【課題】ガラス基板を位置決めすることなく面取加工を行うことにより、ガラス基板の生産効率を向上させる。
【解決手段】ガラス基板Ｇがテーブル１２に載置されると、ガラス基板Ｇを位置決めすることなくテーブル１２の吸引動作によってテーブル１２に吸着固定する。次に、この状態のガラス基板Ｇの端面Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３の位置情報をレーザー変位計１４〜２２によって取得し、この位置情報と所望の研削代とを考慮した加工開始位置及び加工終了位置をＣＰＵ２８によって算出する。次いで、算出した加工開始位置及び加工終了位置の位置情報に基づき、加工開始位置から加工終了位置に向けて面取用砥石２４、２６が直線移動するようにモーションコントローラ３２が移動機構３４、４０を制御する。 （もっと読む）

【課題】硬質脆性材料や難削材料の精密加工に適用可能な工具及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド単相の多結晶ダイヤモンドを切れ刃とする切削工具を製造する方法であって、ダイヤモンド単相の多結晶ダイヤモンドの切れ刃の外形をレーザ加工により形状作製した後、前記切れ刃を形成するすくい面及び逃げ面の仕上げ加工を金属バインダを含むダイヤモンド焼結体を研削盤として用いる研削加工により行なう工程を含み、前記ダイヤモンド焼結体からなる研削盤は、工具を作成する加工機上で回転軸との垂直度と平坦度を出す成形加工をダイヤモンド電鋳工具を電極として用いる放電加工により行った後、更に当該ダイヤモンド電鋳工具を用いて、ダイヤモンドスラリを研削液として用いる湿式研削と乾式研削とを併せて行い面粗さを調節した研削盤であることを特徴とする多結晶ダイヤモンド切削工具の加工方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表裏面と端面とに連接される境界部の面性状を適切に規定して当該規定を満たさせることにより、強化処理が施されているか否かに拘わらず、ガラス基板の撓みや不当な温度分布に起因する破損の発生を確実に防止すると共に、ガラスパーティクルの問題をも解消する。
【解決手段】ガラス基板１の表面２ａおよび裏面２ｂと、その両面２ａ、２ｂの外周端相互間に存する端面３との間に存する少なくとも一方の境界部に、面取り面４を形成すると共に、その面取り面４における突出谷部深さＲｖｋを、０．９５以下とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表裏面と端面とに連接される境界面の面性状を適切に規定して当該規定を満たさせることにより、強化処理が施されているか否かに拘わらず、ガラス基板の撓みや不当な温度分布に起因する破損の発生を確実に防止すると共に、ガラスパーティクルの問題をも解消する。
【解決手段】ガラス基板１の表面２ａおよび裏面２ｂと、その両面２ａ、２ｂの外周端相互間に存する端面３との間に存する少なくとも一方の境界部に、面取り面４を形成すると共に、その面取り面４における粗さ曲線の二乗平均平方根傾斜ＲΔｑを、０．１０以下とする。 （もっと読む）

【課題】遊星歯車機構を用いた研削加工又は研磨加工において、定盤の編摩耗に起因してガラス基板に歪みが生じることを抑制すると共に、定盤の外縁に起因してガラス基板に欠陥が生じることを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】遊星歯車機構を用いることにより、上側定盤と下側定盤に挟まれたガラス基板を上側定盤及び下側定盤に対して相対的に移動させて、ガラス基板の主表面を研削する研削工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、研削工程において上側定盤及び下側定盤として外縁が面取りされている定盤を用い、且つ、ガラス基板が上側定盤及び下側定盤に対して相対的に移動する過程でガラス基板の一部を上側定盤及び下側定盤の外縁より外周側を通過させてガラス基板の研削加工を行う。 （もっと読む）

【課題】 機械加工装置により加工される被加工物に超音波振動を与え、機械加工速度および加工精度を向上させることを提供すること。
【解決手段】シリコンインゴットの両端面には、超音波振動付与体１である圧電セラミック６をエポキシ樹脂で接着している。シリコンインゴットと接着されている圧電セラミック６の面はアース電極面である。電気配線を容易にするためアース電極面と接続する折り返し電極８を設けている。そしてスラリー液などにより電気的ショートしないように圧電セラミック６の表面の表電極７と折り返し電極８とともに絶縁塗料によりコートされている。なお圧電セラミック６は厚さ方向に分極されている。 （もっと読む）

【課題】当該技術分野で公知の仕上げのＣＭＰ研磨の前の両面研磨法は、エッジ形状およびナノトポグラフィーの将来的な要求を満たさず、且つ基板直径４５０ｍｍを有するウェハの加工に適していない。
【解決手段】第一の工程において固定された砥粒を有する研磨パッドを使用して半導体ウェハの前面を研磨し、且つ同時に砥粒を含有しない研磨パッドを用いて半導体ウェハの裏面を研磨するが、その間に砥粒を含有する研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの裏面との間に導入し、引き続き半導体ウェハを反転させ、その後、第二の工程において固定された砥粒を含有する研磨パッドを用いて半導体ウェハの裏面を研磨し、且つ同時に固定された砥粒を含有しない研磨パッドを用いて半導体ウェハの前面を研磨し、砥粒を含有する研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの前面との間に導入することを含む、半導体ウェハの両面研磨方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の形状に拘わらず、エッジ部を短い加工時間で所望の曲面形状に均質に加工することが可能な加工方法、その加工方法を実施可能な加工装置を提供すると共に、多数の支持突起のエッジ部に異物が付着して支持精度が低下することを防止できる基板保持部材を提供すると共に、そのような基板保持部材を容易に製造できる製造方法を提供することを別の課題とする。
【解決手段】 被加工物１０ａに多数の砥粒を接触させて削る加工方法であり、多数の砥粒からなる砥粒集合体３１に被加工物１０ａのエッジ部２１、２３を接触させて、被加工物１０ａを振動させることで、エッジ部２１を曲面形状に削る。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた上で、ガラス基板の研磨後の端面と表面および／または裏面との境界部に適正な面取り部を確実に形成すると共に、ガラス基板の端面の面性状と、当該端面の表面側および／または裏面側の境界部の面性状との関係を適切化して、ガラス基板の欠損や破損を効果的に抑止し、且つ、ガラスパーティクル等の問題をも回避する。
【解決手段】ガラス基板１の研磨処理後の端面３と表面２ａおよび裏面２ｂとのそれぞれの境界部ｚの少なくとも一方に、上記の研磨処理とは異なる特定研磨処理を施すことにより面取り部４を形成すると共に、面取り部４の特定研磨面の十点平均粗さＲｚ₂が、端面３の研磨面の十点平均粗さＲｚ₁よりも小さく、且つ、面取り部４の特定研磨面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ₂が、端面３の研磨面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ₁よりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程中におけるリテーナリングの変形を最小にすることができるウェハのベベル部の形状管理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るベベル部形状管理方法は、ウェハＷをＣＭＰ装置で研磨する前に、ウェハＷのベベル部を研磨して平坦な最端面Ｂ１を形成することによって、ウェハＷによるＣＭＰ装置のリテーナリングの変形を防止するものである。この場合、最端面Ｂ１の幅Ｄは２００μｍ〜５００μｍの範囲内にあることが好ましい。最端面Ｂ１を形成する手段としては、研磨テープを用いたベベル研磨装置などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等のウェーハのエッジのクラック、形状崩れ等を除去し、高い面質の面取り面を有するウェーハを高いスループットで生産することのできるウェーハ加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェーハ加工方法は、単結晶インゴットをスライスして得たウェーハの周縁を面取りする面取り工程Ｓ１２と、前記面取りしたウェーハをラッピングするラッピング工程Ｓ１３と、前記ラッピングしたウェーハをエッチングするエッチング工程Ｓ１４と、前記エッチングしたウェーハの面取り部をレジンボンド砥石を用いて研削する面取り部低歪み研削工程Ｓ１５と、前記面取り部低歪み研削を施した面取り部を鏡面研磨する面取り部鏡面研磨工程Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の外周側端面を低コストで効率良く高品質に仕上げることができる安定した研削加工を可能とする磁気ディスク用ガラス基板の加工方法を提供する。
【解決手段】円板状のガラス基板の端面部分に研削液を供給しつつ、ガラス基板の外周側端面に砥石を接触させて研削することによりガラス基板の端面を加工する磁気ディスク用ガラス基板の加工方法である。上記砥石は、円筒状に形成されているとともにその内周側に溝形状を有し、該溝形状は、ガラス基板の外周側端面の側壁面と面取面の両方の面を同時に研削加工できるように形成されている。上記砥石の内周側にガラス基板の外周側端面を接触させ且つガラス基板と砥石とを相対的に移動させることにより、ガラス基板の端面の側壁面及び面取面の両方の面を研削加工する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の研削面にうねりを残存させることなく効率良くサファイア基板を研削可能な研削方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板Ｓを保持し回転可能なチャックテーブル１２と、研削ホイール５を回転可能に装着した研削手段と、研削送り手段と、該研削砥石５２に超音波振動を生成する超音波生成手段６とを備えた研削装置を用いて、サファイア基板Ｓの研削面を梨地面に形成する研削方法であって、該研削砥石５２は粒径が１０μｍ〜４０μｍのダイヤモンド砥粒を含むメタルボンド砥石であり、サファイア基板Ｓを３０〜３００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ホイール５を１０００〜３０００ｒｐｍで回転し、０．５〜５μｍ／秒の速度で該研削手段を研削送りするとともに、該超音波生成手段６を作用させて該研削砥石５２に０．１〜３μｍの振幅を有する振動を生じさせながら、サファイア基板Ｓを研削することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ディスク材の周辺部における稜角部分の面取りを行うに際して、ディスク材でのチッピングの発生を抑える。
【解決手段】本発明によれば、ディスク材１８の周辺部の稜角部分の面取り加工は、ディスク材１８の周辺部における稜角部分に第１研削部材１２の第１研削面１２ｇを当接して行う予備研削と、その後、予備研削が行われた稜角部分に第２研削部材１４の第２研削面１４ｇを当接して行う仕上げ研削とにより成し遂げられる。そして、第１研削面１２ｇがディスク材１８の稜角部分に当接するときのディスク材１８の中心軸に直交するディスク面Ｓと第１研削面１２ｇとが成す角度は、第２研削面１４ｇがディスク材１８の稜角部分に当接するときのディスク面Ｓと第２研削面１４ｇとが成す角度よりも、大きい。 （もっと読む）

ウェハ研磨装置は、ベース（２３）と、上に研磨パッド（２９）を有するターンテーブル（２７）と、を備える。上記ターンテーブル（２７）は、上記ターンテーブル（２７）及び研磨パッド（２９）に垂直な軸を中心として上記ベース（２３）に対してターンテーブル（２７）及び研磨パッド（２９）を回転させるため、上記ベース（２３）上に取り付けられている。上記研磨パッド（２９）は、ウェハのフロント表面を研磨するため、ウェハのフロント表面と係合可能なワーク表面を含む。ターンテーブルの軸に実質的に平行な軸を中心とする回転運動を付与するため、上記ベースに駆動機構（４５）が取り付けられている。研磨ヘッドの回転を駆動するため、研磨ヘッド（６３）が駆動機構（４５）に接続されている。研磨ヘッド（４５）は、研磨パッド（２９）のワーク表面にウェハのフロント表面を係合させるため、ウェハを保持するように構成されたプレッシャープレート（１１５）を有する。当該プレッシャープレート（１１５）は、略平面ポジションにあり、平面ポジションから凸状ポジション及び凹状ポジションへ選択的に変位可能である。
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【課題】先端部に工具挿入部が設けられて、かつ、この工具挿入部に連なり当該先端部を分割するスリットが設けられた工具ホルダを使用して超音波加工用工具を超音波加工装置に取り付けた場合の加工精度を向上させ、超精密加工を可能にする。
【解決手段】ホルダ１の先端部に、工具２が挿入される工具挿入部１０と、この工具挿入部１０に連なり当該先端部を分割するスリット１１とを備え、さらにスリット１１が、ホルダ１の軸芯と略平行な面内にあり、ホルダ１の先端面からの深さは加工超音波の波長の１／８以上１／５以下とする。 （もっと読む）

【課題】砥石の振動等の発生を抑制しつつ回転角度により研削代が異なるワークをより効率良く加工する。
【解決手段】内面研削盤は、砥石２４と、ワーク１を回転駆動するホイールヘッド２０と、砥石２４とワーク周面とを切込み方向に相対送りする第１テーブル２６等を含む移動機構と、ホイールヘッド２０等の駆動を制御するＮＣ装置３０とを備える。このＮＣ装置３０は、電力検出回路２１から出力される砥石駆動モータのモータ電力の値に基づいて砥石２４とワーク内主面との接触検知を行う接触検知部３２と、その接触検知に基づき、砥石２４とワーク内周面とが接触状態にあるときのワーク１（主軸１２）の回転速度が、それ以外のときの回転速度よりも低速となるようにワーク１の一回転中の回転速度を制御すべくワーク駆動モータ１４に制御信号を出力する速度制御部３６とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高濃度不純物拡散層と非拡散層の２層構造の拡散ウェーハ製造において、非拡散層内の転位密度を所要レベルに簡便にしかも自在に調節する。
【解決手段】 シリコンインゴットを所定厚さにスライスし素材ウェーハ１１を形成する工程、素材ウェーハ１１をラッピング加工し両面に加工歪み層１２を形成する工程、加工歪み層１２表面のエッチング除去層１３を化学薬液で制御してエッチング除去する工程、素材ウェーハ１１の両面に不純物を所定の深さに拡散し高濃度不純物拡散層１４と非拡散層１５を形成する工程、素材ウェーハ１１をその厚み幅の中央部に沿い二分割して２層構造の拡散ウェーハ１６にする工程、を有する。ここで、上記エッチング除去の工程において加工歪み層１２の表面のエッチング量を制御することにより非拡散層１５内の転位密度を調節する。 （もっと読む）

【課題】表面における結晶軸のばらつきが少ないＧａＮ基板の製造方法、ＧａＮ基板及びこのＧａＮ基板を用いて作製した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１の製造方法は、ＧａＮ単結晶からなる基板１の表面を、基板１表面における結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきに基づいて凹型の球面状に加工する工程を有する。ＧａＮ基板１の表面を凹型の球面状に加工することで、加工後のＧａＮ基板１表面において、法線ｎ_０，ｎ_１に対する結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少する。また、結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少したＧａＮ基板１を用いて半導体デバイスを製造することにより、一つのＧａＮ基板１から作製される複数の半導体デバイスのデバイス特性を均一にできるため、半導体デバイスを作製する際の歩留まりを高めることができる。 （もっと読む）

【課題】研磨後の外径が研磨前よりも小さいプラスレンズの光学面研磨に用いられるレンズ保持具を提供する。
【解決手段】レンズ基材１はコバ厚がほとんど零のプラスレンズ形状をしている。レンズ保持具２は、レンズ基材１の凸面１ｂの中央部をブロックする金属保持部３と、凸面１ｂの外周部をブロックする低融点ワックス４とで構成されている。金属保持部３は、ヤトイ３Ａとアロイ３Ｂとで構成されている。アロイ３Ｂの外径Ｄｙ₄ は、レンズ基材１の凹面研磨によって製作されるプラスレンズの外径より小さく設定されている。 （もっと読む）