【課題】周波数掃引法によって厚み検出を行う圧電振動子の両面ポリッシング加工において、非導電性のポリッシングパッドの厚み、弾性、あるいは使用時間の影響を実質的に受けることなく、共振周波数の高周波数化と表面粗度への要求とに対応することを課題とする。
【解決手段】上定盤１１には、流体貯留部３４内に開口し、樋２５から通電用流体を供給するための注入路３２が設けられている。流体貯留部３４内には、電極端面３３１が流体ポケット３５より突出しない位置になるように測定電極３３が設けられている。測定電極３３は、電極端面３３１を除いて周囲が絶縁壁３３２により電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】 光学監視装置で生成される信号のノイズに拘わらず正しい終点を検出する。
【解決手段】 方法とともに装置が、基板１０表面を研磨パッド３０に接触させる。光学終点検出装置により、光線４２を向けて基板１０表面に衝突させる。光学終点監視装置からの信号を監視し、第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出されない場合には、デフォルト研磨時間で研磨を停止する。第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出される場合には、第二の終点基準を得るために信号を監視し、第二の終点基準が検出される場合に研磨を停止する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ繰り出し位置とスライダの位置とのずれの発生を抑制する。
【解決手段】トラバース装置は、リール９Ａから繰り出されるワイヤＷが掛け渡されるガイドプーリ５０を備えたスライダ４０と、このスライダを駆動するトラバースモータ４６等を備える。トラバース装置は、さらにワイヤＷに接触可能に配置される一対のタッチローラ５６ａ，５６ｂと、これらに対するワイヤＷの接触荷重を検出するロードセル６０ａ，６０ｂと、これらの検出荷重に基づきトラバースモータ４６を制御する制御装置６２等を備える。制御装置６２は、ロードセル６０ａ，６０ｂのうち何れかにより接触荷重が検出されると、当該荷重が生じた側のタッチローラとワイヤＷとが非接触状態となるように、検出された接触荷重に基づいてトラバースモータ４６を制御することによりスライダ４０の位置をワイヤ繰り出し位置Ｐに対して相対的にシフトさせるシフト動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点検出用ポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】ポリウレタン材料製の第１層２２とその背面に配置され、第１層材料より軟質の第２層材料２０からなるポリッシング面に形成されたホール３０と、そのホールに挿入されたクオーツインサートから構成される透明ソリッド部分と、このポリッシング面とは反対の面に形成され、前記透明ソリッド部分と調芯され、かつ透明ソリッド部分にまで延びる溝を有する構造のポリッシングパッド１８であり、基板上の層の均一性を、係る層の研磨の最中にインシチュウで測定するために使用する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーにおけるガイドプーリの磨耗を早期に検出する。
【解決手段】ガイドプーリ７の案内溝２７を経由してワイヤ２を複数の溝ローラ１１間に巻き掛け、ワイヤ２を走行させて溝ローラ１１間のワイヤ２にワーク１５を押し付けることによってワーク１５を切断するワイヤソーにおいて、前記ワイヤ２の所定走行速度及び前記ガイドプーリ７の案内溝２７の初期外径ｄ１を設定することで、予め前記所定走行速度におけるガイドプーリ７の所定範囲の回転数を設定する制御部と、ガイドプーリ７の回転数を検出するセンサ３２とを備えるガイドプーリの磨耗検出装置１９。前記ワイヤソーを駆動してワイヤ２が前記所定走行速度に達した時点でのガイドプーリ７の回転数をセンサ３２で検出し、この回転数と予め制御部に設定された所定範囲の回転数とを比較し、ガイドプーリ７の回転数が所定範囲外となったことを前記制御部で判断する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑えながら、停電等の発生時により確実かつ正常に切断用ワイヤの走行を停止させる。
【解決手段】ワイヤソーは、切断用ワイヤを駆動するための駆動モータ２５、これを制御するサーボアンプ４２等を含む。サーボアンプ４２は、電源４０から供給される交流電力を直流電力に変換するコンバータ部４４と、直流電力を平滑化するとともに蓄積する平滑部４６と、直流電力を交流電力に変換して駆動モータ２５に供給するインバータ部４８と、停電時等に平滑部４６に蓄積された電力を用いて駆動モータ２５を減速動作に移行すべくインバータ部４８を制御する制御部５０を含む。平滑部４６は、電気二重層キャパシタ４６ａ及び電解コンデンサ４６ｂからなり、停電時には、この電気二重層キャパシタ４６ａ等に蓄積された電力が駆動モータ２５に供給される。 （もっと読む）

【課題】研磨された半導体ウエハの端部表面形状に関して有利な代替の研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドによる半導体ウエハの研磨方法であって、研磨パッドは、平均粒径０．１〜１．０μｍを有するＳｉＯ₂の固定結合砥粒を含み、アルカリ成分を含み、固体材料を含有せず、１１〜１３．５の可変ｐＨ値を有する研磨液が供給され、研磨液は、研磨処理中にｐＨ値１３未満を有し、研磨処理を終了する目的で、ｐＨ値を１３〜１３．５に上昇させる、方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主平面の平滑性と端部形状に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を生産性高く研磨するガラス基板の研磨方法、及び該研磨方法を用いた研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、平均粒子直径が１００ｎｍ以下の砥粒を含有する研磨液を用いて、ガラス基板の両主平面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差を１．５μｍ以下としてガラス基板の主平面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】回転ブラシの磨耗の程度を良好に検出して、回転ブラシとワークとの間隔を良好に自動的に調整し、表面処理作業の効率化を図る。
【解決手段】回転ブラシ１０，２０の回転によって空気流が発生すると、流速計１００で空気流の流速Ｖが検出される。演算部２１０は、外部メモリ２５０の流速−ブラシ径データ２５４を参照し、検出した流速Ｖに対応するブラシ直径Ｄを得る。演算部２１０では、得られたブラシ直径Ｄと、ブラシ初期位置Ｐと、ワーク厚さＷＴとから、ブラシ位置調整量ΔＰを演算する。このブラシ位置調整量ΔＰの値に基づいて、昇降機構１２，２２によって回転ブラシ１０，２０の位置調整が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】研磨の進捗を正確に監視し、さらには正確な研磨終点を検出することができる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板の研磨中に基板に光を照射し、基板からの反射光を受光し、反射光の強度を波長ごとに測定し、強度の測定値から、強度と波長との関係を示すスペクトルを生成し、所定の時間当たりのスペクトルの変化量を算出し、スペクトルの変化量を研磨時間に沿って積算してスペクトル累積変化量を算出し、スペクトル累積変化量に基づいて基板の研磨の進捗を監視する。 （もっと読む）

【課題】金属膜の被研磨材を研磨パッド上にスラリーを供給しながら終点検出をおこない研磨をおこなう際に、スクラッチが生じないで良好な終点検出が実現できる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨層１とクッション層４と窓部材２からなる研磨パッドであって、窓部材２がフッ素を含有する重合体で作成され、該窓部材２には表面から裏面に最大孔径が０．０１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の貫通孔を有していることを特徴とする研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 研削後に膜が残存することがないウエーハの研削方法を提供することである。
【解決手段】 所定厚みの膜が表面に被覆されたウエーハを研削して該膜を研削除去するウエーハの研削方法であって、チャックテーブルでウエーハの裏面を保持して、保持したウエーハの厚みを表面から複数点で検出する複数厚み検出ステップと、検出したウエーハ厚みのうち最小値を検出する最小値検出ステップと、検出した該最小値から少なくとも該膜の該所定厚みを減じた値を目標仕上げ厚み値として算出する目標仕上げ厚み算出ステップと、該チャックテーブルで保持したウエーハの厚みを検出しつつ、ウエーハの表面に研削砥石を当接してウエーハとの間で摺動させて、該目標仕上げ厚み値までウエーハを研削することで該膜を研削除去する膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス板の研磨工程において研磨状況を正確且つ迅速にモニタリングすることができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス板研磨状況のモニタリング装置は、ガラス板で研磨装置１０により研磨される部分の位置を測定する位置測定部１１０；研磨装置１０に流入する電流を測定する電流測定部１２０；研磨装置１０に流入する電流に対する参照値をガラス板の研磨位置ごとに貯蔵するメモリ部１３０；及び位置測定部１１０及び電流測定部１２０による研磨位置ごとの電流測定値とメモリ部１３０に貯蔵された研磨位置ごとの電流参照値とを比較して研磨状況の不良可否を判断する制御部１４０；を含む。 （もっと読む）

【課題】サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。
【解決手段】渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第１の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび／または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第２の信号を測定する。第１の信号に含まれる利得及び／又は位相の歪みを第２の信号に基づいて校正する。校正した第１の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨（ＣＭＰ）システムを開示する。このＣＭＰシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 （もっと読む）

【課題】支持部と該支持部の端部に沿って取付けられた刃部とを備えた切削部材の支持部のみを研削して、刃部の切削面を支持部の先端面よりも外方に位置させるようにする研削装置を提供する。
【解決手段】切削部材１を研削する研削装置１０であって、前記切削部材１が、支持部４と、該支持部の端部に沿って取付けられた刃部２とを備えてなり、前記研削装置１０が、外周面が研削部であって回転駆動される円盤状の研削部材１４と、前記研削部材の外周面と前記切削部材とを当接させるように前記切削部材を支持する支持機構１８と、を備え、該支持機構は、前記切削部材を保持する保持部材２０と、該保持部材を移動させる移動装置２２とを備え、前記切削部材の支持部のみが前記円盤状の研削部材の外周面に当接するように前記切削部材を前記研削部材に対して移動できるものである研削装置。 （もっと読む）

【課題】 研磨レートの推定精度を高める。
【解決手段】 研磨中における研磨部分の温度を検出すると共に、温度以外の、研磨レートと関係のある所定の物理量を検出する（ステップＳ１）。そして、その検出した温度の時間的な変化傾向に基づき研磨期間中における少なくとも２つの異なる時間範囲を設定する（ステップＳ２）。それら各時間範囲毎の研磨部分温度情報と、前記温度以外の物理量の情報とを利用して、研磨レートを推定する（ステップＳ３）。 （もっと読む）

研磨パッドを支持する表面を有するプラテンおよび渦電流信号を生成する渦電流モニタシステムを備える化学機械研磨用の装置。渦電流モニタシステムは、磁心および磁心の一部分の周囲に巻かれたコイルを有する。磁心は、後部部分と、後部部分からプラテンの表面に直角の第１の方向に延び、プラテンの表面と平行な第２の方向に幅を有する第１の突起部と、第１の突起部の両側に、第１の突起部から等距離に位置する、後部部分から第１の突出部と平行に延びる第２および第３の突起部とを有する。第２および第３の突起部のそれぞれと第１の突起部との間隔は、第１の突起部の幅のほぼ２倍に等しい。
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【課題】ワイヤソーによるインゴットの切断において、プーリーの回転抵抗によってワイヤに過大な張力が掛り、ワイヤが断線に至ることを抑制しながらインゴットを切断でき、その結果、切断するインゴットに段差が発生したり、ナノトポグラフィーが悪化するのを抑制する。
【解決手段】一組のワイヤリールの一方から巻き出され、他方のワイヤリールに巻き取られるワイヤを複数の溝付きローラに巻き掛けし、固定軸によって支持される回転自在な少なくとも１つ以上のプーリーをワイヤリールと溝付きローラ間に配置し、溝付きローラにスラリを供給しつつ、インゴットを切断するワイヤソーによるインゴットの切断方法において、プーリーの固定軸にトルク検出機構を設けてプーリーの回転抵抗値を検出しながらインゴットを切断し、トルク検出機構によって検出されたプーリーの回転抵抗値の異常を検知した際にインゴットの切断を停止するインゴットの切断方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーにおけるワイヤの断線を簡単な構造で精度良く確実に検出する。
【解決手段】溝ローラ５間に形成されたワイヤ列に加工物８を押し付けて多数枚に切断するワイヤソー１において、ワイヤ列のワイヤ６の走行路近傍に本体フレーム２と絶縁状態で検出用電線２４を張設し、この検出用電線２４に所定の電圧を印加する直流電源３０と、検出用電線２４と直流電源３０との間に直列に設けた少なくとも１つの抵抗３３と、前記直流電源３０と検出用電線２４との間に直列に設けた電流計３１とからなる直列回路を形成すると共に検出用電線２４と直接隣接しないように少なくとも１つの抵抗３３又は電流計３１を挟んだ位置から直列回路を分岐させて本体フレーム２にアース３２を取るように構成しておき、断線したワイヤ６の接触により検出用電線２４が切断されて変化する電流値からワイヤ６の断線を検出してワイヤソー１を停止させる。 （もっと読む）

【課題】基板研磨装置の研磨テーブルの研磨面の温度を測定し、該測定した温度情報をＰＩＤ制御によりフィードバックして研磨面を温調しながら基板を研磨する基板研磨装置、基板研磨方法、基板研磨装置の研磨パッド面温調装置を提供する。
【解決手段】研磨パッド１１が貼付された研磨テーブル１３と、基板を保持するトップリング１４とを備えた基板研磨装置において、研磨パッド１１面上の温度を検出する放射温度計１９と、研磨パッド１１面上の温度を調整するパッド温調手段２６と、研磨パッド温度情報に基づいてパッド温調手段２６を制御して研磨パッド１１面上の温度を制御する温度コントローラ２０を備え、温度コントローラ２０は複数種のＰＩＤパラメータから所定のルールに基づき所定のＰＩＤパラメータを選択し、パッド温度情報に基づいて選択したＰＩＤパラメータを用いて研磨パッド１１面上の温度を制御する。 （もっと読む）