【課題】バリの残存量の測定を簡易かつ高精度に行って、ワーク上に散在するバリの形状に応じて、適正かつ効率的な研削条件で研削工具を操作することのできるワークのバリ取り方法を提供する。
【解決手段】ワーク１１に取り付けられたＡＥセンサ１５を介してワークから発生するＡＥ信号を取得する走査工程と、研削工具１２の軌跡に沿ったワークのプロフィール情報に基づいて研削工具の制御条件を設定する設定工程と、前記制御条件に基づいて研削工具を操作してワーク上の突起部を研削する研削工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の研磨において摩擦係数を精度良く測定し、その変化を研磨終点の判定に用いることができる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 回転する研磨定盤に貼り付けた研磨布に、キャリアに保持された表面に被研磨膜を有する半導体基板を押圧しつつ、研磨布と半導体基板との間に研磨剤を供給して半導体基板を研磨する方法において、半導体基板と研磨布との間の摩擦係数を測定し、前記摩擦係数の変化によって研磨の終点を決定する。 （もっと読む）

研磨シーケンス中に得られたスペクトルを使用して研磨終了点を決定する方法が説明される。特に、望ましいスペクトルだけを使用する技術、高速サーチ方法、より強力な速度の決定方法が説明される。 （もっと読む）

【課題】複数の電源を備えることなく、従って、より安価に、しかも、より容易にウェーハ等の被研磨対象物面内での研磨速度の均一性を確保しつつ、低研磨圧力領域で、より高速で研磨を行うことができるようにする。
【解決手段】電源２５４の一方の極に接続される複数の分割電極２５６ａ〜２５６ｃからなる第１の電極２５６を有し、研磨パッド１０１を保持する研磨テーブル１００と、研磨対象物を保持して研磨パッドの研磨面に押圧するトップリング１と、電源２５４の他方の極に接続されて研磨対象物の導電膜に給電する第２の電極２８６と、導電膜の残留膜厚に対応する信号を検知する検知部２７４と、可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを介して電源２５４の一方の極と各分割電極２５６ａ〜２５６ｃを個別に接続する可変抵抗ユニット２７０と、検知部２７０からの信号を元に可変抵抗ユニット２７０の各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを制御する制御部２８０を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ研磨面の初期段差の解消終点を正確に検知して研磨効率のアップ、ランニングコストの低減、ウェハの歩留り向上を図る。
【解決手段】ウェハＷ表面に形成された被研磨膜２０を研磨するＣＭＰ装置１０の段差解消終点検出装置１１は、ウェハＷの粗研磨中に該研磨面に光を照射する光照射手段２２と、該研磨面からの反射光の光強度を電気信号に変換して光強度信号として出力する光電変換手段２３と、該光電変換手段２３から出力された光強度信号に基づいてウェハＷの初期段差の解消終点を判定する判別手段２５とを備える。又、前記照射した光が白色光であり、且つ、白色光は分光して光電変換手段２３に入力され、該分光された波長ごとの光強度信号が出力される。これにより、ウェハ研磨中に初期段差の解消終点を光学的に検知する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ及びＣｕ合金のいずれかからなる配線材料の溶解レートを１００ｎｍ／ｍｉｎ以上にし、ひいてはＣｕ及びＣｕ合金のいずれかからなる配線材料の化学機械的研磨レートを向上することができる半導体装置の製造方法及び研磨装置の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜上にＣｕ及びＣｕ合金のいずれかからなる配線材料を堆積する堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨する研磨工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記研磨工程において、前記研磨液の酸化還元電位（ＯＲＰ）を測定し、前記測定された研磨液の酸化還元電位（ＯＲＰ）が４００〜７００ｍＶ ｖｓ Ａｇ／ＡｇＣｌの範囲内となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】加工用エンドレスベルトを使用するロボット式の工作機械の手動操作における簡潔、効果的、かつ安価な解決策を提供すること。
【解決手段】加工用ベルトを案内するよう、前部プーリ（１２）および後部プーリ（１４）を備え、後部プーリが駆動手段（２２）によって回転させられ、前部プーリがスピンドル（２６）を中心として自由に回転でき、前部プーリの側方に、前部プーリのスピンドルに空転可能に取り付けられた２つのホイール（６０）が位置しており、これら２つのホイールが、加工対象の表面上を転がって、前部プーリの周囲を案内される加工用ベルトと加工対象の表面との間の加工距離を画定するように、前部プーリの外径よりも大きい外径を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でウェハの温度均一性を高めてウェハ面内の平坦性及び研磨レートを制御する。
【解決手段】ウェハ保持ヘッド３内に設けたバックプレート１１とウェハＷとの間に、予め設定した温度、湿度、流量又は流速に調整されたエアを連続して流動させるエアフロート層１４を形成する。又、エアフロート層１４の温度、湿度、エア流量又は流速を検出する温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ１９・・を複数設け、該温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ１９・・による検出値に基づいてエアの設定温度、設定湿度を適正に制御する。エアフロート層１４に流入するエアの流量又は流速は、温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ１９・・による検出値に基づいて制御する。更に、複数の温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ１９・・はウェハＷの径方向に所定間隔を有して配置する。 （もっと読む）

【課題】導電性膜の膜厚の変化をリアルタイムで監視して該導電性膜の研磨終点を高い精度で確実に検出し、ノイズの発生がなく、低消費電力で、さらにはコスト低減を図り得る共振現象を応用した終点検出方法、終点検出装置及びそれを搭載した化学機械研磨装置を提供する。
【解決手段】平面インダクタと集中定数キャパシタを備えたコルピッツ型等の発振回路で構成されたセンサ３７を使用し、平面インダクタと対峙する導電性膜の膜厚の変化に伴うセンサ３７の発振周波数の変化から、導電性膜の膜厚の変化をリアルタイムで監視する共振現象を応用した終点検出方法である。 （もっと読む）

【課題】バニシング加工作業のためのパラメータを決定する方法を提供する。
【解決手段】回転バニシング要素１１を使用して材料サンプル１３の選択表面１２上に共通幅Ｗを有しかつ事前選択したオーバラップ値だけ互いにオーバラップした少なくとも２つのセグメント１４，１６をバニシング加工する段階と、表面１２の得られた硬度を測定する段階と、測定した硬度に基づいて、ワークピースＷＰ上への後続バニシング加工作業のための加工オーバラップ値を選択する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】被研磨物保持機構からの被研磨物の離脱を短時間に検出し、速やかに適切な処置をとることができる研磨装置を提供すること。
【解決手段】研磨面を有する研磨テーブル１と、被研磨基板Ｗを保持するトップリング４を具備し、該トップリング４で保持した被研磨基板Ｗを研磨テーブル１の研磨面に押し当て研磨する研磨装置において、トップリング４の近傍の１ヶ所又は複数箇所に渦電流式のセンサ８、９、１０を設け、該８、９、１０センサが検出した抵抗成分とリアクタンス成分の内、抵抗成分の信号と被研磨基板Ｗがトップリング４の下面に保持されている状態で測定された基準値として抵抗成分との差を検知することにより被研磨基板Ｗのトップリング４からの離脱を検出する。 （もっと読む）

【課題】圧力室の気密が保たれずに加圧流体の漏れが生じた場合に、たとえ基板の研磨工程の途中であっても、研磨工程を中断することなく、加圧流体の漏れを速やかに止めることができる基板保持装置及び基板研磨装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持して研磨面１０１に押圧するトップリング１と、トップリング１に設けた弾性膜７と基板Ｗとによって画成された圧力室２２と、圧力室２２に加圧空気を供給する加圧流体供給手段とを備えた基板保持装置において、弾性膜７と基板Ｗの密着部における加圧流体の漏れを検知するセンサＳ１と、加圧流体の供給圧力を調節する加圧流体供給圧力調節手段（圧力コントローラＰ３）とを備え、加圧流体漏れ検知手段で加圧流体の漏れを検知した際に、加圧流体供給圧力調節手段で加圧流体の供給圧力を一時的に低下させて加圧流体の漏れを止めるように構成した。 （もっと読む）

研磨式の表面研磨工具と研磨される被加工物の表面との間の間隔を動的に制御して、被加工物の表面と接触する研磨パッドの領域のばらつきを補償することにより、この接触領域のサイズのばらつき、及びそれに伴う表面高さの変動を生じる材料除去量のばらつきを解消する。
（もっと読む）

【課題】処理の終点検出を容易に行える処理の終点検出方法及び処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】処理対象物の処理に伴って時間とともに変化する少なくとも１つのパラメータを測定し、その処理が終了して処理対象物の状態が安定した定常状態で得られるパラメータと時間とのデータセットから基準空間を作成し、この基準空間を用いて、処理の開始後に測定されるパラメータの時間変化データのマハラノビス距離を計算し、このマハラノビス距離に基づいて処理が終了した終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】研磨終了を確実に検出することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明による研磨方法は、回転するチャック（１０９）上に保持した研磨対象物（１１１）に、研磨部材（２０１）を設けた研磨ヘッド（１０１）を押圧して回転させながら揺動させて、前記研磨対象物を研磨する研磨方法であって、前記研磨ヘッドにかかるトルクの、揺動によって生じる振幅を求め、前記揺動によって生じる振幅の変化によって研磨の終了点を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スラリーを使用する研磨装置と一緒に使用するための連続スラリー供給システムを提供する。
【解決手段】上記連続スラリー供給システムは、混合チャンバ、スラリー成分タンク、化学的パラメータ・センサ・システム、および制御システムを備える。各スラリー成分タンクは、異なるスラリー成分を含み、混合チャンバに、必要な流量で、異なるスラリー成分を供給するために、混合チャンバと流体で連絡している。化学的パラメータ・センサ・システムは、混合チャンバに接続していて、スラリーの化学的特性を感知するように構成されている。制御システムは、化学的パラメータ・センサ・システムに接続していて、スラリー成分の中の少なくとも一つを混合チャンバに所与の流量で導入するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性膜の研磨終点を検出するのに極めて好適なセンサを提供して該研磨終点を高い精度で確実に検出し、ノイズの発生がなく、低消費電力で、さらにはコスト低減を図りうる平面インダクタ搭載静電結合型センサ及びそれを用いた終点検出方法及び終点検出装置を提供する。
【解決手段】平面インダクタ３４とキャパシタ３５からなるセンサ回路系を構成する発振回路３６を有し、平面インダクタ３４をある膜厚を有した導電性膜に平行に近接させ、位相分布により平面インダクタ３４と導電性膜との間に静電結合を引き起こし、該静電結合を介しての導電性膜の膜厚抵抗値の変化と、平面インダクタ３４が作る磁界変化を伴う磁界と該磁界が前記導電性膜に侵入することによるセンサ回路系から見たインダクタンスの変化との二つの変化によって決まる共振周波数で発振する平面インダクタ搭載静電結合型センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】研磨終点の検出を確実に行える半導体ウェーハの研磨方法及び半導体ウェーハの研磨装置を提供する。
【解決手段】被研磨層の研磨終点に周期性を有するパターン５０が形成された半導体ウェーハＷを保持したスピンドル６と、表面に研磨パッド４が設けられた回転テーブル２と、をそれぞれ回転させながら、被研磨層を研磨パッド４に接触させて研磨する研磨方法であって、スピンドル６及び回転テーブル２の回転に伴って生じる振動に、パターン５０が研磨パッド４に達したことに伴う振動が加わると共振するように、パターン５０の周期を設定した。 （もっと読む）

【課題】演算量が少なくリアルタイム性に優れ、且つ誤検知することなく確実に研磨終端を検出しうる研磨終端検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、回転駆動源からの検出トルクに移動平均処理を施してトルク入力とし、測定開始から適宜のサンプリング回数ｎ回についてのトルク入力の平均値Ａｖを取り、平均値取得後のトルク入力は平均値Ａｖに対する相対値である相対入力とし、所定時間間隔毎の相対入力の変化量を各トルク入力面積Δｓ_１，Δｓ_２，Δｓ_３として当該各トルク入力面積Δｓ_１，Δｓ_２，Δｓ_３を加算し、該加算した加算トルク入力面積Ｓｍを予め与えられた閾値と比較することにより前記研磨終端を検出する研磨終端検出方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの交換時期を適切に把握することができる研磨装置を提供すること。
【解決手段】ＣＭＰ装置は、研磨パッド１３が貼り付けられた、回転する定盤１１と、ウェーハＷを前記研磨パッド１３に押圧して、当該ウェーハＷの表面を研磨する研磨ヘッド２０と、前記ウェーハＷの研磨工程における前記研磨パッド１３の表面温度を検出する赤外線式温度計５０と、前記赤外線式温度計５０によって検出される前記研磨パッド１３の表面温度に基づき、前記ウェーハＷを研磨することで前記研磨パッド１３に蓄積される積算蓄積温度Ａｎを算出する制御装置８０と、前記制御装置８０によって算出された前記積算蓄積温度Ａｎに基づき、前記研磨パッド１３の交換時期を報知する報知装置７０とを備える。 （もっと読む）