【課題】磁気ヘッドのような積層構造に形成された研磨対象物を正確に研磨加工することができる研磨加工方法を提供する。
【解決手段】研磨面側が積層構造に形成された研磨対象物１０を、積層方向に研磨を進める研磨加工方法であって、前記研磨対象物１０の外面に、研磨面を前記研磨対象物の研磨面と同一の向きとしてダミーサンプル１２ａ〜１２ｄを固定して形成された研磨用のワーク２０を使用するとともに、研磨面側に、大きさあるいは形状が層ごとに異なるラッピングモニター１６ａ、１６ｂ、１６ｃが複数層に積層して形成されたダミーサンプル１６を使用し、前記ワーク２０を研磨した際にあらわれる、前記ダミーサンプル１２ａ〜１２
ｄの研磨面におけるラッピングモニター１６の形状により、前記ワーク２０の研磨面の傾きをモニターしながら研磨加工を進める。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおいて、外乱の影響を排除してウェーハの研磨状態を精度よく検知し、研磨終点の制御精度を向上する。
【解決手段】ウェーハＷの表面に白色光を照射し、その反射光を分光する手段を具備し、研磨中、ウェーハＷ表面から反射される波長ないしは波数に対する反射率波形をフーリエ変換するステップと、フーリエ変換された波形に対して、変化する周期性部分を精製するステップと、フィルタリング後の波形を逆フーリエ変換して反射率波形を復元するステップを有し、研磨終了時点で得られる所定の反射率波形と研磨中の反射率波形とを所定域においてその山谷位置を照合し、その照合結果を基に研磨の終点を検出することにより、スラリー等による生じる外乱の影響を低減する。 （もっと読む）

【課題】所定の膜を所望の膜厚を研磨終点として該研磨終点を初期膜厚の差によらず、またスラリー等の影響を受けることなく安定して且つ、精度よく検出する研磨終点検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、所定の膜からの反射光を各波長ごとに分光する第１のステップと、反射光を各波長ごとの反射率に換算する第２のステップと、各基準波長幅における反射率の変化量をそれぞれ算出する第３のステップと、各反射率の変化量を評価波長範囲にわたって平均し一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値を求める第４のステップと、研磨の進行に伴って一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値波形に生じる特徴的な変化Ｐ、Ｑを基に研磨終点を検出する第５のステップとを有する研磨終点検出方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】ホーニング砥石のワークの内周面に対する接触位置を、高い精度をもって感知することができる砥石接触感知技術を提供する。
【解決手段】ホーニングツール１を備えた回転主軸２を回転駆動する主軸回転駆動源とホーニング砥石１０、１０、…を切込み動作させる切込み駆動源として、それぞれ主軸回転駆動用サーボモータ１６および切込み駆動用サーボモータ３７が使用され、両サーボモータ１６、３７の動作から得られる各種電気的情報（回転数、トルク、電流値、溜まりパルス等）から、ホーニングツール１のホーニング砥石１０、１０、…の砥石面１０ａ、１０ａ、…ワークＷの内周面Ｗａに対する接触位置を感知する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスク膜などの絶縁膜が所望の研磨量だけ研磨されたときに研磨を終了させることができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明は、溝を有する絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたバリア膜と、バリア膜上に形成された金属膜とを有し、金属膜の一部が金属配線として溝内に形成されている基板を研磨する研磨方法である。この研磨方法は、金属膜を除去する第１研磨工程と、第１研磨工程後、バリア膜を除去する第２研磨工程と、第２研磨工程後、絶縁膜を研磨する第３研磨工程とを有し、第２研磨工程および第３研磨工程の間、基板の研磨状態を渦電流センサでモニタし、渦電流センサの出力信号値が所定の閾値に達したときに第３研磨工程を終了する。 （もっと読む）

研磨操作における終点の現場監視用の信号を、それを経由して伝送する経路を含む研磨パッド。一つの実施態様において、研磨パッドは、ガイドプレートの第一面上の研磨組成物分配層およびガイドプレートの反対の第二面上の支持層を含む。該ガイドプレートは、研磨パッドを含む面に実質的に法線である第一方向に沿って、また研磨組成物分配層を経由して、伸びている複数の研磨エレメントを保持している。該研磨パッドは、第一方向に沿って、かつパッドの厚みを経由している光路を含んでいる。
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化学機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスによって生成される流出液の流動を収集及び分析するための装置及び方法は、少なくとも１の流出液特性の連続測定を行い、時間で結果を積分して、平坦化プロセスの容量分析を生成する。容量分析はフィードバック／フィードフォワード信号として用いられて、平坦化プロセスそのものを制御し（例えば、フィルム材料の既知の初期の厚さによる終点の検出）、範囲外の測定値のためのアラーム信号を生成し、及び／又は、放出前に流出液を処理するのに有用な廃棄物流動の指標を生成する（例えば、ｐＨ補正の決定）。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドは、周辺側に終点検出用孔、中心側に空気抜き穴がそれぞれ形成された定盤に粘着される下地層と、該下地層の上面に貼り合わされた研磨層との二層構造とされているが、研磨層の終点検出用窓の周囲が盛り上がらないようにした研磨パッド及びこの研磨パッドを構成しているクッション体を提供する。
【解決手段】研磨パッド２０には、下地層２１と研磨層２２とに終点検出用孔１１に連通する終点検出用窓２１ａ，２２ａが形成され、研磨層２２に形成された終点検出用窓２２ａに透光部材２２ｂが嵌め込まれている。そして、本発明の前記下地層２１には、排気路２４が形成されている。排気路２４の局部、例えば片端は前記終点検出用窓２１ａに連通し、排気路２４の一部、例えば末端は定盤に形成された空気抜き穴１３に連通し、両者１３，２１ａ間に中継部２４ａが設けられている。中継部２４ａは、スリット状又は溝状に形成される。 （もっと読む）

【課題】モータ負荷や球体数が変動した場合に、これを早期に検出して、安定して稼働し、かつ、電力消費を少なくすることができる揚送研磨装置を提供する。
【解決手段】(ａ)モータに外部信号により回転数を制御可能なものを用い、(ｂ)モータの回転を常に監視するモータ監視手段と、(ｃ)研磨装置内又は前における球体の状況を検知する状況検知手段と、(ｄ)モータ監視手段及び状況検知手段からの情報を基に、モータの起動、停止、回転数等を制御するモータ制御手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】研磨の光学的終点検出が高い精度で安定して得られる研磨パッドおよび研磨装置が実現できない。
【解決手段】研磨パッド１０においては、研磨パッド１０を貫通する窓材３１の下面の面積が上面の面積よりも大きくなっている。かかる構造の研磨パッド１０によれば、研磨パッド１０の表面から裏面へのスラリー４２および水の浸入を抑制しつつ、強度の高い窓材３１が得られる。このような研磨パッド１０を用いることにより、研磨の光学的終点検出が高い精度で安定してできる。 （もっと読む）

コンピュータで実施される方法は、その場光学監視システムを使用して少なくとも１つの現在のスペクトルを得るステップと、現在のスペクトルを複数の異なる基準スペクトルと比較するステップと、その比較するステップに基づいて、研磨を受けている最外層を有する基板について研磨終点に達したかどうかを決定するステップとを包含する。現在のスペクトルは、研磨を受けている最外層および少なくとも１つの下位層を有する基板から反射される光のスペクトルである。複数の基準スペクトルは、同じ厚さを有する最外層および異なる厚さを有する下位層を有する基板から反射される光のスペクトルを表す。
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【課題】研磨時間を短縮した研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置１において、制御部６０は、マスク基板１０上の研磨部材４２の移動速度が略一定になるようにＸＹＺステージ２０の作動を制御するとともに、研磨工具４０（研磨部材４２）の回転速度および押圧機構５０による研磨圧力の少なくとも一方がマスク基板１０の形状に応じて変化するように、サーボモータ３３および押圧機構５０の作動を制御するようになっている。 （もっと読む）

基板研磨の終点を決定するシステム、方法、および装置が提供される。本発明は、基板の縁部へ光を伝えるように構成された光源と、基板縁部から反射した光の構成を検出するように構成された１つまたは複数の検出器と、反射光の構成に基づいて基板縁部に対する研磨の終点を決定するように構成された制御装置とを含む。多数の他の態様も提供される。
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【課題】研磨中の研磨対象物の被研磨面上の膜の状態を精度よく、かつ、安価に測定することができる研磨状態監視装置を提供する。
【解決手段】光源３０と、光源３０からの光を半導体ウェハＷの被研磨面に光を照射する発光光ファイバ３２と、ウェハＷの被研磨面からの反射光を受光する受光光ファイバ３４と、受光された反射光を複数の波長に分光する分光器と、分光された複数の波長の光を電気的情報として蓄積する受光素子と、受光素子に蓄積された電気的情報を読み取って反射光のスペクトルデータを生成するスペクトルデータ生成部と、スペクトルデータ生成部により生成されたスペクトルデータの波長成分に所定の重み係数を乗じる乗算を含む演算により半導体ウェハの被研磨面における所定の特性値を算出する演算部４８とを備えた。 （もっと読む）

【課題】研磨中の研磨対象物の被研磨面上の膜の状態を精度よく、かつ、安価に測定し、研磨終点のタイミングを決定することができるようにした研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの被研磨面に形成された膜を研磨する方法であって、被研磨面を研磨テーブル１２に対して相対運動させながら、トリガ信号に基づく所定のタイミングでパルス点灯光源３０から被研磨面にパルス点灯し、被研磨面からの反射光を受光し、受光した反射光を複数の波長に分光し、分光した複数の波長の光からスペクトルデータを生成し、スペクトルデータに基づいて算出された特性値を用いて被研磨面の研磨進捗状況を監視する。 （もっと読む）

【課題】正確にかつ簡便に半導体基板の表面処理工程をモニターできる方法を提供する。
【解決手段】本半導体基板の表面処理のモニター方法は、半導体基板の表面にマーカ１０を形成する工程と、マーカ１０が形成された表面を処理する工程とを備え、表面を処理する工程における表面のマーカ１０の形態の変化により表面を処理する工程をモニターする。 （もっと読む）

【課題】研磨を行っている状態で高精度の光学終点検知を可能とし、長期間使用した場合であってもスラリー漏れを防止し得る研磨パッドを提供すること。
【解決手段】中間層１２を介してクッション層１３上に研磨層１０を積層した研磨パッド１であって、研磨層１０は、第１開口部１１が形成された研磨領域８と、第１開口部１１内に配設され、中間層１２と当接した光透過領域９とを備えるものであり、中間層１２及びクッション層１３は、光透過領域９よりも小さく、かつ光透過領域９と重なるように形成された第２開口部１４を備えるものであり、中間層１２は、樹脂フィルムにセラミックを蒸着した複合フィルムであることを特徴とする研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】スラリーの供給不足をより確実に検出できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、ウェハＷを保持する保持機構１０と、保持機構１０に保持されたウェハＷを研磨する研磨パッド２１とを備え、保持機構１０に保持されたウェハＷの被研磨面Ｗａに研磨パッド２１を当接させながら相対移動させてウェハＷの研磨加工を行うように構成された研磨装置１において、被研磨面Ｗａと研磨パッド２１との当接部にスラリー３１を供給するスラリー供給機構３０と、被研磨面Ｗａにプローブ光を照射する光源４１と、プローブ光が照射された被研磨面Ｗａからの反射光を検出する光検出器４３と、光検出器４３に検出された反射光の情報に基づいて研磨加工の終点を検出するとともに当該反射光の情報に基づいてスラリー３１の供給状態を判定する制御装置５０とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】膜厚および屈折率の複雑な解析をすることなく、エリプソメトリーを利用して速やかに研磨終点を検出することができる研磨終点検出方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の被研磨物の研磨終点を検出する方法は、被研磨物の表面に光を照射し、被研磨物からの反射光を受光し、反射光のＰ偏光とＳ偏光の位相差Δ、およびＰ偏光とＳ偏光の振幅比ψを取得し、振幅比ψおよび位相差Δを変数とした座標系に、取得された振幅比ψおよび位相差Δから決定される座標をプロットし、プロットされた座標の軌跡の変化に基づいて研磨終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】被研磨面の表面にスクラッチを生じさせることなく、被研磨物の表面に形成された研磨対象膜の表面に生じる段差（凹凸）を効果的に解消し、余剰な研磨対象膜を平坦に研磨して除去することができ、しかも生産性を高めることができるようにする。
【解決手段】被研磨物の半径よりも直径の小さい研磨部の研磨パッドを被研磨物の被研磨面に第１押圧力で押圧しつつ、研磨パッドと被研磨物を第１相対速度で相対運動させて研磨対象膜の第１段研磨を行い、研磨対象膜表面の段差が解消されて該表面が平坦になった時点で前記第１段研磨を終了し、被研磨物の直径よりも直径の大きい研磨部の研磨パッドを被研磨物の被研磨面に第１押圧力より大きな第２押圧力で押圧しつつ、研磨パッドと被研磨物を第１相対速度よりも遅い第２相対速度で相対運動させて研磨対象膜の第２段研磨を行う。 （もっと読む）