【課題】散熱器の受熱面がより良い平面度及びラフ度を達成可能な研磨された受熱平面を備える散熱器及びその研磨方法と設備。
【解決手段】研磨された受熱平面を備える散熱器30及びその研磨方法は、先ず、研磨盤11を備える研磨機10及び治具20を提供し、散熱器30を治具20上にセットし、研磨盤11と散熱器30の受熱平面34との間に研磨物132を注入し、治具20により散熱器30を圧迫して固定し、これにより散熱器30の受熱平面34は、研磨物132上に平らに密着し、さらに研磨盤11を回転させ、受熱平面34に対して、少なくとも１回の研磨を行い、こうして受熱平面34の表面ラフ度及び平面度はより優良となり、受熱平面34と発熱部品との接触時の密着度を向上させ、散熱器30と発熱部品との伝熱効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】擬似ヘッドガスケットを用いることなく、ダミーヘッドの汎用性を向上できてコストダウンが図れるシリンダブロックの加工方法を提供する。
【解決手段】内燃機関を構成するシリンダブロック１のデッキ面２に、内燃機関を構成するシリンダヘッドの組み付け方向に突出して段差９を形成し、その後、デッキ面２上にダミーヘッド１１をボルト３により組み付けて、シリンダブロック１のボア部５を段差９を介して変形させた状態で加工する。ダミーヘッド１１の組み付けにより段差９を介してボア部を変形させるので、擬似ヘッドガスケットを用いる必要がなく、かつダミーヘッド１１はシリンダブロック側を簡単な平坦形状にできるので、機種変更等のシリンダブロックの仕様変更にも容易に対処でき、汎用性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体単結晶ウェハにおいて厚さのばらつきや反り等の形状不良を低減させることができる半導体単結晶ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体単結晶ウェハの製造方法は、ワイヤーソーにより半導体単結晶インゴットをスライスする半導体単結晶ウェハの製造方法であって、セラミックスまたは樹脂からなる補助治具を前記半導体単結晶インゴットに取り付け、前記補助治具からスライスし始めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダーから基板を取り剥がすことが容易な基板ホルダーの提供。
【解決手段】回転軸１５に軸承された剛体製基台１１の表面に粘着剤層１２を介して基板密着層１４を表面に設けた基材フィルムを積層した基板ホルダーであって、前記基板密着層１４がこの基板密着層に貼着される基板ｗ表面と基板密着層１４との剥離力（ＪＩＳ Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする基板ホルダー１。 （もっと読む）

【課題】ドリル研磨機を用いたドリル研磨において、研磨不能や研磨不足、過剰研磨等を未然に防止し、箇所のドリル先端面を適正かつ均等に研磨させるために必要な、ドリルチャックに対する前記ドリルの突出長さと研磨面の向きの位置決めを、簡単な操作で正確に行うことができるドリルの研磨位置決め器具を提供することにある。
【解決手段】ドリルチャック３０をその軸心を中心とする所定の軸回転方向の向きで載置する器具本体２に、ドリル２０の先端を当接させてドリルチャック３０の先端部から突出するドリル２０の突出長さを所定長さに決める当接板３と、ドリル２０を軸心と直交する両側から挟持させてドリルチャック３０に対するドリル２０の軸回転方向の向きを所定の向きに決める開閉自在な左右１対の挟持部材４，５とが夫々設けられ、挟持部材４，５をばね６により挟持方向に付勢させた。 （もっと読む）

【課題】研磨液充填開口部を有するキャリアプレートに半導体ウェーハを保持し、研磨パッドで挟みこんで半導体ウェーハの研磨を遂行すると、研磨液充填開口部における研磨パッドの研磨面と直交する側面が研磨パッドを削り、研磨パッドの寿命の短縮化及び半導体ウェーハの平坦度の不均一化を招くという問題があった。また、研磨パッドが固定砥粒パッドである場合は、砥粒を含む削り屑が半導体ウェーハを傷付けるという問題があった。
【解決手段】研磨液充填開口部５１が形成されたキャリアプレート５において、研磨パッド６０、６１の研磨面６０ａ、６１ａと直交する側面である内周面５１０のうち研磨パッド６０、６１と接触する部分に面取り部５１０ａを形成し、研磨パッド６０、６１がキャリアプレート５により削られる事を防止した。 （もっと読む）

【課題】インゴットの切り終わり時の座り状態を安定化して維持し、インゴットの切断の際のカケやチップの発生を抑制することで製品歩留りを向上させることができるインゴット切断装置及びインゴットの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、切断テーブルの上面に設置され、該切断テーブル上に載置される前記インゴットとの間に介在するＶプロセスパッドを有し、該Ｖプロセスパッドは、パッド本体内に粉粒体を封入し、前記パッド本体の供給部から供給されたエアーを吸引部から吸引して減圧し、前記粉粒体を硬化させることによって表面形状を造形可能なものであり、前記Ｖプロセスパッドを減圧して前記Ｖプロセスパッドの載置面の表面形状を該載置されたインゴットの表面形状に沿うように造形して前記インゴットと前記Ｖプロセスパッドとを密着させて前記インゴットを切断するものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】砥石を使用して包丁の刃の研磨角度を任意の一定の角度にして包丁を研磨するのを容易にするために、一対の挟持片の各々に取り付けた円柱形の回転体が砥石上で滑らかに回転し、この円柱形の回転体が回転している時に指が接触するのを防止し、また、側面の形状が三角形の板バネの開閉範囲を任意の範囲に設定することで一対の挟持片が任意の開き幅以上に開かないようにすることと力を入れて研磨する時に一対の挟持片が前述の開閉範囲の任意の範囲内で開こうとするのを保護部に指を添えて挟持部の先端部が閉じる方向に向かう形と方法が課題となりました。
【解決手段】表面が合成ゴムなどの弾性を有する物質からなる円柱形の回転体を取り付けた一対の挟持片に、手の指を保護し、挟持片が開かないよう補助することを兼ね備えた保護部と開き止めを有する包丁研磨補助具を包丁に取り付けることにより砥石で任意の一定の角度で研磨できるようにしました。 （もっと読む）

【課題】片面記録用基板の一方の主面を効率良く研磨できる磁気ディスク用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気ディスク用基板の製造方法は、一対の研磨定盤１、２の間に挟持され、複数のディスク状ガラス基板４を保持した状態で自転しながら公転するキャリア５を備えた研磨装置でディスク状基板を研磨加工する主表面研磨工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法であって、ディスク状ガラス基板４の一方の主表面を非研磨主表面とすべく、研磨装置において、一方の主表面側に板状体１０を配設した状態でキャリア５を配設しディスク状ガラス基板４の他方の主表面のみを研磨加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなくワークを位置決め固定して切断精度を向上させることができ、接着工程や剥離工程を不要にする。
【解決手段】マルチワイヤ方式のワーク切断部１０と位置決め用基準板２１とワーク位置決め体とワーク挟持体と移動手段とを備え、位置決め用押え部材は、位置決め用基準板２１に対向配置されてワーク１を位置決め用基準面２１ａに押圧接触させて弾性的かつ切断方向に摺動自在に位置決めする位置決め用押え板２２であり、ワーク挟持体３０Ａは、位置決め用基準面２１ａに直交する挟持用基準面３１ａを有する挟持用基準板３１と、該挟持用基準板３１に対向配置されてワーク１を挟持用基準面３１ａに押圧接触させて弾性的かつ切断方向に摺動自在に挟持する挟持用押え板３２とからなり、挟持用基準板３１および挟持用押え板３２が、位置決め用基準板２１および位置決め用押え板２２とともにワーク１を囲むガイド枠形状に一体化されている。
【選択図】図２
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【課題】研磨加工中の積層ウエーハのリテーナリング外方への飛び出しを防止する。

【解決手段】基板保持ヘッド１の円盤状キャリア５に保持されたウエーハｗを研磨プラテンの研磨布に押圧し、回転するウエーハを回転する研磨布に摺擦させてウエーハ面を研磨加工する際、前記ウエーハがリテーナリング６内より外方へ飛び出さない高さ位置であって、ウエーハ下面の高さ位置よりリテーナリング下面高さ位置が常に上方に位置するようコントローラの制御により圧空を第三流体通路溝１１ａ内に供給する。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の沈み込みを抑制しクッション応答性を高め被研磨物の平坦化精度を向上させることができる保持パッドを提供する。
【解決手段】保持パッド１０は、ポリウレタン樹脂製のウレタン発泡体２を備えている。ウレタン発泡体２は、湿式凝固法で一体形成されており、保持部２ａと、クッション部２ｂと、中間部２ｃとを有している。保持部２ａは被研磨物を保持するための保持面Ｐを有している。保持部２ａには、厚み方向に縦長状の多数の発泡４が略均等に分散した状態で形成されている。クッション部２ｂには、発泡４より大きい多数の発泡５が略均等に分散した状態で形成されている。中間部２ｃは、発泡４および発泡５が非形成で保持部２ａとクッション部２ｂとの間に形成されている。被研磨物の微小な凹凸に対応するようにクッション応答性が発揮され保持部２ａの剛性が高まる。 （もっと読む）

【課題】 剛性を欠く薄肉の平板部材であっても迅速に平面度を向上させる平面度修正ジグを提供する。
【解決手段】 本発明の平面度修正ジグ６０は、ラップ盤上に配置して研磨される平板部材１０の上に載置される円盤６１を有する。この円盤６１の平板部材１０に対向する面に樹脂製フィルム６２が貼り付けられている。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板等を研磨装置等に配置する場合において、ディスクに傷等の不具合を発生させることなく、ディスクを１枚ずつ所定の位置に短時間で配置する。
【解決手段】本発明のディスクディスペンサは、複数のディスクの内周孔に貫入する円筒形のフレームと、前記フレームの終端にあって、前記フレームと部分的に間隙を有し、かつ、前記フレームの外周面から部分的に突出する突出板と、前記フレームの終端と前記突出板との間隙から前記ディスクを押してスライドさせるスライダと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】円盤状基板のセットに際して生じる傷などの低減を図る。
【解決手段】キャリア３０に対してキャリアアダプタ５０を装着することにより、キャリア３０の表面がキャリアアダプタ５０により覆われる。その後、キャリアアダプタ５０の孔部５４を介して（通じて）キャリア３０の孔部３４にワークをセットする。そしてワークのセットが完了後、リング部５９ｂを引っ張り上げることでキャリアアダプタ５０を取り外す。その後は、上定盤をワークに接触するまで移動させ、ラッピングマシンを稼働させる。 （もっと読む）

【課題】等方的かつ制御された凹面形状を持つ半導体用ウエハー、特にサファイアウエハーを安定して供給する製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】ウエハーの目標とする研磨仕上げ表面形状と、各ウエハーが略同一形状の両面研削されたウエハー群から抽出したウエハーＡの裏面を平板に密着固定し、その表面を鏡面研磨した後に取り外して測定した無加圧状態での面形状との差から求めた面形状を表面とする矯正板の表面上にウエハーＡの裏面を密着して搭載した時に、ウエハーＡの外周が接する矯正板の表面上の閉曲線の上の各点からの距離が最も近い平面が、鏡面研磨装置の鏡面研磨面に対して略平行となるように、鏡面研磨装置における矯正板の姿勢を調整して固定した後、ウエハーＡと同じウエハー群から抽出したウエハーＢの裏面を矯正板の表面上に密着固定して、ウエハーＢの表面を平坦に研磨する半導体用ウエハーの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】フロートガラス研磨システム用下部ユニットに関し、フロートガラスが支持されたキャリアを下部ユニットから分離した後、コンベアーなどを用いてキャリアを後工程に移送することで、研磨工程で発生し得るフロートガラスのスクラッチを最小化する。
【解決手段】回転自在のターンテーブル１１２に設けられたサポート１１６、及び研磨対象であるフロートガラスＧを支持可能な支持部１１１と、前記支持部１１１との対向面に設けられ、前記サポート１１６に固定されて載置される載置部１１３とを含むキャリア１１８を備える。 （もっと読む）

【課題】インゴットの切断の際のカケやチップの発生を抑制することで製品歩留りを向上させることができ、切断テーブルの面精度の修正を容易に短時間で行いメインテナンスの費用を削減することができるインゴット切断装置、インゴットの切断方法、及び切断テーブルの管理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上面がＶ字形状に形成され、インゴットが水平に載置される切断テーブルと、前記インゴットを切断するためのブレードとを有し、前記ブレードを相対的に上方から下方に送り出すことによって前記インゴットを切断するインゴット切断装置であって、
前記切断テーブルの上面にカーボン板が設けられ、該カーボン板の前記インゴットを載置する載置面の長手方向の面精度が±５０μｍの範囲内に研磨されたものであることを特徴とするインゴット切断装置。 （もっと読む）

【課題】キャリア本体の内壁の内側に取り付けられた被研磨物を保護するためのインサートの磨耗や変形を減らす。
【解決手段】半導体ウェーハの平面研磨などで使用される被研磨物キャリア１００Ａは、被研磨物保持穴１０５Ａを囲む内壁１０６Ａに、研磨物を保護するための樹脂製インサート１０４Ａを有する。インサート１０４Ａの摩耗や変形を減らすために、インサート１０４Ａの径方向の幅（内壁１０６Ａの最小内径とインサート１０４Ａの最小内径との差）は、１ｍｍ未満で、望ましくは０．５ｍｍである。内壁１０６Ａの径方向断面形状は、その上端部と下端部が中央部より径方向内方へ突出した凹形であり、それにより、インサート１０４Ａの摩耗部分である上面部と下面部の径方向長さが最小になる。 （もっと読む）

【課題】キャリアに対応して上定盤に押圧手段を設けると共に、押圧手段とキャリアとの位置決め手段を簡便な構造によって形成する。
【解決手段】下定盤２の外周部２Ａとインターナルギア10の内周部10Ａとの間にキャリア６の公転位置用の第一の検知手段18を設ける。上定盤４側に上定盤４の回転位置用の第二の検知手段19を設ける。第一の検知手段18と第二の検知手段19を制御手段21に接続する。キャリア６の公転位置を、下定盤２の外周部２Ａとインターナルギア10の内周部10Ａとの間の隙間Ｌに設けられるキャリア６の公転位置用の第一の検知手段18によって検知できる。上定盤４の自転位置を上定盤４側に設けた第二の検知手段19によって検知できる。 （もっと読む）