【課題】 半導体基板の周縁部に対して研磨不足や研磨過剰を招くことなく、適切な研磨量で研磨を行う。
【解決手段】 半導体基板１３の周縁部を研磨するための基板処理方法であって、基板１３の周縁部の主面に研磨機構２０の研磨面を接触・加圧させ、基板１３をモータ１２により回転させることにより主面を研磨しながら、主面の研磨状態をモニタすることにより該主面の研磨終点を検出し、研磨終点が検出されたら、主面の研磨を終了すると共に、該研磨終了時点で決まる主面の研磨時間に基づいて、次に研磨すべき主面以外の面に対する研磨時間を設定し、設定された研磨時間に応じて主面以外の面を研磨する。 （もっと読む）

後に研磨されるウエハの処理に影響を与えるために、インライン度量衡ステーション（３２３）によって、最初に研磨されたウエハから取得したデータを使用して、ＣＭＰステーションを閉鎖ループ制御することができる。第１ウエハは、インライン度量衡ステーション（３２３）によって研磨および測定される。度量衡スレーション（３２３）は、様々な地点において、アレイ誘電体の厚み（Ｔ１）、フィールド誘電体の厚み（Ｔ２）、バリア残留物の厚み（Ｔ３）、金属残留物の厚み（Ｔ４）を測定する。次に、このデータがアルゴリズムに入力され、研磨パラメータ出力が計算される。出力がＣＭＰステーション（３０３）へ送られ、過去の研磨パラメータの補助または代替として使用される。ＣＭＰステーション（３０３）において、後のウエハが、受信した研磨パラメータを用いて研磨される。
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【課題】研磨面の半径全体にわたって常にほぼ均一な研磨間隙が実現される両面研磨機を提供する。
【解決手段】本両面研磨機は、研磨板１６及び保持板１４をそれぞれ具備してなる上側定盤１０と下側定盤１２が同軸廻りに相対的に回転駆動されるとともに、各定盤の間に平坦な被加工物の両面を加工するための研磨間隙が設けられてなる両面研磨機において、温度流体を流体通路５４を介して上側定盤１０内へ運ぶ少なくとも上側定盤用の温度制御手段と、各定盤に組み合わされ研磨間隙の半径方向に離間した少なくとも２点において研磨間隙の間隙幅を測定する間隔測定装置４０と、を更に備えたものである。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、比較的広い面積を厚みムラなく、短時間に、かつ、正確に、平坦性に優れた形で研磨することができる研磨パッドであって、さらに基板表面にスクラッチが生じにくく、研磨中に研磨状態を光学的に良好に測定することができる研磨パッドおよびそれからなる研磨装置を提供せんとするものである。
【解決手段】
本発明の研磨パッドは、研磨層と裏面粘着テープからなる研磨パッドにおいて、該研磨層が透明発泡構造体からなり、かつ、該裏面粘着テープに開口部が設けられているが、該研磨層には設けられていないことを特徴とするものである。また、本発明の研磨装置は、かかる研磨パッドを該裏面粘着テープにて固着してなる研磨定盤を備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨及び材料除去の少なくとも１つのための軌道式研磨工具（１００）を提供する。
【解決手段】 本軌道式研磨工具は、第１の軸線の周りで回転可能なハウジング組立体（２００）のハウジング（２４０）を含むことができる。軌道式研磨工具はまた、ハウジングを通って延びる第２の軸線の周りで回転可能な少なくとも１つの砥石車（２５０）を含むことができ、砥石車は、対象物の内面から材料を除去するように構成される。ハウジングを回転させるモータ（１１０）、砥石車を対象物の内面に接触させるように構成された複数のローラ（２２０）をさらに含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 研磨部材の消耗度によって経時的に変化する研磨プロファイルからのデータに基づいて、研磨部材の状態に合わせて自動的に研磨条件を再設定することにより、研磨部材の延命化を図るとともに、一層精度の高い平坦性を得ることのできるようにする。
【手段】 少なくとも２つの押圧部分を有し、該押圧部分ごとに任意の圧力を研磨対象物に加えることができるトップリングを有する研磨装置を用いて前記研磨対象物を研磨する時の研磨プロファイル又は研磨量を予測する方法であって、押圧部分が研磨対象物の対応エリアを押圧する裏面圧力を設定するステップと、設定された裏面圧力から研磨対象物が研磨面を押圧する押圧力分布を予測するステップと、予測された押圧力分布から研磨対象物の研磨プロファイル又は研磨量の予測値を求めるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨中のガラス板の割れ音を他のガラス板の割れ音等と区別して検出する
【解決手段】マイクロホン３０によって集音し、フィルタ４０によって高周波数の音を抽出する。次に、フィルタ４０によって抽出された高周波数の音について、まず、所定時間Ｔ１（Ｔ１＝１０ｍｓｅｃ）内で最大となる音レベルを所定時間Ｔ１毎に取得する。次に、現在から過去所定時間Ｔ２（Ｔ２＝３００ｍｓｅｃ）内で、前記取得された音レベルの中で最小の音レベルを定常音レベルとして取得する。次いで、Ｔ１如く取得している現在の音レベルと前記定常音レベルとの比が、所定の値（２．５）を超えた際に１カウント加算する。そして、カウントが１０カウントになるまで所定時間Ｔ１毎に前記第３の工程と第４の工程とを繰り返し、所定時間Ｔ３（５ｓｅｃ）内に１０カウントに達すると、ガラス板Ｇに割れが発生したと判定し、制御部２４に割れを示す信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの研磨の間、定盤の重量が変化した場合であっても、常に安定した荷重状態でウエハの研磨を行う研磨装置及び研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨装置１には、上定盤２１と下定盤２２とから構成された一対の定盤２と、上定盤２１を昇降させる昇降機構３とが、設けられている。昇降機構３は、上定盤２１を支える支持部４と、上定盤２１を昇降させるモータ５と、モータ５の昇降機能を制御するためのストッパー部６と、ウエハＷの研磨の間、経時的に変化する上定盤２１の重量に基づき上定盤側の荷重を加減する逆圧制御機構７と、から構成される。逆圧制御機構７では、測定部７１による上定盤２１の重量の測定値に基づいて、ウエハＷの研磨の間の上定盤側の荷重が算出され、この荷重に変動があった場合にその過不足分の荷重が上定盤側の荷重に加減される。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体の基板表面のテクスチャ加工において、テクスチャ加工の前後ばかりでなく、テクスチャ加工状態における基板の面振れの異常も検出することができるテクスチャ加工装置を提供する。
【解決手段】 テクスチャ加工される基板２２の被加工面と研磨テープ３４との間の水の圧力を検出する圧力センサ４６Ａおよび４６Ｂが設けられるもとで、制御ユニット５０が圧力センサ４６Ａおよび４６Ｂからの検出出力に基づいて基板２２の面振れの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨する。
【解決手段】基板研磨装置では、膜厚測定部にて基板の表面に形成された膜の厚さを測定して第１膜厚が取得され（ステップＳ１２）、研磨部にて基板が所定の初期研磨時間だけ研磨される（ステップＳ１３）。初期研磨時間の研磨が終了すると、基板の膜の第２膜厚が取得され（ステップＳ１４）、第１膜厚、第２膜厚および初期研磨時間から研磨レートが導かれる（ステップＳ１５）。研磨レートは補正係数を用いて補正され（ステップＳ１６）、第２膜厚と目標膜厚との差と、補正後の研磨レートとに基づいて追加研磨時間が求められる（ステップＳ１７）。そして、追加研磨時間だけ基板がさらに研磨される（ステップＳ１８）。これにより、基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨することができる。 （もっと読む）

研磨装置は、研磨面（４０）を有する研磨テーブル（１８）と、基板上の複数の領域（Ｃ１−Ｃ４）に対する押圧力を独立に制御しつつ基板を研磨面（４０）に押圧するトップリング（２０）とを備える。研磨装置は、複数の基板の計測点の基板状態を監視するセンサ（５２）と、センサ（５２）からの信号に所定の演算処理をしてモニタ信号を生成するモニタ装置（５３）と、それぞれの計測点におけるモニタ信号と基準信号とを比較し、計測点におけるモニタ信号が基準信号に収束するように、トップリング（２０）による押圧力を制御する制御部（５４）とを備える。
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ワイヤソーとウェハの安定化システムが、ソーイング工程中の振動及び好ましくない移動に対してウェハの区画（１１２）を一様に保持するために提供されている。安定化手段（１１４）は、ウェハの部分がシリコン材料のインゴットまたはブロックから部分的に切り出されるときの初期段階で、部分的に形成されたウェハの区画の端部に適用される。安定化手段は、後続のソーイング工程中の振動、揺動、又は好ましくない接触に対してウェハの区画を安定化するように働く。また、安定化手段は、スライスが完了した後のウェハの処理を加速し、洗浄工程を容易化し、カセットの中へのウェハのより迅速な、若しくは自動化された収容を可能とする。安定化システムによって生産されたウェハは、最小化された全体的な厚みのばらつき、実質的に均一な平面度、及び実質的に曲がりまたは撓みがないことによって特徴付けられる。
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【課題】
【解決手段】
ＣＭＰシステムのプロセス制御を提供するシステム及び方法は、ウエハ研磨パッドを調整するための真空補助装置を使用して、調整プロセスからの廃液（すなわち、ウエハデブリス、研磨スラリ、化学的又はその他の副生成物）は、廃棄物の流れから逸れて、その代わりに更なるプロセシングのための分析モジュールに導入される。この分析モジュールは、廃液中の少なくとも一のパラメータを決定し、分析に基づいてプロセス制御信号を発生するように機能する。次いで、このプロセス制御信号は、平坦化プロセスにフィードバックされ、研磨スラリ組成物、温度、流速等の各種のパラメータの制御を可能にする。また、このプロセス制御信号を用いて、調整プロセス及び／又は平坦化プロセス自体の終点を決定することが出来る。 （もっと読む）

本発明は、工具（６）の駆動部に使用されるモータ（８）を備えた手持ち式電動工具に関する。該手持ち式電動工具（１）は、被加工品（７）に対して及ぼされる工具（６）の押圧を検出するセンサユニット（９）が信号発生器（１０）と共働することを特徴とする。
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ウェーハ上に配置された層の厚さの変化を該層の研磨中に測定する方法である。研磨パッドに配置された光学センサから光をウェーハの表面に向ける。研磨パッド上に配置された光検出器により反射光の強度を測定する。反射光の強度は層が除去されるにつれて層の厚さの懸架に対して正弦的に変化する。正弦曲線の沿った２又はそれ以上の点の絶対的な厚さを測定することによって、該曲線の波長の一部が層の厚さの変化に対応するように、正弦曲線を較正する。
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研磨を受ける基板の摩擦係数をモニタするシステム方法及び装置が記載されている。研磨パッドアセンブリは、研磨面を含む研磨層と、基板の露出面に接触する上面を有する、該研磨層に柔軟に結合された基板接触部材とを含む。該上面の少なくとも一部は、該研磨面と実質的に同一平面である。該基板接触部材の横方向の変位を測定するために、センサが設けられている。いくつかの実施形態は、下にある層の露出を指し示す、化学機械的研磨中の正確な終点検知を実行できる。 （もっと読む）

渦電流モニタリングシステムは、細長いコアを含んでもよい。１つ以上のコイルを、ウェハ上の１つ以上の導電性領域に結合できる振動磁界を発生するために、該細長いコアに結合することができる。該コアは、改善された分解能を実現できると共に、十分な信号強度を維持するように、該ウェハに対して移動させることができる。渦電流モニタリングシステムは、共振周波数で振動磁界を発生するＤＣ結合マージナル発振器を含んでもよく、この場合、該共振周波数は、１つ以上の導電性領域に対する変化の結果として変化させてもよい。渦電流モニタリングシステムは、リアルタイム・プロファイル制御を可能にするために用いることができる。 （もっと読む）

基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）