【課題】研削ホイールをホイールマウントに装着する場合に高精度な電極位置精度を不要とすると共に、超音波振動加工時のノード領域の変化によっても電極接触不良を発生させず、かつ、研削ホイールを容易に着脱可能な研削装置を提供すること。
【解決手段】研削装置は、ホイールマウント（３１）に磁力を持つ固定電極（６２）を配設すると共に、ホイールベース（４１３）の収容部（４１３ａ）内に磁力によって引き付けられる可動電極７１３を含む可動電極部（７１）を収容部（４１３ａ）に進退可能に収容する。ホイールベース（４１３）にホイールマウント（３１）に装着されると、固定電極（６２）の固定電極（６２）の接触面（６２１ａ）と平行にＳ極とＮ極を並列させた磁石（６２２）の磁力により可動電極部（７１）が固定電極（６２）に接触し環状超音波振動子（４１５）に通電され、可動電極部（７１）がホイールベース（４１３）に非接触とされる。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハを破損させることなく従来に比べて比較的短時間及び安価にウエーハを所定の厚みに薄化することのできるウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 外周に面取り部を有するウエーハを所定厚みへと薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面を支持基板上に貼り付けて積層ウエーハを形成する積層ウエーハ形成ステップと、該積層ウエーハ形成ステップで形成した積層ウエーハの積層方向と平行な回転軸を有する切削ブレードを該ウエーハの表面側の外周側面に位置付けて、該積層ウエーハの外周側から中心に向かって切り込ませ、該ウエーハの表面から該所定厚みに至る面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、該積層ウエーハの該ウエーハの裏面側を研削してウエーハを所定厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノッチを起点に発生したクラックによってデバイスが破損される恐れを低減可能なウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】複数のバンプを有するデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周縁にウエーハの結晶方位を示すＶ字状切欠き２３が形成されたウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの研削方法であって、ウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部としての切削溝２５を該Ｖ字状切欠きの頂点に対向させてウエーハの該外周余剰領域に形成するステップと、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで保持して裏面を露出させたウエーハの裏面を研削手段で研削して該仕上げ厚みへと薄化するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】加工中のウェーハの割れや欠け等の破損を防ぐことができるウェーハの加工方法、電子部品の製造方法及び電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハの主面に枠状の肉厚部１２を形成する肉厚部形成工程と、肉厚部１２で囲まれた領域である肉薄部１４を研磨する研磨工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】回転砥石側のＡＥセンサの検出信号を非接触で固定側に誘起し、誘起信号の信号処理により、接触状態や砥石の表面状態を判定可能にしたウェーハ面取り装置の実現。
【解決手段】ウェーハWを保持して回転するウェーハテーブル10と、面取り用砥石20を保持して回転する砥石回転機構と、を有するウェーハ面取り装置であって、砥石回転機構は、回転ユニットと、固定ユニットと、を有し、回転ユニットは、ＡＥセンサ34と送信手段31と、を有し、固定ユニットは、送信手段と通信する受信手段41と信号処理回路65と、を有し、送信手段はＡＥセンサの信号を検出し、信号処理回路は、アンプ63と、ＡＤ変換器64と、デジタル処理回路と、を有し、低周波数成分を除去するフィルタリング処理を行い、さらに回転ユニットの回転周期に対応した信号変化を抽出する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の端面を低コストで効率良く高品質に仕上げることができる安定した研削加工を可能とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】円板状のガラス基板の端面部分に研削液を供給しつつ、基板の外周側端面に砥石を接触させて研削することにより基板の端面を形状加工する。上記砥石は、端面部分を有する円盤状に形成されその中心を回転軸にして回転可能に構成されている円盤状回転砥石である。砥石の移動方向とガラス基板の移動方向とが交差するようにして、砥石の端面部分を基板の端面に接触させ且つ前記基板と砥石とを相対的に移動させる。 （もっと読む）

【課題】研磨中における研磨テープのテンション（張力）をほぼ一定として安定した研磨性能を実現することができ、かつ研磨速度を上げることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置は、研磨テープ４１を研磨対象物に接触させる研磨ヘッド４２と、研磨ヘッド４２を所定の点を中心として揺動運動させる揺動機構とを備える。揺動機構は、研磨ヘッド４２が固定される揺動アーム６０と、支持アーム６２と、揺動アーム６０を回転自在に支持アーム６２に連結する連結軸６７と、揺動アーム６０を連結軸６７を中心として揺動運動させる駆動機構Ｍ１とを有する。研磨ヘッド４２の揺動運動の中心点は、連結軸６７の中心線上にある。 （もっと読む）

【課題】 基板の研削が容易な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基板の一面に半導体素子を形成する工程と、半導体素子が形成された基板の一面の反対面をドライエッチングする工程と、ドライエッチングされた基板の反対面を研削する工程とを含む。基板は、半導体素子が形成された基板の一面の反対面をドライエッチングされることにより、該反対面に凹凸が形成される。そして、ドライエッチングされた基板の反対面を研削するときに、該反対面に形成された凹凸と、砥石、または砥粒の凹凸が、互いに十分に噛み合うことができる。したがって、砥石、または砥粒は、基板の表面を、すべることなく、効果的に研削することができる。 （もっと読む）

【課題】超音波振動を伴って研削を行う研削ホイールをホイールマウントに装着する場合に高精度な電極位置精度を不要とすると共に、超音波振動加工時のノード領域の変化によっても電極接触不良を発生させず、かつ、研削ホイールを容易に着脱可能な研削装置を提供すること。
【解決手段】研削装置（１）は、研削ホイール（４１）がネジによりホイールマウント（３１）に締結され、可動電極部（７１）がシール部材（４１８）の外側から外力により押圧されると、可動電極（７１３）がホイールマウント（３１）に取り付けられた絶縁部材（６１）の被係合凹部（６１ａ）内に係合され、固定電極（６２）に接触した状態で固定部材（６３）によって固定され、環状電極（４１５）に通電されると共に可動電極部（７１）がホイールベース（４１３）に非接触とされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チッピングの発生を抑制してウエハを研削できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体素子の製造方法は、回転させた研削砥石により、ウエハ外周部の内側に沿って該ウエハの主面とのなす角が７５°以上９０°未満の斜面を、既に形成された斜面と該研削砥石の間に間隙を設けた状態で形成しつつ、該斜面に囲まれた部分に該外周部よりも薄い薄化部を形成するウエハ研削工程と、該薄化部に半導体素子を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表裏両面を同時に加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、製品となるウェーハを用いて表裏両面の取代をそれぞれ別々に短時間で簡便に評価でき、それによって表裏取代がそれぞれ調整されたウェーハの製造を可能にする取代の評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】外周が面取りされたウェーハの表裏両面を加工して所定量除去する加工プロセスにおいて、加工後の前記ウェーハの取代を評価する取代の評価方法であって、加工前後の前記ウェーハの表裏面それぞれの面取り幅の変化量に基づいて前記ウェーハの表裏面それぞれの取代を算出して評価することを特徴とする取代の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 四角柱状シリコンインゴットの四隅Ｒ面の面取り研削加工時間を短縮できる面取り加工方法の提供。
【解決手段】
カップホイール型砥石１１ｇを軸承する前後移動可能な砥石軸１１ｏ，１１ｏの一対の砥石軸間高さを離間させ、ワークテーブルに搭載されたクランプ機構７の主軸台７ａと心押台７ｂ間に支架されたワークのＣ軸心を前後に２６度揺動回転させながら前記カップホイール型砥石１１ｇ，１１ｇの刃先に当接触させてワークのインフィード研削を開始し、ついで、この揺動するワークを前記カップホイール型砥石１１ｇ，１１ｇ間を通過させてトラバース研削を行ってワークのＲ面を面取り研削加工する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハを構成する基板に埋設された全ての電極を研削して露出させることなく、電極の手前の位置で裏面研削を終了することができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面のボンディングパッドと接続する電極が基板に埋設されているウエーハ２を所定の厚みに形成するウエーハの加工方法であって、表面に液状樹脂を被覆したサブストレート３と基板２１の表面を液状樹脂液を介して接合する工程と、高さ位置計測手段８によりサブストレートが接合された基板の裏面におけるサブストレートからの高さ位置を計測する工程と、基板に接合されたサブストレート側を研削装置のチャックテーブルに保持する工程と、研削ホイールにより基板の裏面を研削する工程とを含み、裏面研削の前に、サブストレートからの高さ位置計測結果から求めた基板裏面の勾配に対応してチャックテーブルの保持面と研削ホイールの研削面との対面状態の調整を実施する。 （もっと読む）

【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第１の面と、非鏡面である第２の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第１の面Ｐ１と、第１の面Ｐ１の反対側に位置する第２の面Ｐ２とを有する炭化珪素基板８０が形成される。炭化珪素基板８０が形成される際に、第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに第１および第２の加工ダメージ層７１、７２が形成される。第１の加工ダメージ層７１の少なくとも一部を除去しかつ第１の面Ｐ１の表面粗さが５ｎｍ以下となるように、第１の面Ｐ１が研磨される。第２の面Ｐ２の表面粗さを１０ｎｍ以上に保ちながら第２の加工ダメージ層７２の少なくとも一部が除去される。 （もっと読む）

【課題】バンプが形成されたウエーハでも裏面研削により平坦化を可能とするウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】複数のバンプ１７が形成されたバンプ形成領域表面に有するウエーハ１１の裏面を研削する研削方法であって、基材フィルムの上面に粘着材層が該バンプの高さより厚く形成された保護テープ２３を、該バンプが該粘着材層に埋没するようにウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、ウエーハの表面に貼着された該保護テープの基材フィルムの表面全面を粘着材層には達しない範囲でバイト工具２８で切削し、表面を平坦に形成する保護テープ切削工程と、該保護テープが貼着されたウエーハの表面を該保護テープを介して研削装置のチャックテーブルで保持した状態でウエーハの裏面を研削手段により研削してウエーハを所定の厚さに薄化する裏面研削工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】円筒状インゴットブロックの外周面を円筒研削加工およびオリフラ研削加工する際の生産時間を短くしたい。
【解決手段】 ＸＲＤ機６００を挟んで同一タイプの円筒研削装置５００ａ，５００ｂ，７００ａ，７００ｂの４台を設け、４台の円筒研削装置500a,500b,700a,700bのワークの面取り加工作業を同時平行になすことができるように、ワークの搬送ロボット２００を付随させた。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの外周に円形加工を施す際に生産性を落とすことなく切削ブレードに発生する偏磨耗を低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 第１の幅を有する切削ブレードを用いてウエーハの外周縁を該第１の幅より広い第２の幅に切り落とすウエーハの加工方法であって、回転可能なチャックテーブルでウエーハを保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該切削ブレードを回転させつつウエーハの外周縁に切り込ませるとともに該チャックテーブルを回転させてウエーハの外周縁を切り落とす第１加工ステップと、該第１加工ステップを実施した後、該切削ブレードを該第１の幅より小さい距離だけウエーハの半径方向に移動し、該切削ブレードを回転させつつウエーハに切り込ませるとともに該チャックテーブルを回転させてウエーハの外周縁を切り落とす第２加工ステップとを具備し、切り落としの幅が該第２の幅になるまで該第２加工ステップを繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くしても割れの生じるおそれの少ない半導体ウエハ、また、そのような半導体ウエハの加工方法及び加工装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ１０裏面の外縁部を第１の砥石２２で研削して環状の溝１２を形成する工程と、溝１２の内側の凸部１４を第２の砥石２４ａで研削して半導体ウエハ１０の裏面に溝１２と一体に凹部２０を形成する工程と、第２の砥石２４ａによる研削面を含む凹部２０の底面を、第３の砥石２６ａでさらに研削する工程とを具備する。 （もっと読む）