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Fターム[3C058AB09]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 装置の構造(ワーク) (2,440) | 治具を有するもの (215)

Fターム[3C058AB09]に分類される特許

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【課題】3点支持式の薄片研摩装置の板厚分布の修正を研摩を中断することなく、自動的に行なう。
【解決手段】研摩ヘッド2に固定され、先端が研摩定盤に接して研摩ヘッド2と研摩定盤の間隔を制御可能に保持するアクチュエータ4a付きの2個のマイクロメータと、研摩ヘッド2の研摩試料10上に設けられ、研摩試料10の厚さを測定する3個の膜厚測定器3a〜3cとを備え、膜厚測定器3a〜3cの測定値に基づき研摩試料10の平行度を修正するようにアクチュエータ4aを制御する。研摩中に研摩試料10の板厚分布を3個の膜厚測定器3a〜3cで検出し、その板厚分布を研摩中にアクチュエータ4aを制御して修正するから、平行度の高い薄片試料を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板平坦化加工時の保護粘着テ−プの使用量を半減化し、反りのない極薄半導体基板の単位時間当りの生産量を向上させる基板の平坦化方法の提供。
【解決手段】 一対の半導体基板2の電子回路面を温水溶解性粘着剤3を用いて前記半導体基板の直径より大きい直径を有する1枚の剛体製支持プレ−ト4表裏面に接着して半導体基板/温水溶解性粘着剤/支持プレ−ト/温水溶解性粘着剤/半導体基板の積層体1を形成し、この積層体1の表裏面を研削、洗浄、研磨、洗浄後、この平坦化加工された積層体1を60〜90℃の温水中に浸漬し、温水溶解性粘着剤3を溶解させて2枚の20〜50μm厚みの極薄半導体基板2と1枚の剛体製支持プレ−ト4に分離させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、コンピュータ制御装置を用いなくてもボールエンドミルの刃先部の外刃と裏刃を簡単かつ正確に再研磨することができるボールエンドミル刃先部研磨機を提供する。
【解決手段】このボールエンドミル刃先部研磨機10の基台11の左側部にはボールエンドミル1の刃先部3の裏刃2Bを専門に再研磨するボールエンドミル裏刃研磨装置12が設けられている。前記基台11の右側部にはボールエンドミル1の刃先部3の外刃2Aを専門に再研磨するボールエンドミル外刃研磨装置13が設けられている。また、前記基台11の右側部後側にはボールエンドミル1の刃先部3の先端部を専門に再研磨するボールエンドミル刃先部先端研磨装置14が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 微小部品研磨装置を改良して、エアシリンダの小形化が困難であっても、これに妨げられることなく微小部品研磨装置を全体的に小形軽量化する。
【解決手段】 頭部T字形部品保持片9は、その底面(隠れている)に微小な被研磨部材を貼着して保持する部材であって、リーフスプリング4に支えられてX軸方向に1直線状に整列している。エアシリンダ8は、1直線状に整列させることなく、交互にY軸方向に偏らせて(ずらして)千鳥形に配置してある。このため、エアシリンダ8の直径寸法Dよりも頭部T字形部品保持片9の配列ピッチpを小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】試料を機械研磨装置で研磨した後にイオンビームエッチング装置でエッチングする際の作業効率を向上する。
【解決手段】試料15をイオンビームエッチング装置用の専用試料台16に接着部材により固着した状態で専用試料台16を研磨用試料台11に機械的に着脱自在に固定し、研磨用試料台11を機械研磨装置の試料取付台18に機械的に着脱自在に固定して試料15を機械研磨装置により機械研磨し、機械研磨の後に専用試料台16を研磨用試料台11から取り外してイオンビームエッチング装置内に入れ、専用試料台16に固着されている試料のイオンビームエッチングを行う。 (もっと読む)


【課題】 料理の職人から一般家庭における素人であっても、必要な時に出刃包丁等の刃先を正確かつ簡易に研ぎ上げることができるところの簡潔な構造で、取り扱いの極めて容易な刃先研ぎ補助具を提供する。
【解決手段】 先端を高硬度にした角度調整螺子を底面から出し入れ自在に装備した角度調整部と角度調整部の一側面から上下2段に分けて伸長する刃先把持部とから構成して、刃先把持部上段の固着部には刃先の固定螺子を装備すると共に、下段の刃先受け部では上面で固定螺子に抑えられた刃先を受けており、下面は傾斜状に形成する刃先研ぎ補助具であって、角度調整部に装備した上記角度調整螺子の出し入れとの関連によって刃先の研ぎ角度を常に一定状態に設定している。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドの表面や貫通穴内に残留した研磨生成物等の異物を、容易且つ確実に除去できるようにする。
【解決手段】研磨パッド66の研磨面66aに摺接して該研磨面66aをドレッシングするドレッサー38の該研磨面66aとの対向面に、第1ブラシ毛82と該第1ブラシ毛82より剛性の小さな第2ブラシ毛84を植設した。 (もっと読む)


【課題】ドレッシング後の研磨パッドの研磨面の平坦度を高く維持しつつ、削り屑の排出効率を向上させたドレッシング工具を提供する。
【解決手段】円盤状の基材231における円形の中央領域R1及びこの中央領域を取り囲む周辺領域R2に、表面に複数の砥粒232が固着された小径の研削ドットDが各々独立して多数形成されてドレッシング面が構成される。ドレッシング面における周辺領域R2の研削ドットの形成密度は、中央領域R1の研削ドットの形成密度よりも高く構成される。 (もっと読む)


【課題】研磨後の半導体ウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度を改善する。
【解決手段】半導体ウェーハの裏面に、硬質のワックスを塗布してワックス層を形成する。次いで、シリコンウェーハを、枚葉式の接着装置を用いて、ワックス層を介して、算術表面粗さが0.1〜0.3μmのキャリアプレートの表面に1枚ずつ押し付ける。硬質ワックスは、キャリアプレートの凹部に入り込まず、キャリアプレートとワックス層との界面は略フラットである。このシリコンウェーハ表面を鏡面研磨する。研磨面とワックス層とに一定の厚みを保持したまま、シリコンウェーハ表面を研磨できる。これにより、シリコンウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度が改善する。 (もっと読む)


【課題】大面積で膜厚が薄く、湾曲しているようなLPE膜であっても、その表面に現れている微細周期の凸部を選択的に除去して表面を平坦化できるようにし、形状の揃った微細な内部構造を高密度で実現する。
【解決手段】非磁性基板10の表面に微細周期の凹部もしくは凸部16を縦横2次元的に配列形成し、その凹凸面上の全面にわたってLPE法により磁性ガーネット結晶を育成することによって非磁性基板の凹凸形状を反映した表面を有するLPE膜20を形成し、次いで磁気研磨法により砥粒が付着したもしくは砥粒を含んだ磁気ブラシを用いてLPE膜表面をさすることによりLPE膜表面の凸部を選択的に研磨除去し、LPE膜表面を平坦化した磁気光学デバイスを製造する。 (もっと読む)


【課題】被粘着物を十分な保持力で保持可能であると共に容易に取り外すことができ、耐久性に優れた保持治具を提供する。
【解決手段】保持治具1は、周壁部20と、前記周壁部20で包囲された内部空間22に形成された少なくとも一つの凸状体30と、前記周壁部20と前記凸状体30との間隙部に連通する通気孔40とを有する基体10、及び、前記基体10上に接着固定又は密着固定され、前記凸状体30上に位置する上面に弱粘着部又は非粘着部を有する粘着性シート50を備え、前記凸状体30は曲面部又は面取部33を有する頂部とを備える。 (もっと読む)


【課題】小径化が急務となっている磁気ディスク用ガラス基板の内周側端面の表面状態を低コストで効率良く高品質に仕上げる研磨ブラシ、研磨方法等を提供する。
【解決手段】中心部に円孔を有する円板状のガラス基板の内周側端面部分に研磨液を供給しつつ、前記ガラス基板の内周側端面に研磨ブラシを接触回転させて研磨する研磨方法に用いる研磨ブラシである。該研磨ブラシ20は、その軸心21に対して毛材22が略直交する方向に突設されてなり、2つの外径D1,D2の異なる部分が軸方向にわたって交互に配列されるとともに、その小径D2となされた部分が大径D1となされた部分よりも毛材の硬度を大きくする。そのため、研磨ブラシ20における小径D2となされた部分の毛材を樹脂で固める。 (もっと読む)


【課題】研磨対象のウエハをより均一な状態で基板フォルダに貼り付ける。
【解決手段】貼り付け室111及びダイヤフラム室121を排気し、例えば、1000Pa程度に減圧し、貼り付け室111及びダイヤフラム室121が同様に減圧された状態で、温度制御機構106を動作させ、基板ホルダー103が150℃程度に加熱された状態とする。この後、ダイヤフラム加圧部125を動作させ、ダイヤフラム室121にエアを送り込み、ダイヤフラム104を真空チャンバー下部101の側に張り出させ、変形したダイヤフラム104によりウエハWを基板ホルダー103の側に押し付ける。 (もっと読む)


【課題】 角形状液晶表示板用積層ガラス板の隅部や液晶注入口封止材部を破損、傷つけることなく、両面研磨加工して厚み約0.6mmの液晶表示用積層ガラス板を得ることができるキャリアの提供。
【解決手段】 長方形を切り抜いた形状の金属製キャリア枠体4aの内側に、中央部に角形状基板収納ポケット部4bが設けられた樹脂製可撓性保持材4cが配され、この樹脂製可撓性保持材の角形状基板3と接する角形状基板収納ポケット部の4隅には角形状基板の隅部に当たらぬよう逃げの空所4d,4e,4f,4gが設けられているとともに、角形状基板の液晶注入口封止材の近傍位置にも逃げの空所4h,4iが設けられているキャリア4。研磨加工時の衝撃応力が樹脂製可撓性保持材4cに設けられた逃げ空所で減衰されるので角形状液晶表示板用積層ガラス板の破損や傷付がない。 (もっと読む)


【課題】装置を大型化させることなく大型のワークの研磨を行うことができる両面研磨装置を提供する。
【解決手段】回転駆動される平坦な研磨上面2aを有する下定盤2と、前記下定盤2に対向して配置され回転駆動される平坦な研磨下面4aを有する上定盤4と、前記下定盤2と前記上定盤4により挟持される板状のワークを保持するワーク保持孔を有するキャリアと、前記キャリアを前記下定盤2と前記上定盤4との間に保持するキャリア保持部材16と、前記キャリア保持部材16を前記下定盤2と前記上定盤4との間で揺動させる揺動機構24とを備える。 (もっと読む)


【課題】スタンパ(ディスク状部材)の記録面に非接触でスタンパ(ディスク状部材)の裏面(非記録面)を研磨する。
【解決手段】スタンパ(ディスク状部材)の研磨治具10,20は、ラッピングプレート32に裏面が載置されるスタンパ1の周囲を囲むリング部11,21と、リング部の上方を覆う蓋部14,24と、蓋部の中央に配置され、リング部および蓋部により形成されるチャンバ15,25内に加圧流体を導入する加圧流体導入部16,26とを備える。スタンパ(ディスク状部材)の裏面研磨機30は、ラッピングプレート32と、研磨治具10,20と、研磨治具をラッピングプレートの回転方向に移動しないよう規制する規制部材33とを備える。 (もっと読む)


【課題】研磨後の試料に酸化、腐食又はその他の不具合が発生することを防止できる研磨装置、研磨装置の試料台パッド及び研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨前又は研磨後のウェハ(試料)を一時的に載置するペデスタル(試料台)の上に、ペデスタルパッド(試料台パッド)125を配置する。このペデスタルパッド125は樹脂により形成され、少なくともウェハに接触する面が液体に対し非吸収性であって、組織が緻密で平滑であり、液体を保持する孔等の空隙を有していない。 (もっと読む)


【課題】 所望の厚さの半導体ウェハを精度よく得ることができる半導体ウェハ用キャリア及びそれを用いた半導体ウェハ表面の研磨方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明に係る半導体ウェハ用キャリア20は、キャリア本体21に形成されたウェハ収納ホール22に、両面研磨すべき半導体ウェハ23が収納保持されるものであり、キャリア本体21の厚さt1を、半導体ウェハ23の研磨目標厚さと同じ厚さに設けたものである。 (もっと読む)


【課題】両面研磨装置の上定盤への研磨パッドの貼り付け作業を容易かつ精密に行う。
【解決手段】両面研磨装置の上定盤30と下定盤20の各研磨面に研磨パッド10を仮貼付し、太陽ギア80と内歯ギア70に取り付けたシャフト軸220に回転可能に設けられると共に、外表面に所要幅の螺旋状の突出部232が形成されたローラ体230を有するローラ装置200を取り付け、下定盤20の上にラジアル方向に装着し、支持装置60により上定盤30をローラ体230に当接する位置まで下降し、上定盤30でローラ体230を加圧しながら上下定盤30,20を互いに反対方向に等速で回転させ、上下定盤30,20に研磨パッド10を同時に貼り付ける。 (もっと読む)


【課題】500μm以下の厚さの高硬度半導体基盤の平坦度を修正するラッピング装置を提供する。
【解決手段】ラッピング定盤2上で研磨する半導体基板6が装着された共用ツール7を固定する基準プレート10と、基準プレート10がラッピング定盤2に設置される際に基準プレート10に3点支持されるとともに当該3点支持に対応して設けられる所定の空隙を有して配置される円環状の(or円環状部を有する)リテーナリングプレート8と、リテーナリングプレート8に接着固定され半導体基板6の研磨面位置を調節するためのリテーナリング1と、当該3支持点間隙をそれぞれ設定する3個のマイクロメータヘッド13と、を備え、半導体基板6の研磨時に、当該3支持点間隙に応じて半導体基板6がラッピング定盤2に対して傾いて研磨され、当該3支持点間隙の全ての間隙が無くなるまで研磨する。 (もっと読む)


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