本発明は、水性切断用流体を、切断用流体の再循環貯蔵器からワイヤーソーへと適用しながらワイヤーソーで加工品を切断すること、少なくとも１種もしくは２種以上の化学的性質、物理的性質またはその両方を監視すること、ならびに監視されている性質を維持するために、加工品を切断しながら、切断用流体の化学組成を調整すること、を含むワイヤーソー切断方法を提供する。更に、本発明は、本発明の方法を実施するための装置を提供する。
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【課題】研磨加工面側が積層構造に形成された研磨対象物を水平に研磨加工する。
【解決手段】研磨加工面１側に抵抗体１３を有する複数のモニター１２を、研磨対象物であるヘッドスライダ１０の周囲に配置したワーク５０を使用する。ワーク５０を研磨加工した際の複数のモニター１２それぞれの抵抗体１３の抵抗値の変化により、ヘッドスライダ１０の研磨加工面の傾きを確認しながらワーク５０を研磨加工する。抵抗体１３は金属層と絶縁層との積層構造を有している。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成した金属層あるいは絶縁層の膜厚を制御して効率的にかつ正確に研磨加工を行うことができる研磨加工装置及び研磨加工方法を提供する。
【解決手段】ヘッド本体２１及びリテーナリング２３を備える研磨ヘッド２０と、研磨パッド１０が設けられた定盤１２とを備え、前記リテーナリング２３には、前記研磨パッド１０に接する第１の電極２６が設けられ、前記ヘッド本体２１には、基板４０の裏面と電気的に導通する第２の電極２７が設けられ、前記研磨ヘッド２０により前記基板４０を支持して研磨加工する際に、前記第１の電極２６と前記第２の電極２７との間における、前記基板４０上に該基板４０に電気的に導通して形成された膜厚モニター用の導通部４３と前記基板４０を介する導電率を監視し、該導電率の推移に基づいて研磨加工の終点位置を検知し、前記基板４０上に形成された成膜層４２の膜厚を制御する制御部３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】研磨効率を維持しつつワークを研磨しながら同時に加工状態を検出することができるようにする。
【解決手段】研磨面５１ａをワークＷの被研磨面Ｗｂに回転接触させた状態で、研磨面５１ａが被研磨面Ｗｂの全面を覆う位置と被研磨面Ｗｂの一部が露出する位置との間で研磨パッド５１を保持手段７に対して保持面７１に平行な方向に往復移動させるとともに、被研磨面Ｗｂの一部が露出した位置で被研磨面Ｗｂの加工状態を測定手段１８により測定させるようにした。 （もっと読む）

現在のスペクトルの系列を、その場光学モニタリングシステムを用いて入手し、各現在のスペクトルを、複数の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルと比較する。現在のスペクトルの系列に対してベストフィットを与えるライブラリを決定し、研磨終点を、現在のスペクトルの系列および現在のスペクトルの系列に対してベストフィットを与えるライブラリに基づいて決定する。反射光の現在のスペクトルの第１の系列および第２の系列を、基板の第１のゾーンおよび第２のゾーンから受け取ることができる。ベストマッチ参照スペクトルの第１の系列および第２の系列を生成するために、現在のスペクトルの第１の系列および第２の系列からの各現在のスペクトルを、それぞれ、第１の参照スペクトルライブラリおよび第２の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルと比較する。第２の参照スペクトルライブラリは、第１の参照スペクトルライブラリとは異なる。
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【課題】研磨加工中に高精度に研磨終点を判定することができる終点検出装置を提供する。
【解決手段】終点検出装置は、所定の条件により算出される予測研磨時間の前後に一定の時間幅を有して定まる許容時間が設定される初期条件設定部６２と、予め第１のウェハを研磨加工することでＥＰＤ部４０により検出された複数の分光の波長域から少なくとも２以上の分光の波長域の組み合わせを複数選択して、２以上の波長域の分光の各光強度信号を合成して合成信号をそれぞれ算出し、複数の２以上の波長域の組み合わせの中から許容時間に生じる合成信号の出力値が予め定められた所定の条件に一致するような特徴点を表す特定の２以上の波長域の組み合わせを決定する検出条件決定部６４と、第１のウェハの研磨加工よりも後に行われた他のウェハの研磨加工中に、ＥＰＤ部４０により検出される特定の２以上の波長域の分光に基づいて得られる合成信号が上記特徴点を表した時点で研磨終点を検出し研磨加工の終了を判断する終点判定部６５とを備えて構成される。 （もっと読む）

本明細書に記載する実施形態は、基板表面を研磨するための方法を提供する。本方法は、一般に、処理中に複数の貯蔵ユニット内に処理用成分を貯蔵するステップと、スラリを作り出すために処理用成分を混ぜ合わせながら、研磨用パッドに処理用成分を流すステップとを含む。基板はスラリを使用して研磨され、基板上に配置された材料層の厚さが決定される。次いで、基板上に配置された材料層の除去速度に影響を及ぼすように、１つまたは複数の処理用成分の流量が調節される。
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【課題】光学式研磨終点検知に最適な光の波長を効率よく選択する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光学式研磨終点検知における光の波長選択に用いられるダイヤグラムの作成方法を提供する。この方法は、膜を有する基板の表面を研磨パッドで研磨し、研磨中に、基板の表面に光を照射し、かつ基板から戻る反射光を受光し、反射光の相対反射率を波長ごとに算出し、研磨時間と共に変化する相対反射率の極大点および極小点を示す反射光の波長を求め、極大点および極小点を示す波長が求められたときの時点を特定し、光の波長および研磨時間を表す座標軸を持つ座標系上に、求められた波長および対応する時点により特定される座標をプロットする工程を有する。 （もっと読む）

基板が研磨されている間に、基板はまた光源からの光で照射される。基板の表面から反射した光の現在のスペクトルが測定される。第１のパラメータ値を有する選択されたピークが、現在のスペクトル内で識別される。プロセッサを用いて、第１のパラメータに関連する第２のパラメータの値が、ルックアップテーブルから決定される。第２のパラメータの値に応じて、基板の研磨が変更される。基板を研磨する前に、基板から反射した光の最初のスペクトルを測定してもよく、最初のスペクトルの選択されたピークに対応する波長を決定してもよい。
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裸のシリコン基板を形成する方法が記載される。裸のシリコン基板が測定され、測定は、基板上の１点で信号を得るために無接触静電容量測定デバイスによって行われる。信号、または信号によって示される厚さが制御装置に通信される。信号、または信号によって示される厚さに従って調節後の研磨パラメータが決定される。調節後の研磨パラメータを決定した後、調節後の研磨パラメータを使用して、ポリッシャ上で裸のシリコン基板が研磨される。
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【課題】研磨ツールにおけるウエハヘッドと研磨パッドとの間のせん断力を決定するための方法が提供される
【解決手段】ウエハヘッドの上方に板３２を配置されたＣＭＰ研磨ツールによって達成され、この板からは、ウエハヘッド１２及びその支持装置がぶら下がっている。板は、研磨パッドの中心とウエハヘッドの中心とを結ぶ線に垂直な方向に滑ることができる低摩擦運動手段によって、ＣＭＰ研磨ツールの枠組みに接続される。研磨ツールの枠組み又はその他の非可動構造には、ロードセルセンサ３４がしっかり固定され、該ロードセルセンサは、研磨ツールが動作状態にあり尚且つウエハヘッドが研磨パッドに接触しているときに、板の前縁に接触するように、そして板の前縁からの力を決定するように配置され、こうして得られた信号は、せん断力を報告する。 （もっと読む）

【課題】研磨の終点を容易かつ高い精度で検出する。
【解決手段】基板Ｗ表面の被研磨部分と研磨パッド２０を面接触させ、基板Ｗと研磨パッド２０の間に研磨スラリー２５を供給して、接触面に沿って基板Ｗと研磨パッド２０を相対的に移動させることにより、被研磨部分を研磨するに際し、研磨中に測定される、接触面におけるせん断力ＳＦ、押圧力ＤＦおよび摩擦係数ＣＯＰのいずれかに基いて、被研磨部分の研磨の終点を検出する。基板Ｗと研磨パッド２０の相対的な移動は、基板Ｗの回転によって行われ、せん断力ＳＦ、垂直抗力ＤＦおよび摩擦係数ＣＯＦのいずれかの経時的変化をフーリエ変換した結果において、基板Ｗの回転数に相当する周波数での強度に基いて、被研磨部分の研磨の終点を検出することができる。 （もっと読む）

基板の処理中の原位置監視は、半導体処理装置内で、基板上の導電膜を処理すること、および処理中に、渦電流センサからの信号を生成することを含む。この信号は、渦電流センサが基板に隣接しているときに生成された第１の部分と、渦電流センサが金属ボディには隣接しているが、基板には隣接していないときに生成された第２の部分と、渦電流センサが金属ボディにも基板にも隣接していないときに生成された第３の部分とを含む。信号の第２の部分を信号の第３の部分と比較し、少なくともこの比較の結果に基づいて利得を決定し、信号の第１の部分にこの利得を乗じて、調整された信号を生成する。
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【課題】除去すべき膜の量（厚さ）が小さい場合であっても、研磨の進捗を監視することができ、かつ膜の下地層の凹凸の影響を受けない研磨進捗監視方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明は、膜を有する基板Ｗの研磨の進捗を監視する方法である。この方法は、基板Ｗの表面を研磨パッド２２で研磨し、研磨中に、基板Ｗの表面に光を照射し、かつ基板Ｗから戻る反射光を受光し、反射光の波長ごとの反射強度を測定し、異なる波長での反射強度から複数の特性値を取得し、複数の特性値を研磨中に監視し、複数の特性値のそれぞれの時間変化の極大点または極小点を検出する。 （もっと読む）

【課題】内径測定用のエアを噴射させるためのノズル部材を備えたホーニングヘッドにおいて、メンテナンスの負担を軽減する。
【解決手段】ホーニングヘッド１０は、ホーニング装置の主軸１に連結されるヘッド本体１２と、その周囲に交互に並ぶ砥石１８及びガイドパッド２２と、砥石１８をヘッド本体１２の径方向に変位させる駆動軸２６等とを備える。ヘッド本体１２のうちヘッド本体１２及びガイドパッド２２よりも主軸１側の位置であって当該砥石１８等に近接する位置には、穴径測定用のエアを噴射させるための噴射口４６を備えたノズル部材４０が外嵌、装着されている。 （もっと読む）

【課題】研磨レートのより高い推定精度を得ることができる研磨装置、研磨レート推定手法、プログラム、データ処理装置を提供する。
【解決手段】研磨による発熱量の情報を利用し、研磨レート推定部Ｋが、その検出した情報に基づいて研磨レートを推定する。研磨レート推定部Ｋは、あらかじめ与えられているプログラムに従って、研磨により発生した熱量の情報を利用して研磨レートを推定する構成を有している。このデータ処理装置では、研磨装置の研磨により発生した熱量の情報を取り込み、研磨レート推定部Ｋが、予め与えられているプログラムに従って、その取り込んだ情報に基づいて研磨レートを推定する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰプロセス中に研磨関連物（被研磨物、研磨パッド、研磨粒子等）材料の表面反応層のヤング率を、ＡＦＭ装置を用いて測定し評価し、更には、その測定結果を用いて事前にＣＭＰ特性を推定し、最適な研磨処理液、研磨パッド、研磨粒子等を選択し、ＣＭＰ技術の開発とＣＭＰプロセスの信頼性の向上に貢献できる化学機械研磨装置の化学機械研磨特性評価方法を提供すること。
【解決手段】スラリー状の研磨剤を研磨パッド表面に供給して、パッドと半導体ウエハ等の薄板状被被研磨物とを相対運動させる科学的及び機械的な研磨における、被研磨物などの研磨関連物の表面のヤング率を、原子間力顕微鏡装置を用いて評価する。 （もっと読む）

【課題】研磨の終了間際において精度よく、かつタイムリーに終点を予測することを可能とする研磨終点の予測方法を提供する。
【解決手段】研磨中にウェーハＷに対向する部分に第１のセンサ１２と第２のセンサ１３を配置し、第１のセンサとして、導電性膜の材質を一因子として決まる表皮効果による磁束変化を基に研磨終了時点を予測する表皮効果センサ１２を使用し、所定の導電性膜としてのＣｕ膜を除去する終了前に表皮効果に基づく特徴的な変化を利用して研磨終了時点を予測し、第２のセンサとして、多波長型分光式センサ１３を用いる。 （もっと読む）

【課題】終点検出を確実に行うために終点間際において精度よく、タイムリーに終点を予測することを可能する研磨終了予測・検出方法を提供する。
【解決手段】研磨中にウェーハＷの表面状態をモニタする少なくとも二つのセンサを配置して研磨終了予測を行う。その一つのセンサとして、導電性膜の材質を一因子として決まる表皮効果による磁束変化を基に研磨終了時点を予測する表皮渦電流センサ１２を使用し、所定の導電性膜としての金属膜を除去する終了前に表皮効果に基づく特徴的な変化を利用して研磨終了時点を予測し、他のセンサは、プラテン２内に設けられたウィンドウ１１を通してウェーハＷに光を照射し、金属膜からの反射光をモニタして研磨終了時点を検出する多波長型分光式センサ１３である。これら二つのセンサはウィンドウ１１に組み付けられている。 （もっと読む）

【課題】埋め込み酸化膜の膜厚分布のばらつきを抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を研磨パッド１０４上に供給しながら、半導体基板１０上に形成された被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて研磨し、被研磨膜の表面を平坦化する工程と、被研磨膜の表面が平坦化された後、研磨剤と水とを研磨パッド上に供給しながら、被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて更に研磨する工程とを有している。 （もっと読む）