハに瞬時にかけなければならず、半導体ウエハを変形させたり、破損させる、という問題が生じる。
【０００６】
従来の技術では、テープは、研磨中、テープ供給ローラから送り出され、テープの外径（すなわち、残量）に従って、テープ供給ローラからテープを送り出すためのモータのトルク値を変え、被研磨部に押し付けられるテープの張力を調節しているが、テープの外径が、このテープ供給ロールの側面に複数個（一般に８個）配列した光学センサの受光部に入射する投光部からの光の有無によって決定されているため、モータのトルク値が段階的に切り替わり、テープの張力が一定しない、という問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、したがって、本発明の第一の目的は、半導体ウエハの周縁を加工することを目的とするものであり、半導体ウエハのノッチとベベルの研磨を一つの装置内で効率よく行うことのできる半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【０００８】
本発明の第二の目的は、研磨時間を短縮し、装置設備を省スペース化した上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【０００９】
本発明の第三の目的は、ウエハステージへの半導体ウエハの位置決めをより高精度に行える上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【００１０】
本発明の第四の目的は、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハを容易に剥離できる上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【００１１】
本発明の第五の目的は、研磨ヘッドのテープの外径（残量）に無関係に、テープを一定の張力に維持できる上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、半導体ウエハの周縁（ノッチとベベル）を研磨するための装置及び方法である。
【００１３】
＜装置＞ 上記目的を達成する本発明の装置は、半導体ウエハの周縁を研磨するための装置であって、半導体ウエハを保持するためのウエハステージ、ウエハステージを回転させるためのステージ回転手段、及びウエハステージの表面と同一平面内で旋回往復移動させるためのステージ旋回往復移動手段から構成されるウエハステージユニット、ウエハステージユニットを、ウエハステージの表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段、ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨するための２以上の研磨部から構成される。
【００１４】
これら２以上の研磨部は、ウエハステージに保持した半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及びウエハステージに保持した半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する。
【００１５】
本発明の装置は、ウエハステージユニット、研磨部、ステージ移動手段を収容し、側面に開閉可能な開口部を有するハウジングを含む。
【００１６】
ハウジングは、仕切板によって二つの空間に区画され、これら二つの空間のうちの一方の空間には、ウエハステージユニットと研磨部が収容され、他方の空間には、ステージ移動手段が収容される。
【００１７】
本発明の装置は、ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給するためのウエハ乾燥防止手段を含む。
【００１８】
本発明の装置は、ハウジングの内部に搬入された半導体ウエハを受け取ってこの半導体ウエハをウエハステージ上に載置し、ウエハステージ上の半導体ウエハをウエハ搬送手段に受け渡すウエハチャック手段を含む。
【００１９】
ウエハチャック手段は、二個又はそれ以上の個数のコマを有する第一のチャックハンド、二個又はそれ以上の個数のコマを有する第二のチャックハンド、第一及び第二のチャックハンドを開閉させるためのチャックハンド開閉手段、及び第一及び第二のチャックハンドをウエハステージの表面と垂直な方向に往復移動させるためのチャック移動手段から構成される。第一及び第二のチャックハンドを閉じると、これら第一及び第二のチャックハンドのそれぞれのコマが半導体ウエハの周縁に接触し、これにより、半導体ウエハが、第一及び第二のチャックハンドに挟持される。
【００２０】
チャックハンド開閉手段は、第一及び第二のチャックハンドのうちの少なくとも一方のチャックハンドを螺合させたボールネジ、及びボールネジを駆動するためのサーボモータから構成される。サーボモータを駆動すると、第一及び第二のチャックハンドが開閉移動する。
【００２１】
本発明の装置は、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチの位置を検出するためのノッチ位置検出手段を有するセンサ組立体を含む。
【００２２】
ノッチ位置検出手段は、投光部と、受光部とを有する少なくとも一個の光学センサから構成される。光学センサは、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチが投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハを回転させると、光学センサによって、この半導体ウエハのノッチの位置が検出される。
【００２３】
好適に、ノッチ検出手段は、光学センサを三個有する。半導体ウエハを吸着して保持しているウエハステージが、第一の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第一の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出し、ウエハステージが、第一の回転数の範囲よりも低い第二の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第二の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する。そして、ウエハステージが、第二の回転数の範囲よりも低い第三の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第三の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する。
【００２４】
センサ組立体は、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの径方向の位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段を有する。
【００２５】
位置ズレ検出手段は、投光部と、受光部とを有する光学センサから構成される。光学センサは、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハを回転させることにより、光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出する。これにより、ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出される。
【００２６】
好適に、上記の第三の光学センサは、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチを含む周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。この半導体ウエハを回転させると、第三の光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出する。これにより、ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出され、さらに、ウエハステージが第三の回転数の範囲で回転しているときに、この半導体ウエハのノッチの位置が検出される。
【００２７】
センサ組立体は、防水手段を含む。
【００２８】
本発明の装置において、ノッチ研磨部は、相互に間隔をあけて平行に配列した第一及び第二のローラを有するノッチ研磨ヘッド、及びテープを巻き付けたテープ供給ロールと、テープを、テープ供給ロールから、第一及び第二のローラを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラと、テープを巻き取るために、テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段とを有するテープ供給巻取手段から構成され、第一のローラと第二のローラとの間を通過するテープが、半導体ウエハのノッチに押し付けられ、これにより、ノッチが研磨される。
【００２９】
テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される。
【００３０】
ノッチ研磨部は、テープをノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨部を半導体ウエハの表面に垂直な方向に往復移動させるための手段を含み得る。
【００３１】
また、ノッチ研磨部は、半導体ウエハのノッチの表面側と裏面側が研磨されるように、テープをノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッドを、ノッチに関して旋回往復移動させるための手段を含み得る。
【００３２】
好適に、ノッチ研磨部は、テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径を検出するためのテープ外形検出手段を含む。
【００３３】
本発明の装置において、ベベル研磨部は、先端にコンタクトパッドを取り付けたシリンダーを有するベベル研磨ヘッド、及びテープを巻き付けたテープ供給ロールと、テープを、テープ供給ロールから、コンタクトパッドを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラと、テープを巻き取るために、テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段とを有するテープ供給巻取手段から構成される。コンタクトパッド上を通過するテープが、ベベルに押し付けられ、これにより、ベベルが研磨される。
【００３４】
テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される。
【００３５】
ベベル研磨部は、半導体ウエハのベベルの表面側と裏面側が研磨されるように、テープをベベルに押し付けた状態で、ベベル研磨ヘッドをベベルに関して旋回往復移動させるための手段を含む。
【００３６】
ベベル研磨部は、テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径検出手段を含む。
【００３７】
ベベル研磨部は、半導体ウエハのベベルの研磨中、この半導体ウエハの位置ズレを検出するための第二の位置ズレ検出手段を含む。この第二の位置ズレ検出手段は、半導体ウエハの研磨中に、半導体ウエハの研磨中に、コンタクトパッドを介してテープを半導体ウエハのベベルに押し付けているシリンダーの伸縮の変化を検出する変位センサから構成される。
【００３８】
本発明の装置の装置は、ハウジングの内部を清浄に維持するための清浄化手段を含む。この清浄化手段は、ハウジングの上面に設けた吸気口、ハウジングの下面に設けた排気口、及び排気口に連通する外部ポンプから構成され、吸気口から流入した空気が、ハウジングの内部の側面に沿って流れるように、吸気口及び排気口がハウジングに設けられる。
【００３９】
本発明の装置は、仕切板によって区画されているハウジングの二つの空間のうちの他方の空間を防水するための防水手段からさらに構成される。
【００４０】
好適に、本発明の装置では、ハウジングの仕切板が、開口部を有し、ステージの回転手段は、ウエハステージの裏側の中心に取り付けたシャフト、このシャフトを回転可能に取り付けた支持体、及びこのシャフトを回転させるモータから構成される。また、ステージの旋回往復移動手段は、ウエハステージの中心から半導体ウエハの略半径の長さ分だけオフセットした位置で、ハウジングの仕切板の開口部を通じて、ウエハステージユニットの支持体の下面に固定した第二のシャフト、及び仕切板の下側で、この第二のシャフトを回転させるための第二のモータから構成される。この第二のシャフトは、中空筒状の軸台に回転可能に取り付けられ、この軸台の下面は、ハウジングの仕切板の下方に位置する支持板に固定される。そして、軸台の上面は、支持体の下面に当接して支持体を支持し、第二のモータは、この支持体に固定される。
【００４１】
この装置の防水手段は、上部を、軸台の上部に液密に固定し、低部を、仕切板の開口部の周辺に液密に固定した中空の半円形状の防水カバーから構成され、この防水カバーは、弾力性を有する材料から形成される。
【００４２】
好適に、この防水カバーは、二重構造である。このとき、本発明の装置は、この二重構造の防水カバーの外側のカバーと、内側のカバーとの間の空間に圧縮空気を吹き込むための手段からさらに構成される。
【００４３】
＜研磨方法＞ 上記目的を達成する本発明の方法は、半導体ウエハの周縁を研磨するための方法であって、ウエハステージに半導体ウエハを吸着して保持させるウエハ保持工程、及びウエハステージに吸着して保持させた半導体ウエハの周縁を２以上の研磨部で研磨する研磨工程から構成される。
【００４４】
研磨工程は、半導体ウエハを保持したウエハステージを２以上の研磨部の各々に向けて、順次移動させ、各研磨手段で、ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨する工程から構成される。
【００４５】
本発明の方法は、半導体ウエハを保持したウエハステージが２以上の研磨部の間を移動しているとき、ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給する乾燥防止工程を含む。
【００４６】
２以上の研磨部は、半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及び半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する。
【発明の効果】
【００４７】
本発明が以上のように構成されるので以下のような効果を奏する。
【００４８】
ノッチ用とベベル用の各研磨ヘッドの間の半導体ウエハの搬送が、ステージ移動手段により、ウエハステージを移動させるだけでできるので、半導体ウエハのノッチとベベルの研磨を一つの装置内で効率よく行うことができるだけでなく、研磨時間の短縮、及び装置設備の省スペース化ができる。
【００４９】
ノッチ検出手段と位置ズレ検出手段とを備えたので、ウエハステージへの半導体ウエハの位置決めがより高精度に行える。
【００５０】
ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハをチャックハンドで挟持したままの状態で、この半導体ウエハをウエハステージの表面から少し（０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ）浮き上がらせてから真空吸着が解除されるので、半導体ウエハを容易に剥離できる。
【００５１】
テープ供給ロールに残留するテープの厚さを光学センサにより連続的に検出するので、テープの張力を一定にできる。
【００５２】
駆動系（平行移動手段）の構成成分を可撓性シートからなる防水カバーで覆ったので、装置内の駆動系の防水が十分にできるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
本発明の装置は、半導体ウエハの周縁（ノッチとベベル）を研磨するためのものである。
【００５４】
図１Ａに示すように、半導体ウエハＷは、シリコン単結晶からなる薄い円盤であり、この円盤の外周には、シリコンの結晶方向を示す目印となるノッチＮと呼ばれる切欠きが形成されており、このノッチＮは、半導体処理装置において、円形の半導体ウエハＷの位置決めなどの基準として利用されるものである。
【００５５】
半導体ウエハＷは、その周縁の断面形状に従って「ストレート型」と「ラウンド型」に大別できる。ストレート型の半導体ウエハは、図１Ｂに示すように、断面形状が多角形状（台形状）のものをいい、ラウンド型の半導体ウエハは、図１Ｃに示すように、断面形状が曲線状（半円形状、半楕円形状）のものをいう。
【００５６】
なお、本明細書において、用語「ベベル」は、図１Ｂに示すストレート型の半導体ウエハＷにおいては、上側傾斜面Ｐ、下側傾斜面Ｑ及び端面Ｒの部分（符号Ｂで示す部分）をいい、ラウンド型の半導体ウエハにおいては、図１Ｃに符号Ｂで示す曲面の部分をいう。また、用語「エッジ」は、半導体デバイスを形成する部分（符号Ｄで示す部分）とベベルＢとの間の領域（符号Ｅで示す）をいう。
【００５７】
＜装置＞ 図２〜図４に示すように、本発明の装置１０は、半導体ウエハＷを保持するためのウエハステージ２３を有するウエハステージユニット２０、ウエハステージユニット２０を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段３０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの周縁を研磨するための２以上の研磨部から構成される。ここで、図示の例では、これら２以上の研磨部として、代表的に、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチを研磨するノッチ研磨部４０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのベベルを研磨するベベル研磨部５０の２つの研磨部を有する装置１０について説明するが、２以上の研磨部として、さらに多数のノッチ研磨部やベベル研磨部を備えていてもよい。すなわち、例えば、ノッチ研磨部とベベル研磨部がそれぞれ三つずつ備えられている場合、これらノッチ及びベベル研磨部のそれぞれの第一の研磨部で粗研磨を行い、第二の研磨部で仕上げ研磨を行い、第三の研磨部でクリーニングを行うことができる。
【００５８】
ハウジング１１は、仕切板１４によって二つの空間に区画され、これら二つの空間のうちの一方の空間（符号１５で示す上室）に、ウエハステージユニット２０、ノッチ研磨部４０及びベベル研磨部５０が収容され、これら二つの空間のうちの他方の空間（符号１６で示す下室）に、ステージ移動手段３０が収容される。
【００５９】
ハウジング１１は、その上室１５の側面に開口部１２を有する。この開口部１２は、シリンダー（図示せず）により駆動されるシャッター１３により開閉される。半導体ウエハＷは、この開口部１２を通じて、ハウジング１１の内外に搬入、搬出される。半導体ウエハＷの搬入、搬出は、搬送ロボットハンド（図５Ａ及び図５Ｂに符号１３で示す）のような既知のウエハ搬送手段により行われる。なお、シャッター１３によりハウジング１１の開口部１２を閉じることで、ハウジング１１の内部が外部から完全に遮断され、研磨中、ハウジング１１内のクリーン度及び気密性が維持され、これにより、ハウジング１１の外部からの半導体ウエハの汚染や、研磨中にハウジング１１の内部からの研磨液やパーティクル等の飛散によるハウジング１１外部の汚染を防止できる。
【００６０】
＜ウエハチャック手段＞ 本発明の装置１０は、ハウジング１１内に搬入された半導体ウエハＷをウエハステージ２３に載置し、またウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをウエハステージ２３から取り上げるためのウエハチャック手段８０からさらに構成される。
【００６１】
図５Ａに示すように、ウエハチャック手段８０は、二個又はそれ以上の個数のコマ８３を有する第一のチャックハンド８１、二個又はそれ以上の個数のコマ８３を有する第二のチャックハンド８２、これら第一及び第二のチャックハンド８１、８２を、ウエハステージに保持した半導体ウエハの表面と平行な方向に開閉（矢印Ｔ１）させるためのチャックハンド開閉手段８４、及び第一及び第二のチャックハンド８１、８２を、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハの表面に垂直な方向（矢印Ｔ２）に往復移動させるためのチャック移動手段８５から構成され、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を閉じると、これら第一及び第二のチャックハンド８１、８２のそれぞれのコマ８３が半導体ウエハＷの周縁に接触し、これにより、半導体ウエハＷが、第一及び第二のチャックハンド８１、８２に挟持される。
【００６２】
このチャックハンド開閉手段８４は、図５Ａに示すように、第一及び第二のチャックハンド８１、８２に螺合させたボールネジｂ５、ボールネジｂ５を駆動するためのサーボモータｍ５、及び第一及び第二のチャックハンド８１、８２に貫挿させた矢印Ｔ１の方向に伸びるリニアガイド８７から構成され、ガイド８６及びカップリング８９がボールネジｂ５に連結されており、サーボモータｍ５を駆動すると、第一及び第二のチャックハンド８１、８２が矢印Ｔ１の方向に開閉移動する。好適に、第一及び第二のチャックハンド８１、８２で半導体ウエハＷを挟持したとき、この半導体ウエハＷの中心は、ウエハステージの中心（後述するウエハステージ２３の回転軸Ｃｓ）上に位置する。
【００６３】
チャック移動手段８５は、図５Ｂに示すように、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を取り付けた昇降台８８をボールネジ（図示せず）に螺合させ、このボールネジをサーボモータ（図示せず）により駆動して、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を、ウエハステージ２３の表面に垂直な方向（矢印Ｔ２の方向）に往復移動させるものである。図５Ｂには、符号Ｌ１で示す退避位置、符号Ｌ２で示すウエハ受渡位置（搬送ロボットハンド１３上の半導体ウエハＷを第一及び第二のチャックハンド８１、８２で挟持し、又は搬送ロボットハンド１３へ半導体ウエハＷを載置する位置）、及び符号Ｌ３で示すウエハ載置位置（ウエハステージ２３上へ半導体ウエハＷを載置し、又はウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷを第一及び第二のチャックハンド８１、８２で挟持する位置）を示す。
【００６４】
＜ウエハステージユニット＞ 図２〜図４に示すように、ウエハステージユニット２０は、ウエハステージ２３を回転させるためのステージ回転手段、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチに関してウエハステージ２３を、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの表面と同一平面内で旋回往復移動（矢印Ｒ５の方向）させるためのステージ旋回往復移動手段をさらに有する。
【００６５】
＜ウエハステージ＞ ウエハステージ２３は、図２〜図４及び図９に示すように、真空ポンプ（図示せず）に連通した１個又は複数個の吸引孔２５（図示の例では１個）を設けた平坦な表面を有する。この表面上には、吸引孔２５を塞がないように、一定の高さ（厚さ）の弾力性のあるパッド２４が粘着されている。半導体ウエハＷは、このパッド２４上に載置される。吸引孔２５は、中空のシャフト２７、このシャフト２７の下端に回転可能に取り付けたパイプ２８、及び中空のシャフト３１を通じて、外部の真空ポンプ（図示せず）に連通している。
【００６６】
パッド２４の上面には、吸引孔２５に連通する溝２６、２６´が形成されている。好適に、パッド２４の上面に、同心円状の複数個の環状の溝２６と、これら環状溝２６を連結する複数個の放射状の溝２６´とが形成され、これら環状の溝２６と放射状の溝２６´は、上記の真空ポンプに連通している。パッド２４上に半導体ウエハＷを載置すると、これら溝２６、２６´は、半導体ウエハＷの裏面によって、気密にシールされる。そして、真空ポンプを駆動すると、半導体ウエハＷは、その裏面からパッド２４によって支持され、変形（湾曲）することなく、ウエハステージ２３に吸着されて保持される。
【００６７】
上記のようにして第一及び第二のチャックハンド８１、８２に挟持された半導体ウエハＷは、チャック移動手段８５により、ウエハステージ２３上のパッド２４上に載置される。そして、チャックハンド開閉手段８４により、これらチャックハンド８１、８２が開かれ、これと同時に、真空ポンプが駆動して、半導体ウエハＷの裏面側の空間（すなわち、パッド２４の上面に形成した溝２６、２６´の内部）が減圧され、パッド２４に押し付けられてやや沈み込む。これにより、半導体ウエハＷが、ウエハステージ２３にしっかりと吸着されて保持される。
【００６８】
他方、このようにウエハステージ２３に吸着して保持されている半導体ウエハＷは、第一及び第二のチャックハンド８１、８２で挟持された後、チャック移動手段８５により、上方へ持ち上げられる。そして、少し浮き上がったところ（０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ）で、真空ポンプが停止され、真空吸着が解除される。これにより、ウエハステージ２３に吸着している半導体ウエハＷを剥離するとき、大きな剥離力（半導体ウエハＷをウエハステージ２３から剥離するのに要する力）が半導体ウエハＷに瞬時にかかることがなくなった。すなわち、半導体ウエハＷを変形させることもなく、また破損させることもなく、半導体ウエハＷをウエハステージ２３から剥離できるのである。
【００６９】
＜ステージ回転手段＞ 図３及び図４に示すように、ステージ回転手段は、ウエハステージ２３の裏側に回転軸Ｃｓと同軸に取り付けたシャフト２７、及びこのシャフト２７にプーリーｐ１及びベルトｂ１を介して連結したモータｍ１から構成される。シャフト２７は、ユニット本体２１の支持体２２に軸受を介して回転可能に取り付けられている。モータｍ１は、支持体２２に固定されている。ウエハステージ２３は、モータｍ１を駆動すると、その中心すなわち回転軸Ｃｓに関して回転する。
【００７０】
＜ステージ旋回往復移動手段＞ ステージ旋回往復移動手段は、ウエハステージ２３の表面と同一平面内で、ウエハステージ２３を旋回往復移動させるためのものである。このステージ旋回往復移動手段は、ウエハステージ２３の回転軸Ｃｓから半導体ウエハＷの略半径の長さ分だけオフセットした位置で、ハウジング１１の仕切板１４の開口部１７を貫通して、ウエハステージユニット２０のユニット本体２１の支持体２２の下面に固定したシャフト３１、及び仕切板１４の下側で、シャフト３１にプーリーｐ２とベルトｂ２を介して連結したモータｍ２から構成される。シャフト３１は、中空筒状の軸台２９に軸受を介して回転可能に取り付けられる。この軸台２９の下面は、ハウジング１１の仕切板１４の下方に位置する支持板３２に固定され、軸台２９の上面は、ユニット本体２１の下面に当接してユニット本体２１を支持している。また、モータｍ２は、支持板３２に固定されている。ウエハステージユニット２０は、このモータｍ２を駆動すると、このオフセットした位置、すなわち旋回軸Ｃｔに関して、ウエハステージ２３の表面と同一平面内で旋回往復移動（図２Ａ及び図２Ｂに矢印Ｒ５で示す方向）する。好適に、ステージ旋回往復移動手段は、半導体ウエハＷを保持したウエハステージ２３を、半導体ウエハＷのノッチに関して、ウエハステージ２３の表面と同一平面内で旋回往復移動させる。
【００７１】
＜ステージ移動手段＞ 図３及び図４に示すように、ステージ移動手段は、ステージ旋回往復移動手段の軸台２９を固定した支持板３２、及びこの支持板３２を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるための平行移動機構３０から構成される。
【００７２】
この平行移動機構３０は、図示のように、ハウジング１１の仕切板１４と支持板３２との間に位置し、第一の方向（図２Ａ及び図４に示す矢印Ｘの方向）に移動可能にリニアガイド３５を介して仕切板１４に取り付けた可動板３３、この可動板３３を矢印Ｘの方向に移動させるために、可動板３３に連結したボールネジｂ４、及びこのボールネジｂ４を駆動するためのモータｍ４を有する。可動板３３は、開口部３３´を有し、この開口部３３´を軸台２９が通過する。また、この可動板３３の下面に、支持板３２が、第一の方向Ｘと直交する方向（図２及び図３に矢印Ｙで示す方向）に移動可能にリニアガイド３４を介して取り付けられ、支持板３２を矢印Ｙの方向に移動させるために、ボールネジｂ３が支持板３２に連結され、このボールネジｂ３が、可動板３３に固定したモータｍ３によって駆動される。すなわち、仕切板１４の下面に固定したモータｍ４を駆動すると、可動台３３に連結したボールネジｂ４が回転し、可動台３３が矢印Ｘの方向に移動する。また、可動台３３に固定したモータｍ３を駆動すると、支持板３２に連結したボールネジｂ３が回転し、支持板３２が、可動台３３に関して、矢印Ｙの方向に移動する。なお、ウエハステージユニット２０の矢印Ｘ、Ｙの方向の移動の範囲は、仕切板１４に設けた開口部１７の大きさと、可動板３３に設けた開口部３３´の大きさに依存するので、ウエハステージユニット２０の移動範囲を大きくするときは、装置１０の設計段階において、これら開口部１７、３３´の大きさを大きくすればよい。
【００７３】
＜ノッチ研磨部＞ ノッチ研磨部４０は、図３及び図１０に示すように、テープ４３に半導体ウエハＷのノッチを押し付けるノッチ研磨ヘッド４４、及びテープ４３をノッチ研磨ヘッド４４へ供給し、供給したテープ４３を巻き取るテープ供給巻取手段４５から構成される。
【００７４】
ノッチ研磨ヘッド４４は、相互に間隔をあけて平行に配列して取り付けた第一及び第二のローラ４１、４２を有し、半導体ウエハＷのノッチが、第一のローラ４１と第二のローラ４２との間を通過するテープ４３に押し付けられる。
【００７５】
テープ供給巻取手段４５は、テープ４３を巻き付けたテープ供給ロール４６、テープ供給ロール４６からのテープ４３を、第一及び第二のローラ４１、４２を介して巻き取るためのテープ巻取ローラ４７、及びテープ４３を巻き取るために、テープ巻取ローラ４７を駆動するための巻取ローラ駆動手段（図示せず）から構成される。
【００７６】
ノッチ研磨部４０は、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４を半導体ウエハＷの表面に垂直な方向に往復移動させるための手段からさらに構成され得る。この手段は、図示しないが、ウエハステージ２３の表面に垂直な方向に長いリニアガイド、このリニアガイドに沿ってノッチ研磨ヘッド４４を、モータ駆動により往復移動させるためのクランク・シャフト機構から構成され得る。
【００７７】
また、ノッチ研磨部４０は、半導体ウエハＷのノッチの表面側と裏面側が研磨されるように、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４を、ノッチに関して旋回往復移動（図１０に矢印Ｒ３で示す方向）させるための手段を含み得る。この手段は、図示しないが、テープ４３の走行方向と垂直な方向に伸びるシャフト、及びこのシャフトを回転させるモータから構成される。シャフトは、テープ４３が半導体ウエハＷのノッチに押し付けられる位置に配置される。そして、このシャフト（このシャフトが、ノッチ研磨ヘッド４４の旋回軸となる）は、ノッチ研磨ヘッド４４に連結されている。モータを駆動してこのシャフトを回転させると、テープ４３がノッチに押し付けられた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４が、ノッチに関して矢印Ｒ３の方向で旋回往復移動し、これにより、半導体ウエハＷのノッチの表面側と裏面側が研磨される。
【００７８】
ノッチ研磨部４０は、ノッチに、水又は水ベースの反応液に研磨材砥粒を分散させたスラリー状の研磨液や、冷却水を供給するためのノズル４８からさらに構成される。
【００７９】
テープ４３として、織布、不織布、発泡体などからなるテープが使用できる。また、テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用できる。研磨材砥粒として、例えば、平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの範囲にあるダイヤモンド粒子や平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの間の範囲にあるＳｉＣ粒子が使用できる。樹脂バインダーとして、例えば、ポリエステル系、ポリウレタン系のものが使用できる。ベースフィルムとして、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどの可撓性を有する材料からなるフィルムが使用できる。
【００８０】
ここで、テープ４３として研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープを、水に研磨材砥粒を分散させた研磨液や冷却水と併用して使用することが望ましい。これは、水ベースの反応液を使用せずに研磨できるので、半導体ウエハＷの汚染、さらにハウジング１１の内部の汚染（ハウジング１１の内部に配置されている各構成成分の汚染）をより防止できるからである。
【００８１】
実用的に、テープ４３の幅は、１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあり、テープ４３は、数十メートルの長さにあり、円筒状の芯材（図８に符号４６´で示す）に巻き付けられる。
【００８２】
半導体ウエハＷのノッチの研磨は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをステージ移動手段により、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動して、半導体ウエハＷのノッチをノッチ研磨部４０のテープ４３に押し付け、ステージ旋回往復移動手段により、ノッチに関してウエハステージ２３を、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの表面と同一平面内で旋回往復移動（図２Ａ及び図２Ｂに矢印Ｒ５で示す方向）させることによって行われる。このとき、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４を半導体ウエハＷの表面に垂直な方向に往復移動させてもよいし、また、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４をノッチに関して旋回往復移動（図１０に矢印Ｒ３で示す方向）させてもよい。ここで、図示の例では、ノッチの研磨が、テープ４３を使用して行われたが、このようなテープ研磨に限定されず、例えば、外周縁の断面形状がノッチの形状と一致する既知のディスク状のパッドを使用して、ノッチを研磨してもよい。
【００８３】
＜テープ外径検出手段＞ 図８に示すように、ノッチ用研磨ヘッド４０は、テープ供給ロール４６の芯材４６´に巻き付けられているテープ４３の外径（残量）を検出するためのテープ外径検出手段さらに構成される。
【００８４】
このテープ外径検出手段は、図示のように、投光部４９ａと受光部４９ｂとを有する光学センサから構成される。好適に、テープ４３を巻き付けているテープ供給ロール４６が、これら投光部４９ａと受光部４９ｂとの間に配置される。テープ供給ロール４６に巻き付けられているテープ４３の外径は、受光部４９ｂにおける光４９ｃの受光量を検出することによって検出される。この検出されたテープ外径は、テープ４３をテープ供給ローラ４６から送り出すモータの制御装置（図示せず）に送られ、テープ４３をテープ供給ローラ４６から送り出すモータのトルク値が連続的に円滑に切り替わり、テープ４３の張力が一定する。
【００８５】
＜ベベル研磨部＞ ベベル研磨部５０は、図４及び図１１に示すように、先端にコンタクトパッド５１を取り付けたシリンダー５２を有するベベル研磨ヘッド５４、及びテープ５３をベベル研磨ヘッド５４へ供給し、供給したテープ５３を巻き取るテープ供給巻取手段５５（図４）から構成される。
【００８６】
テープ供給巻取手段５５は、テープ５３を巻き付けたテープ供給ロール５６、テープ５３を、テープ供給ロール５６から、コンタクトパッド５１を介して、巻き取るためのテープ巻取ローラ５７、及びテープ５３を巻き取るために、テープ巻取ローラ５７を駆動するための巻取ローラ駆動手段（図示せず）から構成される。コンタクトパッド５１上を通過するテープ５３が、コンタクトパッド５１を介して半導体ウエハＷのベベルに押し付けられ、これにより、ベベルが研磨される。
【００８７】
ベベル研磨部５０は、テープ５３をベベルに押し付けた状態で、ベベル研磨ヘッド５４を、ベベルに関して、半導体ウエハＷの表面と垂直な方向（図１１に矢印Ｒ４で示す方向）に旋回往復移動させるための手段を含み得る。この手段は、図示しないが、テープ５３の走行方向と垂直な方向に伸びるシャフト、及びこのシャフトを回転させるモータから構成される。シャフトは、テープ５３が半導体ウエハＷのベベルに押し付けられる位置に配置される。そして、このシャフト（このシャフトが、ベベル研磨ヘッド５４の旋回軸となる）がベベル研磨ヘッドに連結される。モータを駆動すると、テープ５３がベベルに押し付けられた状態で、ベベル研磨ヘッド５４が、ベベルに関して矢印Ｒ４の方向に旋回往復移動し、半導体ウエハＷのベベルの表面側と裏面側が研磨される。
【００８８】
ベベル研磨部５０は、ベベルに、水又は水ベースの反応液に研磨材砥粒を分散させたスラリー状の研磨液や、冷却水を供給するためのノズル５８（図４）からさらに構成される。
【００８９】
テープ５３として、織布、不織布、発泡体などからなるテープが使用できる。また、テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用できる。研磨材砥粒として、例えば、平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの範囲にあるダイヤモンド粒子や、平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの間の範囲にあるＳｉＣ粒子が使用できる。樹脂バインダーとして、例えば、ポリエステル系、ポリウレタン系のものが使用できる。ベースフィルムとして、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどの可撓性を有する材料からなるフィルムが使用できる。
【００９０】
ここで、テープ５３として研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープを、水に研磨材砥粒を分散させた研磨液や冷却水と併用して使用することが望ましい。これは、水ベースの反応液を使用せずに研磨できるので、半導体ウエハＷの汚染、さらにハウジング１１の内部の汚染（ハウジング１１の内部に配置されている各構成成分の汚染）をより防止できるからである。
【００９１】
実用的に、テープ５３の幅は、１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあり、テープ５３は、数十メートルの長さにあり、円筒状の芯材に巻き付けられる。
【００９２】
ここで、平均粒径２．０μｍ未満の研磨材砥粒を固定した研磨層を形成したテープを使用して半導体ウエハＷのベベルを研磨すると、半導体ウエハＷの直径寸法を所望の寸法に形成できる。また、平均粒径２．０μｍ以上の研磨材砥粒を固定した研磨層を形成したテープを使用して半導体ウエハＷのベベルを研磨すると、半導体ウエハＷのベベルの仕上げ研磨を行える。さらに、このように研磨層に固定する研磨材砥粒のサイズ（平均粒径）を選定して、研磨中に、ベベル研磨ヘッド５４をベベルに関して矢印Ｒ４の方向に旋回往復移動させると、半導体ウエハＷの上下傾斜面（図１Ｂに符号Ｐ、Ｑで示す）を所望の角度や形状に形成でき、また仕上げることができる。
【００９３】
半導体ウエハＷのベベルの研磨は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷを、ステージ移動手段により、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動して、半導体ウエハＷのベベルをテープに押し付け、ステージ回転手段により、ウエハステージ２３を回転（図６Ａに矢印Ｒ１で示す方向）させることにより行われる。ここで、ベベルの研磨が、テープ５３を使用して行われたが、このようなテープ研磨に限定されず、例えば、ベベルの研磨に、表面にパッドを貼り付けた既知の回転定盤や、既知の円筒形の回転砥石を使用して、ベベルを研磨してもよい。
【００９４】
＜テープ外径検出手段＞ ベベル研磨部５０は、ノッチ研磨部４０と同様、テープ供給ロール５６に巻き付けられているテープ５３の外径を検出するためのテープ外径検出手段を含み得る。このテープ外径検出手段は、ノッチ研磨部４０のものと同じく、投光部と受光部とを有する光学センサから構成され、テープ５３を巻き付けているテープ供給ロールが、投光部と受光部との間に配置される。そして、受光部における受光量が検出され、これにより、テープ供給ロール５６に巻き付けられているテープ５３の外径が検出される。この検出されたテープ５３の外径は、テープ５３をテープ供給ローラ５６から送り出すモータの制御装置に送られ、テープ５３をテープ供給ローラ５６から送り出すモータのトルク値が連続的に円滑に切り替わり、テープ５３の張力が一定する。
【００９５】
＜防水手段＞ 図１２Ａ、図１２Ｂ及び図１２Ｃに示すように、本発明の装置１０は、ハウジング１１の下室１６（特に、下室１６に収容されている平行移動機構３０）を防水するための防水手段からさらに構成される。
【００９６】
図１２Ａに示すように、防水手段は、上部を、軸台２９の上部に液密に固定し、低部を、仕切板１４に設けた開口部１７の周辺に液密に固定した中空の半円形状の防水カバー３６（図１２Ｂを参照）から構成され、軸台２９が矢印Ｘ、Ｙの方向に移動するので、軸台２９の移動による防水カバー３６の破損を防止するため、防水カバー３６は、弾力性を有する材料から成形される。
【００９７】
防水カバー３６は、図１２Ａに示すように、一重構造であってもよいし、図１２Ｃに示すように、二重構造であってもよい。防水カバー３６が、図１２Ｃに示す二重構造である場合、防水カバー３６の外側のカバー３７と、内側のカバー３８との間の空間に圧縮空気を吹き込むために、外部の空気ポンプ（図示せず）に連通した孔３９を、仕切板１４の開口部１７の周辺の、外側と内側のカバー３７、３８の間に設けられ得る。これは、内側と外側のカバー３７、３８の間の空間に圧縮空気を吹き込むことによって、外側のカバー３７を膨張させ、これにより、外側のカバー３７の表面に溜まった水滴などを弾き飛ばすためである。
【００９８】
防水カバー３６（３７、３８）として、プラスチックなどの材料からなる、通液性の無い可撓性シートが使用される。好適に、発泡体からなる可撓性シートが使用される。
【００９９】
＜センサ組立体＞ 図６Ａ及び図６Ｂに示すように、本発明の装置１０は、ウエハステージに保持した半導体ウエハＷのノッチの位置を検出するためのノッチ位置検出手段を有するセンサ組立体９０を含む。
【０１００】
ノッチ位置検出手段は、投光部と、受光部とを有する少なくとも一個の光学センサ（符号９１、９２、９３で示す）から構成される。
【０１０１】
光学センサとして、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチＮが投光部と受光部との間を通過するように、投光部と受光部とを配置したものが使用でき、半導体ウエハＷが回転（矢印Ｒ１）すると、投光部の直下をノッチＮが通過したときのみ、光が受光部で検出され、これにより、半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出される。
【０１０２】
変形的に、光学センサとして、直線光回帰型のものを使用できる。この直線光回帰型センサは、投光部と受光部とを同一の側に配置し、これら投光部及び受光部に対面させるように、投光部からの光線を反射する反射部を配置したレーザーセンサである。この光学センサの場合、投光部の直下を半導体ウエハＷのノッチＮが通過したときのみ、投光部からのレーザーが反射部で反射し、この反射光が受光部で検出され、これにより、半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出される。
【０１０３】
好適に、本発明では、上記のようにして半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出されると、半導体ウエハＷのノッチＮがノッチ研磨部のテープに向くように方向付けられて、ウエハステージの回転が停止する。
【０１０４】
図示の例では、ノッチ検出手段は、上記の光学センサを三個有する（符号９１、９２、９３で示す光学センサ）。そして、半導体ウエハＷを吸着して保持しているウエハステージ２３が、第一の回転数の範囲（好適に、１２ｒｐｍ以下、４ｒｐｍ以上の間の範囲）で回転しているときに、第一の光学センサ９１が、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置を検出し、ウエハステージ２３が、上記の第一の回転数の範囲よりも低い第二の回転数の範囲（好適に、４ｒｐｍ未満、１ｒｐｍ以上の間の範囲）で回転しているときに、第二の光学センサ９２が、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置を検出する。そして、ウエハステージ２３が、上記の第二の回転数の範囲よりも低い第三の回転数の範囲（好適に、１ｒｐｍ未満の範囲）で回転しているときに、第三の光学センサ９３が、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置を検出する。
【０１０５】
図１４Ａ〜図１４Ｃを参照する。半導体ウエハＷが回転（矢印Ｒ１）すると、図１４Ａに示すように、第一の光学センサ９１の投光部の直下をノッチＮが通過したとき、第一の光学センサ９１によりノッチの位置が検出される。このとき、ウエハステージ２３は、第一の回転数の範囲で回転している。また、第二の光学センサ９２の投光部からの光９９ｂと第三の光学センサの投光部からの光９９ｃの一部は半導体ウエハＷの周縁に遮られている。次に、図１４Ｂに示すように、第二の光学センサ９２の投光部の直下をノッチＮが通過したとき、第二の光学センサ９２によりノッチの位置が検出される。このとき、ウエハステージ２３は、第二の回転数の範囲で回転している。また、第一の光学センサ９１の投光部からの光９９ａと第三の光学センサ９３の投光部からの光９９ｃの一部は半導体ウエハＷの周縁に遮られている。次に、図１４Ｃに示すように、第三の光学センサ９３の投光部の直下をノッチＮが通過したとき、第三の光学センサ９３によりノッチの位置が検出される。このとき、ウエハステージ２３は、第三の回転数の範囲で回転している。また、第一及び第二の光学センサ９２の投光部からの光９９ａ、９９ｂは半導体ウエハＷの周縁に遮られている。
【０１０６】
すなわち、ウエハステージ２１が減速し、停止するまでの間に、第一、第二及び第三の光学センサ９１、９２、９３によって、段階的にノッチＮの位置が検出される。第三の光学センサ９３は、ノッチＮの最も深い部分の位置を検出して、ノッチＮの位置をより高精度に検出する。これによると、ウエハステージ２３の回転軸（図３に符号Ｃｓで示す）に関する半導体ウエハＷのノッチＮの位置（角度）の誤差を、±０．１°内の精度で位置決めできる。また、単に、一方向に回転（矢印Ｒ１の方向）させた半導体ウエハＷの回転を減速させる間にノッチＮの位置を検出するだけなので、ノッチＮの位置を精度よく短時間で行える。
【０１０７】
センサ組立体９０は、ウエハステージ２３上に保持した半導体ウエハＷの径方向の位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段を有する。このような位置ズレは、第一及び第二のチャックハンド８１、８２のコマ８３の摩耗により発生し得るものである。
【０１０８】
図１３Ａ及び図１３Ｂを参照する。位置ズレ検出手段は、投光部と、受光部とを有する光学センサ９３´から構成される。この光学センサ９３´は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハＷを回転させると、図１３Ｂのグラフに示すように、光学センサ９３´は、その受光部での受光量の変化を検出し、これにより、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの径方向の位置ズレ（図１３Ａに符号εで示す）が検出される。位置ズレは、例えば、半導体ウエハＷの中心（符号Ｃｈ）を原点とし、この中心（符号Ｃｈ）から任意の放射方向に伸びる軸線（符号ｒ）を基準とした極座標系において、この軸線（符号ｒ）からの回転角（符号θ）と、原点（符号Ｃｈ）からのウエハステージ２３の中心（符号Ｃｓ）までの距離で表される。また、図１３Ｂのグラフに示すように、位置ズレが検出されるだけでなく、ノッチの位置も検出される。この位置ズレの検出は、半導体ウエハＷを一回転させるだけで検出できる。なお、半導体ウエハＷの中心（符号Ｃｈ）が、ウエハステージ２３の回転軸（符号Ｃｓ）と一致しているとき（すなわち、位置ズレがないとき）、検出される受光量は、図１３Ｂのグラフに破線で示す直線となる。
【０１０９】
図６Ａ及び図６Ｂに示す例では、上記の第三の光学センサ９３が、この位置ズレ検出手段の光学センサを兼用する。
【０１１０】
すなわち、図１４Ａ〜図１４Ｃに示すように、半導体ウエハＷが矢印Ｒ１の方向に回転している間、第三の光学センサ９３の投光部からの光９９ｃの一部が受光部に到達するように、第三の光学センサ９３は、ウエハステージ２１に保持した半導体ウエハＷのノッチＮを含む周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハＷの回転中、この第三の光学センサ９３は、その受光部での受光量の変化を検出する。これにより、ウエハステージ２１に吸着して保持されている半導体ウエハＷの径方向の位置ズレが検出され、さらに、ウエハステージ２３が上記の第三の回転数の範囲で回転しているときに、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出される。
【０１１１】
センサ組立体９０は、防水手段からさらに構成される。これは、半導体ウエハＷのテープ研磨に使用される冷却液又は研磨液によるセンサ組立体９０の光学センサ９１、９２、９３などの損傷などを防止するためのものである。防水手段は、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、光学センサの位置を半導体ウエハの位置から退避させるために、センサ組立体９０を回転（図６Ｂに矢印Ｒ２で示す方向）させるためのセンサ組立体回転手段、及び退避させた光学センサを覆うためのシャッター９４から構成される。センサ組立体回転手段は、図示しないが、センサ組立体９０に固定したシャフトを、モータを駆動して回転させるものである。また、図７Ｂに示すように、シャッター９４は、エアピストンなどの手段により、矢印Ｔ３の方向に移動され、光学センサを覆う。
【０１１２】
＜第二の位置ズレ検出手段＞ 図１１を参照する。ベベル研磨部５０は、半導体ウエハＷのベベルの研磨中、この半導体ウエハＷの位置ズレを検出するための第二の位置ズレ検出手段からさらに構成され得る。この第二の位置ズレ検出手段は、半導体ウエハＷの研磨中に、コンタクトパッド５１を介してテープ５３を半導体ウエハＷのベベルに押し付けているシリンダーの伸縮の変化を検出する変位センサ（図示せず）から構成される。位置ズレが検出されると、この位置ズレがステージ移動手段にフィードバックされ、半導体ウエハＷの径方向の位置ズレが修正される。
【０１１３】
＜清浄化手段＞ 本発明の装置１０は、図示しないが、ハウジング１１の内部を清浄に維持するための清浄化手段からさらに構成される。
【０１１４】
この清浄化手段は、ハウジング１１の上室１５の天井に設けた吸気口、ハウジング１１の上室１５の側面の下方に設けた排気口、及びこの排気口に連通する外部ポンプから構成され、吸気口から流入した空気が、ハウジング１１の内部の側面に沿って流れるように、吸気口及び排気口がハウジング１１に設けられる。このようにハウジング１１の内部の側面に沿うように空気の流れを形成することで、浮遊塵（パーティクル）が、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの表面上に付着せずに、外部に排出される。
【０１１５】
＜ウエハ乾燥防止手段＞ 本発明の装置１０は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷに純水を供給するためのウエハ乾燥防止手段（ｎ１、ｎ２）からさらに構成される。これは、ノッチ研磨部４０とベベル研磨部５０の各研磨部における半導体ウエハＷの研磨が終了した後、次の処理のために、半導体ウエハＷを移動させている間に半導体ウエハＷの乾燥を防止するためのものである。図２〜図４に示すように、ウエハ乾燥防止手段は、ハウジング１１内に配置したノズルｎ１、ｎ２から構成され、これらノズルｎ１、ｎ２から半導体ウエハＷに向けて純水が吹き付けられる。このように、移動中の半導体ウエハＷに純水が供給されるので、半導体ウエハＷの乾燥が防止されるだけでなく、半導体ウエハＷへの浮遊塵（パーティクル）の付着も防止できる。
【０１１６】
図示の例では、ウエハ乾燥防止手段は、二個のノズルｎ１、ｎ２から構成されるが、一個のノズルを使用してもよく、また三個以上のノズルを使用してもよい。また、ノッチ研磨の際に、半導体ウエハＷを、ノッチに関して、ウエハステージの表面と同一平面内で旋回往復移動させても、半導体ウエハＷがノズルに衝突しない位置に、ノズルは配置される。
【０１１７】
＜研磨方法＞ 本発明に従って、半導体ウエハＷの周縁（ベベルとノッチ）を研磨する。
【０１１８】
エアシリンダーを作動してシャッター１３を駆動し、ハウジング１１の側面の開口部１２を開き、搬送ロボットハンド１３により、半導体ウエハＷをハウジング１１の上室１５内に搬入し、半導体ウエハＷをウエハステージ２３の直上へと輸送し、半導体ウエハＷの受取位置（符号Ｌ２で示す）に位置させた第一及び第二のチャックハンド８１、８２で、この半導体ウエハＷを挟持する。このとき、半導体ウエハＷの中心は、その下方に位置するウエハステージ２３の中心の直上に位置する。その後、搬送ロボットハンド１３をハウジング１１外へ退避させ、エアシリンダーを作動してシャッター１３を駆動し、ハウジング１１の開口部１２を閉じる。
【０１１９】
半導体ウエハＷを挟持した第一及び第二のチャックハンド８１、８２をウエハ載置位置（符号Ｌ３で示す）まで下降し、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を開いて半導体ウエハＷをウエハステージ２３のパッド２４上に載置する。第一及び第二のチャックハンド８１、８２は、退避位置（符号Ｌ１で示す）まで上昇する。また、真空ポンプが駆動して半導体ウエハＷをウエハステージ２３に吸着して保持させる。
【０１２０】
センサ組立体９０を回転させ、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの周縁上に光学センサ９１、９２、９３を位置させ、ウエハステージ２３を回転（矢印Ｒ１の方向）させて、半導体ウエハＷのノッチの位置を検出する。また、ウエハステージ２３の回転中に、半導体ウエハＷの位置ズレも検出する。
【０１２１】
半導体ウエハＷの位置ズレが検出されると、第一及び第二のチャックハンド８１、８２がウエハ載置位置（符号Ｌ３）まで下降し、半導体ウエハＷを挟持し、持ち上げる（半導体ウエハＷの真空吸着力は、半導体ウエハＷがやや持ち上がったところで、真空ポンプを停止することにより解除される）。そして、検出された位置ズレ量だけウエハステージ２３を移動し、上記したように、半導体ウエハＷを挟持した第一及び第二のチャックハンド８１、８２をウエハ載置位置（符号Ｌ３）まで下降し、これらチャックハンド８１、８２を開いて半導体上はＷをウエハステージ２３上に載置し、真空ポンプを駆動して半導体ウエハＷをウエハステージ２３に吸着して保持させる。その後、上記したように、ウエハステージ２３を回転Ｒ１させ、センサ組立体９０の光学センサ９１、９２、９３で、半導体ウエハＷのノッチの位置を検出するとともに、半導体ウエハＷの位置ズレを検出する。この工程は、位置ズレが検出されなくなるまで続けられ得る。
【０１２２】
次に、ノッチ研磨部４０に向けてウエハステージ２３を移動し、ノッチ研磨ヘッド４４のテープ４３に半導体ウエハＷのノッチを押し付ける。ノズル４８を通じて、半導体ウエハＷのノッチに研磨液を供給しながら、半導体ウエハＷのノッチをテープ４３に押し付けた状態で、テープ４３を走行させ、ノッチの位置に関して、ウエハステージ２３を半導体ウエハＷの表面と同一平面上で旋回往復移動（矢印Ｒ５の方向）させて、半導体ウエハＷのノッチを研磨する。
【０１２３】
研磨中、半導体ウエハＷに供給されている研磨液により、ノッチが冷却され、またノッチにおける摩擦係数も低下する。さらに、研磨中に、研磨クズが飛散することもなく、たとえ飛散しても、研磨液により洗い流され、半導体ウエハに付着することがない。
【０１２４】
また、ノッチ研磨ヘッド４４を上下方向に真直ぐに往復移動させてもよいし、また、上下方向に旋回往復移動（矢印Ｒ３の方向）させて、ノッチのエッジＥ（図１Ｂを参照）も研磨してもよい。
【０１２５】
次に、ベベル研磨部５０に向けてウエハステージ２３を移動し、コンタクトパッド５１を介してテープ４３に半導体ウエハＷのベベルを押し付ける。
【０１２６】
ここで、半導体ウエハＷの乾燥防止のため、ウエハステージ２３の移動中、ノズルｎ１、ｎ２を通じて半導体ウエハＷに純水が供給される。
【０１２７】
ノズル５８を通じて、半導体ウエハＷのベベルに研磨液を供給しながら、半導体ウエハＷのベベルをテープ５３に押し付けた状態で、テープ５３を走行させるとともに、ウエハステージ２３を回転させて、半導体ウエハＷのベベルを研磨する。
【０１２８】
研磨中、半導体ウエハＷに供給されている研磨液により、ベベルが冷却される。さらに、研磨中に、研磨クズが飛散することもなく、たとえ飛散しても、研磨液により洗い流され、半導体ウエハに付着することがない。
【０１２９】
また、ベベル研磨ヘッド５４を上下方向に真直ぐに往復移動させてもよいし、また、上下方向に旋回往復移動（矢印Ｒ４の方向）させて、ベベルとエッジＥを研磨してもよい。
【０１３０】
ここで、ノッチの研磨を行ってからベベルの研磨を行ったが、ベベルの研磨を行ってから、ノッチの研磨を行ってもよい。
【０１３１】
また、ベベルの研磨中に、半導体ウエハの径方向の位置ズレを検出する。位置ズレが検出されると、この位置ズレがステージ移動手段にフィードバックされ、半導体ウエハＷの径方向の位置ズレが修正される。
【０１３２】
ベベルとノッチの研磨後、ウエハステージ２３を元の位置に戻す。第一及び第二のチャックハンド８１、８２が退避位置（符号Ｌ１）からウエハ載置位置（符号Ｌ３）へ下降して半導体ウエハＷを挟持し、持ち上げる。半導体ウエハＷが少しだけ持ち上がったところで、真空ポンプを停止し、真空吸着を解除する。第一及び第二のチャックハンド８１、８２がウエハ受渡位置（符号Ｌ２）に到達する。エアシリンダーによりシャッター１３が駆動され、ハウジング１１の開口部１２が開き、搬送ロボットハンド１３がハウジング１１内に入り、半導体ウエハＷの下側に位置する。第一及び第二のチャックハンド８１、８２が開いて、半導体ウエハＷが搬送ロボットハンド１３上に載置され、搬送ロボットハンド１３が開口部１２を通じて半導体ウエハＷをハウジング１１外へ搬送する。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】図１Ａは、半導体ウエハの平面図であり、図１Ｂ及び図１Ｃは、それぞれ、半導体ウエハの周縁付近の断面図である。
【図２】図２Ａは、本発明の装置の平面図であり、図２Ｂは、半導体ウエハを、そのノッチに関して旋回往復移動させているところを示す。
【図３】図３は、図１の３−３線断面図である。
【図４】図４は、図１の４−４線断面図である。
【図５】図５Ａは、ウエハチャック手段の平面図であり、図５Ｂは、ウエハチャック手段の側面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、センサ組立体の平面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、センサ組立体の側面図である。
【図８】図８は、テープ外径検出手段を示す。
【図９】図９は、ウエハステージの平面図である。
【図１０】図１０は、ノッチ研磨ヘッドの側面図である。
【図１１】図１１は、ベベル研磨ヘッドの側面図である。
【図１２】図１２Ａは、一重構造の防水手段の断面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａの防水カバーの斜視図であり、図１１Ｃは、二重構造の防水手段の断面図である。
【図１３】図１３Ａは、半導体ウエハをウエハステージに保持させたところの平面図であり、図１３Ｂは、ウエハの回転角に対する受光量の変化を示すグラフである。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｃは、それぞれ、第一、第二及び第三の光学センサの投光部の直下を半導体ウエハのノッチが通過したところを示す。
【符号の説明】
【０１３４】
１０・・・本発明の装置
１１・・・ハウジング
２０・・・ウエハステージユニット
２３・・・ウエハステージ
３０・・・ステージ移動手段
４０・・・ノッチ研磨部
５０・・・ベベル研磨部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの周縁（ノッチとベベル）を研磨するための装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハの周縁は、ノッチを研磨する装置（特許文献３を参照）と、ベベルを研磨する装置（特許文献１、２を参照）とを個別に使用して研磨している。半導体ウエハの周縁の研磨は、被研磨部（ノッチ又はベベル）に、水又は水ベースの反応液に研磨材砥粒を分散させたスラリー状の研磨液や、冷却水を供給しながら、織布、不織布、発泡体などからなるテープや、接着剤で研磨材砥粒を固定した研磨層をプラスチックなどの表面に形成したテープをこの被研磨部に押し付けた状態で走行させ、これにより被研磨部を湿式に研磨している。
【特許文献１】特開平７−１６４３０１号公報
【特許文献２】特開平８−１７４３９９号公報
【特許文献３】特開平９−８５５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の技術では、半導体ウエハのノッチとベベルとを個別に研磨していたので、これら装置間の半導体ウエハの搬送に時間がかかるだけでなく、設備スペースが大きくなる、という問題がある。また、搬送中に半導体ウエハが乾燥し、デバイスウエハの歩留まりが悪化する、という問題が生じる。
【０００４】
各装置内のウエハステージへの半導体ウエハの位置決めは、ウエハ搬送用のロボットの一対のチャックハンドで半導体ウエハの周縁を挟持して行っているが、精度よく位置決めをするため、複数個のシリンダーを使用しているので、設備スペースが大きくなる。また、シリンダーとして空気圧シリンダーを使用しているので、位置決めに０．５ｍｍ程度の誤差が生じる。さらに、半導体ウエハの周縁に過度の挟持力がかかり、半導体ウエハの周縁を破損する、という問題が生じる。
【０００５】
半導体ウエハは、ウエハステージに真空により吸着されており、この半導体ウエハのウエハステージからの剥離は、ウエハ搬送用のロボットの一対のチャックハンドで半導体ウエハの周縁を挟持し、このチャックハンドを持ち上げた瞬間に、半導体ウエハとウエハステージとの間の真空吸着状態を解除している。このことから、ウエハステージに吸着している半導体ウエハを剥離するとき、大きな剥離力（半導体ウエハをウエハステージから剥離するのに要する力）を半導体ウエハに瞬時にかけなければならず、半導体ウエハを変形させたり、破損させる、という問題が生じる。
【０００６】
従来の技術では、テープは、研磨中、テープ供給ローラから送り出され、テープの外径（すなわち、残量）に従って、テープ供給ローラからテープを送り出すためのモータのトルク値を変え、被研磨部に押し付けられるテープの張力を調節しているが、テープの外径が、このテープ供給ロールの側面に複数個（一般に８個）配列した光学センサの受光部に入射する投光部からの光の有無によって決定されているため、モータのトルク値が段階的に切り替わり、テープの張力が一定しない、という問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、したがって、本発明の第一の目的は、半導体ウエハの周縁を加工することを目的とするものであり、半導体ウエハのノッチとベベルの研磨を一つの装置内で効率よく行うことのできる半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【０００８】
本発明の第二の目的は、研磨時間を短縮し、装置設備を省スペース化した上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【０００９】
本発明の第三の目的は、ウエハステージへの半導体ウエハの位置決めをより高精度に行える上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【００１０】
本発明の第四の目的は、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハを容易に剥離できる上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【００１１】
本発明の第五の目的は、研磨ヘッドのテープの外径（残量）に無関係に、テープを一定の張力に維持できる上記の半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、半導体ウエハの周縁（ノッチとベベル）を研磨するための装置及び方法である。
【００１３】
＜装置＞ 上記目的を達成する本発明の装置は、半導体ウエハの周縁を研磨するための装置であって、半導体ウエハを保持するためのウエハステージ、ウエハステージを回転させるためのステージ回転手段、及びウエハステージの表面と同一平面内で旋回往復移動させるためのステージ旋回往復移動手段から構成されるウエハステージユニット、ウエハステージユニットを、ウエハステージの表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段、ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨するための２以上の研磨部から構成される。
【００１４】
これら２以上の研磨部は、ウエハステージに保持した半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及びウエハステージに保持した半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する。
【００１５】
本発明の装置は、ウエハステージユニット、研磨部、ステージ移動手段を収容し、側面に開閉可能な開口部を有するハウジングを含む。
【００１６】
ハウジングは、仕切板によって二つの空間に区画され、これら二つの空間のうちの一方の空間には、ウエハステージユニットと研磨部が収容され、他方の空間には、ステージ移動手段が収容される。
【００１７】
本発明の装置は、ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給するためのウエハ乾燥防止手段を含む。
【００１８】
本発明の装置は、ハウジングの内部に搬入された半導体ウエハを受け取ってこの半導体ウエハをウエハステージ上に載置し、ウエハステージ上の半導体ウエハをウエハ搬送手段に受け渡すウエハチャック手段を含む。
【００１９】
ウエハチャック手段は、二個又はそれ以上の個数のコマを有する第一のチャックハンド、二個又はそれ以上の個数のコマを有する第二のチャックハンド、第一及び第二のチャックハンドを開閉させるためのチャックハンド開閉手段、及び第一及び第二のチャックハンドをウエハステージの表面と垂直な方向に往復移動させるためのチャック移動手段から構成される。第一及び第二のチャックハンドを閉じると、これら第一及び第二のチャックハンドのそれぞれのコマが半導体ウエハの周縁に接触し、これにより、半導体ウエハが、第一及び第二のチャックハンドに挟持される。
【００２０】
チャックハンド開閉手段は、第一及び第二のチャックハンドのうちの少なくとも一方のチャックハンドを螺合させたボールネジ、及びボールネジを駆動するためのサーボモータから構成される。サーボモータを駆動すると、第一及び第二のチャックハンドが開閉移動する。
【００２１】
本発明の装置は、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチの位置を検出するためのノッチ位置検出手段を有するセンサ組立体を含む。
【００２２】
ノッチ位置検出手段は、投光部と、受光部とを有する少なくとも一個の光学センサから構成される。光学センサは、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチが投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハを回転させると、光学センサによって、この半導体ウエハのノッチの位置が検出される。
【００２３】
好適に、ノッチ検出手段は、光学センサを三個有する。半導体ウエハを吸着して保持しているウエハステージが、第一の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第一の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出し、ウエハステージが、第一の回転数の範囲よりも低い第二の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第二の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する。そして、ウエハステージが、第二の回転数の範囲よりも低い第三の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第三の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する。
【００２４】
センサ組立体は、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの径方向の位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段を有する。
【００２５】
位置ズレ検出手段は、投光部と、受光部とを有する光学センサから構成される。光学センサは、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハを回転させることにより、光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出する。これにより、ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出される。
【００２６】
好適に、上記の第三の光学センサは、ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチを含む周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。この半導体ウエハを回転させると、第三の光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出する。これにより、ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出され、さらに、ウエハステージが第三の回転数の範囲で回転しているときに、この半導体ウエハのノッチの位置が検出される。
【００２７】
センサ組立体は、防水手段を含む。
【００２８】
本発明の装置において、ノッチ研磨部は、相互に間隔をあけて平行に配列した第一及び第二のローラを有するノッチ研磨ヘッド、及びテープを巻き付けたテープ供給ロールと、テープを、テープ供給ロールから、第一及び第二のローラを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラと、テープを巻き取るために、テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段とを有するテープ供給巻取手段から構成され、第一のローラと第二のローラとの間を通過するテープが、半導体ウエハのノッチに押し付けられ、これにより、ノッチが研磨される。
【００２９】
テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される。
【００３０】
ノッチ研磨部は、テープをノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨部を半導体ウエハの表面に垂直な方向に往復移動させるための手段を含み得る。
【００３１】
また、ノッチ研磨部は、半導体ウエハのノッチの表面側と裏面側が研磨されるように、テープをノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッドを、ノッチに関して旋回往復移動させるための手段を含み得る。
【００３２】
好適に、ノッチ研磨部は、テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径を検出するためのテープ外形検出手段を含む。
【００３３】
本発明の装置において、ベベル研磨部は、先端にコンタクトパッドを取り付けたシリンダーを有するベベル研磨ヘッド、及びテープを巻き付けたテープ供給ロールと、テープを、テープ供給ロールから、コンタクトパッドを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラと、テープを巻き取るために、テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段とを有するテープ供給巻取手段から構成される。コンタクトパッド上を通過するテープが、ベベルに押し付けられ、これにより、ベベルが研磨される。
【００３４】
テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される。
【００３５】
ベベル研磨部は、半導体ウエハのベベルの表面側と裏面側が研磨されるように、テープをベベルに押し付けた状態で、ベベル研磨ヘッドをベベルに関して旋回往復移動させるための手段を含む。
【００３６】
ベベル研磨部は、テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径検出手段を含む。
【００３７】
ベベル研磨部は、半導体ウエハのベベルの研磨中、この半導体ウエハの位置ズレを検出するための第二の位置ズレ検出手段を含む。この第二の位置ズレ検出手段は、半導体ウエハの研磨中に、半導体ウエハの研磨中に、コンタクトパッドを介してテープを半導体ウエハのベベルに押し付けているシリンダーの伸縮の変化を検出する変位センサから構成される。
【００３８】
本発明の装置の装置は、ハウジングの内部を清浄に維持するための清浄化手段を含む。この清浄化手段は、ハウジングの上面に設けた吸気口、ハウジングの下面に設けた排気口、及び排気口に連通する外部ポンプから構成され、吸気口から流入した空気が、ハウジングの内部の側面に沿って流れるように、吸気口及び排気口がハウジングに設けられる。
【００３９】
本発明の装置は、仕切板によって区画されているハウジングの二つの空間のうちの他方の空間を防水するための防水手段からさらに構成される。
【００４０】
好適に、本発明の装置では、ハウジングの仕切板が、開口部を有し、ステージの回転手段は、ウエハステージの裏側の中心に取り付けたシャフト、このシャフトを回転可能に取り付けた支持体、及びこのシャフトを回転させるモータから構成される。また、ステージの旋回往復移動手段は、ウエハステージの中心から半導体ウエハの略半径の長さ分だけオフセットした位置で、ハウジングの仕切板の開口部を通じて、ウエハステージユニットの支持体の下面に固定した第二のシャフト、及び仕切板の下側で、この第二のシャフトを回転させるための第二のモータから構成される。この第二のシャフトは、中空筒状の軸台に回転可能に取り付けられ、この軸台の下面は、ハウジングの仕切板の下方に位置する支持板に固定される。そして、軸台の上面は、支持体の下面に当接して支持体を支持し、第二のモータは、この支持体に固定される。
【００４１】
この装置の防水手段は、上部を、軸台の上部に液密に固定し、低部を、仕切板の開口部の周辺に液密に固定した中空の半円形状の防水カバーから構成され、この防水カバーは、弾力性を有する材料から形成される。
【００４２】
好適に、この防水カバーは、二重構造である。このとき、本発明の装置は、この二重構造の防水カバーの外側のカバーと、内側のカバーとの間の空間に圧縮空気を吹き込むための手段からさらに構成される。
【００４３】
＜研磨方法＞ 上記目的を達成する本発明の方法は、半導体ウエハの周縁を研磨するための方法であって、ウエハステージに半導体ウエハを吸着して保持させるウエハ保持工程、及びウエハステージに吸着して保持させた半導体ウエハの周縁を２以上の研磨部で研磨する研磨工程から構成される。
【００４４】
研磨工程は、半導体ウエハを保持したウエハステージを２以上の研磨部の各々に向けて、順次移動させ、各研磨手段で、ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨する工程から構成される。
【００４５】
本発明の方法は、半導体ウエハを保持したウエハステージが２以上の研磨部の間を移動しているとき、ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給する乾燥防止工程を含む。
【００４６】
２以上の研磨部は、半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及び半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する。
【発明の効果】
【００４７】
本発明が以上のように構成されるので以下のような効果を奏する。
【００４８】
ノッチ用とベベル用の各研磨ヘッドの間の半導体ウエハの搬送が、ステージ移動手段により、ウエハステージを移動させるだけでできるので、半導体ウエハのノッチとベベルの研磨を一つの装置内で効率よく行うことができるだけでなく、研磨時間の短縮、及び装置設備の省スペース化ができる。
【００４９】
ノッチ検出手段と位置ズレ検出手段とを備えたので、ウエハステージへの半導体ウエハの位置決めがより高精度に行える。
【００５０】
ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハをチャックハンドで挟持したままの状態で、この半導体ウエハをウエハステージの表面から少し（０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ）浮き上がらせてから真空吸着が解除されるので、半導体ウエハを容易に剥離できる。
【００５１】
テープ供給ロールに残留するテープの厚さを光学センサにより連続的に検出するので、テープの張力を一定にできる。
【００５２】
駆動系（平行移動手段）の構成成分を可撓性シートからなる防水カバーで覆ったので、装置内の駆動系の防水が十分にできるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
本発明の装置は、半導体ウエハの周縁（ノッチとベベル）を研磨するためのものである。
【００５４】
図１Ａに示すように、半導体ウエハＷは、シリコン単結晶からなる薄い円盤であり、この円盤の外周には、シリコンの結晶方向を示す目印となるノッチＮと呼ばれる切欠きが形成されており、このノッチＮは、半導体処理装置において、円形の半導体ウエハＷの位置決めなどの基準として利用されるものである。
【００５５】
半導体ウエハＷは、その周縁の断面形状に従って「ストレート型」と「ラウンド型」に大別できる。ストレート型の半導体ウエハは、図１Ｂに示すように、断面形状が多角形状（台形状）のものをいい、ラウンド型の半導体ウエハは、図１Ｃに示すように、断面形状が曲線状（半円形状、半楕円形状）のものをいう。
【００５６】
なお、本明細書において、用語「ベベル」は、図１Ｂに示すストレート型の半導体ウエハＷにおいては、上側傾斜面Ｐ、下側傾斜面Ｑ及び端面Ｒの部分（符号Ｂで示す部分）をいい、ラウンド型の半導体ウエハにおいては、図１Ｃに符号Ｂで示す曲面の部分をいう。また、用語「エッジ」は、半導体デバイスを形成する部分（符号Ｄで示す部分）とベベルＢとの間の領域（符号Ｅで示す）をいう。
【００５７】
＜装置＞ 図２〜図４に示すように、本発明の装置１０は、半導体ウエハＷを保持するためのウエハステージ２３を有するウエハステージユニット２０、ウエハステージユニット２０を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段３０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの周縁を研磨するための２以上の研磨部から構成される。ここで、図示の例では、これら２以上の研磨部として、代表的に、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチを研磨するノッチ研磨部４０、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのベベルを研磨するベベル研磨部５０の２つの研磨部を有する装置１０について説明するが、２以上の研磨部として、さらに多数のノッチ研磨部やベベル研磨部を備えていてもよい。すなわち、例えば、ノッチ研磨部とベベル研磨部がそれぞれ三つずつ備えられている場合、これらノッチ及びベベル研磨部のそれぞれの第一の研磨部で粗研磨を行い、第二の研磨部で仕上げ研磨を行い、第三の研磨部でクリーニングを行うことができる。
【００５８】
ハウジング１１は、仕切板１４によって二つの空間に区画され、これら二つの空間のうちの一方の空間（符号１５で示す上室）に、ウエハステージユニット２０、ノッチ研磨部４０及びベベル研磨部５０が収容され、これら二つの空間のうちの他方の空間（符号１６で示す下室）に、ステージ移動手段３０が収容される。
【００５９】
ハウジング１１は、その上室１５の側面に開口部１２を有する。この開口部１２は、シリンダー（図示せず）により駆動されるシャッター１３により開閉される。半導体ウエハＷは、この開口部１２を通じて、ハウジング１１の内外に搬入、搬出される。半導体ウエハＷの搬入、搬出は、搬送ロボットハンド（図５Ａ及び図５Ｂに符号１３で示す）のような既知のウエハ搬送手段により行われる。なお、シャッター１３によりハウジング１１の開口部１２を閉じることで、ハウジング１１の内部が外部から完全に遮断され、研磨中、ハウジング１１内のクリーン度及び気密性が維持され、これにより、ハウジング１１の外部からの半導体ウエハの汚染や、研磨中にハウジング１１の内部からの研磨液やパーティクル等の飛散によるハウジング１１外部の汚染を防止できる。
【００６０】
＜ウエハチャック手段＞ 本発明の装置１０は、ハウジング１１内に搬入された半導体ウエハＷをウエハステージ２３に載置し、またウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをウエハステージ２３から取り上げるためのウエハチャック手段８０からさらに構成される。
【００６１】
図５Ａに示すように、ウエハチャック手段８０は、二個又はそれ以上の個数のコマ８３を有する第一のチャックハンド８１、二個又はそれ以上の個数のコマ８３を有する第二のチャックハンド８２、これら第一及び第二のチャックハンド８１、８２を、ウエハステージに保持した半導体ウエハの表面と平行な方向に開閉（矢印Ｔ１）させるためのチャックハンド開閉手段８４、及び第一及び第二のチャックハンド８１、８２を、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハの表面に垂直な方向（矢印Ｔ２）に往復移動させるためのチャック移動手段８５から構成され、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を閉じると、これら第一及び第二のチャックハンド８１、８２のそれぞれのコマ８３が半導体ウエハＷの周縁に接触し、これにより、半導体ウエハＷが、第一及び第二のチャックハンド８１、８２に挟持される。
【００６２】
このチャックハンド開閉手段８４は、図５Ａに示すように、第一及び第二のチャックハンド８１、８２に螺合させたボールネジｂ５、ボールネジｂ５を駆動するためのサーボモータｍ５、及び第一及び第二のチャックハンド８１、８２に貫挿させた矢印Ｔ１の方向に伸びるリニアガイド８７から構成され、ガイド８６及びカップリング８９がボールネジｂ５に連結されており、サーボモータｍ５を駆動すると、第一及び第二のチャックハンド８１、８２が矢印Ｔ１の方向に開閉移動する。好適に、第一及び第二のチャックハンド８１、８２で半導体ウエハＷを挟持したとき、この半導体ウエハＷの中心は、ウエハステージの中心（後述するウエハステージ２３の回転軸Ｃｓ）上に位置する。
【００６３】
チャック移動手段８５は、図５Ｂに示すように、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を取り付けた昇降台８８をボールネジ（図示せず）に螺合させ、このボールネジをサーボモータ（図示せず）により駆動して、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を、ウエハステージ２３の表面に垂直な方向（矢印Ｔ２の方向）に往復移動させるものである。図５Ｂには、符号Ｌ１で示す退避位置、符号Ｌ２で示すウエハ受渡位置（搬送ロボットハンド１３上の半導体ウエハＷを第一及び第二のチャックハンド８１、８２で挟持し、又は搬送ロボットハンド１３へ半導体ウエハＷを載置する位置）、及び符号Ｌ３で示すウエハ載置位置（ウエハステージ２３上へ半導体ウエハＷを載置し、又はウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷを第一及び第二のチャックハンド８１、８２で挟持する位置）を示す。
【００６４】
＜ウエハステージユニット＞ 図２〜図４に示すように、ウエハステージユニット２０は、ウエハステージ２３を回転させるためのステージ回転手段、及びウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチに関してウエハステージ２３を、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの表面と同一平面内で旋回往復移動（矢印Ｒ５の方向）させるためのステージ旋回往復移動手段をさらに有する。
【００６５】
＜ウエハステージ＞ ウエハステージ２３は、図２〜図４及び図９に示すように、真空ポンプ（図示せず）に連通した１個又は複数個の吸引孔２５（図示の例では１個）を設けた平坦な表面を有する。この表面上には、吸引孔２５を塞がないように、一定の高さ（厚さ）の弾力性のあるパッド２４が粘着されている。半導体ウエハＷは、このパッド２４上に載置される。吸引孔２５は、中空のシャフト２７、このシャフト２７の下端に回転可能に取り付けたパイプ２８、及び中空のシャフト３１を通じて、外部の真空ポンプ（図示せず）に連通している。
【００６６】
パッド２４の上面には、吸引孔２５に連通する溝２６、２６´が形成されている。好適に、パッド２４の上面に、同心円状の複数個の環状の溝２６と、これら環状溝２６を連結する複数個の放射状の溝２６´とが形成され、これら環状の溝２６と放射状の溝２６´は、上記の真空ポンプに連通している。パッド２４上に半導体ウエハＷを載置すると、これら溝２６、２６´は、半導体ウエハＷの裏面によって、気密にシールされる。そして、真空ポンプを駆動すると、半導体ウエハＷは、その裏面からパッド２４によって支持され、変形（湾曲）することなく、ウエハステージ２３に吸着されて保持される。
【００６７】
上記のようにして第一及び第二のチャックハンド８１、８２に挟持された半導体ウエハＷは、チャック移動手段８５により、ウエハステージ２３上のパッド２４上に載置される。そして、チャックハンド開閉手段８４により、これらチャックハンド８１、８２が開かれ、これと同時に、真空ポンプが駆動して、半導体ウエハＷの裏面側の空間（すなわち、パッド２４の上面に形成した溝２６、２６´の内部）が減圧され、パッド２４に押し付けられてやや沈み込む。これにより、半導体ウエハＷが、ウエハステージ２３にしっかりと吸着されて保持される。
【００６８】
他方、このようにウエハステージ２３に吸着して保持されている半導体ウエハＷは、第一及び第二のチャックハンド８１、８２で挟持された後、チャック移動手段８５により、上方へ持ち上げられる。そして、少し浮き上がったところ（０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ）で、真空ポンプが停止され、真空吸着が解除される。これにより、ウエハステージ２３に吸着している半導体ウエハＷを剥離するとき、大きな剥離力（半導体ウエハＷをウエハステージ２３から剥離するのに要する力）が半導体ウエハＷに瞬時にかかることがなくなった。すなわち、半導体ウエハＷを変形させることもなく、また破損させることもなく、半導体ウエハＷをウエハステージ２３から剥離できるのである。
【００６９】
＜ステージ回転手段＞ 図３及び図４に示すように、ステージ回転手段は、ウエハステージ２３の裏側に回転軸Ｃｓと同軸に取り付けたシャフト２７、及びこのシャフト２７にプーリーｐ１及びベルトｂ１を介して連結したモータｍ１から構成される。シャフト２７は、ユニット本体２１の支持体２２に軸受を介して回転可能に取り付けられている。モータｍ１は、支持体２２に固定されている。ウエハステージ２３は、モータｍ１を駆動すると、その中心すなわち回転軸Ｃｓに関して回転する。
【００７０】
＜ステージ旋回往復移動手段＞ ステージ旋回往復移動手段は、ウエハステージ２３の表面と同一平面内で、ウエハステージ２３を旋回往復移動させるためのものである。このステージ旋回往復移動手段は、ウエハステージ２３の回転軸Ｃｓから半導体ウエハＷの略半径の長さ分だけオフセットした位置で、ハウジング１１の仕切板１４の開口部１７を貫通して、ウエハステージユニット２０のユニット本体２１の支持体２２の下面に固定したシャフト３１、及び仕切板１４の下側で、シャフト３１にプーリーｐ２とベルトｂ２を介して連結したモータｍ２から構成される。シャフト３１は、中空筒状の軸台２９に軸受を介して回転可能に取り付けられる。この軸台２９の下面は、ハウジング１１の仕切板１４の下方に位置する支持板３２に固定され、軸台２９の上面は、ユニット本体２１の下面に当接してユニット本体２１を支持している。また、モータｍ２は、支持板３２に固定されている。ウエハステージユニット２０は、このモータｍ２を駆動すると、このオフセットした位置、すなわち旋回軸Ｃｔに関して、ウエハステージ２３の表面と同一平面内で旋回往復移動（図２Ａ及び図２Ｂに矢印Ｒ５で示す方向）する。好適に、ステージ旋回往復移動手段は、半導体ウエハＷを保持したウエハステージ２３を、半導体ウエハＷのノッチに関して、ウエハステージ２３の表面と同一平面内で旋回往復移動させる。
【００７１】
＜ステージ移動手段＞ 図３及び図４に示すように、ステージ移動手段は、ステージ旋回往復移動手段の軸台２９を固定した支持板３２、及びこの支持板３２を、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動させるための平行移動機構３０から構成される。
【００７２】
この平行移動機構３０は、図示のように、ハウジング１１の仕切板１４と支持板３２との間に位置し、第一の方向（図２Ａ及び図４に示す矢印Ｘの方向）に移動可能にリニアガイド３５を介して仕切板１４に取り付けた可動板３３、この可動板３３を矢印Ｘの方向に移動させるために、可動板３３に連結したボールネジｂ４、及びこのボールネジｂ４を駆動するためのモータｍ４を有する。可動板３３は、開口部３３´を有し、この開口部３３´を軸台２９が通過する。また、この可動板３３の下面に、支持板３２が、第一の方向Ｘと直交する方向（図２及び図３に矢印Ｙで示す方向）に移動可能にリニアガイド３４を介して取り付けられ、支持板３２を矢印Ｙの方向に移動させるために、ボールネジｂ３が支持板３２に連結され、このボールネジｂ３が、可動板３３に固定したモータｍ３によって駆動される。すなわち、仕切板１４の下面に固定したモータｍ４を駆動すると、可動台３３に連結したボールネジｂ４が回転し、可動台３３が矢印Ｘの方向に移動する。また、可動台３３に固定したモータｍ３を駆動すると、支持板３２に連結したボールネジｂ３が回転し、支持板３２が、可動台３３に関して、矢印Ｙの方向に移動する。なお、ウエハステージユニット２０の矢印Ｘ、Ｙの方向の移動の範囲は、仕切板１４に設けた開口部１７の大きさと、可動板３３に設けた開口部３３´の大きさに依存するので、ウエハステージユニット２０の移動範囲を大きくするときは、装置１０の設計段階において、これら開口部１７、３３´の大きさを大きくすればよい。
【００７３】
＜ノッチ研磨部＞ ノッチ研磨部４０は、図３及び図１０に示すように、テープ４３に半導体ウエハＷのノッチを押し付けるノッチ研磨ヘッド４４、及びテープ４３をノッチ研磨ヘッド４４へ供給し、供給したテープ４３を巻き取るテープ供給巻取手段４５から構成される。
【００７４】
ノッチ研磨ヘッド４４は、相互に間隔をあけて平行に配列して取り付けた第一及び第二のローラ４１、４２を有し、半導体ウエハＷのノッチが、第一のローラ４１と第二のローラ４２との間を通過するテープ４３に押し付けられる。
【００７５】
テープ供給巻取手段４５は、テープ４３を巻き付けたテープ供給ロール４６、テープ供給ロール４６からのテープ４３を、第一及び第二のローラ４１、４２を介して巻き取るためのテープ巻取ローラ４７、及びテープ４３を巻き取るために、テープ巻取ローラ４７を駆動するための巻取ローラ駆動手段（図示せず）から構成される。
【００７６】
ノッチ研磨部４０は、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４を半導体ウエハＷの表面に垂直な方向に往復移動させるための手段からさらに構成され得る。この手段は、図示しないが、ウエハステージ２３の表面に垂直な方向に長いリニアガイド、このリニアガイドに沿ってノッチ研磨ヘッド４４を、モータ駆動により往復移動させるためのクランク・シャフト機構から構成され得る。
【００７７】
また、ノッチ研磨部４０は、半導体ウエハＷのノッチの表面側と裏面側が研磨されるように、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４を、ノッチに関して旋回往復移動（図１０に矢印Ｒ３で示す方向）させるための手段を含み得る。この手段は、図示しないが、テープ４３の走行方向と垂直な方向に伸びるシャフト、及びこのシャフトを回転させるモータから構成される。シャフトは、テープ４３が半導体ウエハＷのノッチに押し付けられる位置に配置される。そして、このシャフト（このシャフトが、ノッチ研磨ヘッド４４の旋回軸となる）は、ノッチ研磨ヘッド４４に連結されている。モータを駆動してこのシャフトを回転させると、テープ４３がノッチに押し付けられた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４が、ノッチに関して矢印Ｒ３の方向で旋回往復移動し、これにより、半導体ウエハＷのノッチの表面側と裏面側が研磨される。
【００７８】
ノッチ研磨部４０は、ノッチに、水又は水ベースの反応液に研磨材砥粒を分散させたスラリー状の研磨液や、冷却水を供給するためのノズル４８からさらに構成される。
【００７９】
テープ４３として、織布、不織布、発泡体などからなるテープが使用できる。また、テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用できる。研磨材砥粒として、例えば、平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの範囲にあるダイヤモンド粒子や平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの間の範囲にあるＳｉＣ粒子が使用できる。樹脂バインダーとして、例えば、ポリエステル系、ポリウレタン系のものが使用できる。ベースフィルムとして、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどの可撓性を有する材料からなるフィルムが使用できる。
【００８０】
ここで、テープ４３として研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープを、水に研磨材砥粒を分散させた研磨液や冷却水と併用して使用することが望ましい。これは、水ベースの反応液を使用せずに研磨できるので、半導体ウエハＷの汚染、さらにハウジング１１の内部の汚染（ハウジング１１の内部に配置されている各構成成分の汚染）をより防止できるからである。
【００８１】
実用的に、テープ４３の幅は、１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあり、テープ４３は、数十メートルの長さにあり、円筒状の芯材（図８に符号４６´で示す）に巻き付けられる。
【００８２】
半導体ウエハＷのノッチの研磨は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷをステージ移動手段により、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動して、半導体ウエハＷのノッチをノッチ研磨部４０のテープ４３に押し付け、ステージ旋回往復移動手段により、ノッチに関してウエハステージ２３を、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの表面と同一平面内で旋回往復移動（図２Ａ及び図２Ｂに矢印Ｒ５で示す方向）させることによって行われる。このとき、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４を半導体ウエハＷの表面に垂直な方向に往復移動させてもよいし、また、テープ４３をノッチに押し付けた状態で、ノッチ研磨ヘッド４４をノッチに関して旋回往復移動（図１０に矢印Ｒ３で示す方向）させてもよい。ここで、図示の例では、ノッチの研磨が、テープ４３を使用して行われたが、このようなテープ研磨に限定されず、例えば、外周縁の断面形状がノッチの形状と一致する既知のディスク状のパッドを使用して、ノッチを研磨してもよい。
【００８３】
＜テープ外径検出手段＞ 図８に示すように、ノッチ用研磨ヘッド４０は、テープ供給ロール４６の芯材４６´に巻き付けられているテープ４３の外径（残量）を検出するためのテープ外径検出手段さらに構成される。
【００８４】
このテープ外径検出手段は、図示のように、投光部４９ａと受光部４９ｂとを有する光学センサから構成される。好適に、テープ４３を巻き付けているテープ供給ロール４６が、これら投光部４９ａと受光部４９ｂとの間に配置される。テープ供給ロール４６に巻き付けられているテープ４３の外径は、受光部４９ｂにおける光４９ｃの受光量を検出することによって検出される。この検出されたテープ外径は、テープ４３をテープ供給ローラ４６から送り出すモータの制御装置（図示せず）に送られ、テープ４３をテープ供給ローラ４６から送り出すモータのトルク値が連続的に円滑に切り替わり、テープ４３の張力が一定する。
【００８５】
＜ベベル研磨部＞ ベベル研磨部５０は、図４及び図１１に示すように、先端にコンタクトパッド５１を取り付けたシリンダー５２を有するベベル研磨ヘッド５４、及びテープ５３をベベル研磨ヘッド５４へ供給し、供給したテープ５３を巻き取るテープ供給巻取手段５５（図４）から構成される。
【００８６】
テープ供給巻取手段５５は、テープ５３を巻き付けたテープ供給ロール５６、テープ５３を、テープ供給ロール５６から、コンタクトパッド５１を介して、巻き取るためのテープ巻取ローラ５７、及びテープ５３を巻き取るために、テープ巻取ローラ５７を駆動するための巻取ローラ駆動手段（図示せず）から構成される。コンタクトパッド５１上を通過するテープ５３が、コンタクトパッド５１を介して半導体ウエハＷのベベルに押し付けられ、これにより、ベベルが研磨される。
【００８７】
ベベル研磨部５０は、テープ５３をベベルに押し付けた状態で、ベベル研磨ヘッド５４を、ベベルに関して、半導体ウエハＷの表面と垂直な方向（図１１に矢印Ｒ４で示す方向）に旋回往復移動させるための手段を含み得る。この手段は、図示しないが、テープ５３の走行方向と垂直な方向に伸びるシャフト、及びこのシャフトを回転させるモータから構成される。シャフトは、テープ５３が半導体ウエハＷのベベルに押し付けられる位置に配置される。そして、このシャフト（このシャフトが、ベベル研磨ヘッド５４の旋回軸となる）がベベル研磨ヘッドに連結される。モータを駆動すると、テープ５３がベベルに押し付けられた状態で、ベベル研磨ヘッド５４が、ベベルに関して矢印Ｒ４の方向に旋回往復移動し、半導体ウエハＷのベベルの表面側と裏面側が研磨される。
【００８８】
ベベル研磨部５０は、ベベルに、水又は水ベースの反応液に研磨材砥粒を分散させたスラリー状の研磨液や、冷却水を供給するためのノズル５８（図４）からさらに構成される。
【００８９】
テープ５３として、織布、不織布、発泡体などからなるテープが使用できる。また、テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及びこのベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用できる。研磨材砥粒として、例えば、平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの範囲にあるダイヤモンド粒子や、平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの間の範囲にあるＳｉＣ粒子が使用できる。樹脂バインダーとして、例えば、ポリエステル系、ポリウレタン系のものが使用できる。ベースフィルムとして、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどの可撓性を有する材料からなるフィルムが使用できる。
【００９０】
ここで、テープ５３として研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープを、水に研磨材砥粒を分散させた研磨液や冷却水と併用して使用することが望ましい。これは、水ベースの反応液を使用せずに研磨できるので、半導体ウエハＷの汚染、さらにハウジング１１の内部の汚染（ハウジング１１の内部に配置されている各構成成分の汚染）をより防止できるからである。
【００９１】
実用的に、テープ５３の幅は、１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲にあり、テープ５３は、数十メートルの長さにあり、円筒状の芯材に巻き付けられる。
【００９２】
ここで、平均粒径２．０μｍ未満の研磨材砥粒を固定した研磨層を形成したテープを使用して半導体ウエハＷのベベルを研磨すると、半導体ウエハＷの直径寸法を所望の寸法に形成できる。また、平均粒径２．０μｍ以上の研磨材砥粒を固定した研磨層を形成したテープを使用して半導体ウエハＷのベベルを研磨すると、半導体ウエハＷのベベルの仕上げ研磨を行える。さらに、このように研磨層に固定する研磨材砥粒のサイズ（平均粒径）を選定して、研磨中に、ベベル研磨ヘッド５４をベベルに関して矢印Ｒ４の方向に旋回往復移動させると、半導体ウエハＷの上下傾斜面（図１Ｂに符号Ｐ、Ｑで示す）を所望の角度や形状に形成でき、また仕上げることができる。
【００９３】
半導体ウエハＷのベベルの研磨は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷを、ステージ移動手段により、ウエハステージ２３の表面と平行な方向に移動して、半導体ウエハＷのベベルをテープに押し付け、ステージ回転手段により、ウエハステージ２３を回転（図６Ａに矢印Ｒ１で示す方向）させることにより行われる。ここで、ベベルの研磨が、テープ５３を使用して行われたが、このようなテープ研磨に限定されず、例えば、ベベルの研磨に、表面にパッドを貼り付けた既知の回転定盤や、既知の円筒形の回転砥石を使用して、ベベルを研磨してもよい。
【００９４】
＜テープ外径検出手段＞ ベベル研磨部５０は、ノッチ研磨部４０と同様、テープ供給ロール５６に巻き付けられているテープ５３の外径を検出するためのテープ外径検出手段を含み得る。このテープ外径検出手段は、ノッチ研磨部４０のものと同じく、投光部と受光部とを有する光学センサから構成され、テープ５３を巻き付けているテープ供給ロールが、投光部と受光部との間に配置される。そして、受光部における受光量が検出され、これにより、テープ供給ロール５６に巻き付けられているテープ５３の外径が検出される。この検出されたテープ５３の外径は、テープ５３をテープ供給ローラ５６から送り出すモータの制御装置に送られ、テープ５３をテープ供給ローラ５６から送り出すモータのトルク値が連続的に円滑に切り替わり、テープ５３の張力が一定する。
【００９５】
＜防水手段＞ 図１２Ａ、図１２Ｂ及び図１２Ｃに示すように、本発明の装置１０は、ハウジング１１の下室１６（特に、下室１６に収容されている平行移動機構３０）を防水するための防水手段からさらに構成される。
【００９６】
図１２Ａに示すように、防水手段は、上部を、軸台２９の上部に液密に固定し、低部を、仕切板１４に設けた開口部１７の周辺に液密に固定した中空の半円形状の防水カバー３６（図１２Ｂを参照）から構成され、軸台２９が矢印Ｘ、Ｙの方向に移動するので、軸台２９の移動による防水カバー３６の破損を防止するため、防水カバー３６は、弾力性を有する材料から成形される。
【００９７】
防水カバー３６は、図１２Ａに示すように、一重構造であってもよいし、図１２Ｃに示すように、二重構造であってもよい。防水カバー３６が、図１２Ｃに示す二重構造である場合、防水カバー３６の外側のカバー３７と、内側のカバー３８との間の空間に圧縮空気を吹き込むために、外部の空気ポンプ（図示せず）に連通した孔３９を、仕切板１４の開口部１７の周辺の、外側と内側のカバー３７、３８の間に設けられ得る。これは、内側と外側のカバー３７、３８の間の空間に圧縮空気を吹き込むことによって、外側のカバー３７を膨張させ、これにより、外側のカバー３７の表面に溜まった水滴などを弾き飛ばすためである。
【００９８】
防水カバー３６（３７、３８）として、プラスチックなどの材料からなる、通液性の無い可撓性シートが使用される。好適に、発泡体からなる可撓性シートが使用される。
【００９９】
＜センサ組立体＞ 図６Ａ及び図６Ｂに示すように、本発明の装置１０は、ウエハステージに保持した半導体ウエハＷのノッチの位置を検出するためのノッチ位置検出手段を有するセンサ組立体９０を含む。
【０１００】
ノッチ位置検出手段は、投光部と、受光部とを有する少なくとも一個の光学センサ（符号９１、９２、９３で示す）から構成される。
【０１０１】
光学センサとして、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷのノッチＮが投光部と受光部との間を通過するように、投光部と受光部とを配置したものが使用でき、半導体ウエハＷが回転（矢印Ｒ１）すると、投光部の直下をノッチＮが通過したときのみ、光が受光部で検出され、これにより、半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出される。
【０１０２】
変形的に、光学センサとして、直線光回帰型のものを使用できる。この直線光回帰型センサは、投光部と受光部とを同一の側に配置し、これら投光部及び受光部に対面させるように、投光部からの光線を反射する反射部を配置したレーザーセンサである。この光学センサの場合、投光部の直下を半導体ウエハＷのノッチＮが通過したときのみ、投光部からのレーザーが反射部で反射し、この反射光が受光部で検出され、これにより、半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出される。
【０１０３】
好適に、本発明では、上記のようにして半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出されると、半導体ウエハＷのノッチＮがノッチ研磨部のテープに向くように方向付けられて、ウエハステージの回転が停止する。
【０１０４】
図示の例では、ノッチ検出手段は、上記の光学センサを三個有する（符号９１、９２、９３で示す光学センサ）。そして、半導体ウエハＷを吸着して保持しているウエハステージ２３が、第一の回転数の範囲（好適に、１２ｒｐｍ以下、４ｒｐｍ以上の間の範囲）で回転しているときに、第一の光学センサ９１が、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置を検出し、ウエハステージ２３が、上記の第一の回転数の範囲よりも低い第二の回転数の範囲（好適に、４ｒｐｍ未満、１ｒｐｍ以上の間の範囲）で回転しているときに、第二の光学センサ９２が、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置を検出する。そして、ウエハステージ２３が、上記の第二の回転数の範囲よりも低い第三の回転数の範囲（好適に、１ｒｐｍ未満の範囲）で回転しているときに、第三の光学センサ９３が、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置を検出する。
【０１０５】
図１４Ａ〜図１４Ｃを参照する。半導体ウエハＷが回転（矢印Ｒ１）すると、図１４Ａに示すように、第一の光学センサ９１の投光部の直下をノッチＮが通過したとき、第一の光学センサ９１によりノッチの位置が検出される。このとき、ウエハステージ２３は、第一の回転数の範囲で回転している。また、第二の光学センサ９２の投光部からの光９９ｂと第三の光学センサの投光部からの光９９ｃの一部は半導体ウエハＷの周縁に遮られている。次に、図１４Ｂに示すように、第二の光学センサ９２の投光部の直下をノッチＮが通過したとき、第二の光学センサ９２によりノッチの位置が検出される。このとき、ウエハステージ２３は、第二の回転数の範囲で回転している。また、第一の光学センサ９１の投光部からの光９９ａと第三の光学センサ９３の投光部からの光９９ｃの一部は半導体ウエハＷの周縁に遮られている。次に、図１４Ｃに示すように、第三の光学センサ９３の投光部の直下をノッチＮが通過したとき、第三の光学センサ９３によりノッチの位置が検出される。このとき、ウエハステージ２３は、第三の回転数の範囲で回転している。また、第一及び第二の光学センサ９２の投光部からの光９９ａ、９９ｂは半導体ウエハＷの周縁に遮られている。
【０１０６】
すなわち、ウエハステージ２１が減速し、停止するまでの間に、第一、第二及び第三の光学センサ９１、９２、９３によって、段階的にノッチＮの位置が検出される。第三の光学センサ９３は、ノッチＮの最も深い部分の位置を検出して、ノッチＮの位置をより高精度に検出する。これによると、ウエハステージ２３の回転軸（図３に符号Ｃｓで示す）に関する半導体ウエハＷのノッチＮの位置（角度）の誤差を、±０．１°内の精度で位置決めできる。また、単に、一方向に回転（矢印Ｒ１の方向）させた半導体ウエハＷの回転を減速させる間にノッチＮの位置を検出するだけなので、ノッチＮの位置を精度よく短時間で行える。
【０１０７】
センサ組立体９０は、ウエハステージ２３上に保持した半導体ウエハＷの径方向の位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段を有する。このような位置ズレは、第一及び第二のチャックハンド８１、８２のコマ８３の摩耗により発生し得るものである。
【０１０８】
図１３Ａ及び図１３Ｂを参照する。位置ズレ検出手段は、投光部と、受光部とを有する光学センサ９３´から構成される。この光学センサ９３´は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハＷを回転させると、図１３Ｂのグラフに示すように、光学センサ９３´は、その受光部での受光量の変化を検出し、これにより、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの径方向の位置ズレ（図１３Ａに符号εで示す）が検出される。位置ズレは、例えば、半導体ウエハＷの中心（符号Ｃｈ）を原点とし、この中心（符号Ｃｈ）から任意の放射方向に伸びる軸線（符号ｒ）を基準とした極座標系において、この軸線（符号ｒ）からの回転角（符号θ）と、原点（符号Ｃｈ）からのウエハステージ２３の中心（符号Ｃｓ）までの距離で表される。また、図１３Ｂのグラフに示すように、位置ズレが検出されるだけでなく、ノッチの位置も検出される。この位置ズレの検出は、半導体ウエハＷを一回転させるだけで検出できる。なお、半導体ウエハＷの中心（符号Ｃｈ）が、ウエハステージ２３の回転軸（符号Ｃｓ）と一致しているとき（すなわち、位置ズレがないとき）、検出される受光量は、図１３Ｂのグラフに破線で示す直線となる。
【０１０９】
図６Ａ及び図６Ｂに示す例では、上記の第三の光学センサ９３が、この位置ズレ検出手段の光学センサを兼用する。
【０１１０】
すなわち、図１４Ａ〜図１４Ｃに示すように、半導体ウエハＷが矢印Ｒ１の方向に回転している間、第三の光学センサ９３の投光部からの光９９ｃの一部が受光部に到達するように、第三の光学センサ９３は、ウエハステージ２１に保持した半導体ウエハＷのノッチＮを含む周縁が投光部と受光部との間を通過するように、配置される。半導体ウエハＷの回転中、この第三の光学センサ９３は、その受光部での受光量の変化を検出する。これにより、ウエハステージ２１に吸着して保持されている半導体ウエハＷの径方向の位置ズレが検出され、さらに、ウエハステージ２３が上記の第三の回転数の範囲で回転しているときに、この半導体ウエハＷのノッチＮの位置が検出される。
【０１１１】
センサ組立体９０は、防水手段からさらに構成される。これは、半導体ウエハＷのテープ研磨に使用される冷却液又は研磨液によるセンサ組立体９０の光学センサ９１、９２、９３などの損傷などを防止するためのものである。防水手段は、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、光学センサの位置を半導体ウエハの位置から退避させるために、センサ組立体９０を回転（図６Ｂに矢印Ｒ２で示す方向）させるためのセンサ組立体回転手段、及び退避させた光学センサを覆うためのシャッター９４から構成される。センサ組立体回転手段は、図示しないが、センサ組立体９０に固定したシャフトを、モータを駆動して回転させるものである。また、図７Ｂに示すように、シャッター９４は、エアピストンなどの手段により、矢印Ｔ３の方向に移動され、光学センサを覆う。
【０１１２】
＜第二の位置ズレ検出手段＞ 図１１を参照する。ベベル研磨部５０は、半導体ウエハＷのベベルの研磨中、この半導体ウエハＷの位置ズレを検出するための第二の位置ズレ検出手段からさらに構成され得る。この第二の位置ズレ検出手段は、半導体ウエハＷの研磨中に、コンタクトパッド５１を介してテープ５３を半導体ウエハＷのベベルに押し付けているシリンダーの伸縮の変化を検出する変位センサ（図示せず）から構成される。位置ズレが検出されると、この位置ズレがステージ移動手段にフィードバックされ、半導体ウエハＷの径方向の位置ズレが修正される。
【０１１３】
＜清浄化手段＞ 本発明の装置１０は、図示しないが、ハウジング１１の内部を清浄に維持するための清浄化手段からさらに構成される。
【０１１４】
この清浄化手段は、ハウジング１１の上室１５の天井に設けた吸気口、ハウジング１１の上室１５の側面の下方に設けた排気口、及びこの排気口に連通する外部ポンプから構成され、吸気口から流入した空気が、ハウジング１１の内部の側面に沿って流れるように、吸気口及び排気口がハウジング１１に設けられる。このようにハウジング１１の内部の側面に沿うように空気の流れを形成することで、浮遊塵（パーティクル）が、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの表面上に付着せずに、外部に排出される。
【０１１５】
＜ウエハ乾燥防止手段＞ 本発明の装置１０は、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷに純水を供給するためのウエハ乾燥防止手段（ｎ１、ｎ２）からさらに構成される。これは、ノッチ研磨部４０とベベル研磨部５０の各研磨部における半導体ウエハＷの研磨が終了した後、次の処理のために、半導体ウエハＷを移動させている間に半導体ウエハＷの乾燥を防止するためのものである。図２〜図４に示すように、ウエハ乾燥防止手段は、ハウジング１１内に配置したノズルｎ１、ｎ２から構成され、これらノズルｎ１、ｎ２から半導体ウエハＷに向けて純水が吹き付けられる。このように、移動中の半導体ウエハＷに純水が供給されるので、半導体ウエハＷの乾燥が防止されるだけでなく、半導体ウエハＷへの浮遊塵（パーティクル）の付着も防止できる。
【０１１６】
図示の例では、ウエハ乾燥防止手段は、二個のノズルｎ１、ｎ２から構成されるが、一個のノズルを使用してもよく、また三個以上のノズルを使用してもよい。また、ノッチ研磨の際に、半導体ウエハＷを、ノッチに関して、ウエハステージの表面と同一平面内で旋回往復移動させても、半導体ウエハＷがノズルに衝突しない位置に、ノズルは配置される。
【０１１７】
＜研磨方法＞ 本発明に従って、半導体ウエハＷの周縁（ベベルとノッチ）を研磨する。
【０１１８】
エアシリンダーを作動してシャッター１３を駆動し、ハウジング１１の側面の開口部１２を開き、搬送ロボットハンド１３により、半導体ウエハＷをハウジング１１の上室１５内に搬入し、半導体ウエハＷをウエハステージ２３の直上へと輸送し、半導体ウエハＷの受取位置（符号Ｌ２で示す）に位置させた第一及び第二のチャックハンド８１、８２で、この半導体ウエハＷを挟持する。このとき、半導体ウエハＷの中心は、その下方に位置するウエハステージ２３の中心の直上に位置する。その後、搬送ロボットハンド１３をハウジング１１外へ退避させ、エアシリンダーを作動してシャッター１３を駆動し、ハウジング１１の開口部１２を閉じる。
【０１１９】
半導体ウエハＷを挟持した第一及び第二のチャックハンド８１、８２をウエハ載置位置（符号Ｌ３で示す）まで下降し、第一及び第二のチャックハンド８１、８２を開いて半導体ウエハＷをウエハステージ２３のパッド２４上に載置する。第一及び第二のチャックハンド８１、８２は、退避位置（符号Ｌ１で示す）まで上昇する。また、真空ポンプが駆動して半導体ウエハＷをウエハステージ２３に吸着して保持させる。
【０１２０】
センサ組立体９０を回転させ、ウエハステージ２３に保持した半導体ウエハＷの周縁上に光学センサ９１、９２、９３を位置させ、ウエハステージ２３を回転（矢印Ｒ１の方向）させて、半導体ウエハＷのノッチの位置を検出する。また、ウエハステージ２３の回転中に、半導体ウエハＷの位置ズレも検出する。
【０１２１】
半導体ウエハＷの位置ズレが検出されると、第一及び第二のチャックハンド８１、８２がウエハ載置位置（符号Ｌ３）まで下降し、半導体ウエハＷを挟持し、持ち上げる（半導体ウエハＷの真空吸着力は、半導体ウエハＷがやや持ち上がったところで、真空ポンプを停止することにより解除される）。そして、検出された位置ズレ量だけウエハステージ２３を移動し、上記したように、半導体ウエハＷを挟持した第一及び第二のチャックハンド８１、８２をウエハ載置位置（符号Ｌ３）まで下降し、これらチャックハンド８１、８２を開いて半導体上はＷをウエハステージ２３上に載置し、真空ポンプを駆動して半導体ウエハＷをウエハステージ２３に吸着して保持させる。その後、上記したように、ウエハステージ２３を回転Ｒ１させ、センサ組立体９０の光学センサ９１、９２、９３で、半導体ウエハＷのノッチの位置を検出するとともに、半導体ウエハＷの位置ズレを検出する。この工程は、位置ズレが検出されなくなるまで続けられ得る。
【０１２２】
次に、ノッチ研磨部４０に向けてウエハステージ２３を移動し、ノッチ研磨ヘッド４４のテープ４３に半導体ウエハＷのノッチを押し付ける。ノズル４８を通じて、半導体ウエハＷのノッチに研磨液を供給しながら、半導体ウエハＷのノッチをテープ４３に押し付けた状態で、テープ４３を走行させ、ノッチの位置に関して、ウエハステージ２３を半導体ウエハＷの表面と同一平面上で旋回往復移動（矢印Ｒ５の方向）させて、半導体ウエハＷのノッチを研磨する。
【０１２３】
研磨中、半導体ウエハＷに供給されている研磨液により、ノッチが冷却され、またノッチにおける摩擦係数も低下する。さらに、研磨中に、研磨クズが飛散することもなく、たとえ飛散しても、研磨液により洗い流され、半導体ウエハに付着することがない。
【０１２４】
また、ノッチ研磨ヘッド４４を上下方向に真直ぐに往復移動させてもよいし、また、上下方向に旋回往復移動（矢印Ｒ３の方向）させて、ノッチのエッジＥ（図１Ｂを参照）も研磨してもよい。
【０１２５】
次に、ベベル研磨部５０に向けてウエハステージ２３を移動し、コンタクトパッド５１を介してテープ４３に半導体ウエハＷのベベルを押し付ける。
【０１２６】
ここで、半導体ウエハＷの乾燥防止のため、ウエハステージ２３の移動中、ノズルｎ１、ｎ２を通じて半導体ウエハＷに純水が供給される。
【０１２７】
ノズル５８を通じて、半導体ウエハＷのベベルに研磨液を供給しながら、半導体ウエハＷのベベルをテープ５３に押し付けた状態で、テープ５３を走行させるとともに、ウエハステージ２３を回転させて、半導体ウエハＷのベベルを研磨する。
【０１２８】
研磨中、半導体ウエハＷに供給されている研磨液により、ベベルが冷却される。さらに、研磨中に、研磨クズが飛散することもなく、たとえ飛散しても、研磨液により洗い流され、半導体ウエハに付着することがない。
【０１２９】
また、ベベル研磨ヘッド５４を上下方向に真直ぐに往復移動させてもよいし、また、上下方向に旋回往復移動（矢印Ｒ４の方向）させて、ベベルとエッジＥを研磨してもよい。
【０１３０】
ここで、ノッチの研磨を行ってからベベルの研磨を行ったが、ベベルの研磨を行ってから、ノッチの研磨を行ってもよい。
【０１３１】
また、ベベルの研磨中に、半導体ウエハの径方向の位置ズレを検出する。位置ズレが検出されると、この位置ズレがステージ移動手段にフィードバックされ、半導体ウエハＷの径方向の位置ズレが修正される。
【０１３２】
ベベルとノッチの研磨後、ウエハステージ２３を元の位置に戻す。第一及び第二のチャックハンド８１、８２が退避位置（符号Ｌ１）からウエハ載置位置（符号Ｌ３）へ下降して半導体ウエハＷを挟持し、持ち上げる。半導体ウエハＷが少しだけ持ち上がったところで、真空ポンプを停止し、真空吸着を解除する。第一及び第二のチャックハンド８１、８２がウエハ受渡位置（符号Ｌ２）に到達する。エアシリンダーによりシャッター１３が駆動され、ハウジング１１の開口部１２が開き、搬送ロボットハンド１３がハウジング１１内に入り、半導体ウエハＷの下側に位置する。第一及び第二のチャックハンド８１、８２が開いて、半導体ウエハＷが搬送ロボットハンド１３上に載置され、搬送ロボットハンド１３が開口部１２を通じて半導体ウエハＷをハウジング１１外へ搬送する。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】図１Ａは、半導体ウエハの平面図であり、図１Ｂ及び図１Ｃは、それぞれ、半導体ウエハの周縁付近の断面図である。
【図２】図２Ａは、本発明の装置の平面図であり、図２Ｂは、半導体ウエハを、そのノッチに関して旋回往復移動させているところを示す。
【図３】図３は、図１の３−３線断面図である。
【図４】図４は、図１の４−４線断面図である。
【図５】図５Ａは、ウエハチャック手段の平面図であり、図５Ｂは、ウエハチャック手段の側面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、センサ組立体の平面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、センサ組立体の側面図である。
【図８】図８は、テープ外径検出手段を示す。
【図９】図９は、ウエハステージの平面図である。
【図１０】図１０は、ノッチ研磨ヘッドの側面図である。
【図１１】図１１は、ベベル研磨ヘッドの側面図である。
【図１２】図１２Ａは、一重構造の防水手段の断面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａの防水カバーの斜視図であり、図１１Ｃは、二重構造の防水手段の断面図である。
【図１３】図１３Ａは、半導体ウエハをウエハステージに保持させたところの平面図であり、図１３Ｂは、ウエハの回転角に対する受光量の変化を示すグラフである。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｃは、それぞれ、第一、第二及び第三の光学センサの投光部の直下を半導体ウエハのノッチが通過したところを示す。
【符号の説明】
【０１３４】
１０・・・本発明の装置
１１・・・ハウジング
２０・・・ウエハステージユニット
２３・・・ウエハステージ
３０・・・ステージ移動手段
４０・・・ノッチ研磨部
５０・・・ベベル研磨部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの周縁を研磨するための装置であって、
半導体ウエハを保持するためのウエハステージ、前記ウエハステージを回転させるためのステージ回転手段、及び前記ウエハステージの表面と同一平面内で旋回往復移動させるためのステージ旋回往復移動手段から成るウエハステージユニット、
前記ウエハステージユニットを、前記ウエハステージの表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段、
前記ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨するための２以上の研磨部、
から成る装置。
【請求項２】
請求項１の装置であって、
前記２以上の研磨部が、前記ウエハステージに保持した半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及び前記ウエハステージに保持した半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する、
ところの装置。
【請求項３】
請求項１の装置であって、
前記ウエハステージユニット、前記研磨部及び前記ステージ移動手段を収容し、側面に開閉可能な開口部を有するハウジングを含む装置。
【請求項４】
請求項３の装置であって、
前記ハウジングが、仕切板によって区画される二つの空間を有し、
前記二つの空間のうちの一方の空間に、前記ウエハステージユニットと前記研磨部が収容され、
前記二つの空間のうちの他方の空間に、前記ステージ移動手段が収容される、
ところの装置。
【請求項５】
請求項１の装置であって、
前記ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給するためのウエハ乾燥防止手段、
を含む装置。
【請求項６】
請求項１の装置であって、
前記ハウジングの内部に搬入された半導体ウエハを受け取ってこの半導体ウエハを前記ウエハステージ上に載置し、前記ウエハステージ上の半導体ウエハをウエハ搬送手段に受け渡すウエハチャック手段、
を含む装置。
【請求項７】
請求項６の装置であって、
前記ウエハチャック手段が、
二個又はそれ以上の個数のコマを有する第一のチャックハンド、
二個又はそれ以上の個数のコマを有する第二のチャックハンド、
前記第一及び第二のチャックハンドを開閉させるためのチャックハンド開閉手段、及び
前記第一及び第二のチャックハンドを前記ウエハステージの表面と垂直な方向に往復移動させるためのチャック移動手段、
から成り、
前記第一及び第二のチャックハンドを閉じると、これら第一及び第二のチャックハンドのそれぞれのコマが半導体ウエハの周縁に接触し、これにより、半導体ウエハが、前記第一及び第二のチャックハンドに挟持される、
ところの装置。
【請求項８】
請求項７の装置であって、
前記チャックハンド開閉手段が、
前記第一及び第二のチャックハンドのうちの少なくとも一方のチャックハンドを螺合させたボールネジ、及び
前記ボールネジを駆動するためのサーボモータ、
から成り、
前記サーボモータを駆動すると、前記第一及び第二のチャックハンドが開閉移動する、
ところの装置。
【請求項９】
請求項１の装置であって
前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチの位置を検出するためのノッチ位置検出手段を有するセンサ組立体、
を含む装置。
【請求項１０】
請求項９の装置であって、
前記ノッチ位置検出手段が、投光部と、受光部とを有する少なくとも一個の光学センサから成り、
前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチが前記投光部と前記受光部との間を通過するように、前記光学センサを配置し、この半導体ウエハを回転させることにより、前記光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する、
ところの装置。
【請求項１１】
請求項１０の装置であって、
前記ノッチ検出手段が、前記光学センサを三個有し、
半導体ウエハを吸着して保持している前記ウエハステージが、第一の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第一の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出し、
前記ウエハステージが、前記第一の回転数の範囲よりも低い第二の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第二の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出し、
前記ウエハステージが、前記第二の回転数の範囲よりも低い第三の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第三の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する、
ところの装置。
【請求項１２】
請求項９の装置であって、
前記センサ組立体が、前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの径方向の位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段を有し、
前記位置ズレ検出手段が、投光部と、受光部とを有する光学センサから成り、
前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの周縁が前記投光部と前記受光部との間を通過するように、前記光学センサを配置し、この半導体ウエハを回転させることにより、前記光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出し、これにより、前記ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出される、
ところの装置。
【請求項１３】
請求項１１の装置であって、
前記第三の光学センサが、前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチを含む周縁が前記投光部と前記受光部との間を通過するように、配置され、この半導体ウエハを回転させることにより、前記第三の光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出し、これにより、前記ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出され、前記ウエハステージが前記第三の回転数の範囲で回転しているときに、この半導体ウエハのノッチの位置が検出される、
ところの装置。
【請求項１４】
請求項９の装置であって、
前記センサ組立体が、防水手段を含む、ところの装置。
【請求項１５】
請求項２の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
相互に間隔をあけて平行に配列した第一及び第二のローラを有するノッチ研磨ヘッド、及び
テープを巻き付けたテープ供給ロール、前記テープを、前記テープ供給ロールから、前記第一及び第二のローラを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラ、及び
前記テープを巻き取るために、前記テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段を有するテープ供給巻取手段、
から成り、
前記第一のローラと前記第二のローラとの間を通過するテープが、前記ノッチに押し付けられ、これにより、前記ノッチが研磨される、
ところの装置。
【請求項１６】
請求項１５の装置であって、
前記テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及び前記ベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される、
ところの装置。
【請求項１７】
請求項１５の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
前記テープを前記ノッチに押し付けた状態で、前記ノッチ研磨ヘッドを前記半導体ウエハの表面に垂直な方向に往復移動させるための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項１８】
請求項１５の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
前記半導体ウエハのノッチの表面側と裏面側が研磨されるように、前記テープを前記ノッチに押し付けた状態で、前記ノッチ研磨ヘッドを、前記ノッチに関して旋回往復移動させるための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項１９】
請求項１５の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
前記テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径を検出するためのテープ外形検出手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２０】
請求項２の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
先端にコンタクトパッドを取り付けたシリンダーを有するベベル研磨ヘッド、及び
テープを巻き付けたテープ供給ロール、前記テープを、前記テープ供給ロールから、前記コンタクトパッドを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラ、及び前記テープを巻き取るために、前記テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段を有するテープ供給巻取手段、
から成り、
前記コンタクトパッド上を通過するテープが、前記ベベルに押し付けられ、これにより、前記ベベルが研磨される、
ところの装置。
【請求項２１】
請求項２０の装置であって、
前記テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及び前記ベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される、
ところの装置。
【請求項２２】
請求項２０の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
前記半導体ウエハのベベルの表面側と裏面側が研磨されるように、前記テープを前記ベベルに押し付けた状態で、前記ベベル研磨ヘッドを前記ベベルに関して旋回往復移動させるための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２３】
請求項２０の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
前記テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径検出手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２４】
請求項２０の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
半導体ウエハのベベルの研磨中、この半導体ウエハの位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段、
を含み、
前記位置ズレ検出手段が、
半導体ウエハの研磨中に、前記コンタクトパッドを介して前記テープを半導体ウエハのベベルに押し付けている前記シリンダーの伸縮の変化を検出する変位センサ、
から成る、
ところの装置。
【請求項２５】
請求項３の装置の装置であって、
前記ハウジングの内部を清浄に維持するための清浄化手段、
を含み、
前記清浄化手段が、
前記ハウジングの上面に設けた吸気口、
前記ハウジングの下面に設けた排気口、及び
前記排気口に連通する外部ポンプ、
から成り、
前記吸気口から流入した空気が、前記ハウジングの内部の側面に沿って流れるように、前記吸気口及び前記排気口が前記ハウジングに設けられる、
ところの装置。
【請求項２６】
請求項４の装置であって、
前記ハウジングの前記他方の空間を防水するための防水手段、
を含む装置。
【請求項２７】
請求項４の装置であって、
前記ハウジングの前記仕切板が、開口部を有し、
前記ステージの回転手段が、
前記ウエハステージの裏側の中心に取り付けたシャフト、
このシャフトを回転可能に取り付けた支持体、及び
このシャフトを回転させるモータ、
から成り、
前記ステージの旋回往復移動手段が、
前記ウエハステージの中心から半導体ウエハの略半径の長さ分だけオフセットした位置で、前記ハウジングの仕切板の前記開口部を通じて、前記ウエハステージユニットの支持体の下面に固定した第二のシャフト、及び
前記仕切板の下側で、この第二のシャフトを回転させるための第二のモータ、から成り、
前記第二のシャフトが、中空筒状の軸台に回転可能に取り付けられ、
前記軸台の下面は、前記ハウジングの仕切板の下方に位置する前記支持板に固定され、
前記軸台の上面は、前記支持体の下面に当接して前記支持体を支持し、
前記第二のモータが、前記支持体に固定され、
当該装置が、
上部を、前記軸台の上部に液密に固定し、低部を、前記仕切板の前記開口部の周辺に液密に固定した中空の半円形状の防水カバー、
から成り、
前記防水カバーが、弾力性を有する材料から形成される、
ところの装置。
【請求項２８】
請求項２７の装置であって、
前記防水カバーが、二重構造であり、
当該装置が、この二重構造の防水カバーの外側のカバーと、内側のカバーとの間の空間に圧縮空気を吹き込むための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２９】
半導体ウエハの周縁を研磨するための方法であって、
ウエハステージに半導体ウエハを吸着して保持させるウエハ保持工程、
前記ウエハステージに吸着して保持させた半導体ウエハの周縁を２以上の研磨部で研磨する研磨工程、
から成る方法。
【請求項３０】
請求項２９の方法であって、
前記研磨工程が、
半導体ウエハを保持した、前記ウエハステージを前記２以上の研磨部の各々に向けて、順次移動させ、各研磨手段で、前記ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨する工程、
から成る、
ところの方法。
【請求項３１】
請求項３０の方法であって、
半導体ウエハを保持した前記ウエハステージが前記２以上の研磨部の間を移動しているとき、前記ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給する乾燥防止工程、
を含む方法。
【請求項３２】
請求項３１の方法であって、
前記２以上の研磨部が、半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及び半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する、
ところの方法。
【請求項１】
半導体ウエハの周縁を研磨するための装置であって、
半導体ウエハを保持するためのウエハステージ、前記ウエハステージを回転させるためのステージ回転手段、及び前記ウエハステージの表面と同一平面内で旋回往復移動させるためのステージ旋回往復移動手段から成るウエハステージユニット、
前記ウエハステージユニットを、前記ウエハステージの表面と平行な方向に移動させるためのステージ移動手段、
前記ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨するための２以上の研磨部、
から成る装置。
【請求項２】
請求項１の装置であって、
前記２以上の研磨部が、前記ウエハステージに保持した半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及び前記ウエハステージに保持した半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する、
ところの装置。
【請求項３】
請求項１の装置であって、
前記ウエハステージユニット、前記研磨部及び前記ステージ移動手段を収容し、側面に開閉可能な開口部を有するハウジングを含む装置。
【請求項４】
請求項３の装置であって、
前記ハウジングが、仕切板によって区画される二つの空間を有し、
前記二つの空間のうちの一方の空間に、前記ウエハステージユニットと前記研磨部が収容され、
前記二つの空間のうちの他方の空間に、前記ステージ移動手段が収容される、
ところの装置。
【請求項５】
請求項１の装置であって、
前記ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給するためのウエハ乾燥防止手段、
を含む装置。
【請求項６】
請求項１の装置であって、
前記ハウジングの内部に搬入された半導体ウエハを受け取ってこの半導体ウエハを前記ウエハステージ上に載置し、前記ウエハステージ上の半導体ウエハをウエハ搬送手段に受け渡すウエハチャック手段、
を含む装置。
【請求項７】
請求項６の装置であって、
前記ウエハチャック手段が、
二個又はそれ以上の個数のコマを有する第一のチャックハンド、
二個又はそれ以上の個数のコマを有する第二のチャックハンド、
前記第一及び第二のチャックハンドを開閉させるためのチャックハンド開閉手段、及び
前記第一及び第二のチャックハンドを前記ウエハステージの表面と垂直な方向に往復移動させるためのチャック移動手段、
から成り、
前記第一及び第二のチャックハンドを閉じると、これら第一及び第二のチャックハンドのそれぞれのコマが半導体ウエハの周縁に接触し、これにより、半導体ウエハが、前記第一及び第二のチャックハンドに挟持される、
ところの装置。
【請求項８】
請求項７の装置であって、
前記チャックハンド開閉手段が、
前記第一及び第二のチャックハンドのうちの少なくとも一方のチャックハンドを螺合させたボールネジ、及び
前記ボールネジを駆動するためのサーボモータ、
から成り、
前記サーボモータを駆動すると、前記第一及び第二のチャックハンドが開閉移動する、
ところの装置。
【請求項９】
請求項１の装置であって
前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチの位置を検出するためのノッチ位置検出手段を有するセンサ組立体、
を含む装置。
【請求項１０】
請求項９の装置であって、
前記ノッチ位置検出手段が、投光部と、受光部とを有する少なくとも一個の光学センサから成り、
前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチが前記投光部と前記受光部との間を通過するように、前記光学センサを配置し、この半導体ウエハを回転させることにより、前記光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する、
ところの装置。
【請求項１１】
請求項１０の装置であって、
前記ノッチ検出手段が、前記光学センサを三個有し、
半導体ウエハを吸着して保持している前記ウエハステージが、第一の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第一の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出し、
前記ウエハステージが、前記第一の回転数の範囲よりも低い第二の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第二の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出し、
前記ウエハステージが、前記第二の回転数の範囲よりも低い第三の回転数の範囲で回転しているときに、これら三個の光学センサのうちの第三の光学センサが、この半導体ウエハのノッチの位置を検出する、
ところの装置。
【請求項１２】
請求項９の装置であって、
前記センサ組立体が、前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの径方向の位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段を有し、
前記位置ズレ検出手段が、投光部と、受光部とを有する光学センサから成り、
前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハの周縁が前記投光部と前記受光部との間を通過するように、前記光学センサを配置し、この半導体ウエハを回転させることにより、前記光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出し、これにより、前記ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出される、
ところの装置。
【請求項１３】
請求項１１の装置であって、
前記第三の光学センサが、前記ウエハステージに吸着して保持した半導体ウエハのノッチを含む周縁が前記投光部と前記受光部との間を通過するように、配置され、この半導体ウエハを回転させることにより、前記第三の光学センサが、その受光部での受光量の変化を検出し、これにより、前記ウエハステージに吸着して保持されている半導体ウエハの径方向の位置ズレが検出され、前記ウエハステージが前記第三の回転数の範囲で回転しているときに、この半導体ウエハのノッチの位置が検出される、
ところの装置。
【請求項１４】
請求項９の装置であって、
前記センサ組立体が、防水手段を含む、ところの装置。
【請求項１５】
請求項２の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
相互に間隔をあけて平行に配列した第一及び第二のローラを有するノッチ研磨ヘッド、及び
テープを巻き付けたテープ供給ロール、前記テープを、前記テープ供給ロールから、前記第一及び第二のローラを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラ、及び
前記テープを巻き取るために、前記テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段を有するテープ供給巻取手段、
から成り、
前記第一のローラと前記第二のローラとの間を通過するテープが、前記ノッチに押し付けられ、これにより、前記ノッチが研磨される、
ところの装置。
【請求項１６】
請求項１５の装置であって、
前記テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及び前記ベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される、
ところの装置。
【請求項１７】
請求項１５の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
前記テープを前記ノッチに押し付けた状態で、前記ノッチ研磨ヘッドを前記半導体ウエハの表面に垂直な方向に往復移動させるための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項１８】
請求項１５の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
前記半導体ウエハのノッチの表面側と裏面側が研磨されるように、前記テープを前記ノッチに押し付けた状態で、前記ノッチ研磨ヘッドを、前記ノッチに関して旋回往復移動させるための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項１９】
請求項１５の装置であって、
前記ノッチ研磨部が、
前記テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径を検出するためのテープ外形検出手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２０】
請求項２の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
先端にコンタクトパッドを取り付けたシリンダーを有するベベル研磨ヘッド、及び
テープを巻き付けたテープ供給ロール、前記テープを、前記テープ供給ロールから、前記コンタクトパッドを介して、巻き取るためのテープ巻取ローラ、及び前記テープを巻き取るために、前記テープ巻取ローラを駆動するための巻取ローラ駆動手段を有するテープ供給巻取手段、
から成り、
前記コンタクトパッド上を通過するテープが、前記ベベルに押し付けられ、これにより、前記ベベルが研磨される、
ところの装置。
【請求項２１】
請求項２０の装置であって、
前記テープとして、可塑性を有する材料からなるテープ状のベースフィルム、及び前記ベースフィルムの表面に形成した、研磨材砥粒を樹脂バインダーで固定した研磨層からなるテープが使用される、
ところの装置。
【請求項２２】
請求項２０の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
前記半導体ウエハのベベルの表面側と裏面側が研磨されるように、前記テープを前記ベベルに押し付けた状態で、前記ベベル研磨ヘッドを前記ベベルに関して旋回往復移動させるための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２３】
請求項２０の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
前記テープ供給ロールに巻き付けられているテープの外径を検出するためのテープ外径検出手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２４】
請求項２０の装置であって、
前記ベベル研磨部が、
半導体ウエハのベベルの研磨中、この半導体ウエハの位置ズレを検出するための位置ズレ検出手段、
を含み、
前記位置ズレ検出手段が、
半導体ウエハの研磨中に、前記コンタクトパッドを介して前記テープを半導体ウエハのベベルに押し付けている前記シリンダーの伸縮の変化を検出する変位センサ、
から成る、
ところの装置。
【請求項２５】
請求項３の装置の装置であって、
前記ハウジングの内部を清浄に維持するための清浄化手段、
を含み、
前記清浄化手段が、
前記ハウジングの上面に設けた吸気口、
前記ハウジングの下面に設けた排気口、及び
前記排気口に連通する外部ポンプ、
から成り、
前記吸気口から流入した空気が、前記ハウジングの内部の側面に沿って流れるように、前記吸気口及び前記排気口が前記ハウジングに設けられる、
ところの装置。
【請求項２６】
請求項４の装置であって、
前記ハウジングの前記他方の空間を防水するための防水手段、
を含む装置。
【請求項２７】
請求項４の装置であって、
前記ハウジングの前記仕切板が、開口部を有し、
前記ステージの回転手段が、
前記ウエハステージの裏側の中心に取り付けたシャフト、
このシャフトを回転可能に取り付けた支持体、及び
このシャフトを回転させるモータ、
から成り、
前記ステージの旋回往復移動手段が、
前記ウエハステージの中心から半導体ウエハの略半径の長さ分だけオフセットした位置で、前記ハウジングの仕切板の前記開口部を通じて、前記ウエハステージユニットの支持体の下面に固定した第二のシャフト、及び
前記仕切板の下側で、この第二のシャフトを回転させるための第二のモータ、から成り、
前記第二のシャフトが、中空筒状の軸台に回転可能に取り付けられ、
前記軸台の下面は、前記ハウジングの仕切板の下方に位置する前記支持板に固定され、
前記軸台の上面は、前記支持体の下面に当接して前記支持体を支持し、
前記第二のモータが、前記支持体に固定され、
当該装置が、
上部を、前記軸台の上部に液密に固定し、低部を、前記仕切板の前記開口部の周辺に液密に固定した中空の半円形状の防水カバー、
から成り、
前記防水カバーが、弾力性を有する材料から形成される、
ところの装置。
【請求項２８】
請求項２７の装置であって、
前記防水カバーが、二重構造であり、
当該装置が、この二重構造の防水カバーの外側のカバーと、内側のカバーとの間の空間に圧縮空気を吹き込むための手段、
を含む、
ところの装置。
【請求項２９】
半導体ウエハの周縁を研磨するための方法であって、
ウエハステージに半導体ウエハを吸着して保持させるウエハ保持工程、
前記ウエハステージに吸着して保持させた半導体ウエハの周縁を２以上の研磨部で研磨する研磨工程、
から成る方法。
【請求項３０】
請求項２９の方法であって、
前記研磨工程が、
半導体ウエハを保持した、前記ウエハステージを前記２以上の研磨部の各々に向けて、順次移動させ、各研磨手段で、前記ウエハステージに保持した半導体ウエハの周縁を研磨する工程、
から成る、
ところの方法。
【請求項３１】
請求項３０の方法であって、
半導体ウエハを保持した前記ウエハステージが前記２以上の研磨部の間を移動しているとき、前記ウエハステージに保持した半導体ウエハに純水を供給する乾燥防止工程、
を含む方法。
【請求項３２】
請求項３１の方法であって、
前記２以上の研磨部が、半導体ウエハのノッチを研磨するノッチ研磨部、及び半導体ウエハのベベルを研磨するベベル研磨部を有する、
ところの方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００６−３０３１１２（Ｐ２００６−３０３１１２Ａ）
【公開日】平成１８年１１月２日（２００６．１１．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１２１４６４（Ｐ２００５−１２１４６４）
【出願日】平成１７年４月１９日（２００５．４．１９）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【出願人】（３９００３７１６５）日本ミクロコーティング株式会社 (79)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月２日（２００６．１１．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月１９日（２００５．４．１９）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【出願人】（３９００３７１６５）日本ミクロコーティング株式会社 (79)
【Ｆターム（参考）】
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