【課題】目詰まり現象が起きにくいサンダを提供する。
【解決手段】上記の目的を達成するために、モータ２０と、モータ２０を収納するハウジング２と、モータ２０により駆動される揺動プレート１０と、モータ２０の回転軸２１の下端に固着された偏芯軸２３と、モータ２０の回転軸２１に固着されたホルダー２４と、ホルダー２４の周面に装着された磁石２５と、磁石２５の磁力を感じる磁気センサ３１をもった制御基板３０と、を備えたサンダにおいて、制御基板３０は、磁気センサ３１からの信号を基にフィードバック制御を行い、モータ２０の回転数を一定回転数としたことを特徴とするサンダ。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ等のワークの両面の表面形状プロファイルを個々に緻密に制御できる研削装置および該研削装置を備える研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研削装置は、研磨布を貼り付けた上定盤および下定盤の回転によりワークの表裏面を研磨する両面研磨装置における、研磨布をドレッシングするための研削装置であって、離間させた上下定盤間に挿通され、研磨布の研磨面に対して水平方向に走査かつ垂直方向に昇降可能な移動アームと、移動アームの先端部に研磨布面に対して水平方向に回動可能に取り付けられ、研磨布の表面をドレッシングする研磨布より小径の研削プレートと、移動アームの先端部に取り付けられ、移動アームの走査方向に前記研磨布の表面形状プロファイルを測定する測定部と、測定部の測定結果に基づきドレッシング量を制御する研削制御部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の中心部および周縁部を含む全面において、精度の高い膜厚データを取得することができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】ポリッシング装置は、基板Ｗの表面を研磨パッド２２に対して押圧するトップリング２４と、光源１６ａ，１６ｂからの光を基板Ｗの表面に照射し、基板Ｗからの反射光を受光する第一の光学ヘッド１３Ａおよび第二の光学ヘッド１３Ｂと、反射光の各波長での強度を測定する分光器１４ａ，１４ｂと、反射光の強度と波長との関係を示すスペクトルを生成する処理部１５とを備える。第一の光学ヘッド１３Ａは、トップリング２４に保持された基板Ｗの中心に対向するように配置され、第二の光学ヘッド１３Ｂは、トップリング２４に保持された基板Ｗの周縁部に対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な制御でありながら、精度よくフィレットローラの欠損を判定する。
【解決手段】逐次算出した所定時間あたりの電力変化量ΔＰｉを用いて電力変化量積算値ΔＰｊおよび電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊを算出し（ステップＳ１０２〜Ｓ１０８，Ｓ１１４）、電力変化量積算値ΔＰｊと電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊとを含む直近２０ケの電力変化量積算値ΔＰｊ−１９〜ΔＰｊおよび電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊ−１９〜ΔＰｍａｘｊを用いて許容値範囲ΔＰｊｍａｖ±３σｓｊおよびΔＰｍａｘｊｍａｖ±３σｍｊを設定して（ステップＳ１１２〜Ｓ１１８）、電力変化量積算値ΔＰｊおよび電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊが許容値範囲ΔＰｊｍａｖ±３σｓｊおよびΔＰｍａｘｊｍａｖ±３σｍｊの範囲内であるか否かによってフィレットローラＲが欠損しているか否かを判定する（ステップＳ１２０）。この結果、簡易な制御で欠損判定をすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、処理の終点に対する検出精度を向上させることができる処理の終点検出方法および処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る処理の終点検出方法は、被処理物の処理に伴って時間とともに変化する検出情報を所定の期間収集して単位空間を定義し、前記単位空間を構成する検出情報について平均値と、標準偏差と、を求める。そして、以下の（９）式に基づいて終点検出の判定対象となる検出情報を基準化し、以下の（１０）式に基づいて距離を求め、前記距離に基づいて処理の終点を検出する。
Ｘｔ＝（Ｘ−Ｘｍ）／σｍ ・・・（９）
Ｄ^２＝Ｘｔ^２ ・・・（１０）
ここで、Ｘｍは前記単位空間における平均値、σｍは前記単位空間における標準偏差、Ｘは前記終点検出の判定対象となる任意の時間における検出情報、Ｘｔは基準化された検出情報、Ｄ^２は距離である。 （もっと読む）

【課題】 一つの環状フレームの開口部内に粘着シートを介して複数の被加工物を装着して研削や研磨を実施する場合にも、全ての被加工物を所定の厚みへと薄化可能な加工方法を提供することである。
【解決手段】 環状フレームＦに貼着された粘着テープＴの中心に第１ウエーハ１１を貼着し、複数の第２ウエーハ１３をその周りに貼着したウエーハユニット１５を形成する。チャックテーブル３６の回転軸から第２ウエーハ１３の最外周位置までの長さより大きい半径を有する研削ホイール２２の外周縁が第１ウエーハ１１の中心を通過するように、チャックテーブル３６と研削ホイール２２の位置関係を設定する。厚み測定器４６で第１ウエーハ１１の厚みを測定しながら第１及び第２ウエーハ１１，１３の研削を実施する。第１ウエーハ１１の厚みが所定厚みへ達した際に研削送りを停止することにより、全てのウエーハ１１，１３を所定の厚みへと研削することができる。 （もっと読む）

【課題】作業負担を増加させることなく、上下の回転定盤によりキャリアに保持された半導体ウエハの両面を研磨する際の、研磨の進行状況を正確に推定できる半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】上下の回転定盤２、３によりキャリア６ａに保持されたウエハＷを挟持し、該上下の回転定盤２、３を回転動作させることにより、ウエハＷの両面を同時研磨する研磨装置１を用いたウエハ研磨方法であって、ウエハＷの両面を同時研磨している際の、研磨装置１の定盤負荷電流値をモニタし、そのモニタした定盤負荷電流値を用いて一定時間内における定盤負荷電流値の標準偏差を基準時間毎に算出し、該算出した標準偏差の変化からウエハＷの研磨の進行度を推定する。 （もっと読む）

【課題】作業負担を増加させることなく、上下の回転定盤によりキャリアに保持された半導体ウエハの両面を研磨する際の、研磨の進行状況を正確に推定できる半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】上下の回転定盤２、３によりキャリア６ａに保持されたウエハＷを挟持し、該上下の回転定盤２、３を回転動作させることにより、ウエハＷの両面を同時研磨する研磨装置１を用いたウエハ研磨方法であって、ウエハＷの両面を同時研磨している際の、研磨装置１の定盤負荷電流値をモニタし、前記モニタした定盤負荷電流値を用いて一定時間内における定盤負荷電流値の標準偏差を基準時間毎に算出し、前記標準偏差の時間当たりの変化パターンが所定関係を満足したときに、研磨の終了時点であると推定する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの寿命を正確に決定することができ、研磨パッドの交換頻度を少なくすることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本研磨装置は、研磨テーブル１２を回転させるテーブル回転モータ７０と、トップリング２０を回転させるトップリング回転モータ７１と、研磨パッド２２をドレッシングするドレッサ５０と、研磨パッド２２の高さを測定するパッド高さ測定器６０と、研磨パッド２２の高さから研磨パッド２２の減耗量を算出し、研磨パッド２２の減耗量と、テーブル回転モータ７０のトルクまたは電流と、トップリング回転モータ７１のトルクまたは電流とに基づいて研磨パッド２２の寿命を決定する診断部４７とを備える。 （もっと読む）

【課題】クラウン形成工程において研磨量をより正確に制御する。
【解決手段】ローバー取付工程では、ローバー１を、第１の面で、凸曲面を有するキーパー１６の凸曲面に固定する。この際、ローバーとキーパー１６との間に、弾性変形可能な保持部材１７を、ローバーの第１の面が保持部材１７の外周縁部の内側に入るように介在させる。ローバー研磨工程では、キーパー１６に保持されたローバー１を、凹曲面１３ａを有する回転する研磨定盤の凹曲面１３ａに押し付けながら、ローバー１の研磨面を研磨する。この際、プローブ３２に、弾性復元力が生じるように押し付け力を加えながら、プローブの先端部３５ａを保持部材１７と凹曲面１３ａとで挟まれた空間Ｓに向け、プローブを空間に挿入して電極パッド５に当接させ、抵抗体の電気抵抗を監視しながら、ローバー１を研磨する。 （もっと読む）

【課題】研磨機により円盤状基板の研磨を行う際に、一方の面が優先的に研磨される現象を抑制し、両面の研磨量の差をより小さくすることができる円盤状基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に測定溝１０３，１０４が形成された測定基板１００をガラス基板の両面を同時に研磨する研磨機に配置し、研磨機に配置された測定基板１００の両面を同時に研磨し、研磨後の測定基板１００に残された測定溝１０３，１０４の深さを測定し、研磨機によるガラス基板の両面の研磨条件を調整することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、両面の研磨量の差をより小さくすることができ、円盤状基板を配置する位置の違いによる研磨量の差をより小さくすることができる円盤状基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に測定溝１０３が形成された２つの測定基板１００を研磨機の第１面を研磨する側と２面を研磨する側に測定溝１０３が対峙するようにそれぞれ配置し、２つの測定基板１００を研磨機によって研磨し、２つの測定基板１００の測定溝１０３の研磨後の深さを測定し、研磨機によるガラス基板の両面の研磨条件を調整することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】積層した多数枚のガラス基板をずれないように保持して精度良く切削加工などの加工を各ガラス基板に同時に施すことのできるガラス基板加工方法を提案すること。
【解決手段】本発明のガラス基板加工方法では、加工対象の複数枚のガラス基板３を、液体を含浸させて湿潤状態の液体吸収性シート３１を挟み、厚さ方向に重ね合わせて基板積層体４を形成し、これを厚さ方向の両側からクランプ機構５によってクランプし、クランプ状態の基板積層体４に、走行状態の１本のワイヤー２を押し付けてガラス基板に対して同時に同一の切削加工を施す。湿潤状態の液体吸収性シートを挟んだ状態で多数枚のガラス基板３がクランプされるので、ガラス基板間の密着力が高く、加工時におけるガラス基板のずれを防止でき、加工精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み配線層を研磨加工する際の終点検出をより効果的に行うことのできる研磨加工の終点検出方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る終点検出方法は、半導体基板上に形成された半導体デバイスの埋め込み配線層を研磨する際の終点検出方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に膜厚測定用の溝をダイシングライン上に形成する工程と、溝を含む絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、研磨液を用いて、金属膜を研磨する工程と、ダイシングライン上の溝の位置に対応する窪み内に残存する金属膜の膜厚を計測するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】チップコンデンサやチップ抵抗、二次電池内部の積層電極用アルミニウム箔の製造等に用いて好適な切断装置の刃物の刃先の検査装置を提供する。
【解決手段】光源２０からの光を直立して配されている刃物の側面の第１の研削面１１、第２の研削面１２、第３の研削面１３を横切るように照射しながら移動させる。そして上記刃物に対して側方において、光軸が水平な状態で配されたＣＣＤカメラ２２によって各研削面１１、１２、１３からの反射光を検出し、そのピークから反射面の数を、ピークの幅から各研削面の幅を、またピークが現れる角度から研削面の角度をそれぞれ検出する。またＣＣＤカメラ２２に取込まれた画像によって、各研削面の表面性状を観察する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーとワークとの間で発生する摩擦熱の影響で、ウェハの切断形状が変化することを抑制できる半導体ウェハの製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】複数のローラ１２間にワイヤ１３を巻き回してなるワイヤソー１１で、ワーク１７を切断してウェハを製造する半導体ウェハの製造方法において、ワイヤソー１１の切断部１６を、スラリー１５を溜めたスラリー槽１８内に浸して設けると共に、その切断部１６のワイヤ１３の上方にスラリー１５を吹き付けるスラリー供給管２０を設け、その切断部１６のワイヤ１３の下方のスラリー槽１８内にワーク１７をスラリー１５に浸すように設けると共に、その上方の切断部１６のワイヤ１３にワーク１７を押し付け、かつスラリー供給管２０からスラリー１５を切断部１６に吹き付けて切断し、スラリー槽１８内のスラリー１５を温調槽２１を介してスラリー供給管２０に循環するようにした。 （もっと読む）

【課題】研磨中のウェハからの光反射率の絶対量に変化が生じたり、スラリーがウェハ表面に介在してノイズが混入しても、研磨終了点を正確に検出できるようにする。
【解決手段】図は、分光スペクトルにおける波形の節の波長変化を時間軸に対してプロットした特性図である。この波長変化のプロットに対して、予め設定した近似線、例えば、ｙ＝−ａｔ＋ｂの一次式で近似した近似線を描く。尚、ｙは波長、ｔは研磨時間、ａ，ｂは定数である。そして、近似線が任意の波長に達したタイミングを研磨終了点とする。例えば、分光スペクトルの波長が５１０ｎｍに達した時刻（研磨開始時点からの時刻）１１０ｓｅｃを研磨終了時刻として予測する。このようにして、近似線を用いることにより、研磨中のウェハの膜厚むらの有／無に関わらず、ウェハの膜厚変化に対する波長のシフト量からウェハの研磨終了時刻を正確に予測することができる。 （もっと読む）

【課題】可視光線を用いてシリコン層などの半導体層の研磨終点を正確に検知することができる研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨方法は、半導体層の研磨中に該半導体層に可視光を照射し、半導体層からの反射光を受光し、反射光の所定の波長範囲での強度を測定し、強度の測定値を所定の基準強度で割って相対反射率を算出し、相対反射率と反射光の波長との関係を示すスペクトルを生成し、スペクトルから、半導体層の厚さに従って変化する研磨指標を求め、研磨指標が所定のしきい値に達した時点に基づいて半導体層の研磨を終了する。 （もっと読む）

【目的】 研磨ベルトをロール交換する際の作業性を向上することができる研磨ベルト移動制御システムを提供する。
【解決手段】 研磨ベルト２０をロール交換するときには、研磨ベルト２０の巻き取りを開始してから使用済の研磨ベルト２０と未使用の研磨ベルト２０とを結合するベルト結合部材９１が巻取装置６０の位置に移動するまで、自動的に研磨ベルト２０の巻き取りを行わせ、ベルト結合部材９１が巻取装置６０の位置に移動した時点で研磨ベルト２０の巻き取りを停止する。これにより、従業員は、研磨ベルト２０の巻き取りが開始されてから結合部分（ベルト結合部材９１）が巻取装置６０の位置に移動するまでの間、その場に居合わせる必要がなくなり、結果として、研磨ベルト２０をロール交換する際の作業性を向上することができる。 （もっと読む）