半導体素子の製造方法

【課題】本発明は、チッピングの発生を抑制してウエハを研削できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体素子の製造方法は、回転させた研削砥石により、ウエハ外周部の内側に沿って該ウエハの主面とのなす角が７５°以上９０°未満の斜面を、既に形成された斜面と該研削砥石の間に間隙を設けた状態で形成しつつ、該斜面に囲まれた部分に該外周部よりも薄い薄化部を形成するウエハ研削工程と、該薄化部に半導体素子を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば産業用モータや自動車用モータの制御などに用いられる半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、中央部を研削砥石で研削し外周部は厚いままとしたウエハが開示されている。ウエハ中央部を研削するのは、半導体素子を所望の厚さとするためである。ウエハ外周部を厚いままとするのは、ウエハの強度を確保するためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７９６６１号公報
【特許文献２】特開２００７−１９３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
研削砥石でウエハを研削すると研削屑が生じる。研削屑が研削砥石とウエハの間に挟まれた状態で研削を進めると、ウエハが局所的に欠ける場合がある。この「欠け」はチッピングと呼ばれる。チッピングは、ウエハ割れの起点となったり、薬液等がウエハ表面に残留する原因となったりする。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、チッピングの発生を抑制してウエハを研削できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の発明に係る半導体素子の製造方法は、回転させた研削砥石により、ウエハ外周部の内側に沿って該ウエハの主面とのなす角が７５°以上９０°未満の斜面を、既に形成された斜面と該研削砥石の間に間隙を設けた状態で形成しつつ、該斜面に囲まれた部分に該外周部よりも薄い薄化部を形成するウエハ研削工程と、該薄化部に半導体素子を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、研削屑を外部に排出しながらウエハの研削を進めるので、チッピングの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】研削前のウエハの断面図である。
【図２】ウエハをウエハ研削装置のステージに固定したことを示す図である。
【図３】図２の研削砥石を斜め下方からみた斜視図である。
【図４】ウエハ研削装置でウエハを研削することを示す図である。
【図５】研削工程後のウエハを示す断面図である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】薄化部に半導体素子を形成したことを示す断面図である。
【図８】比較例の半導体素子の製造方法を示す断面図である。
【図９】比較例の方法で研削及びその後の処理が実施されたウエハを示す断面図である。
【図１０】図９の平面図である。
【図１１】チッピングの数、しみの数、及び薄化部の厚みばらつきのθ（ウエハの主面と斜面のなす角）依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態．
本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法について、図を参照しつつ説明する。図１は、研削前のウエハの断面図である。ウエハ１０は、例えば、ＦＺ法で作成されたシリコンで形成されている。ウエハ１０は、裏面１０ａと表面１０ｂを有している。表面１０ｂには、例えば、トランジスタや配線構造などの半導体素子構造を形成する。そして、ウエハの裏面１０ａを上向きにして、ウエハ１０の表面１０ｂに保護テープ１２を貼り付ける。
【００１０】
次いで、ウエハ１０をウエハ研削装置のステージに固定する。図２は、ウエハをウエハ研削装置のステージに固定したことを示す図である。保護テープ１２をステージ２０に吸着させ、ウエハ１０をステージ２０に固定する。ウエハ研削装置はステージ２０の上方に、研削ホイール２２及びこれに固定された研削砥石２４を備えている。研削砥石２４の形状について説明する。図３は、図２の研削砥石を斜め下方からみた斜視図である。研削砥石２４は、全体として環状に形成されている。研削砥石２４は、角部２４ａと底面２４ｂを有している。
【００１１】
次いで、研削工程を実施する。図４は、ウエハ研削装置でウエハを研削することを示す図である。研削工程では、例えば、ステージ２０を図４に示す方向に回転させつつ、研削ホイール２２及び研削砥石２４をステージ２０と反対方向に回転させる。そして、研削砥石２４をウエハ１０と接触させてウエハ１０を研削する。研削砥石２４は、図４のｘ-y平面と平行方向の移動とｚ方向の移動を交互に繰り返す。この研削によりウエハ１０に、斜面２５と薄化部２６を形成する。但し、ステージ２０と研削砥石２４の回転方向は必ずしも逆方向である必要はない。
【００１２】
斜面２５は、ウエハ１０外周部の内側に沿ってウエハの主面（裏面１０ａのことをいう、以下同じ）とのなす角が７５°以上９０°未満となるように形成する。図４には、ウエハ１０の主面と斜面２５のなす角の例として、これが８０°であることが示されている。斜面２５は、既に形成された斜面２５と研削砥石２４の間に間隙を設けた状態でウエハ１０の厚み方向に順次形成していく。このとき、主として研削砥石２４の角部２４ａが斜面２５を形成していく。なお、図４には、研削で生じる研削屑２９が前述の間隙を通って外部に排出されることを示す。
【００１３】
一方、薄化部２６は、斜面２５に囲まれた部分に外周部よりも薄くなるように形成する。薄化部２６は、研削砥石２４の主として底面２４ｂをウエハに面接触させることで形成する。薄化部２６は平坦な面となっている。薄化部２６の厚みは、例えば６０μｍ程度である。
【００１４】
図５は、研削工程後のウエハを示す断面図である。ウエハ１０の中央部３０には斜面２５及び薄化部２６が形成されている。ウエハの中央部３０は、研削されていない外周部３２に囲まれている。研削されていない外周部３２は、リブ構造と呼ばれる。図６は、図５の平面図である。外周部３２はウエハ１０の外周に沿って環状に設けられている。
【００１５】
次いで、研削工程で生じたウエハの加工歪みを除去するためにウェットエッチング又はドライエッチングを実施する。また、適当な時期に保護テープ１２を剥離する。次いで、薄化部に半導体素子を形成する。図７は、薄化部に半導体素子を形成したことを示す断面図である。前述のとおり、ウエハ１０の表面１０ｂには、半導体素子構造が形成されているので、この工程では主として薄化部２６の裏面１０ａに必要な処理を施して半導体素子を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程、熱拡散工程、スパッタ等による成膜工程、及びエッチング工程を適宜実施する。また、薄化部２６の表面１０ｂに第１の電極２７を形成し、裏面１０ａに第２の電極２８を形成する。半導体素子がＩＧＢＴである場合、第１の電極２７はエミッタ電極であり、第２の電極２８はコレクタ電極である。断面図である図７には、薄化部２６に形成された６つの半導体素子Ｄ１〜Ｄ６が示されている。
【００１６】
ここで、本発明の意義の説明に先立って、比較例について説明する。図８は、比較例の半導体素子の製造方法を示す断面図である。比較例では、ウエハ４０の外周部４４の側面４４ａが、主面４０ａに対して垂直となるようにウエハ４０の研削が進められる。すなわち、外周部４４の側面４４ａとウエハの主面４０ａとのなす角が９０°となっている。この場合、研削屑２９が側面４４ａと研削砥石２４に挟まれて、側面４４ａにチッピングが生じる。研削後には、本発明の実施の形態と同様の工程で半導体素子が形成される。
【００１７】
図９は、比較例の方法で研削及びその後の処理が実施されたウエハを示す断面図である。図１０は、図９の平面図である。側面４４ａには複数のチッピング５０が見られる。よってウエハのハンドリングの際に、チッピング５０を起点としてウエハ４０が割れるおそれがある。また薄化部４２にはしみ５２が見られる。しみ５２は、ウエハ研削後のウェット処理や写真製版処理で用いる薬液、フォトレジスト、現像液などがチッピング内に残留し、スピン乾燥でも除去できず薄化部４２に付着することで生じる。しみ５２を有する薄化部４２に電極を形成すると、しみ５２が抵抗層となり半導体素子の特性が変動するおそれがある。
【００１８】
ところが本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法によれば、チッピングの発生を抑制しつつウエハの中央部を研削できる。つまり、既に形成された斜面２５と研削砥石２４の間に間隙を設けた状態で斜面２５の形成を進めるので、研削屑は当該間隙を通って外部に排出される。よって、チッピングの発生を抑制できる。
【００１９】
また、ウエハの研削は、ウエハの主面とのなす角が７５°以上９０°未満となる斜面２５を形成しながら進められる。斜面２５があるため、研削砥石の回転運動によって弾き飛ばされた研削屑２９が前述の間隙を通って外部に排出されやすくなる。また、本発明の実施の形態では、斜面２５と接するのは、主として研削砥石２４の角部２４ａである。よって、本発明の実施の形態によれば、比較例のように側面４４ａと研削砥石２４が面接触する場合と比較して、容易に研削屑２９を外部に排出できる。
【００２０】
ここで、ウエハ１０の主面に対し７５°以上９０°未満の角度をなすように斜面２５を形成することの意義を説明する。図１１は、チッピングの数、しみの数、及び薄化部の厚みばらつきのθ（ウエハの主面と斜面のなす角）依存性を示すグラフである。このグラフは、薄化部が５０μｍとなるように研削したウエハをサンプルとして作成したものである。チッピングの数、及びしみの数は、θが９０°になると急上昇する。これは、θが９０°であると、比較例のように研削屑の外部への排出が困難になることが原因と考えられる。本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法では、θは９０°未満であるので斜面２５に沿って研削屑３９を外部に排出し、チッピングの数、及びしみの数を抑制できる。
【００２１】
例えばＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子では薄化部の厚み方向に電流を流すため、薄化部の厚みがばらつくと半導体素子の特性もばらつく。よって、薄化部の厚みばらつきはできるだけ低減することが好ましい。図１１を参照すると、薄化部の厚みばらつきはθが７５°未満となると上昇することが分かる。本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法ではθは７５°以上とするので、薄化部の厚みばらつきを低減できる。ところで、θが７５°未満となる斜面を形成するためには、研削砥石のウエハ主面平行方向の移動量を増加させなければならない。そのため、研削砥石とウエハ主面の平行度が悪化し、薄化部の厚みばらつきが上昇すると考えられる。
【００２２】
本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法は、本発明の特徴を失わない範囲において様々な変形が可能である。
【符号の説明】
【００２３】
１０ウエハ、２０ステージ、２２研削ホイール、２４研削砥石、２４ａ角部、２４ｂ底面、２５斜面、２６薄化部、２９研削屑、３０中央部、３２外周部、５０チッピング、５２しみ

【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転させた研削砥石により、ウエハ外周部の内側に沿って前記ウエハの主面とのなす角が７５°以上９０°未満の斜面を、既に形成された斜面と前記研削砥石の間に間隙を設けた状態で形成しつつ、前記斜面に囲まれた部分に前記外周部よりも薄い薄化部を形成するウエハ研削工程と、
前記薄化部に半導体素子を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記半導体素子を形成する工程は、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程、熱拡散工程、成膜工程、又はエッチング工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子を形成する工程では、前記薄化部の表面に第１の電極を形成し、前記薄化部の裏面に第２の電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。

【図１】