説明

Fターム[3C058BA01]の内容

Fターム[3C058BA01]に分類される特許

161 - 180 / 338


【課題】磁気ヘッド用の研磨装置及び研磨方法の提供。
【解決手段】回転するラップ加工定盤14と、該ラップ加工定盤14にロウバー13を空気圧により加圧するエア加圧機構部11と、圧縮空気をエア加圧機構部11に供給する加圧力制御部70と、エア加圧機構部11が供給する圧縮空気の加圧力を加圧制御信号を用いて指令するラップ制御部100とを備え、加圧機構部11がラップ制御部100より目標とする加圧力に対応した値の加圧制御信号V1が出力されたとき、標準応答時間経過後に目標加圧力により被研磨部材を加圧する研磨装置であって、目標加圧制御信号V1の1.4倍の第1加圧制御信号V2を加圧力制御部70に出力した後、目標加圧制御信号の値に戻す第2加圧制御信号V1を加圧力制御部70に指令することにより、応答時間を短縮するもの。 (もっと読む)


【課題】被研磨面の表面にスクラッチを生じさせることなく、被研磨物の表面に形成された研磨対象膜の表面に生じる段差(凹凸)を効果的に解消し、余剰な研磨対象膜を平坦に研磨して除去することができ、しかも生産性を高めることができるようにする。
【解決手段】被研磨物の半径よりも直径の小さい研磨部の研磨パッドを被研磨物の被研磨面に第1押圧力で押圧しつつ、研磨パッドと被研磨物を第1相対速度で相対運動させて研磨対象膜の第1段研磨を行い、研磨対象膜表面の段差が解消されて該表面が平坦になった時点で前記第1段研磨を終了し、被研磨物の直径よりも直径の大きい研磨部の研磨パッドを被研磨物の被研磨面に第1押圧力より大きな第2押圧力で押圧しつつ、研磨パッドと被研磨物を第1相対速度よりも遅い第2相対速度で相対運動させて研磨対象膜の第2段研磨を行う。 (もっと読む)


【課題】基板を平坦に保持し、安定した加工を行うことができる基板研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る基板研磨装置100は、基板Wが載置されるステージ2と、ステージ2に設けられ、基板Wを吸着する第1吸着部及び第2吸着部と、第1吸着部及び第2の吸着部のON/OFFを切替える切替部3と、基板Wにオペレーションを行うための加工プローブ20とを備え、切替部3は、加工プローブ20の位置に応じて第1吸着部と第2吸着部の一方をONし、他方をOFFする。 (もっと読む)


【課題】 長期間使用した場合であってもスラリー漏れを防止することができる研磨パッド及びその簡易な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 研磨領域、クッション層、及び透明支持フィルムがこの順に積層されており、研磨領域及びクッション層を貫く開口部内かつ透明支持フィルム上に光透過領域が設けられている研磨パッド。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で研磨量分布に非対称性が生じるのを防止可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨方法は、研磨ヘッドに回転保持された研磨パッドの研磨面を保持機構に回転保持された基板の被研磨面に当接させながら揺動機構により相対揺動させて基板の研磨加工を行う研磨方法であって、研磨レシピにおける研磨ヘッドの揺動時間(Oscillation One-Way Time)および基板の回転時間(Wafer One Rotation Time)から、被研磨面における研磨量分布が被研磨面の回転中心に対し非対称性を有するか否かを判定するためのパラメータ(非対称係数κt)を算出するパラメータ算出工程(ステップS102)と、パラメータ算出工程で算出したパラメータを利用して研磨レシピを補正する補正工程(ステップS104)とを有している。 (もっと読む)


【課題】研磨プレートを加圧しながら偏心回転と揺動させガラス基板上を移動させる研磨装置にて、偏荷重によって研磨量に差をもたらすことのない液晶表示装置用カラーフィルタの研磨装置を提供する。
【解決手段】1)研磨プレート12上には、その長辺両側部に複数個の加圧機構K1−K8が設けられ、2)加速度センサー11が設けられ、3)研磨プレートを移動させる方向における加速度を加速度センサーによって検出し、偏荷重が発生する長辺側部にある加圧機構の加圧を発生する偏荷重に応じて低下させ、研磨プレートへの偏荷重の影響を防ぎながら研磨する研磨装置。 (もっと読む)


【課題】研磨量分布の非対称性を生じる可能性があるときに警報して生産性を向上可能な研磨装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させる基板回転機構と、基板よりも小径に形成の研磨パッドを回転させるパッド回転機構と、基板と研磨パッドとを当接させた状態で研磨パッドを揺動させる揺動機構と、これらの作動を制御する制御装置とを備えた研磨装置において、加工条件が入力されたときに、基板の回転速度、研磨パッドの回転速度、研磨パッドの相対揺動範囲及び相対揺動速度に基づいて、被研磨面上における研磨面の各部の走行軌跡を積算して走行軌跡の分布密度を算出し、算出された分布密度の円周方向のばらつきが所定の基準値を超えると判断された場合に警報作動を行うように構成される。 (もっと読む)


部品に対して研摩作業を実施するためのシステムが開示され、本システムは、ロボットと、取付け具と、取付け具をロボットアームに取り付けるためのマウントシステムと、研摩作業中、部品に対する研摩工具の接触点の位置が一定に維持されるように取付け具上に取り付けられた、研摩工具を駆動するための駆動システムとを備える。 (もっと読む)


【課題】ワ−クの材料除去率を制御する為に作動力を調節する方法であって、ワ−クの表面を平坦に機械加工するための改良された方法を提供する。
【解決手段】荷重付与装置14によりワ−ク12へ加えられる作動力と、荷重付与装置14の位置の検知手段20を備える。検知された荷重付与装置14の作動力と位置は、主制御装置22に伝達され、主制御装置22は、このデータに基づいて、目標であるワ−ク12の表面特性を得る為に、ワ−クに対する付与力を調節する。 (もっと読む)


【課題】 ダイシングテープに程よく切削ブレードが切り込み可能な切削装置を提供することである。
【解決手段】 ダイシングテープを介してフレームに配設されたウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードが回転可能に装着された切削手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハを撮像し切削すべき領域を検出するアライメント手段と、該チャックテーブルを該切削ブレードの回転軸に対して直交する方向に切削送りするとともに該アライメント手段の直下に位置付け可能な切削送り手段とを備えた切削装置において、前記アライメント手段に隣接して配設されたレーザ測長手段を具備し、該レーザ測長手段は、ダイシングテープを介してフレームに配設されたウエーハが前記切削手段で切削され、前記切削送り手段によって直下に位置付けられた際、該ダイシングテープに切り込まれた切削溝の深さを検出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】1回の研磨処理によって正確な狙い膜厚が得られるCMP研磨方法を提供する。
【解決手段】モニター用ウエハで測定した研磨レートと複数の製品用ウエハから抜き取った一部の製品用ウエハの初期膜厚及び研磨後の狙い膜厚とから研磨時間を予測する工程と、前記一部の製品用ウエハに対して前記研磨時間の研磨処理を行う工程と、研磨処理後の膜厚を測定し、狙い膜厚に対する研磨不足時間を導出する工程と、前記研磨不足時間と予測研磨時間とから理想研磨時間を導出する工程と、前記一部が抜き取られた製品用ウエハの残りを前記理想研磨時間で研磨処理する工程と、この研磨処理後または途中で、モニタウエハの研磨レートと理想研磨時間をデータとして保存し、さらに以上の工程を繰り返すことにより研磨レートと理想研磨時間のデータを複数保存し、これら複数のデータから研磨レートと理想研磨時間の関係を導く。 (もっと読む)


【課題】低抵抗基板上の導電膜を研磨するときや、研磨パッドが研磨したときでも、膜厚の変化を精度よく監視することができる研磨監視方法、研磨装置、およびモニタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨監視方法は、渦電流センサ50が導電膜に対向しているときの該渦電流センサの出力信号を取得し、出力信号は、渦電流センサのコイルを含む電気回路のインピーダンスの抵抗成分および誘導リアクタンス成分に相当する2つの信号であり、2つの信号の値を座標系上の座標として定義し、出力信号の取得と座標の定義を繰り返し、少なくとも3つの座標によって描かれる円弧の曲率中心を求め、曲率中心と少なくとも3つの座標のうち最新の座標とを結ぶ直線の傾き角を求め、傾き角の変化を監視することにより導電膜の厚さの変化を監視する。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比の微細孔を簡易に形成すること。
【解決手段】孔開け装置10は、被加工物50における開孔目標箇所に液状の研磨剤48を供給する枠体46と、軸方向に延伸する回転体状の研磨ツール30と、前記研磨ツール30を、前記軸を中心として回転させながら、その先端を前記開孔目標箇所に対して軸方向に当接させるツール支持部20と、を含む。 (もっと読む)


【課題】加工条件が与えられたとき、正確に対応する加工形状を予測可能な加工形状の予測方法を提供する。
【解決手段】ステップS11において、補正係数を含んだモデル式、すなわち所定の加工条件に対応して決定される加工形状のモデル式を作成する。次に、ステップS12において、簡単な加工条件を設定し、加工を実施する。続いて、ステップS13において加工形状を計測する。そして、ステップS14において、モデル式で計算される加工形状が実際に得られた加工形状に近くなるように、補正係数を同定する。その後は、ステップS15で同定されたモデル式を使用して、与えられた加工条件に対応する加工形状を推定する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ状態に起因しないノイズをリアルタイムに除去して純粋にウェーハ状態に起因するトルク波形の変化を検知するとともに研磨終端時点を高い精度で確実に検知するトルク変化を利用した研磨終端時点検知装置を提供する。
【解決手段】トルクを計測するトルク計測手段9と、計測したデータにフーリエ変換を施して周期成分を分析する周期成分分析手段10と、周期ノイズ成分を除去するための移動平均処理時間を算出する平均処理時間算出手段11と、データに対してリアルタイムに算出された移動平均処理時間を基に平均処理して波形を修正する平均処理手段12と、トルク波形の変化を複数のアルゴリズムでモニタし、そのモニタ結果を複数の制限条件と照合して所定の膜の膜種を判別する膜種判別手段13と、トルク波形の変化をモニタして所定の膜の研磨終端時点を検知する終端時点検知手段14とを有する研磨終端時点検知装置を提供するものである。 (もっと読む)


【課題】プラテンに研磨モニタ窓を設けたCMP装置において、窓の取付け部の隙間へスラリーが浸入して固化し、固化物がパッド上へ流出して研磨面にスクラッチを及ぼすことを防止する。
【解決手段】プラテン2に上下方向へ貫通する孔7を形成し、この孔7へ透明体の窓9を装着する。窓9の中心部を除いた周縁部とプラテンの孔7との境目を封止する防水性のシート11をプラテン2の上面に貼り、プラテン2と同様に孔8を形成したパッド5をシート11の上面に貼り付ける。パッド5上へスラリーが滴下され、ウェーハが押し当てられて研磨が行われるが、パッド5上のスラリーが窓9とプラテンの孔7との隙間に入り込むことがなく、スラリー固化物の発生を防止できる。 (もっと読む)


【課題】導電性膜に誘起される磁束の変化をモニタして研磨完了時点を予測する方法において、渦電流によるジュール熱損を極小に抑えるとともに、デバイスウェーハを貫通しない程度の微細な磁場であっても、十分に精度よく研磨完了時点を予測し検知する方法を提供する。
【解決手段】導電性膜28に、インダクタ型センサにおけるインダクタ36を近接させ、該インダクタ36で形成される磁束により導電性膜28に誘起される磁束変化をモニタし、導電性膜28の材質を一因子として決まる表皮効果に基づいて導電性膜28に誘起される磁束の特徴的な変化を基に研磨完了時点を予測する。また研磨完了時点を予測した後は、導電性膜28に誘起される磁束を軽減ないしはオフにする。 (もっと読む)


【課題】研磨装置におけるプラテン等への組込みが容易で空間分解能が高く、金属残膜を生じさせることなく金属膜の研磨終点を高い精度で確実に検出する高周波を用いた金属膜終点検出方法とその装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、所定の金属膜8面に対し、所定の照射面積で且つ照射面が所定の金属膜8面を横切るように高周波を照射し、研磨の進行に伴う照射高周波に対する所定の金属膜8からの反射波もしくは所定の金属膜8及びウェーハWを透過する透過波の少なくともいずれかの特性中に生じる変曲点を基に所定の金属膜8の研磨終点を検出する高周波を用いた金属膜終点検出方法を提供するものである。 (もっと読む)


【課題】スクラッチの発生を抑制する半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】CMP装置10は、研磨パッド12を保持した定盤11と、定盤11を回転させる第1モータ13と、研磨パッド12に研磨液を供給する研磨液供給機構15と、圧力調整可能なエアバッグ24a〜24dが区画された複数のゾーンごとに備えられたメンブレン23を有し基板Wを保持する研磨ヘッド16と、研磨ヘッド16を回転させる第2モータ17と、研磨ヘッド16を研磨パッド12に押しあてる押圧機構18と、エアバッグ24a〜24dへの給気を行う給気機構19と、基板WのCMP処理中に第1モータ13と第2モータ17の負荷電流値のいずれか一方または両方が一定となるように、給気機構19を通してエアバッグ24a〜24dの圧力を調整する制御部20を具備する。 (もっと読む)


【課題】研磨終了時点のウェーハ状態において高い精度で確実に研磨終端時点を検知するトルク変化を利用した研磨終端時点検知装置を提供。
【解決手段】トルクを計測するトルク計測手段9と、計測したデータにフーリエ変換を施してデータ中の周期成分を分析する周期成分分析手段10と、分析された周期成分を基に周期ノイズ成分を除去するための移動平均処理時間を算出する平均処理時間算出手段11と、データに対しリアルタイムに算出された移動平均処理時間を基に平均処理して波形を修正する平均処理手段12と、修正されたトルク波形の変化を基に所定の膜の研磨終端時点を検知する終端時点検知手段13とを有するトルク変化を利用した研磨終端時点検知装置を提供するものである。 (もっと読む)


161 - 180 / 338