【課題】 遊星歯車方式の研磨機を用いた圧電体ウエハの研磨加工において、大口径の圧電体ウエハを用いても厚みバラツキが小さく、厚みすべり振動子の製造コストを大幅に低減可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】 圧電体ウエハの研磨加工において、２段階以上の研磨加工を行う場合に、最終段階の研磨加工の途中で、研磨加工を一時停止し、圧電体ウエハの反転を行った後に、再び研磨を開始して最終の厚みまで研磨する。これにより、圧電体ウエハ面内全体での厚みバラツキを最小限に抑える。 （もっと読む）

【課題】スライダとなる部分が多数配列されたバーを、生産効率の悪化や装置の複雑化を伴うことなく、バーの長手方向に平坦に研磨する。
【解決手段】研磨用治具５０は、研磨対象物の被研磨面を研磨装置の研磨面に対向させて保持する保持部５２と、研磨用治具５０を研磨装置に取り付けるための本体部５１と、本体部５１と分離されて長手方向に沿って配列し、少なくとも、被研磨面を研磨面に垂直に押し付ける押圧方向の荷重を研磨装置から受ける複数の荷重付加部５４ａ等と、保持部５２と本体部５１とを、長手方向に沿った互いに離れた位置で連結する複数の連結部５３ａ，５３ｂと、各々の荷重付加部５４ａ等と保持部５２とを連結する複数の腕部５５ａ等とを有している。隣接する連結部の間には、少なくとも１つの腕部が設けられ、両端の連結部の長手方向の外側には、各々少なくとも１つの腕部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】バフ研磨面にムラが生じないチュ−ブのバフ研磨方法とバフ研磨装置の提供
【解決手段】バフ研磨方法は、チュ−ブＡの内径ｄよりも若干大きい外径Ｄの棒体Ｂを、チュ−ブＡに嵌入したのち、チュ−ブＡの表面をバフ研磨することを特徴とし、研磨装置は、同一方向に、同一速度で回転し、間隔調整が可能な一対のロ−ラ２，２’を水平に併設し、一方のロ−ラ２’の中間部に適宜巾の切欠溝３を設け、他方のロ−ラ２側のやや高い位置から、回転する無端ベルト状の研磨部材Ｋを、切欠溝３に緩く嵌着可能に構成している。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウエハの化学機械研磨機のローディング装置に関するものであり、カッププレートがカップ状の槽内に設置されているローディングカップと、カッププレート上にあるウエハを受け取るためのローディングプレートと、ローディングプレートを垂直方向に制動するための、カッププレートとローディングプレートとの間に位置する複数の垂直制動装置と、化学機械研磨機のプラテンとスピンドルとの間のローディングカップの左右ピボット運動および上昇下降運動のための駆動軸と、ローディングカップを駆動軸に接続するアームと、を備え、複数の水平制動装置が、研磨キャリアヘッドとローディングプレートの間でウエハをローディングおよびアンローディングする時に、その間の位置ずれに基づいて、一定の駆動誤差の限界範囲内で、水平方向に細かくローディングプレートを揺さぶることによって、スピンドル上に搭載された研磨キャリアヘッドおよびローディングプレートを正常位置に較正された後に着脱可能とするために、その中心からローディングプレートの底面に沿って半径方向に一定の角度で配置され、そして、各水平制動装置の両端が、カッププレートおよびローディングプレートに、それぞれ固定される。このローディング装置の構造によって、本発明は、このローディング装置が、ウエハのローディングおよびアンローディングプロセス中に引き起こされた、研磨キャリアヘッドとローディング装置のローディングカップとの間の位置ずれに能動的に適応することができる、という利点を達成する。 （もっと読む）

【課題】被研磨面をより平滑に仕上げることができるとともに、特に細い溝や小径の穴の側壁面のように極めて狭小な部分を研磨すること。
【解決手段】被研磨面Ｇｘに対面して配置される研磨工具３０と、研磨工具３０に磁場を印加する磁場印加部４０と、研磨工具３０をＺ方向に数ｍｍの振幅で、数Ｈｚで往復運動させるとともに、研磨工具３０をＸ方向に０．１〜０．９ｍｍの振幅で、数百Ｈｚで往復運動させる油圧加振機２０とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 スラリーの消費量をより効果的に低減することができる研磨装置、研磨方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 研磨装置１００は、研磨定盤１、研磨パッド２、トップリング３、円弧壁４、及びスラリー供給部５を有する。スラリー供給部５から研磨パッド２上に供給されるスラリーは、研磨定盤１の回転により、研磨対象のウェーハを保持するトップリング３に向かって流れる。ウェーハの外周部に到達したスラリーは、その到達部からウェーハと研磨パッド２との間に浸入していき、ウェーハの研磨に供される。一方、その間に浸入できずにウェーハの外周部に沿って流れ去るスラリーは、円弧壁４とトップリング３との間に溜まることとなる。そして、この部分に溜まったスラリーは、ウェーハの外周部の広い範囲からウェーハと研磨パッド２との間に浸入していき、ウェーハの研磨に資する。 （もっと読む）

【課題】ワークの切断位置をワーク毎に決定できながら、複数の板状ワークを同時に切断可能に支持することができるワーク支持用治具を提供する。
【解決手段】ワーク支持用治具は、一枚の板状ワーク100が、外周側面の一部において載置固定されるスライス台3を複数と、一つのスライス台3が取り付けられるブロック体4を複数と、ワークの平面部同士が対向するように複数のブロック体4を併設させた状態で、これらブロック体4をワークの厚み方向にスライド可能に支持する支持台5と、各ブロック体4を支持台5の所定の位置に固定する固定手段6とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】 可撓性を有する合成樹脂成形体で形成されたワーク載置台と、このワーク載置台上に載置されたワークを上記ワーク載置台に押圧して固定する可撓性を有する合成樹脂成形体で形成された押さえ部材とを備え、上記ワーク載置台と上記押さえ部材との間にワークを挟持してワークを押圧することにより生ずる上記ワーク載置台及び押さえ部材の弾発力によってワークを固定するワーク切断用固定冶具、及びこのワーク切断用固定冶具によりワークを固定して、このワークを切断加工することを特徴とする切断加工方法。
【効果】 極めて簡素な固定機構によって、切断後に得られる切断片の寸法精度を損なわない程度に十分に、ワークをしっかりと固定することが可能であり、ワークの取り付け、取り外し作業が簡素化されるので、切断加工の作業効率が向上する。 （もっと読む）

本発明は、化学機械研磨装置においてウェーハの研磨工程中にウェーハの離脱を抑制するリテーニングリングに係り、本発明に係るリテーニングリングは、ウェーハの側面を支持して、研磨工程中にウェーハの離脱を防止する複数のリテーニング断片と、複数のリテーニング断片が付着された略環状を有するベースリングと、により構成される。 （もっと読む）

【課題】 刈刃の各刃部に設けられている例えば右側切刃、左側切刃、及び先縁切刃を、所定の形状に精度良く、しかも効率的に研磨することができる刈刃研磨装置を提供すること。
【解決手段】 ほぼ直線状縁部９ａに山形状の刃部１４と谷部１５とが交互に形成された刈刃９の各刃部１４に設けられた右側切刃１４ａ、左側切刃１４ｂ、及び先縁切刃１４ｃを研磨することができる刈刃研磨装置８において、基台１０と、基台１０に設けられ刃部１４を１つずつ直線状縁部９ａに沿う方向に刃送りする刈刃９の刃送り機構部１１と、基台１０に設けられた研磨機支持台１２と、基台１０に設けられ研磨機４６の研磨面４７ａが刃部１４に対して切り込む方向１８に刈刃９を移動させる切込み機構部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の両面研磨を行った時に、表面もしくは／および裏面の酸化不良を効果的に低減できる基板の両面研磨方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 研磨布１を貼り付けた上下定盤６，２間に、両面研磨用のキャリア５を設け、そのキャリア５に基板４をセットし、上下定盤６，２の回転により両面研磨用のキャリア５を自公転させつつ上下定盤６，２に貼り付けた研磨布１に研磨液９を供給して基板４の両面を研磨し、その研磨後、上定盤を上昇させて基板４を取り出す際に、基板４にシャワー機構１０から純水をかけて、残留研磨液を除去する。 （もっと読む）

【課題】 研磨パッドの自動交換機能を有するＣＭＰ装置において、保管中の研磨パッドやスラリーが乾燥することによる発塵やウエハに発生する研磨傷を抑制することのできるＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１〜第４の保管室１５ａ〜１５ｄは、それぞれ仕切られて形成されており、スラリーやコンタミネーションなどが他の保管室に入り込むのを防止している。第１の保管室１５ａは、使用後の第１の研磨パッド１８ａが保管されている。第１、第２の載置ブロック６１，６２は、第１の研磨ヘッド１３ａの鍔部６５を第１、第２の載置ブロック６１，６２の上面６１ａ，６２ａに載せたときに、第１の研磨パッド１８ａの底部２２が第１の保管室１５ａの底部６６に接触しない高さを有する。これにより、純水２１中に第１の研磨パッドの底部２２を浮かせて保管することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶インゴッドを切断して得られるウエハの厚みのばらつきを低減することができる単結晶インゴッドの切断方法を提供する。
【解決手段】 ワイヤソーにより単結晶インゴッドを切断する方法であって、単結晶インゴッド上に緩衝材を設置し、緩衝材を介して前記単結晶インゴッドを切断する単結晶インゴッドの切断方法である。ここで、緩衝材がグラファイトからなることが好ましく、単結晶インゴッドが半導体単結晶インゴッドからなることが好ましい。 （もっと読む）

ワイヤソーとウェハの安定化システムが、ソーイング工程中の振動及び好ましくない移動に対してウェハの区画（１１２）を一様に保持するために提供されている。安定化手段（１１４）は、ウェハの部分がシリコン材料のインゴットまたはブロックから部分的に切り出されるときの初期段階で、部分的に形成されたウェハの区画の端部に適用される。安定化手段は、後続のソーイング工程中の振動、揺動、又は好ましくない接触に対してウェハの区画を安定化するように働く。また、安定化手段は、スライスが完了した後のウェハの処理を加速し、洗浄工程を容易化し、カセットの中へのウェハのより迅速な、若しくは自動化された収容を可能とする。安定化システムによって生産されたウェハは、最小化された全体的な厚みのばらつき、実質的に均一な平面度、及び実質的に曲がりまたは撓みがないことによって特徴付けられる。
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取付けられた取手手段を有する支持構造体を有する、はさみあるいはシャーの右利き用あるいは左利き用ブレードの一方を研ぐための手動式研ぎ器である。磁気手段が、前記支持構造体上の少なくとも１つの研磨パッドを保持する。１つ以上の高精度アングルブレードガイドが、前記構造体に取り付け自在である。
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