【課題】ラフネス及び形状に関する要求に完全に適合する、ポリシングされたエッジ部を有する半導体ウェハの製造を可能にする方法を提供すること
【解決手段】半導体ウェハの少なくとも一方の側のポリシング及びポリシングされた半導体ウェハのエッジ部のポリシングを有し、その際、前記エッジ部はポリシング剤の存在で、固定砥粒を有する研磨布でポリシングされる、ポリシングされたエッジ部を有する半導体ウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】パッケージングされた段階で、シリコン半導体基板の表面側のトランジスタ等の半導体素子等にＣｕ汚染が及ばないようなＣｕ分布を有し、歩留まりに優れた半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）銅含有量が１ｐｐｍ未満の砥石を用いて、シリコン半導体基板の前記半導体素子を設けた側と反対側である裏面側から粗研削及び仕上げ研削を行う。（２）シリコン半導体基板の裏面側に対してシリコン化学エッチングによる洗浄を行い、シリコン半導体基板の裏面側から３ｎｍまでの部分に局在化した状態で含まれる銅の含有量を１×１０⁹／ｃｍ²以下とする。 （もっと読む）

【課題】研磨時の縁だれを確実に防止することができ、品質の向上および研磨時間の短縮を可能にしたレンズ用保持具およびこれを用いたレンズの研磨方法を提供する。
【解決手段】レンズ１の凸面１ｂの中央部をブロックする金属保持部３と、凸面１ｂの外周部をブロックする低融点ワックス４とでレンズ保持具２を構成する。低融点ワックス４は、レンズ１の凸面１ｂの外周部をブロックするワックス本体部４Ａと、このワックス本体部４Ａの外側に延設されレンズ１の外周をブロックする環状の延長部４Ｂとで構成されている。研磨時においては、ワックス４の延長部４Ｂの表面６’をレンズ１の凹面１ａ周縁部と同一かまたは近似した曲面に研磨し、延長部４Ｂを残す。 （もっと読む）

【課題】平坦化及び表面浄化がなされて半導体膜を成長させるのに適した酸化ガリウム単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さＲｑが１．０〜２．０Åであり、かつ、表面粗さＲａが０．５〜１．０Åである酸化ガリウム単結晶基板、及び、酸化ガリウム単結晶の（１００)面を研磨して薄型化するラッピング加工、平滑に研磨するポリッシング加工、及び化学機械研磨を行った後、洗浄溶媒中に浸漬させてマイクロ波を照射する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れ、生産性の高いベルトの製造方法を提供する。
【解決手段】無端ベルト１を一つの金型３に挿入し回転させ、前記金型３上の無端ベルト１に回転砥石５を圧接しながら金型３又は回転砥石５を幅方向にトラバースさせるようにしたベルトの研磨方法であって、無端ベルト１の外周の半径値を入力し、その値に応じた距離回転砥石５が無端ベルト１方向に接近して研磨するベルトの製造方法。 （もっと読む）

研磨表面を、ある表面と接触させて回転往復させることによって、前記表面を研磨する方法、回転往復ツール内で用いる研磨物品、及び、ある表面内の欠陥を除去する方法であって、回転往復研磨表面を用いてサンディングしてから、１つ以上のポリッシング作業を行うことを含む方法を開示する。
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サファイア基板を機械加工する方法は、第１の固定砥粒を使用してサファイア基板の第１の面を研削する工程および第２の固定砥粒を使用して前記サファイア基板の前記第１の面を研削する工程を含み、前記第２の固定砥粒が、前記第１の固定砥粒に比べて小さな平均粒径を有し、前記第２の固定砥粒が自生作用する。 （もっと読む）

ａ面、ｒ面、ｍ面、及びｃ面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ約０．０３７μｍ／ｃｍ²以下のｎＴＴＶを有する概ね平坦な表面を含み、ここでのｎＴＴＶは該概ね平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は約９．０ｃｍ以上の直径を有する、サファイア基板。
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【課題】炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶１１側に対向する成長面に対して研削砥石３０の砥石加工部３２を接触させる工程と、研削砥石３０を回転させると共に研削砥石３０を種結晶１１方向に下降させて炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程とを含み、炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程にて、中空円筒状砥石３０又は固定装置２１に超音波振動を与えて炭化ケイ素単結晶１０の切子を排出させる。 （もっと読む）

【課題】改善された表面構造を有するIII−Ｎ基板及びIII−Ｎテンプレートを提供すること。
【解決手段】平滑化剤により平滑化されたIII−Ｎ、特にIII−Ｎ基板又はIII−Ｎテンプレートの平滑化方法であって、IIIが、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選択された周期表のIII族の少なくとも１つの元素を示し、平滑化剤が研磨粒子として立方晶窒化ホウ素を含む。この平滑化方法により、基板又はウェハの表面全体にわたって表面粗さが均質性に非常に低く、少なくとも４０ｍｍの直径を有する大型のIII−Ｎ基板又はIII−Ｎテンプレートを提供することができる。そして、白色光干渉計を用いたウェハ表面上のマッピングにおいて、ｒｍｓ値の標準偏差が５％以下となる。併せて、表面上又は表面付近の領域において非常に優れた結晶品質を実現できる。これは、例えばロッキング曲線マッピング及び／又はマイクロラマンラッピングによって測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 高平坦度等の優れた加工精度を有する片面鏡面ウェーハを再現性よく製造することができるウェーハ基板の研磨方法及びこれによって得られたウェーハを提供する。
【解決手段】 本発明の圧電性単結晶からなるウェーハの製造方法は、円筒研削済みの単結晶インゴットをスライスする段階と、上記スライスしたウェーハをラップする段階と、上記ラップウェーハの表面側を平面研削する段階と、上記平面研削されたウェーハの表面側を研磨する段階と、を含んで構成されることを特徴とする。
本発明の圧電性単結晶からなるウェーハは、圧電性単結晶からなるウェーハであって、該ウェーハの周辺部１ｍｍを除いた平坦度が、５ｍｍ角の測定サイトで、ＬＴＶ_max０．５μｍであり、且つ、ＬＴＶ_max０．４μｍ以下で測定したＰＬＴＶが９９％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワーク表面からの切削条痕の除去を容易に行える研磨方法を提供する。
【解決手段】単粒で１〜１０ナノメートルのダイヤモンド粒子２０が１０〜１００ナノメートルの大きさで凝集している凝集体１９を溶液に分散させた研磨液を用いる。凝集体１９のうちワークの加工面と研磨工具の加工点１８との界面に入り込んだものは、研磨工具によって押圧されて凝集が解ける。ワークの切削加工によって加工面に創成されていた切削条痕１７は、この凝集の解放による破壊エネルギーによって効率的に研磨加工されて除去される。 （もっと読む）

【課題】精研削を単一工程にすることができるように粗研削を行い、球面レンズの研削加工の時間短縮化、工程管理の合理化を達成すること。
【解決手段】レンズ球面を創成する粗研削を次の条件(１)〜(３)で行う。
（１）球心揺動型研削盤を用いて前記レンズ素材の粗研削を行う。
（２）粗研削工具皿として、＃300〜＃600(平均粒度60μｍ〜30μｍ)、集中度50以上のダイヤモンド工具を用いる。
（３）当該粗研削工具皿の回転数を2500ｒｐｍ〜3500ｒｐｍとする。
これにより、次の精研削工程での取しろが約20μｍ以下で済むように、粗研削加工の表面粗さ、球面精度を改善でき、精研削が単一の研削工程で済み、研削加工時間の短縮、工程管理の合理化を達成できる。 （もっと読む）

【課題】密着性の低い層間絶縁膜を使用する半導体装置の製造過程において、ウエハ端縁部で層間絶縁膜を含む積層膜が剥離することを防止した半導体装置の製造方法および半導体基板を得る。
【解決手段】ベベル部ＢＶ１上に形成された層間絶縁膜４を除去する際には、ラインＬ１で示す部分まで研磨を行い、層間絶縁膜４だけでなく半導体基板１の一部も除去するものとする。ラインＬ１が半導体基板１の主面となす角度αは０°よりも大きく３０°以下に設定され、半導体基板１のベベル部ＢＶ１の角度に合わせて適宜設定される。研磨ドラムＲＤは、円筒状のドラムの側面に研磨布を貼り付けて構成され、ドラムを中心軸の回りに回転させるとともに半導体基板１も面内回転させながら、研磨ドラムＲＤを半導体基板１の端縁部に押し当てることで研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】所望の形状の凹部を有する凹部付き部材を提供すること、所望の形状の凹部を有する凹部付き部材を容易かつ確実に製造することができる凹部付き部材の製造方法を提供すること、前記凹部付き部材を用いて製造されるレンズ基板を提供すること、また、前記レンズ基板を備えた透過型スクリーン、リア型プロジェクタを提供すること。
【解決手段】本発明の凹部付き部材の製造方法は、多数の凹部を有する凹部付き部材の製造方法であって、基材上に、多数の開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程と、マスクが形成された基材に対してエッチング液を用いたエッチングを施すことにより、凹部を形成するエッチング工程とを有し、凹部の形成過程において形成される中間凹部が設けられた基材に対して、振動数が１８ｋＨｚ以上の高周波振動を付与することにより、マスクのうち、中間凹部上に存在し基材に密着していない部分を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬く且つ脆い材料から形成された加工対象物に対して、優れた切断性能を安定して示す円盤状のブレードおよび優れた切断性能を安定して示し、かつ設計が容易な切断装置を提供する。
【解決手段】 モータの電源をいれ回転軸３を回転させる。次にロータリートランス９ａ、９ｂを介して切断ブレードに接合したリング状の圧電セラミック製の圧電素子８ａ、８ｂに図示しない超音波発振回路からの約２３０ＫＨｚの超音波交流電圧を印加する。次に回転する円盤状の切断ブレード１と図示しない加工対象物に冷却水をノズルから与え、加工対象物を切断または溝入れする。 （もっと読む）

【課題】 切削ブレードにおいて大きな横振れが発生するのを防止することの可能な超音波振動切削装置を提供する。
【解決手段】 スピンドル２５と，スピンドル２５を回転可能に支持するスピンドルハウジング２６と，切削砥石部２３と切削砥石部２３を支持する基台部２１とを有し，スピンドル２５の先端部に固定される切削ブレード２２と，スピンドル２５に設けられて超音波振動する振動子３３とを備え，振動子３３からスピンドル２５の軸方向に伝達される超音波振動の振動方向を切削ブレード２２の径方向に変換し，当該径方向に超音波振動する切削ブレード２２によって被加工物１２を切削する超音波振動切削装置１０が提供される。切削ブレード２２の切削砥石部２３の外周部に，複数のスリット２３ａが形成されることにより，切削砥石部２３の横振れ，特に切削砥石部２３の径方向の長さｈが刃厚ｔの約２０倍を超えるときに発生する大きな横振れを防止できる。 （もっと読む）

本発明は、スラリー組成物及び有機高分子眼科基材の研磨方法を提供する。本発明によるスラリー組成物は、研磨剤粒子の水分散液及びピロリドン化合物を含有する。研磨剤粒子はアルミナ、ジルコニア、シリカ、チタニア、又はこれらを組み合わせたものでも良い。本発明によるスラリー組成物は、全てのタイプの有機高分子眼科基材に対して研磨することができるが、得られた表面品質に有害な影響を与えることなく従来のスラリー組成物よりもより優れた効率をもってこのような物質を洗い落とすことができるため、特に屈折率が１．４９８よりも高い有機高分子眼科基材を研磨するのに有効である。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体を固定砥石で研磨する方法において、算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙが共に小さく、且つ、研磨時間が短縮された、工業的に十分実施可能な、研磨された窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体の表面を算術平均粗さＲａが０．１μｍ以下となるように研磨するにあたり、平均砥粒径が１μｍ以下であり、且つ、砥粒集中度が３００〜７００ｍｇ／ｃｍ^３の固定砥粒により仕上研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】貼り合せたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を除去する際に、ベースウエーハのテラス部に与えるダメージをより低減することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３とを貼り合わせ、ボンドウエーハ２の未結合部を含む外周部を所定幅で研削した後エッチングして除去し、その後、前記ボンドウエーハ２を薄膜化することによって貼り合わせウエーハ１を製造する方法において、前記ボンドウエーハ２の外周部の研削を、前記研削する外周部の所定幅のうち外周側について、貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部を除去するようにボンドウエーハ２を研削する第一の工程と、前記研削する外周部の所定幅のうち残りの内周側について、ベースウエーハ３にダメージを与えない厚さでボンドウエーハ２を研削する第二の工程と、により行うことを特徴とする貼り合わせウエーハ１の製造方法。 （もっと読む）